JPH0786251A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH0786251A JPH0786251A JP23161993A JP23161993A JPH0786251A JP H0786251 A JPH0786251 A JP H0786251A JP 23161993 A JP23161993 A JP 23161993A JP 23161993 A JP23161993 A JP 23161993A JP H0786251 A JPH0786251 A JP H0786251A
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- electrode
- frequency power
- outer edge
- constant temperature
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、一対の電極間で均一なエッチン
グ加工が可能なドライエッチング装置を提供することを
目的とする。 【構成】 高周波電力が供給される下部電極２を中央部
側電極２１と外縁部側電極２２とに同心状に分割し、中
央部側電極２１に外縁部側電極２２より高出力の高周波
電力を供給するようにした。そこで、ウェハーＷの中央
部側は外縁部側に比べ大きな電界が印加されている。し
かしながら、下部電極２に一定の高周波電力が供給され
ると、ウェハーＷの中央部側は外縁部側に比べ小さな電
界が印加される傾向となる。そこで、この傾向と高周波
電力の差による分とが相殺されて、ウェハーＷの中央部
側と外縁部側との間に生じる電界の差がなくなり、ウェ
ハーＷ全体としてエッチング速度が均一化される。
グ加工が可能なドライエッチング装置を提供することを
目的とする。 【構成】 高周波電力が供給される下部電極２を中央部
側電極２１と外縁部側電極２２とに同心状に分割し、中
央部側電極２１に外縁部側電極２２より高出力の高周波
電力を供給するようにした。そこで、ウェハーＷの中央
部側は外縁部側に比べ大きな電界が印加されている。し
かしながら、下部電極２に一定の高周波電力が供給され
ると、ウェハーＷの中央部側は外縁部側に比べ小さな電
界が印加される傾向となる。そこで、この傾向と高周波
電力の差による分とが相殺されて、ウェハーＷの中央部
側と外縁部側との間に生じる電界の差がなくなり、ウェ
ハーＷ全体としてエッチング速度が均一化される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体を製造
する工程で使用されるドライエッチング装置に関するも
のである。
する工程で使用されるドライエッチング装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のドライエッチング装置の全
体構成を示す図である。図において、１は上端部が接地
され、下部に円板状の電極部１ａを有した上部電極、２
は上部電極１の電極部１ａに対向するように、上部に電
極部２ａが設けられた円柱状の下部電極である。この下
部電極２の電極部２ａ上には加工用のウェハーＷが位置
決め載置される。３は上部電極１と下部電極２の電極部
１ａ，２ａを内部に有し、所定の真空圧に保持される処
理室、４は一端部側が接地され、他端側が下部電極２に
接続される高周波電源、５は下部電極２の電極部２ａ側
に恒温水を循環させるための恒温水循環装置、６は恒温
水循環装置５からの給水配管、７は恒温水循環装置５へ
の排水配管である。
体構成を示す図である。図において、１は上端部が接地
され、下部に円板状の電極部１ａを有した上部電極、２
は上部電極１の電極部１ａに対向するように、上部に電
極部２ａが設けられた円柱状の下部電極である。この下
部電極２の電極部２ａ上には加工用のウェハーＷが位置
決め載置される。３は上部電極１と下部電極２の電極部
１ａ，２ａを内部に有し、所定の真空圧に保持される処
理室、４は一端部側が接地され、他端側が下部電極２に
接続される高周波電源、５は下部電極２の電極部２ａ側
に恒温水を循環させるための恒温水循環装置、６は恒温
水循環装置５からの給水配管、７は恒温水循環装置５へ
の排水配管である。
【０００３】図９は下部電極２の平面図、図１０は下部
電極２の側面図である。図において、８は上部電極１の
電極部１ａに対向する下部電極２の電極部２ａの表面温
度を一定に保持するために、この電極部２ａ内に設けら
れた中空タンク、９は給水配管６に連結される中空タン
ク８への給水孔、１０は給水配管６に連結される中空タ
ンク８からの排水孔である。
電極２の側面図である。図において、８は上部電極１の
電極部１ａに対向する下部電極２の電極部２ａの表面温
度を一定に保持するために、この電極部２ａ内に設けら
れた中空タンク、９は給水配管６に連結される中空タン
ク８への給水孔、１０は給水配管６に連結される中空タ
ンク８からの排水孔である。
【０００４】つぎに、この従来のドライエッチング装置
