JPH0784228A - 誘電体光導波路デバイス - Google Patents
誘電体光導波路デバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極間の固相合金反応による短絡の発生を抑
制し、誘電体光導波路デバイスの高信頼化、長寿命化を
図ることである。 【構成】 光導波路２が形成されたＬｉＮｂＯ3 結晶か
らなる基板１上に、ＳｉＯ2 からなる絶縁性のバッファ
層４が形成され、その上にＳｉからなる半導電性膜５が
形成されている。そして、半導電性膜５上にＳｉＯ2 か
らなる絶縁性の拡散抑制層６が形成されており、Ａｕか
らなる一対の金属電極３は拡散抑制膜６上に配置されて
いる。電極３が半導電性膜５に固相で拡散することによ
るシリサイド化が拡散抑制層６により防止される。
制し、誘電体光導波路デバイスの高信頼化、長寿命化を
図ることである。 【構成】 光導波路２が形成されたＬｉＮｂＯ3 結晶か
らなる基板１上に、ＳｉＯ2 からなる絶縁性のバッファ
層４が形成され、その上にＳｉからなる半導電性膜５が
形成されている。そして、半導電性膜５上にＳｉＯ2 か
らなる絶縁性の拡散抑制層６が形成されており、Ａｕか
らなる一対の金属電極３は拡散抑制膜６上に配置されて
いる。電極３が半導電性膜５に固相で拡散することによ
るシリサイド化が拡散抑制層６により防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体光導波路デバイ
スに関する。光変調器等の光デバイスの一態様として、
光導波路デバイスがある。光導波路デバイスは、構造上
小形軽量化が容易でプレーナ技術等を用いて量産するこ
とができる等の利点を有している。
スに関する。光変調器等の光デバイスの一態様として、
光導波路デバイスがある。光導波路デバイスは、構造上
小形軽量化が容易でプレーナ技術等を用いて量産するこ
とができる等の利点を有している。
【０００２】特に、強誘電体結晶からなる基板に金属又
はその酸化物を熱拡散して光導波路を形成するととも
に、一対の金属電極を配置して構成される誘電体光導波
路デバイスは、印加電圧によって屈折率の制御が可能で
あるため、各種の光デバイスに応用されている。
はその酸化物を熱拡散して光導波路を形成するととも
に、一対の金属電極を配置して構成される誘電体光導波
路デバイスは、印加電圧によって屈折率の制御が可能で
あるため、各種の光デバイスに応用されている。
【０００３】本発明は、この種の誘電体光導波路デバイ
スの高信頼化、長寿命化を図るための改良技術に関する
ものである。
スの高信頼化、長寿命化を図るための改良技術に関する
ものである。
【０００４】
【従来の技術】従来の誘電体光導波路デバイスは、例え
ば、強誘電体結晶からなる基板表面の一部に金属又はそ
の酸化物を熱拡散して光導波路を形成し、これの表面に
絶縁性のバッファ層を形成し、さらに半導電性膜を形成
し、この半導電性膜上に金属からなる一対の電極を互い
に離間して配置して構成される。
ば、強誘電体結晶からなる基板表面の一部に金属又はそ
の酸化物を熱拡散して光導波路を形成し、これの表面に
絶縁性のバッファ層を形成し、さらに半導電性膜を形成
し、この半導電性膜上に金属からなる一対の電極を互い
に離間して配置して構成される。
【０００５】基板上に絶縁性のバッファ層を配置するの
は、電極への光の吸収を小さくするためであり、該電極
を半導電性膜上に配置するのは、温度変化に伴う焦電効
果による電荷を電極の下に集中させないようにするため
である。この半導電性膜の形成材料としては、製造性及
び安定性等の観点からケイ素（Ｓｉ）が用いられ、ま
た、電極の形成材料としては金（Ａｕ）が用いられてい
る。
は、電極への光の吸収を小さくするためであり、該電極
を半導電性膜上に配置するのは、温度変化に伴う焦電効
果による電荷を電極の下に集中させないようにするため
である。この半導電性膜の形成材料としては、製造性及
び安定性等の観点からケイ素（Ｓｉ）が用いられ、ま
た、電極の形成材料としては金（Ａｕ）が用いられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の誘電体
光導波路デバイスにおいては、ケイ素等からなる半導電
性膜は金等からなる電極に対し、その接合部で固相合金
反応を起こし、例えば、ケイ素と金の場合には金シリサ
イドが形成される。この反応は時間と共に進行し、最終
的には一対の電極間が短絡されるという問題がある。特
に高温になる程固相反応の進行が早いので問題が大き
い。
光導波路デバイスにおいては、ケイ素等からなる半導電
性膜は金等からなる電極に対し、その接合部で固相合金
反応を起こし、例えば、ケイ素と金の場合には金シリサ
イドが形成される。この反応は時間と共に進行し、最終
的には一対の電極間が短絡されるという問題がある。特
に高温になる程固相反応の進行が早いので問題が大き
い。
【０００７】なお、固相合金反応とは、金属固体とこれ
に接合する固体間でおこる化学変化であり、金属の分子
又は原子がこれに接合する固体内に拡散することにより
合金化が進行する反応である。一般に高温になるほどそ
の進行速度が早い。
に接合する固体間でおこる化学変化であり、金属の分子
