JPH0787284A - ２次元イメ−ジセンサ及び画素信号の補間方法 - Google Patents
２次元イメ−ジセンサ及び画素信号の補間方法Info
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- JPH0787284A JPH0787284A JP5253667A JP25366793A JPH0787284A JP H0787284 A JPH0787284 A JP H0787284A JP 5253667 A JP5253667 A JP 5253667A JP 25366793 A JP25366793 A JP 25366793A JP H0787284 A JPH0787284 A JP H0787284A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実効解像度を確保しつつ暗電流に起因するオ
フセット出力の補正がなされる２次元イメ−ジセンサを
提供する。 【構成】 黒基準用受光素子６は行方向おいて、受光素
子５の１個おき配置されると共に、１行おきに受光素子
５だけの行となるように配置される一方、補正回路４に
おいては、黒基準用受光素子６の周辺に位置する８個の
受光素子の画素信号から所定の演算式によって黒基準用
受光素子６の位置における画素信号の補間値が算出され
るようになっている。
フセット出力の補正がなされる２次元イメ−ジセンサを
提供する。 【構成】 黒基準用受光素子６は行方向おいて、受光素
子５の１個おき配置されると共に、１行おきに受光素子
５だけの行となるように配置される一方、補正回路４に
おいては、黒基準用受光素子６の周辺に位置する８個の
受光素子の画素信号から所定の演算式によって黒基準用
受光素子６の位置における画素信号の補間値が算出され
るようになっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ファクシミ
リ、スキャナ、ディジタル複写機等の画像入力素子とし
て用いられる２次元イメ−ジセンサに係り、特に、実効
解像度の改良に関する。
リ、スキャナ、ディジタル複写機等の画像入力素子とし
て用いられる２次元イメ−ジセンサに係り、特に、実効
解像度の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、受光素子を１次元又は２次元に配
設してなるイメ−ジセンサにおけるランダムノイズ及び
暗電流によるオフセット出力を補正する技術としては、
例えば、暗基準信号出力用素子を受光素子の間に配設
し、受光素子の出力信号から隣接する暗基準信号出力用
素子の出力信号を差し引くことで、暗基準信号によるオ
フセット出力の補正を行うようにしたものが公知となっ
ている（例えば、特開昭６３−１１４２５３号公報参
照）。
設してなるイメ−ジセンサにおけるランダムノイズ及び
暗電流によるオフセット出力を補正する技術としては、
例えば、暗基準信号出力用素子を受光素子の間に配設
し、受光素子の出力信号から隣接する暗基準信号出力用
素子の出力信号を差し引くことで、暗基準信号によるオ
フセット出力の補正を行うようにしたものが公知となっ
ている（例えば、特開昭６３−１１４２５３号公報参
照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
イメ−ジセンサにおいては、暗基準信号出力用素子が各
受光素子の間に設けられているので、その分、各受光素
子間のピッチを小さくするにも限界があり、その結果解
像度の低下を招くという問題があった。
イメ−ジセンサにおいては、暗基準信号出力用素子が各
受光素子の間に設けられているので、その分、各受光素
子間のピッチを小さくするにも限界があり、その結果解
像度の低下を招くという問題があった。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
で、実効解像度を確保しつつ暗電流に起因するオフセッ
ト出力の補正がなされる２次元イメ−ジセンサを提供す
るものである。
で、実効解像度を確保しつつ暗電流に起因するオフセッ
ト出力の補正がなされる２次元イメ−ジセンサを提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る２次元イメ−ジセンサは、複数の受光素子を２次元に
配列すると共に、暗電流を発生する黒基準用受光素子を
複数の受光素子毎に周期的に配設すると共に、前記黒基
準用受光素子の周辺に位置する少なくとも１個の受光素
子の信号値を基に所定の補間演算式に基づいて前記黒基
準用受光素子の位置における補間値を算出する補間値算
出手段を設けてなるものである。請求項２記載の発明に
係る画素信号の補間方法は、複数の受光素子を２次元に
配列すると共に、暗電流を発生する黒基準用受光素子を
複数の受光素子毎に周期的に配設してなる２次元イメ−
ジセンサにおける画素信号の補間方法であって、前記黒
基準用受光素子の周囲に位置する少なくとも１個の受光
素子の画素信号値を基に予め定めた演算式により算出し
た値を前記黒基準用受光素子の位置における画素信号の