の動作について説明する。まず、下部電極２の電極部２
ａ上にウェハーＷが位置決め載置される。ついで、処理
室３内が所定の真空度に排気された後、この処理室３内
にエッチングガス（例えばＣＦ4 ）が導入される。そし
て、高周波電源４により下部電極２の電極部２ａに高周
波電力が供給される。このため、ＣＦ4 ガスはプラズマ
状態となり、フッ素のラジカルを発生させる。このフッ
素ラジカルがウェハーＷ中のＳｉ等と反応して、ウェハ
ーＷのエッチング加工が行なわれる。
の動作について説明する。まず、下部電極２の電極部２
ａ上にウェハーＷが位置決め載置される。ついで、処理
室３内が所定の真空度に排気された後、この処理室３内
にエッチングガス（例えばＣＦ4 ）が導入される。そし
て、高周波電源４により下部電極２の電極部２ａに高周
波電力が供給される。このため、ＣＦ4 ガスはプラズマ
状態となり、フッ素のラジカルを発生させる。このフッ
素ラジカルがウェハーＷ中のＳｉ等と反応して、ウェハ
ーＷのエッチング加工が行なわれる。
【０００５】一方、ドライエッチングでは加工物の温度
によってエッチング速度が変化するため、加工中のウェ
ハーＷの温度は一定に保持される必要がある。このた
め、恒温水循環装置５から給水配管６と給水孔９、およ
び排水配管７と排水孔１０を通って、中空タンク８に恒
温水が循環される。したがって、下部電極２の電極部２
ａの表面温度が一定に保持されることにより、ウェハー
Ｗの温度が一定値に保持されて、ウェハーＷに均一なエ
ッチング加工がなされる。
によってエッチング速度が変化するため、加工中のウェ
ハーＷの温度は一定に保持される必要がある。このた
め、恒温水循環装置５から給水配管６と給水孔９、およ
び排水配管７と排水孔１０を通って、中空タンク８に恒
温水が循環される。したがって、下部電極２の電極部２
ａの表面温度が一定に保持されることにより、ウェハー
Ｗの温度が一定値に保持されて、ウェハーＷに均一なエ
ッチング加工がなされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ドライエッチング装置においては、上部電極１の電極部
１ａと下部電極２の電極部２ａとが対向して配置され、
高周波電力が供給される下部電極２が一体で構成されて
いるので、下部電極２の電極部２ａ上に位置決め載置さ
れたウェハーＷの中心部と外縁部との電界の差に起因し
てエッチング速度差が生じ、ウェハーＷの外縁部側に比
し、中央部側のエッチング量が少なくなり、ウェハーＷ
全面にわたって均一なエッチング加工がなされないとい
う課題があった。
ドライエッチング装置においては、上部電極１の電極部
１ａと下部電極２の電極部２ａとが対向して配置され、
高周波電力が供給される下部電極２が一体で構成されて
いるので、下部電極２の電極部２ａ上に位置決め載置さ
れたウェハーＷの中心部と外縁部との電界の差に起因し
てエッチング速度差が生じ、ウェハーＷの外縁部側に比
し、中央部側のエッチング量が少なくなり、ウェハーＷ
全面にわたって均一なエッチング加工がなされないとい
う課題があった。
【０００７】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、加工物全面にわたって均一なエッ
チング加工が可能なドライエッチング装置を提供するこ
とを目的とする。
めになされたもので、加工物全面にわたって均一なエッ
チング加工が可能なドライエッチング装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明
は、処理室内に互いに対向して一対の電極が配置され、
この一対の電極の一方側の電極に高周波電力が供給され
てなるドライエッチング装置において、一方側の電極を
複数の分割電極に分割するとともに、複数の分割電極の
それぞれに個別の高周波電源を接続し、一方側の電極に
供給される高周波電力を複数の分割電極毎に制御できる
ようにしたものである。
は、処理室内に互いに対向して一対の電極が配置され、
この一対の電極の一方側の電極に高周波電力が供給され
てなるドライエッチング装置において、一方側の電極を
複数の分割電極に分割するとともに、複数の分割電極の
それぞれに個別の高周波電源を接続し、一方側の電極に
供給される高周波電力を複数の分割電極毎に制御できる
ようにしたものである。
【０００９】また、この発明の第２の発明は、処理室内
に互いに対向して一対の電極が配置され、この一対の電
極の一方側の電極に高周波電力が供給されてなるドライ
エッチング装置において、一方側の電極を複数の区画に
分け、複数の区画のそれぞれに個別の恒温水循環装置に
連結された恒温水流路を設け、一方側の電極の電極温度
を複数の区画毎に制御できるようにしたものである。
に互いに対向して一対の電極が配置され、この一対の電
極の一方側の電極に高周波電力が供給されてなるドライ
エッチング装置において、一方側の電極を複数の区画に
分け、複数の区画のそれぞれに個別の恒温水循環装置に
連結された恒温水流路を設け、一方側の電極の電極温度
を複数の区画毎に制御できるようにしたものである。
