JPH0789884A - 新規なオレフィン化合物、その製造方法及びその中間体 - Google Patents
新規なオレフィン化合物、その製造方法及びその中間体Info
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- JPH0789884A JPH0789884A JP1717591A JP1717591A JPH0789884A JP H0789884 A JPH0789884 A JP H0789884A JP 1717591 A JP1717591 A JP 1717591A JP 1717591 A JP1717591 A JP 1717591A JP H0789884 A JPH0789884 A JP H0789884A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機電子材料として有用な新規なオレフィン
化合物、その工業的に有利な製造方法及びその中間体を
提供する。 【構成】 下記一般式化１で表わされる新規なオレフィ
ン化合物。 【化１】 （式中、Ａｒ、Ｒ1、Ｒ2、ｎ及びｍはそれぞれ以下のも
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。）
化合物、その工業的に有利な製造方法及びその中間体を
提供する。 【構成】 下記一般式化１で表わされる新規なオレフィ
ン化合物。 【化１】 （式中、Ａｒ、Ｒ1、Ｒ2、ｎ及びｍはそれぞれ以下のも
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はピレン環を含む新規なオ
レフィン化合物、その製造方法、及びその中間体に関
し、更に詳しくはピレン環によりπ共役が拡大された分
子構造を有する、有機電子材料として有用な、新規なオ
レフィン化合物その製造方法及びその中間体に関する。
レフィン化合物、その製造方法、及びその中間体に関
し、更に詳しくはピレン環によりπ共役が拡大された分
子構造を有する、有機電子材料として有用な、新規なオ
レフィン化合物その製造方法及びその中間体に関する。
【０００２】
【従来の技術】オレフィン化合物の合成に関しては、
“Ｋ．Ｂ．Ｂｅｃｋｅｒ； ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ３４
１ （１９８３）”に、「スチルベン類の合成」という
タイトルで数多くの方法が紹介されている。ピレン環を
含むオレフィン化合物に関しては、上記の文献に記載さ
れている（１）Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による方法、
（２）Ａｎｉｌ 合成による方法、（３）Ｋｎｏｅｖｅ
ｎａｇｅｌ反応による方法、（４）Ｗｉｔｔｉｇ反応に
よる方法、（５）Ｗｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ反応によ
る方法等を用いた合成例が、下記文献に開示されてい
る。すなわち、（１）の例として“Ｒｅｃ． ｔｒａ
ｖ．ｃｈｉｍ．，７４， １１１９（１９５５）”で
は、ピレンアルデヒド、ベンジルマグネシウム塩化物及
び蟻酸とによりスチリルピレンを得ており、（２）の例
として“Ｃ．Ａ．７１，７１９２７”には、１−（２−
ナフチル）−２−（３−ピレニル）エチレンが記載され
ている。また、（３）の例として西ドイツ特許公開明細
書第２，５１３，１９０号（１９７５）には、ピレン−
１−アルデヒドと２，４，６−トリニトロトルエンとの
反応により１−（２，４，６−トリニトロスチリル）ピ
レンを得る方法が記載されている。しかし、これら
（１）〜（３）の方法は、何れも脱水下で行なわれなけ
ればならないことや高温、長時間を要するなど、反応操
作性あるいは反応上の問題点と共に、電子吸引性の置換
基により活性化された化合物に制約される等の難点があ
る。
“Ｋ．Ｂ．Ｂｅｃｋｅｒ； ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ３４
１ （１９８３）”に、「スチルベン類の合成」という
タイトルで数多くの方法が紹介されている。ピレン環を
含むオレフィン化合物に関しては、上記の文献に記載さ
れている（１）Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による方法、
（２）Ａｎｉｌ 合成による方法、（３）Ｋｎｏｅｖｅ
ｎａｇｅｌ反応による方法、（４）Ｗｉｔｔｉｇ反応に
よる方法、（５）Ｗｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ反応によ
る方法等を用いた合成例が、下記文献に開示されてい
る。すなわち、（１）の例として“Ｒｅｃ． ｔｒａ
ｖ．ｃｈｉｍ．，７４， １１１９（１９５５）”で
は、ピレンアルデヒド、ベンジルマグネシウム塩化物及
び蟻酸とによりスチリルピレンを得ており、（２）の例
として“Ｃ．Ａ．７１，７１９２７”には、１−（２−
ナフチル）−２−（３−ピレニル）エチレンが記載され
ている。また、（３）の例として西ドイツ特許公開明細
書第２，５１３，１９０号（１９７５）には、ピレン−
１−アルデヒドと２，４，６−トリニトロトルエンとの
反応により１−（２，４，６−トリニトロスチリル）ピ
レンを得る方法が記載されている。しかし、これら
（１）〜（３）の方法は、何れも脱水下で行なわれなけ
ればならないことや高温、長時間を要するなど、反応操
作性あるいは反応上の問題点と共に、電子吸引性の置換
基により活性化された化合物に制約される等の難点があ
る。
【０００３】一方、前記（４）のリン化合物を用いるＷ
ｉｔｔｉｇ反応は、温和な条件下でオレフィン合成を行
なう方法として大変優れたものであり、“Ｂｕｌｌ，
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． Ｊａｐ． ４４， ２２３１（１
９７１）”及び“同４５，８７５（１９７２）”には、
ピレニルメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを
Ｗｉｔｔｉｇ試薬として用いたオレフィンの合成が記載
されている。しかし、この反応は一般にシス−トランス
の混合物を与える、またある種のケトンとは反応性が低
い、オレフィンと等モル副生するホスフィンオキシドの
除去が困難であるなどといういくつかの欠点が指摘され
ていることも事実である。また、前記（５）のＷｉｔｔ
ｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ法、すなわちピレンアルデヒドと４
−ジフェニルアミノベンジルホスホン酸ジエチルとの反
応により、置換アミノスチリルピレンを得る方法が、特
開平１−２５２９６５号及び特開平１−２５３７５３号
各公報に開示されているが、ここに記載されているホス