補間値とするものである。
る２次元イメ−ジセンサは、複数の受光素子を２次元に
配列すると共に、暗電流を発生する黒基準用受光素子を
複数の受光素子毎に周期的に配設すると共に、前記黒基
準用受光素子の周辺に位置する少なくとも１個の受光素
子の信号値を基に所定の補間演算式に基づいて前記黒基
準用受光素子の位置における補間値を算出する補間値算
出手段を設けてなるものである。請求項２記載の発明に
係る画素信号の補間方法は、複数の受光素子を２次元に
配列すると共に、暗電流を発生する黒基準用受光素子を
複数の受光素子毎に周期的に配設してなる２次元イメ−
ジセンサにおける画素信号の補間方法であって、前記黒
基準用受光素子の周囲に位置する少なくとも１個の受光
素子の画素信号値を基に予め定めた演算式により算出し
た値を前記黒基準用受光素子の位置における画素信号の
補間値とするものである。
【０００６】
【作用】黒基準用受光素子が設けられた位置において
は、通常の画素信号は得られないので、なんら手当てを
施さなければ、その分解像度が低下することとなるが、
本発明においては、黒基準用受光素子の周囲に位置する
受光素子の画素信号値を基に補間値を算出し、黒基準用
受光素子の位置における画素信号とするようにしたの
で、実質的に黒基準用受光素子の位置に通常の受光素子
が位置すると殆ど変わるところがなく、そのため、解像
度の低下を回避することができることとなるものであ
る。
は、通常の画素信号は得られないので、なんら手当てを
施さなければ、その分解像度が低下することとなるが、
本発明においては、黒基準用受光素子の周囲に位置する
受光素子の画素信号値を基に補間値を算出し、黒基準用
受光素子の位置における画素信号とするようにしたの
で、実質的に黒基準用受光素子の位置に通常の受光素子
が位置すると殆ど変わるところがなく、そのため、解像
度の低下を回避することができることとなるものであ
る。
【０００７】
【実施例】以下、図１乃至図３を参照しつつ、本発明に
係る２次元イメ−ジセンサについて説明する。ここで、
図１は本発明に係る２次元イメ−ジセンサの一実施例を
示す主要部の構成図、図２は図１の点線円Ａの部分拡大
図、図３は他の実施例を示す主要部の構成図である。こ
の２次元イメ−ジセンサは、アレイ部１と、走査回路２
と、デ−タ読取回路３と、補間値算出手段としての補正
回路４と、を主な構成要素としてなるものである。アレ
イ部１は、複数の受光素子５及び黒基準用受光素子６を
行方向（図１において紙面左右方向）及び列方向（図１
において紙面上下方向）に２次元に配列してなるもの
で、同一の行に配設された受光素子５及び黒基準用受光
素子６は、走査回路２に接続された同一の走査線７に接
続されている。また、同一の列に配列された受光素子５
及び黒基準用受光素子６は、同一のデ−タ線８に接続さ
れており、このデ−タ線８は、デ−タ読取回路３の入力
側に接続されている。
係る２次元イメ−ジセンサについて説明する。ここで、
図１は本発明に係る２次元イメ−ジセンサの一実施例を
示す主要部の構成図、図２は図１の点線円Ａの部分拡大
図、図３は他の実施例を示す主要部の構成図である。こ
の２次元イメ−ジセンサは、アレイ部１と、走査回路２
と、デ−タ読取回路３と、補間値算出手段としての補正
回路４と、を主な構成要素としてなるものである。アレ
イ部１は、複数の受光素子５及び黒基準用受光素子６を
行方向（図１において紙面左右方向）及び列方向（図１
において紙面上下方向）に２次元に配列してなるもの
で、同一の行に配設された受光素子５及び黒基準用受光
素子６は、走査回路２に接続された同一の走査線７に接
続されている。また、同一の列に配列された受光素子５
及び黒基準用受光素子６は、同一のデ−タ線８に接続さ
れており、このデ−タ線８は、デ−タ読取回路３の入力
側に接続されている。
【０００８】この実施例においては、黒基準用受光素子
６が設けられた行と、黒基準用受光素子６が設けられて
いない行とが１行おきとなっており、黒基準用受光素子
６が設けられた行においては、受光素子５と黒基準用受
光素子６とが１個おきに交互に配置されている。したが
って、１個の黒基準用受光素子６を中心にしてみると、
図２に示されるように、その周囲には８個の受光素子５
が配設された状態となっている。ここで、黒基準用受光
素子６は、通常の受光素子の受光面を遮光して暗電流の
みが出力されるようにしてあるもので、図１において
は、矩形に斜線を施して表されている。
６が設けられた行と、黒基準用受光素子６が設けられて
いない行とが１行おきとなっており、黒基準用受光素子
６が設けられた行においては、受光素子５と黒基準用受
光素子６とが１個おきに交互に配置されている。したが
って、１個の黒基準用受光素子６を中心にしてみると、
図２に示されるように、その周囲には８個の受光素子５
が配設された状態となっている。ここで、黒基準用受光
素子６は、通常の受光素子の受光面を遮光して暗電流の
みが出力されるようにしてあるもので、図１において
は、矩形に斜線を施して表されている。
【０００９】そして、走査回路２によっていずれかの走
査線７に所定の電圧が印加されることによって走査線７