【００１０】また、この発明の第３の発明は、処理室内
に互いに対向して一対の電極が配置され、この一対の電
極の一方側の電極に高周波電力が供給されてなるドライ
エッチング装置において、一方側の電極を複数の分割電
極に分割するとともに、複数の分割電極のそれぞれに個
別の高周波電源を接続し、さらに複数のの分割電極のそ
れぞれに個別の恒温水循環装置に連結された恒温水流路
を設け、一方側の電極に供給される高周波電力および一
方側の電極の電極温度を複数の分割電極毎に制御できる
ようにしたものである。
に互いに対向して一対の電極が配置され、この一対の電
極の一方側の電極に高周波電力が供給されてなるドライ
エッチング装置において、一方側の電極を複数の分割電
極に分割するとともに、複数の分割電極のそれぞれに個
別の高周波電源を接続し、さらに複数のの分割電極のそ
れぞれに個別の恒温水循環装置に連結された恒温水流路
を設け、一方側の電極に供給される高周波電力および一
方側の電極の電極温度を複数の分割電極毎に制御できる
ようにしたものである。
【００１１】
【作用】互いに対向して配置される一対の電極の一方側
の電極に加工物を載置し、一方側の電極に高周波電力を
供給して、エッチング加工を行なう場合、一般に加工物
の中心部と外縁部との電界の差に起因してエッチング速
度差を生じてしまう。そして、この加工物の中央部側の
エッチング速度は外縁部側のエッチング速度に比べて小
さくなる。
の電極に加工物を載置し、一方側の電極に高周波電力を
供給して、エッチング加工を行なう場合、一般に加工物
の中心部と外縁部との電界の差に起因してエッチング速
度差を生じてしまう。そして、この加工物の中央部側の
エッチング速度は外縁部側のエッチング速度に比べて小
さくなる。
【００１２】この発明の第１の発明では、高周波電力が
供給される一方側の電極を構成する複数の分割電極に供
給する高周波電力を分割電極毎に制御できる。そこで、
一方側の電極の中央部側に外縁部側より高出力の高周波
電力を供給するように、複数の分割電極のそれぞれに接
続された高周波電源の出力を調節でき、下部電極上に載
置されている加工物の中央部と外縁部との間で生じる電
界の差が抑えられる。したがって、このドライエッチン
グ装置では、全体として、加工物の中央部側と外縁部側
とのエッチング速度を等しくすることができる。
供給される一方側の電極を構成する複数の分割電極に供
給する高周波電力を分割電極毎に制御できる。そこで、
一方側の電極の中央部側に外縁部側より高出力の高周波
電力を供給するように、複数の分割電極のそれぞれに接
続された高周波電源の出力を調節でき、下部電極上に載
置されている加工物の中央部と外縁部との間で生じる電
界の差が抑えられる。したがって、このドライエッチン
グ装置では、全体として、加工物の中央部側と外縁部側
とのエッチング速度を等しくすることができる。
【００１３】また、この発明の第２の発明では、高周波
電力が供給される一方側の電極の電極温度を複数の区画
毎に制御できる。そこで、一方側の電極の中央部側の表
面温度を外縁部側の表面温度より高くなるように、一方
側の電極の複数の区画のそれぞれに設られた恒温水流路
に恒温水循環装置により流通させる恒温水の温度を恒温
水流路毎に調節できる。そして、下部電極上に載置され
ている加工物の中央部側の温度を外縁部側の温度より高
くなり、この加工物の中央部側のエッチング速度が外縁
部側のエッチング速度より大きくなる。この加工物の温
度の差に起因するエッチング速度差により、上記加工物
の電界の差に起因するエッチング速度差が相殺される。
したがって、このドライエッチング装置では、全体とし
て、加工物の中央部側と外縁部側とのエッチング速度を
等しくすることができる。
電力が供給される一方側の電極の電極温度を複数の区画
毎に制御できる。そこで、一方側の電極の中央部側の表
面温度を外縁部側の表面温度より高くなるように、一方
側の電極の複数の区画のそれぞれに設られた恒温水流路
に恒温水循環装置により流通させる恒温水の温度を恒温
水流路毎に調節できる。そして、下部電極上に載置され
ている加工物の中央部側の温度を外縁部側の温度より高
くなり、この加工物の中央部側のエッチング速度が外縁
部側のエッチング速度より大きくなる。この加工物の温
度の差に起因するエッチング速度差により、上記加工物
の電界の差に起因するエッチング速度差が相殺される。
したがって、このドライエッチング装置では、全体とし
て、加工物の中央部側と外縁部側とのエッチング速度を
等しくすることができる。
【００１４】また、この発明の第３の発明は、上記第１
の発明と第２の発明を組み合わせた場合であり、この第
３の発明では、上記第１の発明や第２の発明の場合より
さらに効果的に加工物の中央部側と外縁部側とのエッチ
ング速度を等しくすることができる。
の発明と第２の発明を組み合わせた場合であり、この第
３の発明では、上記第１の発明や第２の発明の場合より
さらに効果的に加工物の中央部側と外縁部側とのエッチ