ホン酸エステルの合成は、合成化学的見地からみて、極
めて実現困難なものと言わざるを得ない。
ｉｔｔｉｇ反応は、温和な条件下でオレフィン合成を行
なう方法として大変優れたものであり、“Ｂｕｌｌ，
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． Ｊａｐ． ４４， ２２３１（１
９７１）”及び“同４５，８７５（１９７２）”には、
ピレニルメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを
Ｗｉｔｔｉｇ試薬として用いたオレフィンの合成が記載
されている。しかし、この反応は一般にシス−トランス
の混合物を与える、またある種のケトンとは反応性が低
い、オレフィンと等モル副生するホスフィンオキシドの
除去が困難であるなどといういくつかの欠点が指摘され
ていることも事実である。また、前記（５）のＷｉｔｔ
ｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ法、すなわちピレンアルデヒドと４
−ジフェニルアミノベンジルホスホン酸ジエチルとの反
応により、置換アミノスチリルピレンを得る方法が、特
開平１−２５２９６５号及び特開平１−２５３７５３号
各公報に開示されているが、ここに記載されているホス
ホン酸エステルの合成は、合成化学的見地からみて、極
めて実現困難なものと言わざるを得ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ピレン
環を含むオレフィン化合物の製造に関しては、従来の方
法は何れも何らかの問題点を有し、未だ満足される方法
は見出されていないし、且つ従来の製造方法には種々の
制約があって、合成され得る化合物の適用範囲が狭いと
いうのが現状である。従って、本発明の目的は、有機電
子材料として有用な、π共役が拡大された分子構造を有
する、新規なオレフィン化合物を提供すること及び前記
従来技術の有する問題点を克服したオレフィン化合物の
製造方法を提供すること更にはこれらオレフィン化合物
合成のための新規な中間体を提供することにある。
環を含むオレフィン化合物の製造に関しては、従来の方
法は何れも何らかの問題点を有し、未だ満足される方法
は見出されていないし、且つ従来の製造方法には種々の
制約があって、合成され得る化合物の適用範囲が狭いと
いうのが現状である。従って、本発明の目的は、有機電
子材料として有用な、π共役が拡大された分子構造を有
する、新規なオレフィン化合物を提供すること及び前記
従来技術の有する問題点を克服したオレフィン化合物の
製造方法を提供すること更にはこれらオレフィン化合物
合成のための新規な中間体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、前記Ｗｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ反応にお
いて、１−ピレニルメチルホスホン酸ジエチルを用いる
ことにより、多様なカルボニル化合物との反応で、ピレ
ン環を有する新規なオレフィン化合物の合成を、極めて
有効に実施できることを見出し、本発明を完成するに到
った。
重ねた結果、前記Ｗｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ反応にお
いて、１−ピレニルメチルホスホン酸ジエチルを用いる
ことにより、多様なカルボニル化合物との反応で、ピレ
ン環を有する新規なオレフィン化合物の合成を、極めて
有効に実施できることを見出し、本発明を完成するに到
った。
【０００６】すなわち、本発明によれば、下記一般式化
１で表わされる新規なオレフィン化合物が提供される。
１で表わされる新規なオレフィン化合物が提供される。
【化１】 （式中、Ａｒ、Ｒ1、Ｒ2、ｎ及びｍはそれぞれ以下のも
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。）
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。）
【０００７】また、本発明によれば、下記一般式化２で
表わされるホスホン酸エステル誘導体と下記一般式化３
で表わされるカルボニル化合物とを、塩基性化合物の存
在下に反応させることを特徴とする前記のオレフィン化
合物の製造方法が提供される。
表わされるホスホン酸エステル誘導体と下記一般式化３
で表わされるカルボニル化合物とを、塩基性化合物の存
在下に反応させることを特徴とする前記のオレフィン化
合物の製造方法が提供される。
【化２】 （式中、Ｒ3は低級アルキル基を表わす。）
【化３】 （式中、Ａｒ、Ｒ1、Ｒ2、ｎ及びｍはそれぞれ以下のも
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。）
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。）
【０００８】また、本発明によれば、下記一般式化２で
示される新規なホスホン酸エステル誘導体が提供され
る。
示される新規なホスホン酸エステル誘導体が提供され
る。
【化２】 （式中、Ｒ3は低級アルキル基を表わす。）前記一般式
化１において、Ａｒは芳香族炭化水素基の一価基又は二
価基を表わし、その一価基の具体例としてはフェニル
基、ビフェニリル基、ターフェニル基等の非縮合炭素環
式の芳香族基の他に、縮合多環式炭化水素基が挙げられ
る。この場合、縮合多環式炭化水素基としては、環を形
成する炭素数が１８個以下のものが好ましく、例えばペ
ンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル
基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダ
セニル基、フルオレニル基、Ｓ−インダセニル基、アセ
ナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル
基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル
基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、
アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル
基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられ
る。また、芳香族炭化水素基は以下に示す置換基を有す
ることができる。 （１） ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基 （２） アルキル基、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、更に好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原