が選択された状態となると、その選択された走査線７に
接続された黒基準用受光素子６を含めた全ての受光素子
５が動作状態となり、デ−タ線８を介して各受光素子５
で発生した画素信号が一斉にデ−タ読取回路３へ出力さ
れ、デ−タ読取回路３からは画素毎に時系列的に補正回
路４へ画素信号が出力されるようになっている。補正回
路４は次述するようにデ−タ読取回路３から出力された
画素信号について、黒基準用受光素子６の位置における
画素信号の補間値及び暗電流オフセット出力の補正を行
うものである。
査線７に所定の電圧が印加されることによって走査線７
が選択された状態となると、その選択された走査線７に
接続された黒基準用受光素子６を含めた全ての受光素子
５が動作状態となり、デ−タ線８を介して各受光素子５
で発生した画素信号が一斉にデ−タ読取回路３へ出力さ
れ、デ−タ読取回路３からは画素毎に時系列的に補正回
路４へ画素信号が出力されるようになっている。補正回
路４は次述するようにデ−タ読取回路３から出力された
画素信号について、黒基準用受光素子６の位置における
画素信号の補間値及び暗電流オフセット出力の補正を行
うものである。
【００１０】補正回路４において行われる補正の内、先
ず、画素信号の補間値の算出について説明すれば、１個
の黒基準用受光素子６の周囲には、図２に示されるよう
に８個の受光素子Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ3
1，Ｐ32，Ｐ33が位置しているので、これら８個の受光
素子Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ31，Ｐ32，Ｐ33
の画素信号を補間デ−タとして用いる。すなわち、便宜
上、各受光素子の符号Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，
Ｐ31，Ｐ32，Ｐ33を出力信号値とし、黒基準用受光素子
６の位置における補間値をＤとすれば、補正回路４にお
いては、Ｄ＝（（Ｐ12＋Ｐ21＋Ｐ23＋Ｐ32）×√２＋
（Ｐ11＋Ｐ13＋Ｐ31＋Ｐ33））／（４＋４√２）の演算
が行われる。そして、この補間値を、黒基準用受光素子
６の位置における画素信号として、この後の、画像処理
に用いることによって黒基準用受光素子６の位置に実質
的に通常の受光素子５が配置されたと略変わることがな
く、黒基準用受光素子６を設けたことによる解像度の低
下を回避できることとなる。
ず、画素信号の補間値の算出について説明すれば、１個
の黒基準用受光素子６の周囲には、図２に示されるよう
に８個の受光素子Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ3
1，Ｐ32，Ｐ33が位置しているので、これら８個の受光
素子Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ31，Ｐ32，Ｐ33
の画素信号を補間デ−タとして用いる。すなわち、便宜
上、各受光素子の符号Ｐ11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，
Ｐ31，Ｐ32，Ｐ33を出力信号値とし、黒基準用受光素子
６の位置における補間値をＤとすれば、補正回路４にお
いては、Ｄ＝（（Ｐ12＋Ｐ21＋Ｐ23＋Ｐ32）×√２＋
（Ｐ11＋Ｐ13＋Ｐ31＋Ｐ33））／（４＋４√２）の演算
が行われる。そして、この補間値を、黒基準用受光素子
６の位置における画素信号として、この後の、画像処理
に用いることによって黒基準用受光素子６の位置に実質
的に通常の受光素子５が配置されたと略変わることがな
く、黒基準用受光素子６を設けたことによる解像度の低
下を回避できることとなる。
【００１１】ここで、上述の演算式の物理的意味につい
て説明する。先ず、受光素子５及び黒基準用受光素子６
は、行方向及び列方向で等間隔に配置されているとの前
提の基で、図２における黒基準受光素子６と各受光素子
との位置関係を考えると、受光素子Ｐ11，Ｐ13，Ｐ31，
Ｐ33は正方形の４隅に、黒基準用受光素子６は正方形の
中心点に、それぞれ位置することとなる。また、受光素
子Ｐ12，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ32は、正方形の各辺の中点に位
置することとなる。したがって、黒基準用受光素子６と
受光素子Ｐ12，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ32（正方形の各辺の中点
に位置する受光素子）との間隔を１とすると、黒基準用
受光素子６と受光素子Ｐ11，Ｐ13，Ｐ31，Ｐ33（正方形
の４隅に位置する受光素子）との間隔は、２の平方根と
なる。先の補間値Ｄを求める式において、Ｐ12，Ｐ21，
Ｐ23，Ｐ32の各値の総和に２の平方根を乗算したのは、
上述したような位置関係に基づいていわゆる重み付けを
行ったものである。また、同式において（４＋４√２）
は、黒基準用受光素子６の周囲の８個の受光素子の値Ｐ
11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ31，Ｐ32，Ｐ33が全て
１であるとして、（Ｐ12＋Ｐ21＋Ｐ23＋Ｐ32）×√２＋
（Ｐ11＋Ｐ13＋Ｐ31＋Ｐ33）を求めた際の値に相当し、
この値を除数とすることは、正規化することを意味する
ものである。
て説明する。先ず、受光素子５及び黒基準用受光素子６
は、行方向及び列方向で等間隔に配置されているとの前
提の基で、図２における黒基準受光素子６と各受光素子
との位置関係を考えると、受光素子Ｐ11，Ｐ13，Ｐ31，
Ｐ33は正方形の４隅に、黒基準用受光素子６は正方形の
中心点に、それぞれ位置することとなる。また、受光素
子Ｐ12，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ32は、正方形の各辺の中点に位
置することとなる。したがって、黒基準用受光素子６と
受光素子Ｐ12，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ32（正方形の各辺の中点
に位置する受光素子）との間隔を１とすると、黒基準用
受光素子６と受光素子Ｐ11，Ｐ13，Ｐ31，Ｐ33（正方形
の４隅に位置する受光素子）との間隔は、２の平方根と
なる。先の補間値Ｄを求める式において、Ｐ12，Ｐ21，
Ｐ23，Ｐ32の各値の総和に２の平方根を乗算したのは、
上述したような位置関係に基づいていわゆる重み付けを
行ったものである。また、同式において（４＋４√２）
は、黒基準用受光素子６の周囲の８個の受光素子の値Ｐ
11，Ｐ12，Ｐ13，Ｐ21，Ｐ23，Ｐ31，Ｐ32，Ｐ33が全て
１であるとして、（Ｐ12＋Ｐ21＋Ｐ23＋Ｐ32）×√２＋
（Ｐ11＋Ｐ13＋Ｐ31＋Ｐ33）を求めた際の値に相当し、
この値を除数とすることは、正規化することを意味する
ものである。
【００１２】尚、上述の補間値を求める演算式に代えて
簡易な補間値の算出式として、Ｄ＝（Ｐ12＋Ｐ21＋Ｐ23
＋Ｐ32）／４を用いるようにしてもよい。ここでは、黒
基準用受光素子６の周囲の４つの受光素子５の画素信号
の単純平均を補間値とするもので、４つの画素信号とし
ては、黒基準用受光素子６の周囲に均等な距離間隔を有
して配置された受光素子５のものであればよいので、本
実施例の場合、上記画素信号の他に、Ｐ11，Ｐ13，Ｐ3
1，Ｐ33の単純平均を補間値としてもよい。さらに、補
間値の簡易な算出式として、Ｄ＝Ｐmn（１≦m ≦３，１
≦n ≦３）を用いるようにしてもよい。すなわち、この
場合は、黒基準受光素子６の周囲の受光素子５の内の１
つの画素信号を補間値とするものである。一方、暗電流
に伴うオフセット出力補正は、従来と同様に受光素子５
の出力信号から隣接する黒基準用受光素子６の出力信号
を減算することにより行われる。
簡易な補間値の算出式として、Ｄ＝（Ｐ12＋Ｐ21＋Ｐ23
＋Ｐ32）／４を用いるようにしてもよい。ここでは、黒
基準用受光素子６の周囲の４つの受光素子５の画素信号
の単純平均を補間値とするもので、４つの画素信号とし
ては、黒基準用受光素子６の周囲に均等な距離間隔を有
して配置された受光素子５のものであればよいので、本
実施例の場合、上記画素信号の他に、Ｐ11，Ｐ13，Ｐ3
1，Ｐ33の単純平均を補間値としてもよい。さらに、補
間値の簡易な算出式として、Ｄ＝Ｐmn（１≦m ≦３，１
≦n ≦３）を用いるようにしてもよい。すなわち、この
場合は、黒基準受光素子６の周囲の受光素子５の内の１
つの画素信号を補間値とするものである。一方、暗電流
に伴うオフセット出力補正は、従来と同様に受光素子５
の出力信号から隣接する黒基準用受光素子６の出力信号
を減算することにより行われる。
【００１３】次に、第２の実施例について図３を参照し
つつ説明する。尚、図１に示された実施例と同一の構成
要素については、同一の符号を付してその説明を省略
し、以下、異なる点を中心に説明する。この第２の実施
例は、黒基準用受光素子６の配置を違えたもので、黒基
準用受光素子６を設ける行を２行おきとする一方、１行
における黒基準用受光素子６の配置を受光素子５の２つ
おきにしたものである。尚、補間値の算出は、上述した
第１の実施例と同様に黒基準用受光素子６の周囲の８個
の受光素子５の画素信号を基に行う点においては変わる
ところはない。黒基準用受光素子６の配置は、本実施例
に示されたものに限られる必要はなく、アレイ部１にお
ける温度分布等による暗電流のばらつきがあっても十分
なオフセット出力補正を成し得る範囲であれば、他にも
変形可能である。
つつ説明する。尚、図１に示された実施例と同一の構成
要素については、同一の符号を付してその説明を省略
し、以下、異なる点を中心に説明する。この第２の実施
例は、黒基準用受光素子６の配置を違えたもので、黒基
準用受光素子６を設ける行を２行おきとする一方、１行
における黒基準用受光素子６の配置を受光素子５の２つ
おきにしたものである。尚、補間値の算出は、上述した
第１の実施例と同様に黒基準用受光素子６の周囲の８個
の受光素子５の画素信号を基に行う点においては変わる
ところはない。黒基準用受光素子６の配置は、本実施例
に示されたものに限られる必要はなく、アレイ部１にお
ける温度分布等による暗電流のばらつきがあっても十分
なオフセット出力補正を成し得る範囲であれば、他にも
変形可能である。
【００１４】本実施例においては、黒基準用受光素子６
の周囲の受光素子５の画素デ−タを基に補間値を求める
補正回路４を設ける構成とすることにより、この補正回
路４で算出された値を黒基準用受光素子６の位置におけ
る画素信号の値とすることができるので、黒基準用受光
素子６を設けたことによる解像度の低下を防ぎ、実効的
に解像度の向上が図られることとなる。
の周囲の受光素子５の画素デ−タを基に補間値を求める
補正回路４を設ける構成とすることにより、この補正回
路４で算出された値を黒基準用受光素子６の位置におけ
る画素信号の値とすることができるので、黒基準用受光
素子６を設けたことによる解像度の低下を防ぎ、実効的
に解像度の向上が図られることとなる。
【００１５】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
２次元イメ−ジセンサにおいて、黒基準用受光素子の位
置における補間値が、黒基準用受光素子周辺に位置する
受光素子の画素信号値を基に算出されるような構成とす
ることにより、この補間値をもって黒基準用受光素子の
位置における画素信号とすることができ、あたかもその
位置に通常の受光素子が配置されたと略等価な状態を得
ることができることとなるので、黒基準用受光素子を設
けたことによる解像度の低下を回避しつつ黒基準用受光
素子の出力信号を利用した従来と同様の暗電流オフセッ
ト補正を行うことができ、良好な画像を再現することが
できることとなるという効果を奏するものである。
２次元イメ−ジセンサにおいて、黒基準用受光素子の位
置における補間値が、黒基準用受光素子周辺に位置する
受光素子の画素信号値を基に算出されるような構成とす
ることにより、この補間値をもって黒基準用受光素子の
位置における画素信号とすることができ、あたかもその
位置に通常の受光素子が配置されたと略等価な状態を得
ることができることとなるので、黒基準用受光素子を設
けたことによる解像度の低下を回避しつつ黒基準用受光
素子の出力信号を利用した従来と同様の暗電流オフセッ
ト補正を行うことができ、良好な画像を再現することが
できることとなるという効果を奏するものである。
【図１】 本発明に係る２次元イメ−ジセンンサの一実
施例における主要部の構成図である。
施例における主要部の構成図である。
【図２】 図１の点線円Ａの部分拡大図である。
【図３】 他の実施例における主要部の構成図である。
１…アレイ部、 ４…補正回路、 ５…受光素子、 ６
…黒基準用受光素子、７…走査線、 ８…デ−タ線
…黒基準用受光素子、７…走査線、 ８…デ−タ線
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の受光素子を２次元に配列すると共
に、暗電流を発生する黒基準用受光素子を複数の受光素
子毎に周期的に配設すると共に、前記黒基準用受光素子
の周辺に位置する少なくとも１個の受光素子の信号値を
基に所定の補間演算式に基づいて前記黒基準用受光素子
の位置における補間値を算出する補間値算出手段を設け
てなることを特徴とする２次元イメ−ジセンサ。 - 【請求項２】 複数の受光素子を２次元に配列すると共
に、暗電流を発生する黒基準用受光素子を複数の受光素
子毎に周期的に配設してなる２次元イメ−ジセンサにお
ける画素信号の補間方法であって、前記黒基準用受光素
子の周囲に位置する少なくとも１個の受光素子の画素信
号値を基に予め定めた演算式により算出した値を前記黒
基準用受光素子の位置における画素信号の補間値とする
ことを特徴とする画素信号の補間方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253667A JPH0787284A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ２次元イメ−ジセンサ及び画素信号の補間方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253667A JPH0787284A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ２次元イメ−ジセンサ及び画素信号の補間方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0787284A true JPH0787284A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=17254506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253667A Pending JPH0787284A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ２次元イメ−ジセンサ及び画素信号の補間方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787284A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002101343A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Toshiba Medical System Co Ltd | Ｘ線平面検出器及びｘ線診断システム |
| US6822211B2 (en) | 2000-06-30 | 2004-11-23 | Minolta Co., Ltd. | Solid-state image-sensing device |
| JP2007509580A (ja) * | 2003-10-22 | 2007-04-12 | イーストマン コダック カンパニー | 置換回路分布を有するイメージセンサアレイ |
| JP2007123414A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
| JP2007274672A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Canon Inc | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP2008141595A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像方法 |
| JP2009089219A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Olympus Corp | 固体撮像素子及びそれを用いた固体撮像システム |
| JP2012165070A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
| JP2013034086A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Sony Corp | 撮像素子、並びに、撮像装置および方法 |
| JP2015072982A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5253667A patent/JPH0787284A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822211B2 (en) | 2000-06-30 | 2004-11-23 | Minolta Co., Ltd. | Solid-state image-sensing device |
| JP2002101343A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Toshiba Medical System Co Ltd | Ｘ線平面検出器及びｘ線診断システム |
| JP2007509580A (ja) * | 2003-10-22 | 2007-04-12 | イーストマン コダック カンパニー | 置換回路分布を有するイメージセンサアレイ |
| JP2007123414A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
| JP2007274672A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Canon Inc | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP2008141595A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像方法 |
| JP2009089219A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Olympus Corp | 固体撮像素子及びそれを用いた固体撮像システム |
| US8610802B2 (en) | 2007-10-02 | 2013-12-17 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device with noise extracing pixels in the effective pixel region and solid-state imaging system using the same |
| JP2012165070A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
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| JP2015072982A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
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