ング速度を等しくすることができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．この実施例１は、この発明の第１の発明に係
る一実施例である。図１はこの発明の実施例１に係るド
ライエッチング装置の全体構成を示す模式図、図２はそ
の下部電極の平面図、図３はその下部電極の側面図であ
る。なお、図８乃至図１０で示したドライエッチング装
置と同一または相当部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。
る。 実施例１．この実施例１は、この発明の第１の発明に係
る一実施例である。図１はこの発明の実施例１に係るド
ライエッチング装置の全体構成を示す模式図、図２はそ
の下部電極の平面図、図３はその下部電極の側面図であ
る。なお、図８乃至図１０で示したドライエッチング装
置と同一または相当部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。
【００１６】図において、２０は下部電極２を上部電極
１の電極部１ａに対して垂直に分割する絶縁シート、２
１は絶縁シート２０により分割されて下部電極２の中央
部側に形成されている分割電極としての中央下部電極、
２２は絶縁シート２０により分割されて下部電極２の外
縁部側に中央下部電極２１と同心状に形成されている分
割電極としての外縁下部電極、２３は中央下部電極２１
に高周波電力を供給する第１高周波電源、２４は外縁下
部電極２２に高周波電力を供給する第２高周波電源であ
る。
１の電極部１ａに対して垂直に分割する絶縁シート、２
１は絶縁シート２０により分割されて下部電極２の中央
部側に形成されている分割電極としての中央下部電極、
２２は絶縁シート２０により分割されて下部電極２の外
縁部側に中央下部電極２１と同心状に形成されている分
割電極としての外縁下部電極、２３は中央下部電極２１
に高周波電力を供給する第１高周波電源、２４は外縁下
部電極２２に高周波電力を供給する第２高周波電源であ
る。
【００１７】２５は中央下部電極２１の電極部２１ａ内
に設けられ、この電極部２１ａの上部電極１との対向表
面の温度を所定値に保持するための恒温水流路としての
中央中空タンク、２６は外縁下部電極２２の電極部２２
ａ内に設けられ、この電極部２２ａの上部電極１との対
向表面の温度を所定値に保持するための恒温水流路とし
ての外縁中空タンク、２７は中央中空タンク２５の給水
孔、２８は中央中空タンク２５の排水孔、２９は外縁中
空タンク２６の給水孔、３０は外縁中空タンク２６の排
水孔である。なお、給水孔２７，２９は給水配管６に連
結され、排水孔２８，３０は排水配管７にそれぞれ連結
される。
に設けられ、この電極部２１ａの上部電極１との対向表
面の温度を所定値に保持するための恒温水流路としての
中央中空タンク、２６は外縁下部電極２２の電極部２２
ａ内に設けられ、この電極部２２ａの上部電極１との対
向表面の温度を所定値に保持するための恒温水流路とし
ての外縁中空タンク、２７は中央中空タンク２５の給水
孔、２８は中央中空タンク２５の排水孔、２９は外縁中
空タンク２６の給水孔、３０は外縁中空タンク２６の排
水孔である。なお、給水孔２７，２９は給水配管６に連
結され、排水孔２８，３０は排水配管７にそれぞれ連結
される。
【００１８】つぎに、この実施例１によるドライエッチ
ング装置の動作について説明する。恒温水循環装置５か
ら送出された恒温水は、給水配管６および給水孔２７，
２９を介して、中央中空タンク２５および外縁中空タン
ク２６に供給された後、中央中空タンク２５および外縁
中空タンク２６から排水孔２８，３０および排水配管７
を介して、恒温水循環装置５に戻される。このため、中
央下部電極２１および外縁下部電極２２の電極部２１
ａ，２２ａの上部電極１との対向表面は恒温水により一
定温度に保持される。そして、中央下部電極２１と外縁
下部電極２２との電極部２１ａ，２２ａ上にウェハーＷ
が位置決め載置されるため、このウェハーＷは一定温度
に保持される。
ング装置の動作について説明する。恒温水循環装置５か
ら送出された恒温水は、給水配管６および給水孔２７，
２９を介して、中央中空タンク２５および外縁中空タン
ク２６に供給された後、中央中空タンク２５および外縁
中空タンク２６から排水孔２８，３０および排水配管７
を介して、恒温水循環装置５に戻される。このため、中
央下部電極２１および外縁下部電極２２の電極部２１
ａ，２２ａの上部電極１との対向表面は恒温水により一
定温度に保持される。そして、中央下部電極２１と外縁
下部電極２２との電極部２１ａ，２２ａ上にウェハーＷ
が位置決め載置されるため、このウェハーＷは一定温度
に保持される。
【００１９】一方、中央下部電極２１と外縁下部電極２
２とには、第１および第２高周波電源２３，２４を介し
て、それぞれ別々に高周波電力が供給される。この場
合、第１高周波電源２３から中央下部電極２１に供給さ
れる高周波電力が、第２高周波電源２４から外縁下部電
極２２に印加される高周波電力より大きくなっている。
そこで、下部電極２上に載置されているウェハーＷの中