又は原子がこれに接合する固体内に拡散することにより
合金化が進行する反応である。一般に高温になるほどそ
の進行速度が早い。
【０００８】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、電極間の短絡の発
生を抑制し、誘電体光導波路デバイスの高信頼化、長寿
命化を図ることである。
のであり、その目的とするところは、電極間の短絡の発
生を抑制し、誘電体光導波路デバイスの高信頼化、長寿
命化を図ることである。
【０００９】
（１）本発明第１の構成 本発明の誘電体光導波路デバイスは、光導波路が形成さ
れた誘電体からなる基板と、該基板上に設けられた絶縁
性のバッファ層と、該バッファ層上に設けられた半導電
性膜と、該基板の該光導波路に対応して互いに離間して
配置された金属からなる一対の電極と、該半導電性膜と
該電極との間に介在するように設けられた絶縁性の拡散
抑制層とを備えて構成される。
れた誘電体からなる基板と、該基板上に設けられた絶縁
性のバッファ層と、該バッファ層上に設けられた半導電
性膜と、該基板の該光導波路に対応して互いに離間して
配置された金属からなる一対の電極と、該半導電性膜と
該電極との間に介在するように設けられた絶縁性の拡散
抑制層とを備えて構成される。
【００１０】拡散抑制層は、一対の電極間に渡って一様
に形成されていてよく、あるいは、前記電極に対応する
部分のみに互いに離間して形成されていてもよい。前記
基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）とし、前記半
導電性膜はケイ素（Ｓｉ）とし、前記電極は金（Ａｕ）
とすることができる。また、前記バッファ層及び前記拡
散抑制層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）とすることがで
き、望ましくは、前記拡散抑制層の層厚は前記バッファ
層の層厚よりも小さくする。 （２）本発明第２の構成 また、本発明の誘電体光導波路デバイスは、光導波路が
形成された誘電体からなる基板と、該基板上に設けられ
た絶縁性のバッファ層と、該バッファ層上に設けられた
半導電性膜と、該基板の該光導波路に対応して互いに離
間して配置された金属からなる一対の電極と、該半導電
性膜と該電極との間に介在し、該電極と該半導電性膜と
の固相合金反応についての拡散定数よりも、該半導電性
膜との固相合金反応についての拡散定数が小さい金属か
らなり、該電極に対応する部分のみに互いに離間して設
けられている拡散抑制層とを備えて構成される。
に形成されていてよく、あるいは、前記電極に対応する
部分のみに互いに離間して形成されていてもよい。前記
基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）とし、前記半
導電性膜はケイ素（Ｓｉ）とし、前記電極は金（Ａｕ）
とすることができる。また、前記バッファ層及び前記拡
散抑制層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）とすることがで
き、望ましくは、前記拡散抑制層の層厚は前記バッファ
層の層厚よりも小さくする。 （２）本発明第２の構成 また、本発明の誘電体光導波路デバイスは、光導波路が
形成された誘電体からなる基板と、該基板上に設けられ
た絶縁性のバッファ層と、該バッファ層上に設けられた
半導電性膜と、該基板の該光導波路に対応して互いに離
間して配置された金属からなる一対の電極と、該半導電
性膜と該電極との間に介在し、該電極と該半導電性膜と
の固相合金反応についての拡散定数よりも、該半導電性
膜との固相合金反応についての拡散定数が小さい金属か
らなり、該電極に対応する部分のみに互いに離間して設
けられている拡散抑制層とを備えて構成される。
【００１１】なお、固相合金反応についての拡散定数と
は、金属がこれに接合する物体に固相反応することによ
り拡散する程度を示す値をいう。前記基板はニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ3 ）とし、前記半導電性膜はケイ素
（Ｓｉ）とし、前記電極は金（Ａｕ）とすることができ
る。また、この場合における前記拡散抑制層の形成材料
としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ク
ロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛
（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、
銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、及び白金（Ｐｔ）の
うちの一の材料、あるいはその合金を採用することがで
きる。 （３）本発明第３の構成 さらに、本発明による光導波路デバイスは、光導波路が
形成された誘電体からなる基板と、該基板の該光導波路
に対応して互いに離間して配置された一対の電極と、該
基板と該電極との間に設けられ、該一対の電極で挟まれ
た部分に対応する部分の一部に、該電極の相対部分の両
端方向に渡って半導電性の第１の半導電部を有し、該第
１の半導電部の周囲に絶縁性の第１の絶縁部を有する第
１の層と、該第１の層と該電極との間に介在し、該第１
の半導電部に概略対応する部分に絶縁性の第２の絶縁部
を有し、該第２の絶縁部の周囲に該第１の半導電部の周
囲近傍に接合された半導電性の第２の半導電部を有する
第２の層とを備えて構成される。
は、金属がこれに接合する物体に固相反応することによ
り拡散する程度を示す値をいう。前記基板はニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ3 ）とし、前記半導電性膜はケイ素
（Ｓｉ）とし、前記電極は金（Ａｕ）とすることができ
る。また、この場合における前記拡散抑制層の形成材料
としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ク
ロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛
（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、
銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、及び白金（Ｐｔ）の
うちの一の材料、あるいはその合金を採用することがで
きる。 （３）本発明第３の構成 さらに、本発明による光導波路デバイスは、光導波路が
形成された誘電体からなる基板と、該基板の該光導波路
に対応して互いに離間して配置された一対の電極と、該
基板と該電極との間に設けられ、該一対の電極で挟まれ
た部分に対応する部分の一部に、該電極の相対部分の両
端方向に渡って半導電性の第１の半導電部を有し、該第
１の半導電部の周囲に絶縁性の第１の絶縁部を有する第
１の層と、該第１の層と該電極との間に介在し、該第１
の半導電部に概略対応する部分に絶縁性の第２の絶縁部
を有し、該第２の絶縁部の周囲に該第１の半導電部の周
囲近傍に接合された半導電性の第２の半導電部を有する
第２の層とを備えて構成される。
【００１２】前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）とし、前記第１の層の前記第１の半導電部及び前記
第２の層の前記第２の半導電部はケイ素（Ｓｉ）とし、
前記電極は金（Ａｕ）とすることができる。また、前記
第１の層の前記第１の半導電部及び前記第２の層の前記
第２の絶縁部は、それぞれ互いに離間して複数設けて構
成することができる。
3 ）とし、前記第１の層の前記第１の半導電部及び前記
第２の層の前記第２の半導電部はケイ素（Ｓｉ）とし、
前記電極は金（Ａｕ）とすることができる。また、前記
第１の層の前記第１の半導電部及び前記第２の層の前記
第２の絶縁部は、それぞれ互いに離間して複数設けて構
成することができる。
【００１３】
（１）本発明第１の構成 本発明第１の構成によると、前記半導電性膜と前記一対
の電極との間には、絶縁性の拡散抑制層が介在してお
り、この拡散抑制層により半導電性膜と電極との固相合
金反応が抑制される。従って、該一対の電極が半導電性
膜を介して経時的に短絡されるということが少なくな
り、誘電体光導波路デバイスの高信頼化及び長寿命化を
図ることができる。
の電極との間には、絶縁性の拡散抑制層が介在してお
り、この拡散抑制層により半導電性膜と電極との固相合
金反応が抑制される。従って、該一対の電極が半導電性
膜を介して経時的に短絡されるということが少なくな
り、誘電体光導波路デバイスの高信頼化及び長寿命化を
図ることができる。
【００１４】また、半導電性膜がケイ素で構成される場
合には、拡散抑制層の形成材料としては二酸化ケイ素を
採用すると合理的である。なぜなら、製造過程におい
て、バッファ層上に半導電性膜を形成した後に、その表
面を加熱処理して酸化させることにより、容易に二酸化
ケイ素膜からなる拡散抑制層を形成することができるか
らである。
合には、拡散抑制層の形成材料としては二酸化ケイ素を
採用すると合理的である。なぜなら、製造過程におい
て、バッファ層上に半導電性膜を形成した後に、その表
面を加熱処理して酸化させることにより、容易に二酸化
ケイ素膜からなる拡散抑制層を形成することができるか
らである。
【００１５】この拡散抑制層の層厚は、固相合金反応を
抑制するという観点からは大きいほど効果的であるが、
電極に印加する駆動電圧の上昇を招くため、少なくとも
バッファ層の層厚よりも小さいことが望ましい。 （２）本発明第２の構成 本発明第２の構成によると、前記半導電性膜と前記一対
の電極との間には、金属からなる拡散抑制層が介在して
おり、この拡散抑制層により半導電性膜と電極との固相
合金反応が抑制される。従って、該一対の電極が半導電
性膜を介して経時的に短絡されるということが少なくな
り、誘電体光導波路デバイスの高信頼化及び長寿命化を
図ることができる。
抑制するという観点からは大きいほど効果的であるが、
電極に印加する駆動電圧の上昇を招くため、少なくとも
バッファ層の層厚よりも小さいことが望ましい。 （２）本発明第２の構成 本発明第２の構成によると、前記半導電性膜と前記一対
の電極との間には、金属からなる拡散抑制層が介在して
おり、この拡散抑制層により半導電性膜と電極との固相
