JPH0786288A - 電極形成用ワイヤ及びその製造方法及び電極形成用ワイヤを用いた電極形成方法及び電極形成用ワイヤを用いた半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

電極形成用ワイヤ及びその製造方法及び電極形成用ワイヤを用いた電極形成方法及び電極形成用ワイヤを用いた半導体装置及びその製造方法

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JPH0786288A
JPH0786288A JP5226221A JP22622193A JPH0786288A JP H0786288 A JPH0786288 A JP H0786288A JP 5226221 A JP5226221 A JP 5226221A JP 22622193 A JP22622193 A JP 22622193A JP H0786288 A JPH0786288 A JP H0786288A
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electrode forming
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core wire
conductive material
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Masataka Mizukoshi
正孝 水越
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は半導体チップの電極形成時等に用いて
好適な電極形成用ワイヤ及びその製造方法及び電極形成
用ワイヤを用いた電極形成方法に関し、狭ピッチの電極
を容易に形成することを目的とする。 【構成】電極形成用ワイヤ１を心線ワイヤ２に所定間隔
で導電性材料７よりなる転写電極３を数珠状に配設した
構成とする。また電極形成用ワイヤ１は、基板４上に心
線ワイヤ２を列設し、その上部にノズル８を用いて導電
性材料７を心線ワイヤ２の延在方向と交差する方向にラ
イン状に配設し、その後に心線ワイヤ２を基板４から取
り外すことにより転写電極３を形成することにより製造
する。また、電極形成用ワイヤ１を用いて電極を形成す
るには、電極形成用ワイヤ１を半導体装置１１に圧接
し、転写電極３を半導体装置１１の電極形成位置に転写
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極形成用ワイヤ及びそ
の製造方法及び電極形成用ワイヤを用いた電極形成方法
及び電極形成用ワイヤを用いた半導体装置及びその製造
方法に係り、特に半導体チップの電極形成時等に用いて
好適な電極形成用ワイヤ及びその製造方法及び電極形成
用ワイヤを用いた電極形成方法及び電極形成用ワイヤを
用いた半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高速化，高密度化に伴
い、半導体装置に配設されるリードの狭ピッチ化が進ん
でいる。また、このような半導体装置の多電極化に伴
い、バンプ（例えば半田バンプ等）を用いて半導体装置
を基板に接続するフェイスダウンボンディング方法も採
用されるようになってきている。
【０００３】従って、狭ピッチ化されたリードを確実に
回路基板に接続し、またバンプを半導体装置に狭ピッチ
で配設する方法が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来、半導体装置を回路基板（例えばプ
リント回路基板）に実装する方法としては、次のような
実装方法が取られていた。
【０００５】半導体装置のパッケージ構造がＱＦＰ(Qua
d Flat Package) のような表面実装タイプの場合には、
半導体装置に形成されているリードと対応するよう回路
基板上に接続電極を形成しておき、この接続電極とリー
ドとを位置決めした上で半導体装置を回路基板に搭載
し、リードと接続電極とを半田接続する方法が取られて
いた。
【０００６】この際、回路基板上に接続電極を形成する
従来方法としては、スクリーン印刷が一般に用いられて
おり、具体的には電極形成位置に開口部が形成された所