心部側は外縁部側に比し、電界が大きくなっている。と
ころが、一般に下部電極２が分割されていない場合に
は、下部電極２上に載置されているウェハーＷの中心部
側は外縁部側に比し、電界が小さくなる傾向があるた
め、この傾向と高周波電力の差による分とが相殺され
る。したがって、下部電極２上に載置されているウェハ
ーＷの中心部側と外縁部側との電界の差がなくなり、中
央下部電極２１と外縁下部電極２２の電極部２１ａ，２
２ａ上のウェハーＷは全面にわたって均一にエッチング
加工される。
２とには、第１および第２高周波電源２３，２４を介し
て、それぞれ別々に高周波電力が供給される。この場
合、第１高周波電源２３から中央下部電極２１に供給さ
れる高周波電力が、第２高周波電源２４から外縁下部電
極２２に印加される高周波電力より大きくなっている。
そこで、下部電極２上に載置されているウェハーＷの中
心部側は外縁部側に比し、電界が大きくなっている。と
ころが、一般に下部電極２が分割されていない場合に
は、下部電極２上に載置されているウェハーＷの中心部
側は外縁部側に比し、電界が小さくなる傾向があるた
め、この傾向と高周波電力の差による分とが相殺され
る。したがって、下部電極２上に載置されているウェハ
ーＷの中心部側と外縁部側との電界の差がなくなり、中
央下部電極２１と外縁下部電極２２の電極部２１ａ，２
２ａ上のウェハーＷは全面にわたって均一にエッチング
加工される。
【００２０】なお、上記実施例１では、下部電極２を同
心状に中央下部電極２１と外縁下部電極２２との２つの
分割電極に分割し、それぞれに第１および第２高周波電
源２３、２４を接続しているが、下部電極２を同心状に
３分割あるいは４分割し、それぞれの分割電極に個別の
高周波電源を接続しても、同様の効果を奏する。また、
下部電極２を同心状に分割した分割電極を、さらに周方
向に分割し、各分割電極に個別の高周波電源を接続して
もよい。
心状に中央下部電極２１と外縁下部電極２２との２つの
分割電極に分割し、それぞれに第１および第２高周波電
源２３、２４を接続しているが、下部電極２を同心状に
３分割あるいは４分割し、それぞれの分割電極に個別の
高周波電源を接続しても、同様の効果を奏する。また、
下部電極２を同心状に分割した分割電極を、さらに周方
向に分割し、各分割電極に個別の高周波電源を接続して
もよい。
【００２１】実施例２．この実施例２は、この発明の第
２の発明に係る一実施例である。図４はこの発明の実施
例２に係るドライエッチング装置の全体構成図を示す模
式図、図５はその下部電極の平面図、図６はその下部電
極の側面図である。
２の発明に係る一実施例である。図４はこの発明の実施
例２に係るドライエッチング装置の全体構成図を示す模
式図、図５はその下部電極の平面図、図６はその下部電
極の側面図である。
【００２２】この実施例２のドライエッチング装置で
は、下部電極２は分割しないが、その電極部２ａを中央
部側と外縁部側との２つの区画に同心状に分け、２つの
区画に流通させる恒温水の温度をコントロールすること
により、電極部２ａにおけるエッチング速度の均一化を
図っている。
は、下部電極２は分割しないが、その電極部２ａを中央
部側と外縁部側との２つの区画に同心状に分け、２つの
区画に流通させる恒温水の温度をコントロールすること
により、電極部２ａにおけるエッチング速度の均一化を
図っている。
【００２３】図において、４０は下部電極２の電極部２
ａの中央部側に配置される恒温水流路としての中央中空
タンク２５に恒温水を循環させるための第１恒温水循環
装置、４１は下部電極２の電極部２ａの外縁部側に配置
される恒温水流路としての外縁中空タンク２６に恒温水
を循環させるための第２恒温水循環装置である。この場
合、第１恒温水循環装置４０から送出される恒温水のほ
うが、第２恒温水循環装置４１から送出される恒温水よ
り高温度にコントロールされている。４３、４４は中央
中空タンク２５の給水孔２７および排水孔２８と第１恒
温水循環装置４０とをそれぞれ連結する給水配管および
排水配管、４５，４６は外縁中空タンク２６の給水孔２
９および排水孔３０と第２恒温水循環装置４１とをそれ
ぞれ連結する給水配管および排水配管である。なお、他
の構成は図１乃至図３で示したドライエッチング装置と
同一である。
ａの中央部側に配置される恒温水流路としての中央中空
タンク２５に恒温水を循環させるための第１恒温水循環
装置、４１は下部電極２の電極部２ａの外縁部側に配置
される恒温水流路としての外縁中空タンク２６に恒温水
を循環させるための第２恒温水循環装置である。この場
合、第１恒温水循環装置４０から送出される恒温水のほ
うが、第２恒温水循環装置４１から送出される恒温水よ
り高温度にコントロールされている。４３、４４は中央
中空タンク２５の給水孔２７および排水孔２８と第１恒
温水循環装置４０とをそれぞれ連結する給水配管および
排水配管、４５，４６は外縁中空タンク２６の給水孔２
９および排水孔３０と第２恒温水循環装置４１とをそれ
ぞれ連結する給水配管および排水配管である。なお、他
