JPH0786490A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH0786490A JPH0786490A JP5229906A JP22990693A JPH0786490A JP H0786490 A JPH0786490 A JP H0786490A JP 5229906 A JP5229906 A JP 5229906A JP 22990693 A JP22990693 A JP 22990693A JP H0786490 A JPH0786490 A JP H0786490A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- tapes
- bonding
- sticking
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- Withdrawn
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、リ−ドフレ−ムの反り及びＩ
Ｃ接着用絶縁テ−プの変形が生じることがないＬＯＣ用
リ−ドフレ−ムを提供することである。 【構成】本発明によるＬＯＣ用リ−ドフレ−ム１０は、
複数のリ−ド１１と、各リ−ドのインナ−リ−ド部分の
片面に貼付けまたはコ−ティングにより形成されたＩＣ
接着用絶縁テ−プ１２とからなる。
Ｃ接着用絶縁テ−プの変形が生じることがないＬＯＣ用
リ−ドフレ−ムを提供することである。 【構成】本発明によるＬＯＣ用リ−ドフレ−ム１０は、
複数のリ−ド１１と、各リ−ドのインナ−リ−ド部分の
片面に貼付けまたはコ−ティングにより形成されたＩＣ
接着用絶縁テ−プ１２とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＯＣ（Lead On Chip）
タイプの半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ムに関す
るものである。
タイプの半導体装置に用いられるリ−ドフレ−ムに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの実装方法の一つとして、
半導体チップをリ−ドを用いて支持するＬＯＣ方式が知
られている。その場合に用いられるリ−ドフレ−ムを図
３に示す。リ−ドフレ−ム３０は複数のリ−ド３１と、
それらリ−ド３１の裏面に貼付けられたＩＣ接着用絶縁
テ−プ３２とからなる。一枚のＩＣ接着用絶縁テ−プ３
２を用いて複数のリ−ド３１の各インナ−リ−ド部分を
一度に貼付けており、本例では２枚のＩＣ接着用絶縁テ
−プ３２を用いている。それらＩＣ接着用絶縁テ−プ３
２は所望の大きさに金型で打ち抜かれた後、貼り付けら
れている。
半導体チップをリ−ドを用いて支持するＬＯＣ方式が知
られている。その場合に用いられるリ−ドフレ−ムを図
３に示す。リ−ドフレ−ム３０は複数のリ−ド３１と、
それらリ−ド３１の裏面に貼付けられたＩＣ接着用絶縁
テ−プ３２とからなる。一枚のＩＣ接着用絶縁テ−プ３
２を用いて複数のリ−ド３１の各インナ−リ−ド部分を
一度に貼付けており、本例では２枚のＩＣ接着用絶縁テ
−プ３２を用いている。それらＩＣ接着用絶縁テ−プ３
２は所望の大きさに金型で打ち抜かれた後、貼り付けら
れている。
【０００３】ところで、リ−ドフレ−ム材料はＦｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｕ合金等であり、一方ＩＣ接着用絶縁テ−プ
材料はポリイミド等であるため、リ−ド３１とＩＣ接着
用絶縁テ−プ３２との熱膨張率が異なっている。そのた
め、半導体チップをダイボンディングする際により、リ
−ドフレ−ム３０に反りが生じることがある。また、リ
−ドピッチが広い場合、リ−ド３１の裏面に接着されて
いない部分のＩＣ接着用絶縁テ−プ３２が、リ−ド３１
の表面側に盛り上がり変形することがある。このように
リ−ドフレ−ムの反りやＩＣ接着用絶縁テ−プの変形が
生じると、ワイヤボンディングを難しくしたり、ボンデ
ィングワイヤとＩＣ接着用絶縁テ−プとが接触したりす
るため、歩留まりが悪い。
ｉ合金、Ｃｕ合金等であり、一方ＩＣ接着用絶縁テ−プ
材料はポリイミド等であるため、リ−ド３１とＩＣ接着
用絶縁テ−プ３２との熱膨張率が異なっている。そのた
め、半導体チップをダイボンディングする際により、リ
−ドフレ−ム３０に反りが生じることがある。また、リ
−ドピッチが広い場合、リ−ド３１の裏面に接着されて
いない部分のＩＣ接着用絶縁テ−プ３２が、リ−ド３１