定のパターンをもったスクリーンを回路基板上に配設
し、その上部より厚膜ペースト（導電性ペースト）をス
キージにより印刷することにより電極を形成していた。
【０００７】一方、フェイスダウンボンディング方法に
おいては、半導体装置の底面に形成されているパッド部
にバンプ（例えば半田バンプ）を形成し、これを予めパ
ンプ形成位置と対応するよう回路基板に形成されている
接続電極に接合させ、加熱して半田バンプを溶融してパ
ンプと接続電極とを接合させる方法が取られていた。
【０００８】この半導体装置にバンプを形成する方法と
しては、上記と同様のスクリーン印刷が一般に用いられ
ており、所定パターンを有するスクリーンを用いて半導
体装置の所定電極形成位置にバンプを厚膜印刷すること
が行われていた。
【０００９】また、他の電極形成方法としては、ノズル
を用い、このノズルより導電性ペーストを電極形成位置
に吐出させる方法も知られている。このノズルを用いた
電極形成方法により複数の電極を形成するには、電極数
と同数のノズルを用意し、一括的に各電極すること、或
いは一列にノズルを並べて複数回吐出することが行われ
ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、スクリーン
印刷により電極を形成する方法では、電極の形成精度に
限界があり（約３００μｍが限界）、現在半導体装置で
要求されている電極ピッチ（約１５０μｍ）に対応する
ことができないという問題点があった。
【００１１】また、ノズルを用いた電極形成する方法で
は、複数のノズルを近接配設する必要があるため、やは
り電極の配設ピッチを上記の要求ピッチ（約１５０μ
ｍ）に形成することができない。
【００１２】尚、ノズルを走査させることにより各電極
を形成することも考えられるが、微細ピッチで並んだ各
電極位置にノズルを高精度に位置決めするには高価な位
置決め装置が必要となり、また微小なバンプに対応した
量の導電性ペーストを各電極位置毎に吐出させるのも困
難であり、現実的ではない。
【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、狭ピッチの電極を容易に形成しうる電極形成用ワ
イヤ及びその製造方法及び電極形成用ワイヤを用いた電
極形成方法及び電極形成用ワイヤを用いた半導体装置及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明では、電極形成用ワイヤを、心線ワイヤに
所定間隔で導電性材料よりなる転写電極を数珠状に配設
した構成としたことを特徴とするものである。
【００１５】また、電極形成用ワイヤの製造方法とし
て、基板上に心線ワイヤを単数或いは複数直線状に列設
し、この基板上に列設された心線ワイヤ上に、ノズルを
用いて転写電極となる導電性材料を上記心線ワイヤの延
在方向と交差する方向にライン状に配設し、その後、上
記心線ワイヤを基板から取り外すことにより心線ワイヤ
上に所定間隔で転写電極を形成することを特徴とするも
のである。
【００１６】また、請求項１乃至３のいずれかに記載の
電極形成用ワイヤを用いた電極形成方法として、上記電
極形成用ワイヤを被電極形成部材に圧接し、転写電極を
この被電極形成部材の電極形成位置に転写することによ
り、被電極形成部材に電極を形成することを特徴とする
ものである。
【００１７】尚、上記心線ワイヤとして、金属細線また
は有機繊維を用いた構成としてもよい。
【００１８】また、上記転写電極として、半田または半
キュアーの導電性ペーストまたは導電性樹脂を用いた構
成としてもよい。
【００１９】また、内部に半導体素子を封止するパッケ
ージと、このパッケージに複数の接続パッドを具備する
半導体装置において、上記接続パッドに、絶縁材よりな
る心線ワイヤに接続パッドの形成間隔で導電性材料より
なる電極を数珠状に配設した電極形成用ワイヤを配設し
た構成としてもよい。
【００２０】更に、内部に半導体素子を封止するパッケ
ージに設けられた複数の接続パッドに電極を形成する半
導体装置の製造方法において、心線ワイヤに上記接続パ
ッドの形成間隔で導電性材料よりなる電極を数珠状に配
設した電極形成用ワイヤを形成し、続いて上記電極形成
用ワイヤを、上記電極が接続パッドに接続されるよう上
記パッケージに配設するか、または上記電極を電極パッ
ドに転写することによりこの電極を電極パッドに配設す
ることにより半導体装置を製造してもよい。
【００２１】
【作用】上記構成により、心線ワイヤに所定間隔で導電
性材料よりなる転写電極を数珠状に配設した電極形成用
ワイヤを被電極形成部材に圧接し、転写電極をこの被電
極形成部材の電極形成位置に転写することにより被電極
形成部材に電極を形成することができる。
【００２２】電極形成用ワイヤは、心線ワイヤに転写電
極を所定ピッチで形成しただけの簡単な構成であるた
め、安価にかつ容易に形成することができる。
【００２３】また、転写電極を被電極形成部材に転写す
るには電極形成用ワイヤを被電極形成部材に圧接するだ
けでよく、被電極形成部材（例えば半導体装置）に対す
る電極形成を容易に行うことができる。
【００２４】更に、電極形成用ワイヤは、基板上に直線
状に列設された心線ワイヤ上にノズルを用いて転写電極
となる導電性材料を心線ワイヤの延在方向と交差する方
向にライン状に塗布し転写電極を形成することにより、
ノズルを基板上で走査させることにより転写電極を形成
することが可能となる。よって、複数のノズルを用いた
場合のような隣接いるノズル間の干渉はなくなり、狭ピ
ッチで転写電極を形成することが可能となる。
【００２５】また、基板上に列設された心線ワイヤ上に
導電性材料を心線ワイヤの延在方向と交差する方向にラ
イン状に塗布した後に、この心線ワイヤを基板から取り
外すことにより心線ワイヤ上に転写電極を形成するた
め、ノズルから導電性材料を連続的に吐出させることが
可能となり、ノズルから導電性材料を吐出させる装置の
構成を簡単化することができる。また、心線ワイヤを基
板から取り外したと同時に導電性材料は個々の転写電極
となるため、上記のようにノズルから導電性材料を連続
的に吐出させる構成としても転写電極の形成に際し不都
合が生じるものではない。
【００２６】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。
【００２７】図１は本発明の一実施例である電極形成用
ワイヤ１を示している。電極形成用ワイヤ１は、心線ワ
イヤ２と転写電極３とによりなる極めて簡単な構成とさ
れている。心線ワイヤ２は、例えば絶縁性を有する金属
細線或いは樹脂よりなる有機繊維等により構成されてい
る。この心線ワイヤ２の断面は円形状でも、また矩形状
でもよく、その断面形状が限定されるものではない。
【００２８】転写電極３は、後述するように後に被電極
形成部材に電極として配設されるものであり、半田，半
キュアーの導電性ペーストまたは導電性樹脂等により形
成されている。この転写電極３は複数個所定の間隔（ピ
ッチ）をおいて数珠状に配設されている。また心線ワイ
ヤ２上における転写電極３の形成ピッチ（図中矢印Ｐで
示す）は、半導体装置に設けられる電極（リード或いは
バンプ等）に要求される配設ピッチである１５０μｍ程
度とされている。尚、後述するようにこのピッチＰを可
変することは容易に行うことができる。
【００２９】続いて、上記構成とされた電極形成用ワイ
ヤ１の製造方法について図２乃至図図５を用いて説明す
る。
【００３０】電極形成用ワイヤ１を製造するには、先ず
図２に示されるように心線ワイヤ２を基板４の上部に配
設する。基板４の上部の所定位置にはピン５が立設され
ており、心線ワイヤ２はこのピン５に引っ掛けられなが
ら張架され、同図に示すように全体として櫛歯状のパタ
ーンを形成する。従って、心線ワイヤ２の長手部分は互
いに平行に列設（並設）された状態となる。尚、心線ワ
イヤ２が基板４上に配設された状態において、心線ワイ
ヤ２は基板４と略接触した状態となっている（即ち、心
線ワイヤ２は基板４と近接した状態となっている）。
【００３１】上記の如く基板４上に心線ワイヤ２が配設
されると、続いて導電材料吐出装置６により心線ワイヤ
２上に導電材料７が配設される。ここで、導電材料７と
は後に転写電極３となるものであり、よって具体的な材
質としては半田，導電性ペーストまたは導電性樹脂等で
ある。
【００３２】図３は導電材料吐出装置６の要部構成図で
ある。同図に示すように、導電材料吐出装置６は、導電
材料７を吐出するノズル８、ノズル８を移動させるノズ
ル移動装置９、ノズル８に導電材料７を供給する導電材
料供給装置１０等により構成されている。ノズル８はそ
の先端部より導電材料７を吐出する構成とされている。
またノズル８はノズル移動装置９により基板４の上部に
おいて任意に移動できる構成とされている。更に、導電
材料供給装置１０はノズル８に向け導電材料７を供給す
る装置であり、この導電材料供給装置１０によりノズル
８からは所定の吐出量で導電材料７が連続的に吐出され
る。
【００３３】図２に示されるように、ノズル８はノズル
移動装置９により、長手方向に延在する心線ワイヤ２と
交差（直交）する方向に移動し、基板４上に配設された
全ての心線ワイヤ２を横切ると、所定間隔離間させて再
び心線ワイヤ２と交差する方向に移動し、以後この動作
を繰り返す動作を行う。従って、基板４上に吐出形成さ
れる導電材料７のパターンも全体として櫛歯状となる。
また、吐出された導電材料７の長手方向に延在する部分
の離間距離（図２に矢印Ｐ0 で示す）は、半導体装置に
設けられる電極（リード或いはバンプ等）に要求される
配設ピッチに設定されている。即ち、導電材料７の長手
方向に延在する部分の離間距離Ｐ0 は、図１を用いて説
明したピッチＰと同一寸法である（Ｐ0 ＝Ｐ）。
【００３４】前記したように、ピッチＰ（即ち離間距離
Ｐ0 ）は、１５０μｍと非常に狭ピッチとされている。
しかるに、導電材料吐出装置６は１本のノズル８を移動
させることにより導電材料７を所定のパターンで吐出形
成する構成とされている。従って、複数のノズルを用い
た場合に発生するノズル間の干渉は無く、よって上記の
ような狭ピッチで導電材料７を基板４上に形成すること
ができる。尚、この構成によれば、ノズル７の形状にも
よるがこピッチＰは約１００μｍ程度まで狭めることが
できる。
【００３５】図４は導電材料７が配設された基板４を拡
大して示す図であり、図４（Ａ）は図２におけるＡ−Ａ
矢視図に該当し、また同図（Ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ
矢視図に該当する。
【００３６】前記したように、心線ワイヤ２は導電材料
７が配設される状態においては基板４に近接した状態と
なっており、その上部に導電材料７が配設される。この
ため、図４に示されるように、導電材料７の形成位置に
おいては心線ワイヤ２は導電材料７に覆われた構成とな
っている。
【００３７】上記のように導電材料７が配設されると、
続いて心線ワイヤ２は基板４から取り外す。これを図５
を用いて説明する。
【００３８】心線ワイヤ２を基板４から取り外す手順と
しては、心線ワイヤ２を基板４上に係止していたピン５
を外し、心線ワイヤ２の両端部（折曲された部分）を把
持して基板４に対して上方に離間させればよい。これだ
けの簡単な作業で心線ワイヤ２を基板４から取り外すこ
とができる。
【００３９】心線ワイヤ２が基板４から離間する際、心
線ワイヤ２上で導電材料７の配設位置では、心線ワイヤ
２の基板４からの離間動作に伴い導電材料７が心線ワイ
ヤ２に付着し、これにより転写電極３が形成される。図
５は導電材料７が心線ワイヤ２に付着した状態を示して
いる。このように、単に心線ワイヤ２を基板４から離間
させるだけで転写電極３が形成されるため、容易に転写
電極３を形成することができる。
【００４０】また、上記のように導電材料７の心線ワイ
ヤ２への付着により転写電極３を形成する構成とするこ
とにより、導電材料７を連続的に基板４上に形成するこ
とが可能となる。即ち、仮に心線ワイヤ２の所定位置に
転写電極３を一個一個形成する構成では、ノズル移動装
置９及び導電材料供給装置１０として高精度の装置を用
いなければならず、導電材料吐出装置６のコストが上昇
してしまう。しかるに、本実施例によれば導電材料７を
連続的に基板４上に形成しても、所定の大きさ及び所定
のピッチで転写電極３を形成することができるため、製
造装置に要するコスト低減を図ることができる。また、
上記したように非常に簡単な製造工程で電極形成ワイヤ
１を製造することができるため、電極形成ワイヤ１の製
品コストの低減を図ることができる。
【００４１】続いて、電極形成ワイヤ１を用いた電極形
成方法について図６を用いて説明する。尚、図６におい
ては電極形成ワイヤ１に形成されている転写電極３をバ