の構成は図１乃至図３で示したドライエッチング装置と
同一である。
【００２４】つぎに、この実施例２によるドライエッチ
ング装置の動作について説明する。第１恒温水循環装置
４０から送出された恒温水は、給水配管４３および給水
孔２７を介して、中央中空タンク２５に供給された後、
この中央中空タンク２５から排水孔２８および排水配管
４４を介して、第１恒温水循環装置４０に戻される。ま
た、第２恒温水循環装置４１から送出された恒温水は、
給水配管４５および給水孔２７を介して、外縁中空タン
ク２６に供給された後、この外縁中空タンク２６から排
水孔２８および排水配管４６を介して、第２恒温水循環
装置４１に戻される。この場合、第１恒温水循環装置４
０から送出される恒温水のほうが第２恒温水循環装置４
１から送出される恒温水より高温度にコントロールされ
ているため、下部電極２の電極部２ａの中央部側の上部
電極１との対向表面ほうが、外縁部側の上部電極１との
対向表面に比べて高温状態に維持される。
ング装置の動作について説明する。第１恒温水循環装置
４０から送出された恒温水は、給水配管４３および給水
孔２７を介して、中央中空タンク２５に供給された後、
この中央中空タンク２５から排水孔２８および排水配管
４４を介して、第１恒温水循環装置４０に戻される。ま
た、第２恒温水循環装置４１から送出された恒温水は、
給水配管４５および給水孔２７を介して、外縁中空タン
ク２６に供給された後、この外縁中空タンク２６から排
水孔２８および排水配管４６を介して、第２恒温水循環
装置４１に戻される。この場合、第１恒温水循環装置４
０から送出される恒温水のほうが第２恒温水循環装置４
１から送出される恒温水より高温度にコントロールされ
ているため、下部電極２の電極部２ａの中央部側の上部
電極１との対向表面ほうが、外縁部側の上部電極１との
対向表面に比べて高温状態に維持される。
【００２５】したがって、下部電極２の電極部２ａ上に
位置決め載置されるウェハーＷの中央部側は外縁部側に
比べて温度が上がることとなる。ドライエッチングの場
合、加工物（ウェハーＷ）の温度が上昇すればエッチン
グ速度が大きくなるため、ウェハーＷの中央部側のエッ
チング速度は外縁部側より大きくなる。ところが、一般
にウェハーＷの中心部側と外縁部側との電界の差によ
り、ウェハーＷの中央部側のほうが外縁部側に比べてエ
ッチング速度が小さくなる傾向にあるため、この傾向と
上記温度の差による分とが相殺され、ウェハーＷの中央
部側と外縁部側とは均一にエッチング加工される。
位置決め載置されるウェハーＷの中央部側は外縁部側に
比べて温度が上がることとなる。ドライエッチングの場
合、加工物（ウェハーＷ）の温度が上昇すればエッチン
グ速度が大きくなるため、ウェハーＷの中央部側のエッ
チング速度は外縁部側より大きくなる。ところが、一般
にウェハーＷの中心部側と外縁部側との電界の差によ
り、ウェハーＷの中央部側のほうが外縁部側に比べてエ
ッチング速度が小さくなる傾向にあるため、この傾向と
上記温度の差による分とが相殺され、ウェハーＷの中央
部側と外縁部側とは均一にエッチング加工される。
【００２６】なお、上記実施例２では、下部電極２の電
極部２ａを中央部側と外縁部側との２つの区画に同心状
に分け、２つの区画にそれぞれ中央中空タンク２５およ
び外縁中空タンク２６を設け、両タンク２５、２６の流
通させる恒温水の温度を個別にコントロールするものと
しているが、下部電極の電極部２ａを同人状に３つある
いは４つの区画に分け、各区画に恒温水流路を設け、か
つ、各恒温水流路に流通させる恒温水の温度を個別にコ
ントロールしても、同様の効果を奏する。
極部２ａを中央部側と外縁部側との２つの区画に同心状
に分け、２つの区画にそれぞれ中央中空タンク２５およ
び外縁中空タンク２６を設け、両タンク２５、２６の流
通させる恒温水の温度を個別にコントロールするものと
しているが、下部電極の電極部２ａを同人状に３つある
いは４つの区画に分け、各区画に恒温水流路を設け、か
つ、各恒温水流路に流通させる恒温水の温度を個別にコ
ントロールしても、同様の効果を奏する。
【００２７】実施例３．この実施例３は、この発明の第
３の発明に係る一実施例である。図７はこの発明の実施
例３に係るドライエッチング装置の全体構成を示す模式
図である。
３の発明に係る一実施例である。図７はこの発明の実施
例３に係るドライエッチング装置の全体構成を示す模式
図である。
【００２８】この実施例３のドライエッチング装置で
は、下部電極２を上記実施例１のドライエッチング装置
のように中央下部電極２１と外縁下部電極２２とに同心
状に分割し、第２高周波電源２４から外縁下部電極２２
に高周波電力を供給するとともに、第１高周波電源２３
から中央下部電極２１に、外縁下部電極２２側より高出
力の高周波電力を供給している。また、この実施例３の
ドライエッチング装置では、上記実施例２のドライエッ
チング装置のように、第２恒温水循環装置４１を介し
て、外縁中空タンク２６に恒温水を循環させるととも
に、第１恒温水循環装置４０を介して、中央中空タンク