の表面側に盛り上がり変形することがある。このように
リ−ドフレ−ムの反りやＩＣ接着用絶縁テ−プの変形が
生じると、ワイヤボンディングを難しくしたり、ボンデ
ィングワイヤとＩＣ接着用絶縁テ−プとが接触したりす
るため、歩留まりが悪い。
【０００４】また、ＩＣ接着用絶縁テ−プは金型で打ち
抜かれて形成されるため、送り棧や縁棧の部分が必要で
あり無駄な部分が発生している。そのため、ロ−コスト
化を図る際の妨げとなっている。
抜かれて形成されるため、送り棧や縁棧の部分が必要で
あり無駄な部分が発生している。そのため、ロ−コスト
化を図る際の妨げとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】それ故に、本発明の目
的はリ−ドフレ−ムの反り及びＩＣ接着用絶縁テ−プの
変形が生じることがないリ−ドフレ−ムを提供すること
である。
的はリ−ドフレ−ムの反り及びＩＣ接着用絶縁テ−プの
変形が生じることがないリ−ドフレ−ムを提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるリ−ドフレ
−ムは、複数のリ−ドと、上記各リ−ドのインナ−リ−
ド部分の裏面を個別に被覆する複数のＩＣ接着用絶縁テ
−プとからなる。上記ＩＣ接着用絶縁テ−プは、上記リ
−ドに貼付けまたはコ−ティングにより形成される。
−ムは、複数のリ−ドと、上記各リ−ドのインナ−リ−
ド部分の裏面を個別に被覆する複数のＩＣ接着用絶縁テ
−プとからなる。上記ＩＣ接着用絶縁テ−プは、上記リ
−ドに貼付けまたはコ−ティングにより形成される。
【０００７】
【作用】上記リ−ドフレ−ムによれば、上記ＩＣ接着用
絶縁テ−プは上記各リ−ドのみに形成されており、各リ
−ドの間には形成されていない。そのため、ダイボンデ
ィング時においても、上記リ−ドフレ−ム全体に反りが
発生することなく、また上記ＩＣ接着用絶縁テ−プが変
形することもない。
絶縁テ−プは上記各リ−ドのみに形成されており、各リ
−ドの間には形成されていない。そのため、ダイボンデ
ィング時においても、上記リ−ドフレ−ム全体に反りが
発生することなく、また上記ＩＣ接着用絶縁テ−プが変
形することもない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明によるＬＯＣ用リ−ドフレ−ム
を図面を参照して説明する。図１によれば、ＬＯＣ用リ
−ドフレ−ム１０は複数のリ−ド１１と、各リ−ド１１
のインナ−リ−ド部分の裏面側に設けられた複数のＩＣ
接着用絶縁テ−プ１２とからなる。図２に示すように、
ＩＣ接着用絶縁テ−プ１２はリ−ド１１の裏面に形成さ
れている。
を図面を参照して説明する。図１によれば、ＬＯＣ用リ
−ドフレ−ム１０は複数のリ−ド１１と、各リ−ド１１
のインナ−リ−ド部分の裏面側に設けられた複数のＩＣ
接着用絶縁テ−プ１２とからなる。図２に示すように、
ＩＣ接着用絶縁テ−プ１２はリ−ド１１の裏面に形成さ
れている。
【０００９】ＩＣ接着用絶縁テ−プ１２は各リ−ド１１
上に貼付け法若しくはポッティング法により形成され
る。金属薄板からリ−ド形状をプレスを用いて打ち抜い
て形成する場合には、上記金属薄板のインナ−リ−ドの
位置にＩＣ接着用絶縁テ−プ１２を貼付けた後、プレス
を行い上記金属薄板の不要な部分を打ち抜くと共にＩＣ
接着用絶縁テ−プの不要な部分を打ち抜く。それによ
り、ＩＣ接着用絶縁テ−プ１２は各リ−ド１１を個別に
形成される。
上に貼付け法若しくはポッティング法により形成され
る。金属薄板からリ−ド形状をプレスを用いて打ち抜い
て形成する場合には、上記金属薄板のインナ−リ−ドの
位置にＩＣ接着用絶縁テ−プ１２を貼付けた後、プレス
を行い上記金属薄板の不要な部分を打ち抜くと共にＩＣ
接着用絶縁テ−プの不要な部分を打ち抜く。それによ
り、ＩＣ接着用絶縁テ−プ１２は各リ−ド１１を個別に
形成される。
【００１０】また、リ−ド形状をエッチング法を用いて
形成する場合には、エッチング後に液体状のＩＣ接着用
絶縁テ−プ材を用いてポッティング法により各リ−ド１
１をコ−ティングする。尚、ポッティング法によるコ−
ティングは、プレス後のリ−ドにも適用できる。
形成する場合には、エッチング後に液体状のＩＣ接着用
絶縁テ−プ材を用いてポッティング法により各リ−ド１
１をコ−ティングする。尚、ポッティング法によるコ−
ティングは、プレス後のリ−ドにも適用できる。
【００１１】このようなリ−ドフレ−ム１０では、ＩＣ
接着用絶縁テ−プ１２は各リ−ド１１毎に形成されてい
るため、ダイボンディングの際にリ−ドフレ−ム自体の
反りが生じない。また、リ−ド１１の間にＩＣ接着用絶