ンプとして半導体装置１１に形成する方法を例に挙げて
説明する。
【００４２】電極形成ワイヤ１を用いて半導体装置１１
にバンプを形成するには、先ず同図（Ａ）に示すように
電極形成ワイヤ１に形成されている転写電極３と半導体
装置１１のパッケージ１３に形成されている電極パッド
１４の形成位置とを位置決めする。続いて、同図（Ｂ）
に示すように電極形成ワイヤ１を半導体装置１１に形成
されている電極パッド１４に圧接し、そして必要に応じ
て加熱処理等を行うことにより転写電極３を半導体装置
１１に転写（付着）させる。これにより、半導体装置１
１にパンプ１２が形成される。
【００４３】この際、心線ワイヤ２及び転写電極３の材
質を適宜選定しておき、心線ワイヤ２と転写電極３との
接合力が半導体装置１１と転写電極３との接合力に対し
て小さくなるよう設定することにより、転写電極３の心
線ワイヤ２から半導体装置１１への転写を円滑に行うこ
とができる。
【００４４】上記のように、電極形成ワイヤ１から半導
体装置１１への転写電極３の転写は簡単な作業で行うこ
とができる。また、半導体装置１１への転写電極３の転
写の際、転写電極３の配設ピッチＰは履歴された状態で
半導体装置１１へ転写されるため、精度よく転写電極３
を半導体装置１１に形成することができる。
【００４５】尚、上記した実施例では、電極形成ワイヤ
１を用いてバンプ１２を形成する構成について説明した
が、本発明はバンプ１２の形成のみに限定されるもので
はなく、例えばＱＦＰタイプの半導体装置のリードが接
続される回路基板の電極等の形成を始めとして、各種電
極の形成において適用できることは勿論である。
【００４６】また、電極形成ワイヤ１を絶縁材により形
成しておくことにより、必ずしも転写電極３を半導体装
置１１に転写する必要はなく、電極形成ワイヤ１を残し
たままの構成としてもよい。
【００４７】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記のよう
な各種の効果を実現できる。
【００４８】心線ワイヤに所定間隔で導電性材料よりな
る転写電極を数珠状に配設した電極形成用ワイヤを被電
極形成部材（例えば半導体装置）に圧接し、転写電極を
この被電極形成部材の電極形成位置に転写することによ
り被電極形成部材に電極を形成することができる。
【００４９】電極形成用ワイヤは、心線ワイヤに転写電
極を所定ピッチで形成しただけの簡単な構成であるた
め、安価にかつ容易に形成することができる。
【００５０】また、転写電極を被電極形成部材に転写す
るには電極形成用ワイヤを被電極形成部材に圧接するだ
けでよく、被電極形成部材に対する電極形成を容易に行
うことができる。また、転写電極は電極形成用ワイヤか
ら被電極形成部材に転写されるため、心線ワイヤに形成
されている所定のピッチを履歴して転写電極を被電極形
成部材に転写形成することができる。
【００５１】更に、ノズルを基板上で走査させることに
より転写電極を形成することが可能となり、よって複数
のノズルを用いた場合のような隣接いるノズル間の干渉
はなくなり、狭ピッチで転写電極を形成することが可能
となる。
【００５２】また、基板上に列設された心線ワイヤ上に
導電性材料を心線ワイヤの延在方向と交差する方向にラ
イン状に塗布した後に、この心線ワイヤを基板から取り
外すことにより心線ワイヤ上に転写電極を形成するた
め、ノズルから導電性材料を連続的に吐出させることが
可能となり、ノズルから導電性材料を吐出させる装置の
構成を簡単化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である電極形成用ワイヤを示
す図である。
【図２】本発明の一実施例である電極形成用ワイヤの製
造方法を説明するための図である。
【図３】導電材料吐出装置の要部構成図である。
【図４】図４は導電材料が配設された基板を拡大して示
す図である。
【図５】図５は導電材料が心線ワイヤを付着した状態を
示す図である。
【図６】本発明の一実施例である電極形成用ワイヤを用
いて電極を形成する方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 電極形成用ワイヤ ２ 心線ワイヤ ３ 転写電極 ４ 基板 ５ ピン ６ 導電材料吐出装置 ７ 導電材料 ８ ノズル ９ ノズル移動装置 １０ 導電材料供給装置 １１ 半導体装置 １２ バンプ １３ パッケージ １４ 電極パッド

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 心線ワイヤ（２）に所定間隔で導電性材
    料（７）よりなる転写電極（３）を数珠状に配設したこ
    とを特徴とする電極形成用ワイヤ。
  2. 【請求項２】 該心線ワイヤ（２）として、金属細線ま
    たは有機繊維を用いたことを特徴とする請求項１記載の
    電極形成用ワイヤ。
  3. 【請求項３】 該転写電極（３）として、半田または半
    キュアーの導電性ペーストまたは導電性樹脂を用いたこ
    とを特徴とする請求項１又は２記載の電極形成用ワイ
    ヤ。
  4. 【請求項４】 基板（４）上に心線ワイヤ（２）を単数
    或いは複数直線状に列設し、 該基板（４）上に列設された該心線ワイヤ（２）上に、
    ノズル（８）を用いて転写電極（３）となる導電性材料
    （７）を該心線ワイヤ（２）の延在方向と交差する方向
    にライン状に配設すことにより該心線ワイヤ（２）上に
    所定間隔で転写電極（３）を形成することを特徴とする
    電極形成用ワイヤの製造方法。
  5. 【請求項５】 該心線ワイヤ（２）として、金属細線ま
    たは有機繊維を用いたことを特徴とする請求項４記載の
    電極形成用ワイヤの製造方法。
  6. 【請求項６】 該転写電極（３）として、半田または半
    キュアーの導電性ペーストまたは導電性樹脂を用いたこ
    とを特徴とする請求項４又は５記載の電極形成用ワイヤ
    の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至３のいずれかに記載の電極
    形成用ワイヤ（１）を被電極形成部材（１１）に圧接
    し、該転写電極（３）を該被電極形成部材（１１）の電
    極形成位置に転写することにより、該被電極形成部材
    （１１）に電極（１２）を形成することを特徴とする電
    極形成用ワイヤを用いた電極形成方法。
  8. 【請求項８】 内部に半導体素子を封止するパッケージ
    （１３）と、該パッケージ（１３）に複数の接続パッド
    （１４）を具備する半導体装置において、 該接続パッド（１４）に、絶縁材よりなる心線ワイヤ
    （２）に該接続パッド（１４）の形成間隔で導電性材料
    （７）よりなる電極（３）を数珠状に配設した電極形成
    用ワイヤ（１）を配設たことを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 内部に半導体素子を封止するパッケージ
    （１３）に設けられた複数の接続パッド（１４）に電極
    を形成する半導体装置の製造方法において、 心線ワイヤ（２）に該接続パッド（１４）の形成間隔で
    導電性材料（７）よりなる電極（３）を数珠状に配設し
    た電極形成用ワイヤ（１）を形成し、 続いて該電極形成用ワイヤ（１）を、該電極（３）が該
    接続パッド（１４）に接続されるよう該パッケージ（１
    ３）に配設するか、または該電極（３）を該電極パッド
    （１４）に転写することにより該電極（３）を該電極パ
    ッド（１４）に配設したことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
JP5226221A 1993-09-10 1993-09-10 電極形成用ワイヤ及びその製造方法及び電極形成用ワイヤを用いた電極形成方法及び電極形成用ワイヤを用いた半導体装置及びその製造方法 Withdrawn JPH0786288A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5151347A (en) * 1989-11-27 1992-09-29 Martek Corporation Closed photobioreactor and method of use

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