２５に、外縁中空タンク２６側より高温度の恒温水を循
環させている。
は、下部電極２を上記実施例１のドライエッチング装置
のように中央下部電極２１と外縁下部電極２２とに同心
状に分割し、第２高周波電源２４から外縁下部電極２２
に高周波電力を供給するとともに、第１高周波電源２３
から中央下部電極２１に、外縁下部電極２２側より高出
力の高周波電力を供給している。また、この実施例３の
ドライエッチング装置では、上記実施例２のドライエッ
チング装置のように、第２恒温水循環装置４１を介し
て、外縁中空タンク２６に恒温水を循環させるととも
に、第１恒温水循環装置４０を介して、中央中空タンク
２５に、外縁中空タンク２６側より高温度の恒温水を循
環させている。
【００２９】したがって、下部電極２の電極部２ａ上の
ウェハーＷは、温度差および高周波電力の出力差の影響
により、その中央部側と外縁部側とが均一にエッチング
加工される。
ウェハーＷは、温度差および高周波電力の出力差の影響
により、その中央部側と外縁部側とが均一にエッチング
加工される。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３１】この発明の第１の発明によれば、一方側の
電極を複数の分割電極に分割するとともに、複数の分割
電極のそれぞれに個別の高周波電源を接続し、一方側の
電極に供給される高周波電力を複数の分割電極毎に制御
できるようにしているので、加工物の中央部側と外縁部
側との間に生じる電界の差の発生が抑制されて、加工物
全面にわたってエッチング速度が均一化され、均一なエ
ッチング加工が可能となる。
電極を複数の分割電極に分割するとともに、複数の分割
電極のそれぞれに個別の高周波電源を接続し、一方側の
電極に供給される高周波電力を複数の分割電極毎に制御
できるようにしているので、加工物の中央部側と外縁部
側との間に生じる電界の差の発生が抑制されて、加工物
全面にわたってエッチング速度が均一化され、均一なエ
ッチング加工が可能となる。
【００３２】また、この発明の第２の発明によれば、一
方側の電極を複数の区画に分け、複数の区画のそれぞれ
に個別の恒温水循環装置に連結された恒温水流路を設
け、一方側の電極の電極温度を複数の区画毎に制御でき
るようにしているので、加工物の中央部側と外縁部側と
の温度差を生じさせ、この温度差によるエッチング速度
差により加工物の中央部側と外縁部側との電界の差によ
るエッチング速度差を相殺させることができ、加工物全
面にわたってエッチング速度が均一化され、均一なエッ
チング加工が可能となる。
方側の電極を複数の区画に分け、複数の区画のそれぞれ
に個別の恒温水循環装置に連結された恒温水流路を設
け、一方側の電極の電極温度を複数の区画毎に制御でき
るようにしているので、加工物の中央部側と外縁部側と
の温度差を生じさせ、この温度差によるエッチング速度
差により加工物の中央部側と外縁部側との電界の差によ
るエッチング速度差を相殺させることができ、加工物全
面にわたってエッチング速度が均一化され、均一なエッ
チング加工が可能となる。
【００３３】また、この発明の第３の発明によれば、一
方側の電極を複数の分割電極に分割するとともに、複数
の分割電極のそれぞれに個別の高周波電源を接続し、さ
らに複数のの分割電極のそれぞれに個別の恒温水循環装
置に連結された恒温水流路を設け、一方側の電極に供給
される高周波電力および一方側の電極の電極温度を複数
の分割電極毎に制御できるようにしているので、加工物
全面にわたってエッチング速度が均一化され、均一なエ
ッチング加工が可能となる。
方側の電極を複数の分割電極に分割するとともに、複数
の分割電極のそれぞれに個別の高周波電源を接続し、さ
らに複数のの分割電極のそれぞれに個別の恒温水循環装
置に連結された恒温水流路を設け、一方側の電極に供給
される高周波電力および一方側の電極の電極温度を複数
の分割電極毎に制御できるようにしているので、加工物
全面にわたってエッチング速度が均一化され、均一なエ
ッチング加工が可能となる。
【図１】この発明の実施例１に係るドライエッチング装
置の全体構成図を示す模式図である。
置の全体構成図を示す模式図である。
【図２】この発明の実施例１に係るドライエッチング装
置の下部電極を示す平面図である。
置の下部電極を示す平面図である。
【図３】この発明の実施例１に係るドライエッチング装
置の下部電極を示す側面図である。
置の下部電極を示す側面図である。
【図４】この発明の実施例２に係るドライエッチング装
置の全体構成を示す模式図である。
置の全体構成を示す模式図である。
【図５】この発明の実施例２に係るドライエッチング装
置の下部電極を示す平面図である。
置の下部電極を示す平面図である。
【図６】この発明の実施例２に係るドライエッチング装
置の下部電極を示す側面図である。
置の下部電極を示す側面図である。
【図７】この発明の実施例３に係るドライエッチング装
置の全体構成を示す模式図である。
置の全体構成を示す模式図である。
【図８】従来のドライエッチング装置の全体構成を示す
模式図である。
模式図である。
【図９】従来のドライエッチング装置の下部電極を示す
の平面図である。
の平面図である。
【図１０】従来のドライエッチング装置の下部電極を示
す側面図である。
す側面図である。
１ 上部電極（他方側電極） ２ 下部電極（一方側の電極） ２１ 中央下部電極（分割電極） ２２ 外縁下部電極（分割電極） ２３ 第１高周波電源 ２４ 第２高周波電源 ２５ 中央中空タンク（恒温水流路） ２６ 外縁中空タンク（恒温水流路） ４０ 第１恒温水循環装置 ４１ 第２恒温水循環装置
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室内に互いに対向して一対の電極が
配置され、この一対の電極の一方側の電極に高周波電力
が供給されてなるドライエッチング装置において、前記
一方側の電極を複数の分割電極に分割するとともに、前
記複数の分割電極のそれぞれに個別の高周波電源を接続
し、前記一方側の電極に供給される高周波電力を前記複
数の分割電極毎に制御できるようにしたことを特徴とす
るドライエッチング装置。 - 【請求項２】 処理室内に互いに対向して一対の電極が
配置され、この一対の電極の一方側の電極に高周波電力
が供給されてなるドライエッチング装置において、前記
一方側の電極を複数の区画に分け、前記複数の区画のそ
れぞれに個別の恒温水循環装置に連結された恒温水流路
を設け、前記一方側の電極の電極温度を前記複数の区画
毎に制御できるようにしたことを特徴とするドライエッ
チング装置。 - 【請求項３】 処理室内に互いに対向して一対の電極が
配置され、この一対の電極の一方側の電極に高周波電力
が供給されてなるドライエッチング装置において、前記
一方側の電極を複数の分割電極に分割するとともに、前
記複数の分割電極のそれぞれに個別の高周波電源を接続
し、さらに前記複数のの分割電極のそれぞれに個別の恒
温水循環装置に連結された恒温水流路を設け、前記一方
側の電極に供給される高周波電力および前記一方側の電
極の電極温度を前記複数の分割電極毎に制御できるよう
にしたことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23161993A JPH0786251A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23161993A JPH0786251A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786251A true JPH0786251A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16926352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23161993A Pending JPH0786251A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015141521A1 (ja) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
| WO2020008859A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23161993A patent/JPH0786251A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015141521A1 (ja) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
| JPWO2015141521A1 (ja) * | 2014-03-21 | 2017-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| US9818600B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-11-14 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2020008859A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
| JPWO2020008859A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-07-16 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
| US11764039B2 (en) | 2018-07-04 | 2023-09-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer support |
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