子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェ
ニル基又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しく
はＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含
有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチ
ル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、
２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジ
ル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、
４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が
挙げられる。 （３） アルコキシ基（−ＯＲ4）；Ｒ4は（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４） アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５） アルキルメルカプト基（−ＳＲ4）；Ｒ4は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメチ
ルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチル
フェニルチオ基等が挙げられる。 たアルキル基、又はアリール基を表わし、アリール基と
しては、例えばフェニル基、ビフェニル基又はナフチル
基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1
〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置換基として
含有してもよい。Ｒ2とＲ3は共同で環を形成しても良
い。また、アリール基上の炭素原子と共同で環を形成し
てもよい。）具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ
基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリール）アミノ
基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ
基、ユロリジル基等が挙げられる。 （７） メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基、等が
挙げられる。また、前記一般式化１において、Ｒ1及び
Ｒ2のアルキル基としては、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけＣ1〜
Ｃ8、更にはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖状のものが好ま
しく、具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル
基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２
−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル
基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４
−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙
げられる。なお、これらのアルキル基は、フッ素原子、
水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル
基又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ
1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基等の置換
基を含有してもよい。
化１において、Ａｒは芳香族炭化水素基の一価基又は二
価基を表わし、その一価基の具体例としてはフェニル
基、ビフェニリル基、ターフェニル基等の非縮合炭素環
式の芳香族基の他に、縮合多環式炭化水素基が挙げられ
る。この場合、縮合多環式炭化水素基としては、環を形
成する炭素数が１８個以下のものが好ましく、例えばペ
ンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル
基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダ
セニル基、フルオレニル基、Ｓ−インダセニル基、アセ
ナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル
基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル
基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、
アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル
基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられ
る。また、芳香族炭化水素基は以下に示す置換基を有す
ることができる。 （１） ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基 （２） アルキル基、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけ
Ｃ1〜Ｃ8、更に好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原
子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェ
ニル基又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しく
はＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含
有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチ
ル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、
２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジ
ル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、
４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が
挙げられる。 （３） アルコキシ基（−ＯＲ4）；Ｒ4は（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４） アリールオキシ基：アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアル
コキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。 （５） アルキルメルカプト基（−ＳＲ4）；Ｒ4は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的にはメチ
ルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチル
フェニルチオ基等が挙げられる。 たアルキル基、又はアリール基を表わし、アリール基と
しては、例えばフェニル基、ビフェニル基又はナフチル
基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1
〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置換基として
含有してもよい。Ｒ2とＲ3は共同で環を形成しても良
い。また、アリール基上の炭素原子と共同で環を形成し
てもよい。）具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ
基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリール）アミノ
基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ
基、ユロリジル基等が挙げられる。 （７） メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基、等が
挙げられる。また、前記一般式化１において、Ｒ1及び
Ｒ2のアルキル基としては、Ｃ1〜Ｃ12、とりわけＣ1〜
Ｃ8、更にはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖状のものが好ま
しく、具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル
基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２
−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル
基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４
−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙
げられる。なお、これらのアルキル基は、フッ素原子、
水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル
基又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ
1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基等の置換
基を含有してもよい。
【０００９】本発明に係る前記一般式化１で表わされる
オレフィン化合物は、新規物質であり、該化合物は、前
記一般式化２で表わされるホスホン酸エステル誘導体、
すなわち、１−ピレニルメチルホスホン酸エステルと前
記一般式化３で表わされるカルボニル化合物とを、塩基
性化合物の存在下に反応させることによって得られる。
この場合、塩基性化合物すなわち塩基性触媒としては、
苛性ソーダ、苛性カリ、ナトリウムアミド、水素化ナト
リウム及びナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブト
キサイドなどのアルコラートを挙げることができる。ま
た、反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチ
ル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トル
エン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることができ
る。中でも極性溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド及びジメチルスルホキシドが好適である。
オレフィン化合物は、新規物質であり、該化合物は、前
記一般式化２で表わされるホスホン酸エステル誘導体、
すなわち、１−ピレニルメチルホスホン酸エステルと前
記一般式化３で表わされるカルボニル化合物とを、塩基
性化合物の存在下に反応させることによって得られる。
この場合、塩基性化合物すなわち塩基性触媒としては、
苛性ソーダ、苛性カリ、ナトリウムアミド、水素化ナト
リウム及びナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブト
キサイドなどのアルコラートを挙げることができる。ま
た、反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチ
ル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トル
エン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることができ
る。中でも極性溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド及びジメチルスルホキシドが好適である。
【００１０】反応温度は、１）使用する溶媒の塩基性触
媒に対する安定性、２）縮合成分［一般式化２及び化３
の化合物］の反応性、３）前記塩基性触媒の溶媒中にお
ける縮合剤としての反応性によって広範囲に選択するこ
とができる。例えば、極性溶媒を用いる場合は、実際に
は室温から１００℃、好ましくは室温から８０℃であ
る。しかし、反応時間の短縮又は活性の低い縮合剤を使
用する場合は、更に高い温度でもよい。
媒に対する安定性、２）縮合成分［一般式化２及び化３
の化合物］の反応性、３）前記塩基性触媒の溶媒中にお
ける縮合剤としての反応性によって広範囲に選択するこ
とができる。例えば、極性溶媒を用いる場合は、実際に
は室温から１００℃、好ましくは室温から８０℃であ
る。しかし、反応時間の短縮又は活性の低い縮合剤を使
用する場合は、更に高い温度でもよい。
【００１１】なお、本発明で使用する前記一般式化２で
表わされる１−ピレニルメチルホスホン酸エステルは、
文献未記載の新規物質である。該一般式化２におけるＲ
3の低級アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル
基、特にメチル基、エチル基が好ましい。該ホスホン酸
エステル誘導体は、対応するハロメチル化合物と亜リン
酸トリアルキルとを、直接あるいはトルエン、キシレン
等の溶媒中で加熱することにより、容易に製造される。
ここで亜リントリアルキルのトリアルキル基としては、
炭素数１〜４のアルキル基、特にメチル基、エチル基が
好ましい。ハロメチル化合物に対する亜リン酸トリアル
キルの使用割合は１〜１０倍当量好ましくは、２〜４倍
当量である。反応温度は通常８０〜１６０℃程度、好ま
しくは１００〜１４０℃付近で行う。
表わされる１−ピレニルメチルホスホン酸エステルは、
文献未記載の新規物質である。該一般式化２におけるＲ
3の低級アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル
基、特にメチル基、エチル基が好ましい。該ホスホン酸
エステル誘導体は、対応するハロメチル化合物と亜リン
酸トリアルキルとを、直接あるいはトルエン、キシレン
等の溶媒中で加熱することにより、容易に製造される。
ここで亜リントリアルキルのトリアルキル基としては、
炭素数１〜４のアルキル基、特にメチル基、エチル基が
好ましい。ハロメチル化合物に対する亜リン酸トリアル
キルの使用割合は１〜１０倍当量好ましくは、２〜４倍
当量である。反応温度は通常８０〜１６０℃程度、好ま
しくは１００〜１４０℃付近で行う。
【００１２】また、前記一般式化３におけるＡｒ、Ｒ1
及びＲ2は、前記一般式化１におけるＡｒ、Ｒ1及びＲ2
とそれぞれ同一であり、一般式化３で表わされる化合物
のｍ＝２の場合の代表例としては、フタルアルデヒド、
イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ナフタ
レンジカルバルデヒド、２，４−ヘキサジエン−１，６
−ジアール、２，５−ジメトキシテレフタルアルデヒド
等が挙げられる。
及びＲ2は、前記一般式化１におけるＡｒ、Ｒ1及びＲ2
とそれぞれ同一であり、一般式化３で表わされる化合物
のｍ＝２の場合の代表例としては、フタルアルデヒド、
イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ナフタ
レンジカルバルデヒド、２，４−ヘキサジエン−１，６
−ジアール、２，５−ジメトキシテレフタルアルデヒド
等が挙げられる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００１４】実施例１ 〔１−（４−クロロスチリル）ピレンの製造〕１−ピレ
ニルメチルホスホン酸ジエチル２．４７ｇ（７ｍｍｏ
ｌ）及び４−クロロベンズアルデヒド０．９９ｇ（７ｍ
ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２
５ｍｌに撹拌溶解し、ナトリウムメチラート（２８重量
％含有メタノール溶液）１．６２ｇ（７×１．２ｍｍｏ
ｌ）を系の温度が３０℃を越えないように徐々に添加す
る。その後室温にて１時間撹拌後、酢酸により中和し、
水約３００ｍｌで希釈したのち結晶を濾取する。得られ
た結晶を乾燥後、カラム精製を２回（１回目：担体；シ
リカゲル、溶離液；トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／１、
２回目：担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ｎ−ヘ
キサン＝１／２）行ない、黄色粉末２．２１ｇ（収率９
３．５％）を得た。更に、得られた黄色粉末をトルエン
／ｎ−ヘキサン混合溶媒にて再結晶を行ない、黄色針状
結晶の１−（４−クロロスチリル）ピレンを得た。 得
られた化合物の融点は１５７．５〜１５８．５℃であ
り、またその元素分析値は下記の通りであった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図１に示すが、９６５１／ｃｍにトランスオレフィンに
基づく吸収が認められた。
ニルメチルホスホン酸ジエチル２．４７ｇ（７ｍｍｏ
ｌ）及び４−クロロベンズアルデヒド０．９９ｇ（７ｍ
ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２
５ｍｌに撹拌溶解し、ナトリウムメチラート（２８重量
％含有メタノール溶液）１．６２ｇ（７×１．２ｍｍｏ
ｌ）を系の温度が３０℃を越えないように徐々に添加す
る。その後室温にて１時間撹拌後、酢酸により中和し、
水約３００ｍｌで希釈したのち結晶を濾取する。得られ
た結晶を乾燥後、カラム精製を２回（１回目：担体；シ
リカゲル、溶離液；トルエン／ｎ−ヘキサン＝１／１、
２回目：担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ｎ−ヘ
キサン＝１／２）行ない、黄色粉末２．２１ｇ（収率９
３．５％）を得た。更に、得られた黄色粉末をトルエン
／ｎ−ヘキサン混合溶媒にて再結晶を行ない、黄色針状
結晶の１−（４−クロロスチリル）ピレンを得た。 得
られた化合物の融点は１５７．５〜１５８．５℃であ
り、またその元素分析値は下記の通りであった。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図１に示すが、９６５１／ｃｍにトランスオレフィンに
基づく吸収が認められた。
【００１５】実施例２〜２１ 実施例１において使用した４−クロロベンズアルデヒド
の代りに、表１〜表７に示すカルボニル化合物を用いた
以外は、実施例１と同様に操作してオレフィン化合物を
得た。それらの結果を表１〜表７に示す。
の代りに、表１〜表７に示すカルボニル化合物を用いた
以外は、実施例１と同様に操作してオレフィン化合物を
得た。それらの結果を表１〜表７に示す。
【００１６】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】 なお、実施例６〜１０，１３，１５及び１６で得られた
各化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図
２〜図９に示す。
各化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図
２〜図９に示す。
【００１７】実施例２２ 〔１−メチル−１−（ｐ−クロロフェニル）−２−（１
−ピレニル）エチレンの製造〕１−ピレニルメチルホス
ホン酸ジエチル２．４７ｇ（７ｍｍｏｌ）及びｐ−クロ
ロアセトフェノン１．０８ｇ（７ｍｍｏｌ）をＤＭＦ２
５ｍｌに撹拌溶解し、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド
１．２４ｇ（７×１．５ｍｍｏｌ）を２時間かけて徐々
に添加する。その後、室温にて９時間、更に６０℃にて
９時間加熱撹拌する。酢酸により中和した後、トルエン
で抽出、水洗し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、更
に減圧濃縮する。得られた結晶を乾燥後、カラム精製
（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ｎ−ヘキサン
＝１／１）を行ない、黄色粉末１．１２ｇ（４４．８
％）を得た。更に、トルエン／ｎ−ヘキサン混合溶媒で
再結晶を行ない、黄色結晶を得た。これをエタノール１
００ｍｌで加熱洗浄して、黄色の結晶１−メチル−１−
（ｐ−クロロフェニル）−２−（１−ピレニル）エチレ
ンの純品を得た。得られた化合物の融点は１６１．６〜
１６３．７℃であり、その元素分析値は下記の通りであ
った。 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１０に示
す。
−ピレニル）エチレンの製造〕１−ピレニルメチルホス
ホン酸ジエチル２．４７ｇ（７ｍｍｏｌ）及びｐ−クロ
ロアセトフェノン１．０８ｇ（７ｍｍｏｌ）をＤＭＦ２
５ｍｌに撹拌溶解し、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド
１．２４ｇ（７×１．５ｍｍｏｌ）を２時間かけて徐々
に添加する。その後、室温にて９時間、更に６０℃にて
９時間加熱撹拌する。酢酸により中和した後、トルエン
で抽出、水洗し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、更
に減圧濃縮する。得られた結晶を乾燥後、カラム精製
（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ｎ−ヘキサン
＝１／１）を行ない、黄色粉末１．１２ｇ（４４．８
％）を得た。更に、トルエン／ｎ−ヘキサン混合溶媒で
再結晶を行ない、黄色結晶を得た。これをエタノール１
００ｍｌで加熱洗浄して、黄色の結晶１−メチル−１−
（ｐ−クロロフェニル）−２−（１−ピレニル）エチレ
ンの純品を得た。得られた化合物の融点は１６１．６〜
１６３．７℃であり、その元素分析値は下記の通りであ
った。 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１０に示
す。
【００１８】実施例２３ 〔β，β’−ビス（１−ピレニル）−１，４−ジビニル
ベンゼンの製造〕１−ピレニルメチルホスホン酸ジエチ
ル３．５２ｇ（１０ｍｍｏｌ）とテレフタルアルデヒド
０．６７ｇ（５ｍｍｏｌ）とをＤＭＦ３０ｍｌに溶解
し、これにカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１．６８ｇ
（１５ｍｍｏｌ）を２２〜２９℃で添加した。添加後室
温で３時間撹拌したのち、メタノール３０ｍｌで希釈し
結晶を濾取した。水洗次いでメタノールで洗浄後、減圧
下加熱乾燥して黄色粉末２．４６ｇ（収率９２．８％）
を得た。Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドから再結晶し
て、黄色葉状結晶の下記化４で表わされるβ，β’−ビ
ス（１−ピレニル）−１，４−ジビニルベンゼンを得
た。
ベンゼンの製造〕１−ピレニルメチルホスホン酸ジエチ
ル３．５２ｇ（１０ｍｍｏｌ）とテレフタルアルデヒド
０．６７ｇ（５ｍｍｏｌ）とをＤＭＦ３０ｍｌに溶解
し、これにカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１．６８ｇ
（１５ｍｍｏｌ）を２２〜２９℃で添加した。添加後室
温で３時間撹拌したのち、メタノール３０ｍｌで希釈し
結晶を濾取した。水洗次いでメタノールで洗浄後、減圧
下加熱乾燥して黄色粉末２．４６ｇ（収率９２．８％）
を得た。Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドから再結晶し
て、黄色葉状結晶の下記化４で表わされるβ，β’−ビ
ス（１−ピレニル）−１，４−ジビニルベンゼンを得
た。
【化４】 得られた化合物の融点は３３８℃（ＤＴＡ吸熱ピーク温
度）であり、またその元素分析値は下記の通りであっ
た。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図１１に示すが、９６５ １／ｃｍにトランスオレフィ
ンの吸収が認められた。
度）であり、またその元素分析値は下記の通りであっ
た。 この化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を
図１１に示すが、９６５ １／ｃｍにトランスオレフィ
ンの吸収が認められた。
【００１９】実施例２４〜３３ 実施例２３において使用したテレフタルアルデヒドの代
わりに、表８〜表１０に示すカルボニル化合物を用いた
以外は、実施例２３と同様に操作してオレフィン化合物
を得た。それらの結果を表８〜表１０に示す。
わりに、表８〜表１０に示すカルボニル化合物を用いた
以外は、実施例２３と同様に操作してオレフィン化合物
を得た。それらの結果を表８〜表１０に示す。
【表８】
【表９】
【表１０】
【００２０】実施例３４ 〔１−ピレニルメチルホスホン酸ジエチルの製造〕１−
クロロメチルピレン１２０ｇ（０．４８モル）を亜リン
酸トリエチル５００ｃｃに溶解し、１２５〜１４０℃で
５時間加熱撹拌する。反応中、発生するエチルクロライ
ドは系外へ除く。冷却後、ｎ−ヘキサン３７０ｃｃを滴
下し、結晶を析出させて濾取後、さらにｎ−ヘキサン３
００ｃｃで２回洗浄し、減圧下加熱乾燥して１−ピレニ
ルメチルホスホン酸ジエチルの粗製品１５１．４ｇ（収
率８９．７％）を得た。さらに、ｎ−ヘキサン、酢酸エ
チル混合溶媒により再結晶を行い白色針状結晶の１−ピ
レニルメチルホスホン酸ジエチルの純品を得た。 融点：１１５．０〜１１６．０℃ この化合物の赤外吸収スペクトルを図１２に示す。また
その元素分析値は下記の通りであった。
クロロメチルピレン１２０ｇ（０．４８モル）を亜リン
酸トリエチル５００ｃｃに溶解し、１２５〜１４０℃で
５時間加熱撹拌する。反応中、発生するエチルクロライ
ドは系外へ除く。冷却後、ｎ−ヘキサン３７０ｃｃを滴
下し、結晶を析出させて濾取後、さらにｎ−ヘキサン３
００ｃｃで２回洗浄し、減圧下加熱乾燥して１−ピレニ
ルメチルホスホン酸ジエチルの粗製品１５１．４ｇ（収
率８９．７％）を得た。さらに、ｎ−ヘキサン、酢酸エ
チル混合溶媒により再結晶を行い白色針状結晶の１−ピ
レニルメチルホスホン酸ジエチルの純品を得た。 融点：１１５．０〜１１６．０℃ この化合物の赤外吸収スペクトルを図１２に示す。また
その元素分析値は下記の通りであった。
【００２１】又、本発明のホスホン酸エステル誘導体を
中間体として用いて合成したピレン環含有オレフィン化
合物を電子写真用感光体の電荷輸送材料として使用した
例を以下に記す。 電荷発生物質として下記ビスアゾ化合物化５ ７．５部
中間体として用いて合成したピレン環含有オレフィン化
合物を電子写真用感光体の電荷輸送材料として使用した
例を以下に記す。 電荷発生物質として下記ビスアゾ化合物化５ ７．５部
【化５】 及びポリエステル樹脂［（株）東洋紡績製バイロン２０
０］の０．５％テトラヒドロフラン溶液５００部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＫ
−１３００］１部とテトラヒドロフラン８部の樹脂溶液
に、電荷輸送物質として実施例８の化合物１部を溶解
し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで
塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃で５分間乾燥
して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光体を作
成した。
０］の０．５％テトラヒドロフラン溶液５００部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＫ
−１３００］１部とテトラヒドロフラン８部の樹脂溶液
に、電荷輸送物質として実施例８の化合物１部を溶解
し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで
塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃で５分間乾燥
して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光体を作
成した。
【００２２】次にこうして得られた積層型電子写真感光
体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複
写紙試験装置［（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型］
を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２００秒間行っ
て帯電させた後、２０秒間暗所に放置したときの、表面
電位Ｖ0（Ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ
光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘになるように照
射して、Ｖ0が１／２になるまでの露光量Ｅ 1/2(ｌｕｘ
・ｓｅｃ）を測定した。その結果Ｖ0は−１１２１
（Ｖ）、Ｅ 1/2は０．８９（ｌｕｘ・ｓｅｃ）であっ
た。又、以上の感光体を市販の電子写真複写機を用いて
帯電せしめた後、原図を介して光照射を行って静電潜像
を形成せしめ、乾式現像剤を用いて現象し、得られた画
像（トナー画像）を普通紙上に静電転写し、定着したと
ころ、鮮明な転写画像が得られた。現像剤として湿式現
像剤を用いた場合も同様に鮮明な画像が得られた。
体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複
写紙試験装置［（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型］
を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２００秒間行っ
て帯電させた後、２０秒間暗所に放置したときの、表面
電位Ｖ0（Ｖ）を測定した。次いでタングステンランプ
光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘになるように照
射して、Ｖ0が１／２になるまでの露光量Ｅ 1/2(ｌｕｘ
・ｓｅｃ）を測定した。その結果Ｖ0は−１１２１
（Ｖ）、Ｅ 1/2は０．８９（ｌｕｘ・ｓｅｃ）であっ
た。又、以上の感光体を市販の電子写真複写機を用いて
帯電せしめた後、原図を介して光照射を行って静電潜像
を形成せしめ、乾式現像剤を用いて現象し、得られた画
像（トナー画像）を普通紙上に静電転写し、定着したと
ころ、鮮明な転写画像が得られた。現像剤として湿式現
像剤を用いた場合も同様に鮮明な画像が得られた。
【００２３】
【発明の効果】請求項(１)の前記一般式化１で表わされ
るピレン環を含む新規なオレフィン化合物は、ピレン環
によりπ共役が拡大された分子構造を有することから、
有機電子化材料として特に有用である。また、請求項
(２)の製造方法によると、極めて温和な条件下、短時間
でホスホン酸エステル誘導体と多様なカルボニル化合物
との縮合反応により、高収率でしかも高純度の前記オレ
フィン化合物を得ることができる。また、請求項(３)の
ホスホン酸誘導体はピレン環を含む前記一般式化1で示
されるオレフィン化合物の中間体として極めて有用なも
のである。
るピレン環を含む新規なオレフィン化合物は、ピレン環
によりπ共役が拡大された分子構造を有することから、
有機電子化材料として特に有用である。また、請求項
(２)の製造方法によると、極めて温和な条件下、短時間
でホスホン酸エステル誘導体と多様なカルボニル化合物
との縮合反応により、高収率でしかも高純度の前記オレ
フィン化合物を得ることができる。また、請求項(３)の
ホスホン酸誘導体はピレン環を含む前記一般式化1で示
されるオレフィン化合物の中間体として極めて有用なも
のである。
【図１】実施例１で得られたオレフィン化合物の赤外線
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図２】実施例６で得られたオレフィン化合物の赤外線
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図３】実施例７で得られたオレフィン化合物の赤外線
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図４】実施例８で得られたオレフィン化合物の赤外線
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図５】実施例９で得られたオレフィン化合物の赤外線
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図６】実施例１０で得られたオレフィン化合物の赤外
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図７】実施例１３で得られたオレフィン化合物の赤外
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図８】実施例１５で得られたオレフィン化合物の赤外
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図９】実施例１６で得られたオレフィン化合物の赤外
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図１０】実施例２２で得られたオレフィン化合物の赤
外線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
外線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図１１】実施例２３で得られたオレフィン化合物の赤
外線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
外線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
【図１２】実施例３４で得られたホスホン酸誘導体の赤
外線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
外線吸収スペクトル図（ｋＢｒ錠剤法）である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 211/45 211/54 211/58 217/92 319/20 321/28 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 209/86 8217−4Ｃ Ｃ０７Ｆ 9/40 Ｚ 9155−4Ｈ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１４ Ｚ ３１９ (72)発明者 安達 浩 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式化１で表わされる新規なオレ
フィン化合物。 【化１】 （式中、Ａｒ、Ｒ1、Ｒ2、ｎ及びｍはそれぞれ以下のも
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。） - 【請求項２】 下記一般式化２で表わされるホスホン酸
エステル誘導体と下記一般式化３で表わされるカルボニ
ル化合物とを、塩基性化合物の存在下に反応させること
を特徴とする請求項１記載のオレフィン化合物の製造方
法。 【化２】 （式中、Ｒ3は低級アルキル基を表わす。） 【化３】 （式中、Ａｒ、Ｒ1、Ｒ2、ｎ及びｍはそれぞれ以下のも
のを表わす。 Ａｒ：芳香族炭化水素基。 Ｒ1，Ｒ2：水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル
基。 ｎ：０又は１。 ｍ：１又は２。 但し、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲ1は共同で環を
形成してもよい。） - 【請求項３】 下記一般式化２で表わされるホスホン酸
エステル誘導体。 【化２】 （式中、Ｒ3は低級アルキル基を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017175A JP3030423B2 (ja) | 1990-01-19 | 1991-01-17 | 新規なオレフィン化合物、その製造方法及びその中間体 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828890 | 1990-01-19 | ||
| JP2-8288 | 1990-01-19 | ||
| JP11351090 | 1990-04-27 | ||
| JP2-113510 | 1990-04-27 | ||
| JP20460090 | 1990-07-31 | ||
| JP2-204600 | 1990-07-31 | ||
| JP3017175A JP3030423B2 (ja) | 1990-01-19 | 1991-01-17 | 新規なオレフィン化合物、その製造方法及びその中間体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0789884A true JPH0789884A (ja) | 1995-04-04 |
| JP3030423B2 JP3030423B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=27454916
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017175A Expired - Fee Related JP3030423B2 (ja) | 1990-01-19 | 1991-01-17 | 新規なオレフィン化合物、その製造方法及びその中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030423B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008120855A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Cheil Industries Inc. | Hardmask composition having antireflective property and method of patterning materials using the same |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3017175A patent/JP3030423B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008120855A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Cheil Industries Inc. | Hardmask composition having antireflective property and method of patterning materials using the same |
| US8420289B2 (en) | 2007-04-02 | 2013-04-16 | Cheil Industries, Inc. | Aromatic ring-containing polymer, polymer mixture, antireflective hardmask composition, and associated methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3030423B2 (ja) | 2000-04-10 |
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