縁テ−プ１２はないため、ＩＣ接着用絶縁テ−プの変形
も発生することがない。
接着用絶縁テ−プ１２は各リ−ド１１毎に形成されてい
るため、ダイボンディングの際にリ−ドフレ−ム自体の
反りが生じない。また、リ−ド１１の間にＩＣ接着用絶
縁テ−プ１２はないため、ＩＣ接着用絶縁テ−プの変形
も発生することがない。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、リ−ドフレ−ムの反り
やＩＣ接着用絶縁テ−プの変形を発生することない。そ
のため、ダイボンディング及びリ−ドボンディングを良
好にでき、歩留まりが向上する。また、ＩＣ接着用絶縁
テ−プをより有効的に用いることができ製造コストを低
下することができる。
やＩＣ接着用絶縁テ−プの変形を発生することない。そ
のため、ダイボンディング及びリ−ドボンディングを良
好にでき、歩留まりが向上する。また、ＩＣ接着用絶縁
テ−プをより有効的に用いることができ製造コストを低
下することができる。
【図１】本発明によるＬＯＣ用リ−ドフレ−ムを模式的
に示し、リ−ドフレ−ム裏面側の平面図である。
に示し、リ−ドフレ−ム裏面側の平面図である。
【図２】本発明によるＬＯＣ用リ−ドフレ−ムのインナ
−リ−ド部分を示す断面図である。
−リ−ド部分を示す断面図である。
【図３】従来のＬＯＣ用リ−ドフレ−ムの裏面側からの
平面図である。
平面図である。
【符号の説明】 １０…リ−ドフレ−ム、１１…リ−ド、１２…ＩＣ接着
用絶縁テ−プ
用絶縁テ−プ
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のリ−ドを有し、上記各リ−ドのイ
ンナ−リ−ド部分のみを個別にＩＣ接着用絶縁材料によ
り被覆することを特徴とする半導体装置用リ−ドフレ−
ム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229906A JPH0786490A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| KR1019940023569A KR950010042A (ko) | 1993-09-16 | 1994-09-16 | 반도체장치용 리드프레임 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229906A JPH0786490A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786490A true JPH0786490A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16899589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229906A Withdrawn JPH0786490A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786490A (ja) |
| KR (1) | KR950010042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5984699A (en) * | 1996-01-29 | 1999-11-16 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5229906A patent/JPH0786490A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-09-16 KR KR1019940023569A patent/KR950010042A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5984699A (en) * | 1996-01-29 | 1999-11-16 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device |
| KR100252788B1 (ko) * | 1996-01-29 | 2000-04-15 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체장치의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950010042A (ko) | 1995-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |