JPH0787272B2 - 多層プリント基板の製造方法 - Google Patents

多層プリント基板の製造方法

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JPH0787272B2
JPH0787272B2 JP62111523A JP11152387A JPH0787272B2 JP H0787272 B2 JPH0787272 B2 JP H0787272B2 JP 62111523 A JP62111523 A JP 62111523A JP 11152387 A JP11152387 A JP 11152387A JP H0787272 B2 JPH0787272 B2 JP H0787272B2
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resistor
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武 斉藤
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Fujitsu Ltd
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 中間層基板上に回路パターンと該回路パターンの所定の
個所に抵抗体を形成し、次いで前記抵抗体を内蔵した中
間層基板を積層して多層プリント基板に形成する製造方
法であって、中間層基板を積層するに際し、その前工程
で行う積層前処理酸化工程において硫酸等の酸液で抵抗
体が侵されてその抵抗値が変化することを防止するた
め、前記積層前処理工程を抵抗体形成工程の前で行うよ
うにしている。
〔産業上の利用分野〕
本発明は中間層基板に抵抗体を内蔵した多層プリント基
板の製造方法に係り、特に製造工程中に抵抗体の抵抗値
変化を防止するとともに、高品質の多層プリント基板が
得られるようにした多層プリント基板の製造方法に関す
るものである。
多層プリント基板の実装密度を高くするために中間層基
板に抵抗体を設けて電気回路を構成している。かかる抵
抗体を内蔵した中間層基板においては、その製造工程に
おいて規定値の抵抗体を得ることは勿論、抵抗値の変化
を防止することが必要となる。
〔従来の技術〕 第3図は従来の多層プリント基板製造工程のブロック
図、第4図(a)〜(h)は従来の製造工程における中
間層基板の側断面図を示している。
第3図において、従来の多層プリント基板の製造は、基
材(ガラス・エポキシ板)上に回路パターン(以後パタ
ーンと記す)を形成するパターン形成工程1と、パター
ン形成工程1で形成されたパターンに抵抗体を形成する
抵抗体形成工程2と、抵抗体形成工程2後の中間層基板
の積層前処理を行う積層前処理工程3と、中間層基板を
積層して多層プリント基板を形成する積層工程4とより
構成されている。
中間層基板の製造方法をパターン形成工程1を示す第4
図(a)〜(d)と、抵抗体形成工程2を示す第4図
(e),(f)とを参照して詳しく説明する。
第4図(a)は、ガラス・エポキシの基材5上に抵抗体
となるニッケル(Ni)合金6および銅(Cu)箔7をメッ
キする。図(b)は、銅箔7上にパターン形成のための
レジスト8を塗布し、焼付け,現像を行う。図(c)
は、アルカリエッチングを行なって銅箔7のみをエッチ
ングし、パターン12を形成する。図(d)は、エッチン
グ液に硫酸銅(CuSO4)と硫酸(H2SO4)の混合液を用
い、Ni合金6をパターン毎にエッチングを行う。
次に、(e)図に示すように、レジスト8を図(d)の
銅箔Aを分割するように塗布し、アルカリエッチングし
て(f)図に示すようにA1とA2パターンを形成する。こ
のパターンA1とA2の形成によってA1とA2のパターン間に
Ni合金の抵抗体9が形成される。
なお、抵抗体9の抵抗値はA1とA2のパターン間隔lとNi
合金の厚さW等によって決まるため、所定の回路抵抗値
に対応してパターン間隔lとNi合金の厚さW等を決定し
ている。
次に、上記中間層基板は、積層前処理工程3において、
酢酸銅,酢酸アンモニュウム,硫酸銅およびアンモニヤ
の混合液に浸漬し、露出面に酸化膜10(斜線にて示す)
を形成し、積層時の密着性をよくする。その後、積層工
程4において多層プリント基板に積層される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記、プリント基板製造方法において、第4図(f)の
抵抗体形成後に積層前処理を行うと、処理液によって抵
抗体9のNi合金が浸食され、第4図(g)に示すよう
に、抵抗体9のNi合金部の幅Wが薄くなって抵抗値が変
化し、所要の抵抗回路が形成できないという問題があ
る。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、中間
層基板の製造工程中に抵抗体の抵抗値に変化が発生する
ことなく、高品質の多層プリント基板が得られる多層プ
リント基板製造方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明の多層プリント基板製造方法のブロック
図であり、中間層基板(5)上に抵抗体層(6)および
回路となる層(7)を積層形成し、次に該両層(6,7)
をパターンニングして回路パターンを形成し、次に抵抗
部(9)を形成するに先だち酸化処理(3)を施す構成
としている。
〔作用〕
積層前処理工程3を抵抗体形成工程2の前に行う構成と
したことによって、従来積層前処理工程3で発生した処
理液による抵抗体への浸食がなくなる。また、積層前処
理を抵抗体形成工程前に行なっても十分な密着性が得ら
れる。
〔実施例〕
第2図(a)〜(f)は本発明の一実施例の製造工程に
おける中間層基板の側断面図を示しており、パターン形
成工程1は第2図(a)〜(d)で示し、抵抗体形成工
程2は第2図(e),(f)で示している。また、積層
前処理工程3をパターン形成工程1の最終工程である第
2図(d)の後で行うように構成している。
第2図(a)はガラス・エポキシの基材5上にニッケル
(Ni)合金6と銅(Cu)箔7をメッキする。図(b)は
銅箔7上にパターン形成のためのレジスト8を塗布し焼
付け,現像を行う。図(c)はアルカリエッチングを行
い銅箔7のみエッチングを行ないパターン12を形成す
る。図(d)はエッチング液に硫酸銅(CuSO4)と硫酸
(H2SO4)の混合液を用い、Ni合金6をパターン毎にエ
ッチングを行う。
次に、上記中間層基板は、積層前処理工程3において、
酢酸銅,酢酸アンモニュウム,硫酸銅およびアンモニヤ
の混合液に浸漬し、第2図(e)に示すように、露出部
分に酸化膜10(斜線で示す)を形成し、積層時の密着性
をよくする。
次に、図(e)に示すように、レジスト8を銅箔Aを分
割するように塗布し、アルカリエッチングして図(f)
に示すようにA1とA2パターンを形成する。このパターン
A1とA2の形成により、パターンA1とA2間にNi合金の抵抗
体9を形成する。このように最終工程で抵抗体9を形成
することにより、製造工程途中での抵抗体9への影響を
なくしている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、従来発生した製造
工程中での抵抗体の抵抗値の変化がなくなり、高品質の
多層プリント基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の多層プリント基板製造方法の工程ブロ
ック図、 第2図は一実施例の製造工程における中間層基板の側断
面図、 第3図は従来の多層プリント基板製造方法のブロック
図、 第4図は従来の製造工程における中間層基板の側断面図
である。 図において、1はパターン形成工程、2は抵抗体形成工
程、3は積層前処理工程、4はせき層工程、5は基材、
6はNi合金、7は銅箔、8はレジスト、9は抵抗体、10
は酸化膜、11はパターンを示している。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】抵抗体を形成した中間層基板を積層して多
    層プリント基板を形成する方法において、 前記中間層基板(5)上に抵抗体層(6)および回路と
    なる層(7)を積層形成し、次に該両層(6,7)をパタ
    ーンニングして回路パターンを形成し、次に抵抗部
    (9)を形成するに先だち酸化処理(3)を施すように
    したことを特徴とする多層プリント基板の製造方法。
JP62111523A 1987-05-06 1987-05-06 多層プリント基板の製造方法 Expired - Fee Related JPH0787272B2 (ja)

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