合金反応が抑制される。従って、該一対の電極が半導電
性膜を介して経時的に短絡されるということが少なくな
り、誘電体光導波路デバイスの高信頼化及び長寿命化を
図ることができる。
【００１６】なお、この拡散抑制層は、前記電極と前記
半導電性膜との拡散定数よりも、該半導電性膜との拡散
定数が小さい金属を用い、且つ電気的に離間した状態で
配置される必要がある。一対の電極間が短絡されること
は許されないからである。 （３）本発明第３の構成 本発明第３の構成によると、第２の層の一対の電極で挟
まれた部分には、一対の電極の相対部分の両端方向に渡
る第２の絶縁部が存在し、この第２の絶縁部に概略対応
して第１の層に第１の半導電部が存在するようにしたの
で、電極と第２の半導電部との固相合金反応の進行は第
２の絶縁部にて阻害され、固相合金反応の進行経路が複
雑化する。従って、該一対の電極が経時的に短絡される
までの時間を大きくすることができ、誘電体光導波路デ
バイスの高信頼化及び長寿命化を図ることができる。
半導電性膜との拡散定数よりも、該半導電性膜との拡散
定数が小さい金属を用い、且つ電気的に離間した状態で
配置される必要がある。一対の電極間が短絡されること
は許されないからである。 （３）本発明第３の構成 本発明第３の構成によると、第２の層の一対の電極で挟
まれた部分には、一対の電極の相対部分の両端方向に渡
る第２の絶縁部が存在し、この第２の絶縁部に概略対応
して第１の層に第１の半導電部が存在するようにしたの
で、電極と第２の半導電部との固相合金反応の進行は第
２の絶縁部にて阻害され、固相合金反応の進行経路が複
雑化する。従って、該一対の電極が経時的に短絡される
までの時間を大きくすることができ、誘電体光導波路デ
バイスの高信頼化及び長寿命化を図ることができる。
【００１７】そして、第２の層に第２の絶縁部を設けた
ことにより、電極下への不均一な電荷分布の発生による
特性変化（温度ドリフト）を抑制するという第２の層の
本来的な目的が阻害される可能性があるが、第２の絶縁
部は第１の半導電部により補われているので、このよう
な心配はない。
ことにより、電極下への不均一な電荷分布の発生による
特性変化（温度ドリフト）を抑制するという第２の層の
本来的な目的が阻害される可能性があるが、第２の絶縁
部は第１の半導電部により補われているので、このよう
な心配はない。
【００１８】第１の層の第１の半導電部及び第２の層の
第２の絶縁部は、それぞれ互いに離間して複数設けるこ
とにより、さらに、固相合金反応の進行経路が複雑化
し、誘電体光導波路デバイスの高信頼化及び長寿命化を
図ることができる。
第２の絶縁部は、それぞれ互いに離間して複数設けるこ
とにより、さらに、固相合金反応の進行経路が複雑化
し、誘電体光導波路デバイスの高信頼化及び長寿命化を
図ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
することにする。 （１）第１実施例 図１及び図２は本発明第１の構成に対応する第１実施例
を示す図であり、図１はマッハツェンダ型光変調器の要
部の断面図、図２は同じく平面図である。
することにする。 （１）第１実施例 図１及び図２は本発明第１の構成に対応する第１実施例
を示す図であり、図１はマッハツェンダ型光変調器の要
部の断面図、図２は同じく平面図である。
【００２０】同図において、１はニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 ）結晶板からなる基板であり、基板１の表面
にはその両端部近傍で結合された一対の光導波路２が形
成されている。この光導波路２は基板１表面にチタン
（Ｔｉ）等の金属を熱拡散させて、その部分の屈折率を
高めることにより形成される。
ｉＮｂＯ3 ）結晶板からなる基板であり、基板１の表面
にはその両端部近傍で結合された一対の光導波路２が形
成されている。この光導波路２は基板１表面にチタン
（Ｔｉ）等の金属を熱拡散させて、その部分の屈折率を
高めることにより形成される。
【００２１】３は一対の光導波路２に対応してそれぞれ
設けられた金（Ａｕ）からなる電極であり、その一方が
進行波制御電極であり、他方は接地電極である。基板１
の光導波路２が形成された表面には、二酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）からなるバッファ層４が一様に形成されて
いる。このバッファ層４は光導波路２上に対応して配置
される電極３による光の吸収を小さくするためのもので
ある。
設けられた金（Ａｕ）からなる電極であり、その一方が
進行波制御電極であり、他方は接地電極である。基板１
の光導波路２が形成された表面には、二酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）からなるバッファ層４が一様に形成されて
いる。このバッファ層４は光導波路２上に対応して配置
される電極３による光の吸収を小さくするためのもので
ある。
【００２２】このバッファ層４上には、シリコン（Ｓ
ｉ）からなる高抵抗の半導電性膜５が一様に形成されて
いる。基板１を構成するニオブ酸リチウム結晶は焦電効
果が大きく、基板１の温度変化により基板１表面に電荷
を生じるが、この電荷が電極３の下に集中することによ
り、光導波路２の屈折率に影響し、光変調器の場合には
動作点が変化（温度ドリフト）して動作が不安定にな
る。半導電性膜５は、このような温度ドリフトを防止す
る。
ｉ）からなる高抵抗の半導電性膜５が一様に形成されて
いる。基板１を構成するニオブ酸リチウム結晶は焦電効
果が大きく、基板１の温度変化により基板１表面に電荷
を生じるが、この電荷が電極３の下に集中することによ
り、光導波路２の屈折率に影響し、光変調器の場合には
動作点が変化（温度ドリフト）して動作が不安定にな
る。半導電性膜５は、このような温度ドリフトを防止す
る。
【００２３】さらに、この半導電性膜５上には、二酸化
シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる拡散抑制層としての絶縁
性膜６が一様に形成されている。この絶縁性膜６は、例
えば、前記の半導電性膜５を所要の厚さより厚く形成
し、その表面を加熱して酸化することにより容易に形成
することができる。また、この絶縁性膜６は絶縁性であ
るから、電極３への駆動電圧の上昇を防止する観点から
バッファ層４の層厚よりも小さい層厚とすることが望ま
しい。電極３はこの絶縁性膜６上に、蒸着あるいはメッ
キ等により形成される。
シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる拡散抑制層としての絶縁
性膜６が一様に形成されている。この絶縁性膜６は、例
えば、前記の半導電性膜５を所要の厚さより厚く形成
し、その表面を加熱して酸化することにより容易に形成
することができる。また、この絶縁性膜６は絶縁性であ
るから、電極３への駆動電圧の上昇を防止する観点から
バッファ層４の層厚よりも小さい層厚とすることが望ま
しい。電極３はこの絶縁性膜６上に、蒸着あるいはメッ
キ等により形成される。
【００２４】この光変調器の動作原理を簡単に説明して
おくと、光導波路の一端からの入射光は分岐されて、一
対の光導波路２に至り、ここで電極３に駆動電圧が印加
されることにより、電気光学効果により分岐された両光
に位相差が生じ、これら両光を再び結合させて光信号出
力として取り出す。両光の位相差を例えば零又はπにな
るように駆動電圧を印加すれば、例えば、ＯＮ−ＯＦＦ
のパスル信号を得ることができる。
おくと、光導波路の一端からの入射光は分岐されて、一
対の光導波路２に至り、ここで電極３に駆動電圧が印加
されることにより、電気光学効果により分岐された両光
に位相差が生じ、これら両光を再び結合させて光信号出
力として取り出す。両光の位相差を例えば零又はπにな
るように駆動電圧を印加すれば、例えば、ＯＮ−ＯＦＦ
のパスル信号を得ることができる。
【００２５】本実施例によると、半導電性膜５と一対の
電極３との間には、絶縁性膜６が介在しており、電極３
は半導電性膜５に直接的に接合されていないから、電極
３と半導電性膜５との固相合金反応が抑制される。従っ
て、一対の電極３が経時的に短絡されるということが少
なくなり、高信頼性で長寿命な光変調器が得られる。 （２）第２実施例 図３は本発明第２の構成に対応する第２実施例を示す図
であり、マッハツェンダ型光変調器の要部の断面図であ
る。前記第１実施例と同一の構成部分には同一の番号を
付し、異なる部分のみについて説明する。
電極３との間には、絶縁性膜６が介在しており、電極３
は半導電性膜５に直接的に接合されていないから、電極
３と半導電性膜５との固相合金反応が抑制される。従っ
て、一対の電極３が経時的に短絡されるということが少
なくなり、高信頼性で長寿命な光変調器が得られる。 （２）第２実施例 図３は本発明第２の構成に対応する第２実施例を示す図
であり、マッハツェンダ型光変調器の要部の断面図であ
る。前記第１実施例と同一の構成部分には同一の番号を
付し、異なる部分のみについて説明する。
【００２６】即ち、第１実施例では、半導電性膜５と一
対の電極３の間に拡散抑制層として絶縁性膜６を介在さ
せているが、この実施例では、半導電性膜５と一対の電
極３の間に拡散抑制層として金属膜７を介在させてい
る。この金属膜７は、一対の電極３に対応する部分のみ
に互いに電気的に離間して設けられている。
対の電極３の間に拡散抑制層として絶縁性膜６を介在さ
せているが、この実施例では、半導電性膜５と一対の電
極３の間に拡散抑制層として金属膜７を介在させてい
る。この金属膜７は、一対の電極３に対応する部分のみ
に互いに電気的に離間して設けられている。
【００２７】この金属膜７は、電極３（Ａｕ）の半導電
性膜５（Ｓｉ）に対する固相合金反応についての拡散定
数よりも、半導電性膜５に対する固相合金反応について
の拡散定数が小さい、例えば、クロム（Ｃｒ）から構成
される。また、金属膜７の形成材料としては、クロムの
他に、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、銀（Ａｇ）、インジウム
（Ｉｎ）、及び白金（Ｐｔ）のうちの一の材料、あるい
はその合金を採用することができる。
性膜５（Ｓｉ）に対する固相合金反応についての拡散定
数よりも、半導電性膜５に対する固相合金反応について
の拡散定数が小さい、例えば、クロム（Ｃｒ）から構成
される。また、金属膜７の形成材料としては、クロムの
他に、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、銀（Ａｇ）、インジウム
（Ｉｎ）、及び白金（Ｐｔ）のうちの一の材料、あるい
はその合金を採用することができる。
【００２８】本実施例によると、半導電性膜５と一対の
電極３との間には、金属膜７が介在しており、金属膜７
と半導電性膜５との固相合金反応についての拡散定数
は、電極３と半導電性膜５の拡散定数よりも小さいか
ら、従来の構造と比較して半導電性膜５の固相合金反応
の進行は少ない。従って、一対の電極３が経時的に短絡
されるということが少なくなり、高信頼で長寿命な光変
調器が得られる。 （３）第３実施例 図４乃至図６は本発明第３の構成に対応する第３実施例
を示す図であり、図４はマッハツェンダ型光変調器の要
部の断面図、図５は同じく平面図、図６は同じく製造工
程図である。前記第１又は第２実施例と同一の構成部分
については同一の番号を付して説明する。
電極３との間には、金属膜７が介在しており、金属膜７
と半導電性膜５との固相合金反応についての拡散定数
は、電極３と半導電性膜５の拡散定数よりも小さいか
ら、従来の構造と比較して半導電性膜５の固相合金反応
の進行は少ない。従って、一対の電極３が経時的に短絡
されるということが少なくなり、高信頼で長寿命な光変
調器が得られる。 （３）第３実施例 図４乃至図６は本発明第３の構成に対応する第３実施例
を示す図であり、図４はマッハツェンダ型光変調器の要
部の断面図、図５は同じく平面図、図６は同じく製造工
程図である。前記第１又は第２実施例と同一の構成部分
については同一の番号を付して説明する。
【００２９】まず、図４及び図５を参照する。同図にお
いて、１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶板か
らなる基板であり、基板１の表面にはその両端部近傍で
結合された一対の光導波路２が形成されている。
いて、１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶板か
らなる基板であり、基板１の表面にはその両端部近傍で
結合された一対の光導波路２が形成されている。
【００３０】３は一対の光導波路２に対応してそれぞれ
設けられた金（Ａｕ）からなる電極であり、その一方が
進行波制御電極であり、他方は接地電極である。基板１
の光導波路２が形成された表面には、主として二酸化シ
リコン（ＳｉＯ 2 ）からなるバッファ層として機能する
第１の層８が一様に形成されている。この第１の層８は
光導波路２上に配置される電極３による光の吸収を小さ
くするためのものである。
設けられた金（Ａｕ）からなる電極であり、その一方が
進行波制御電極であり、他方は接地電極である。基板１
の光導波路２が形成された表面には、主として二酸化シ
リコン（ＳｉＯ 2 ）からなるバッファ層として機能する
第１の層８が一様に形成されている。この第１の層８は
光導波路２上に配置される電極３による光の吸収を小さ
くするためのものである。
【００３１】そして、この第１の層８は、一対の電極３
に挟まれた部分に対応する部分に、一対の電極３の相対
部分の両端方向に渡ってシリコン（Ｓｉ）からなる一対
の半導電部（第１の半導電部）８Ａを有しており（図５
参照）、その余の部分に二酸化シリコンからなる絶縁部
８Ｂを有している。
に挟まれた部分に対応する部分に、一対の電極３の相対
部分の両端方向に渡ってシリコン（Ｓｉ）からなる一対
の半導電部（第１の半導電部）８Ａを有しており（図５
参照）、その余の部分に二酸化シリコンからなる絶縁部
８Ｂを有している。
【００３２】この第１の層８上には、主としてシリコン
（Ｓｉ）からなる高抵抗の半導電性膜からなる第２の層
９が一様に形成されている。そして、この第２の層９の
一部には、第１の層８の半導電部８Ａにそれぞれ対応し
て、二酸化シリコン（ＳｉＯ 2 ）からなる一対の絶縁部
９Ａが設けられている。この絶縁部９Ａ以外の部分はシ
リコン（Ｓｉ）からなる半導電部９Ｂである。
（Ｓｉ）からなる高抵抗の半導電性膜からなる第２の層
９が一様に形成されている。そして、この第２の層９の
一部には、第１の層８の半導電部８Ａにそれぞれ対応し
て、二酸化シリコン（ＳｉＯ 2 ）からなる一対の絶縁部
９Ａが設けられている。この絶縁部９Ａ以外の部分はシ
リコン（Ｓｉ）からなる半導電部９Ｂである。
【００３３】絶縁部９Ａは半導電部８Ａよりも僅かに小
さく形成されており、第１の層８の半導電部８Ａの周囲
近傍は、第２の層９の半導電部９Ｂに接合されている。
即ち、第２の層９の絶縁部９Ａが第１の層８の半導電部
８Ａにより補完されており、半導電部９Ｂ及び半導電部
８Ａにより、前記第１又は第２実施例における半導電性
膜５に相当する機能が営まれる。
さく形成されており、第１の層８の半導電部８Ａの周囲
近傍は、第２の層９の半導電部９Ｂに接合されている。
即ち、第２の層９の絶縁部９Ａが第１の層８の半導電部
８Ａにより補完されており、半導電部９Ｂ及び半導電部
８Ａにより、前記第１又は第２実施例における半導電性
膜５に相当する機能が営まれる。
【００３４】基板１を構成するニオブ酸リチウム結晶は
焦電効果が大きく、基板１の温度変化により基板１表面
に電荷を生じるが、この電荷が電極３の下に集中するこ
とにより、光導波路２の屈折率に影響し、光変調器の場
合には動作点が変化（温度ドリフト）して動作が不安定
になる。この第２の層９の半導電部９Ｂ及び第１の層８
の半導電部８Ａにより、このような温度変化による動作
点の変化が防止される。電極３は第２の層９の半導電部
９Ｂ上に配置される。
焦電効果が大きく、基板１の温度変化により基板１表面
に電荷を生じるが、この電荷が電極３の下に集中するこ
とにより、光導波路２の屈折率に影響し、光変調器の場
合には動作点が変化（温度ドリフト）して動作が不安定
になる。この第２の層９の半導電部９Ｂ及び第１の層８
の半導電部８Ａにより、このような温度変化による動作
点の変化が防止される。電極３は第２の層９の半導電部
９Ｂ上に配置される。
【００３５】ここで、図６を参照して、この光変調器の
製造工程の一例を簡単に説明する。まず、同図（ａ）に
示されるように、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結
晶板からなる基板１表面に、チタン（Ｔｉ）等の金属を
熱拡散させて、その部分の屈折率を高めることにより光
導波路２を形成し、これの表面に二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜１０を全体的に一様に形成する。次に、同図
（ｂ）に示されるように、後に形成される一対の電極３
の間の部分に相当する部分の一部をエッチング除去する
ことにより溝１１を形成し、同図（ｃ）に示されるよう
に、溝１１を含むその表面にシリコン（Ｓｉ）膜１２を
形成する。
製造工程の一例を簡単に説明する。まず、同図（ａ）に
示されるように、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結
晶板からなる基板１表面に、チタン（Ｔｉ）等の金属を
熱拡散させて、その部分の屈折率を高めることにより光
導波路２を形成し、これの表面に二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜１０を全体的に一様に形成する。次に、同図
（ｂ）に示されるように、後に形成される一対の電極３
の間の部分に相当する部分の一部をエッチング除去する
ことにより溝１１を形成し、同図（ｃ）に示されるよう
に、溝１１を含むその表面にシリコン（Ｓｉ）膜１２を
形成する。
【００３６】そして、同図（ｄ）に示されるように、シ
リコン膜１２の一部をエッチング除去することにより
（溝１１内のシリコン膜１３は残す）、溝１４を形成
し、さらに、同図（ｅ）に示されるように、溝１４内に
二酸化シリコン膜１５を充填するように形成し、同図
（ｆ）に示されるように、シリコン膜１２上に金を蒸着
あるいはメッキして電極３を形成する。
リコン膜１２の一部をエッチング除去することにより
（溝１１内のシリコン膜１３は残す）、溝１４を形成
し、さらに、同図（ｅ）に示されるように、溝１４内に
二酸化シリコン膜１５を充填するように形成し、同図
（ｆ）に示されるように、シリコン膜１２上に金を蒸着
あるいはメッキして電極３を形成する。
【００３７】本実施例によると、第２の層９の一対の電
極３で挟まれた部分に、一対の絶縁部９Ａが設けられ、
この一対の絶縁部９Ａに概略対応して第１の層８に半導
電部８Ａが設けられているので、一対の電極３間に存す
る半導電部９Ｂ及び８Ａは、図４からも明らかなように
段差状となっており、その経路が複雑化しており、半導
電部９Ｂ及び８Ａのシリサイド化が進行したとしても、
短絡に至るまでには、長時間を要するようになる。従っ
て、光変調器の高信頼化及び長寿命化を図ることができ
る。
極３で挟まれた部分に、一対の絶縁部９Ａが設けられ、
この一対の絶縁部９Ａに概略対応して第１の層８に半導
電部８Ａが設けられているので、一対の電極３間に存す
る半導電部９Ｂ及び８Ａは、図４からも明らかなように
段差状となっており、その経路が複雑化しており、半導
電部９Ｂ及び８Ａのシリサイド化が進行したとしても、
短絡に至るまでには、長時間を要するようになる。従っ
て、光変調器の高信頼化及び長寿命化を図ることができ
る。
【００３８】なお、第２の層９に絶縁部９Ａを設けたこ
とにより、電極３の下への不均一な電荷分布の発生によ
る特性変化（温度ドリフト）を抑制するという本来的な
機能が阻害されることが危惧されるが、第２の層９の絶
縁部９Ａは第１の層８の半導電部８Ａにより補われてい
るので、このような心配はない。
とにより、電極３の下への不均一な電荷分布の発生によ
る特性変化（温度ドリフト）を抑制するという本来的な
機能が阻害されることが危惧されるが、第２の層９の絶
縁部９Ａは第１の層８の半導電部８Ａにより補われてい
るので、このような心配はない。
【００３９】また、この実施例においては、第１の層８
の半導電部８Ａ及び第２の層９の絶縁部９Ａは、それぞ
れ２本設けて構成しているが、本発明はこれに限定され
ることはなく、第１の層８の半導電部８Ａ及び第２の層
９の絶縁部９Ａは、それぞれ１本でもよく、さらに、そ
れぞれ３本以上設けて構成してもよい。
の半導電部８Ａ及び第２の層９の絶縁部９Ａは、それぞ
れ２本設けて構成しているが、本発明はこれに限定され
ることはなく、第１の層８の半導電部８Ａ及び第２の層
９の絶縁部９Ａは、それぞれ１本でもよく、さらに、そ
れぞれ３本以上設けて構成してもよい。
【００４０】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したの
で、固相合金反応による電極間の短絡の発生が抑制さ
れ、誘電体光導波路デバイスの高信頼化、長寿命化を図
ることができるという効果を奏する。
で、固相合金反応による電極間の短絡の発生が抑制さ
れ、誘電体光導波路デバイスの高信頼化、長寿命化を図
ることができるという効果を奏する。
【図１】本発明第１実施例の断面図である。
【図２】本発明第１実施例の平面図である。
【図３】本発明第２実施例の断面図である。
【図４】本発明第３実施例の断面図である。
【図５】本発明第３実施例の平面図である。
【図６】本発明第３実施例の製造工程図である。
１ 基板 ２ 光導波路 ３ 電極 ４ バッファ層 ５ 半導電性膜 ６ 絶縁性膜（拡散抑制層） ７ 金属膜（拡散抑制層） ８ 第１の層 ８Ａ 半導電部（第１の半導電部） ８Ｂ 絶縁部（第１の絶縁部） ９ 第２の層 ９Ａ 絶縁部（第２の絶縁部） ９Ｂ 半導電部（第２の半導電部）
Claims (14)
- 【請求項１】 光導波路(2) が形成された誘電体からな
る基板(1) と、 該基板(1) 上に設けられた絶縁性のバッファ層(4) と、 該バッファ層(4) 上に設けられた半導電性膜(5) と、 該基板(1) の該光導波路(2) に対応して互いに離間して
配置された金属からなる一対の電極(3) と、 該半導電性膜(5) と該電極(3) との間に介在するように
設けられた絶縁性の拡散抑制層(6) とを備えた誘電体光
導波路デバイス。 - 【請求項２】 前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）である請求項１に記載の誘電体光導波路デバイ
ス。 - 【請求項３】 前記半導電性膜はケイ素（Ｓｉ）であ
り、前記電極は金（Ａｕ）である請求項１に記載の誘電
体光導波路デバイス。 - 【請求項４】 前記拡散抑制層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2 ）である請求項３に記載の誘電体光導波路デバイス。 - 【請求項５】 前記バッファ層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2 ）である請求項４に記載の誘電体光導波路デバイス。 - 【請求項６】 前記拡散抑制層の層厚は前記バッファ層
の層厚よりも小さい請求項５に記載の誘電体光導波路デ
バイス。 - 【請求項７】 光導波路(2) が形成された誘電体からな
る基板(1) と、 該基板(1) 上に設けられた絶縁性のバッファ層(4) と、 該バッファ層(4) 上に設けられた半導電性膜(5) と、 該基板(1) の該光導波路(2) に対応して互いに離間して
配置された金属からなる一対の電極(3) と、 該半導電性膜(5) と該電極(3) との間に介在し、該電極
(3) と該半導電性膜(5) との固相合金反応についての拡
散定数よりも、該半導電性膜(5) との固相合金反応につ
いての拡散定数が小さい金属からなり、該電極(3) に対
応する部分のみに互いに離間して設けられている拡散抑
制層(7) とを備えた誘電体光導波路デバイス。 - 【請求項８】 前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）である請求項７に記載の誘電体光導波路デバイ
ス。 - 【請求項９】 前記半導電性膜はケイ素（Ｓｉ）であ
り、前記電極は金（Ａｕ）である請求項７に記載の誘電
体光導波路デバイス。 - 【請求項１０】 前記拡散抑制層はアルミニウム（Ａ
ｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも一の材料か
らなる請求項９に記載の誘電体光導波路デバイス。 - 【請求項１１】 光導波路(2) が形成された誘電体から
なる基板(1) と、 該基板(1) の該光導波路(2) に対応して互いに離間して
配置された金属からなる一対の電極(3) と、 該基板(1) と該電極(3) との間に設けられ、該一対の電
極(3) で挟まれた部分に対応する部分の一部に、該電極
(3) の相対部分の両端方向に渡って半導電性の第１の半
導電部(8A)を有し、該第１の半導電部(8A)の周囲に絶縁
性の第１の絶縁部(8B)を有する第１の層(8) と、 該第１の層(8) と該電極(3) との間に介在し、該第１の
半導電部(8A)に概略対応する部分に絶縁性の第２の絶縁
部(9A)を有し、該第２の絶縁部(9A)の周囲に該第１の半
導電部(8A)の周囲近傍に接合された半導電性の第２の半
導電部(9B)を有する第２の層(9) とを備えた誘電体光導
波路デバイス。 - 【請求項１２】 前記基板はニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ3 ）である請求項１１に記載の誘電体光導波路デバ
イス。 - 【請求項１３】 前記第１の層の前記第１の半導電部及
び前記第２の層の前記第２の半導電部はケイ素（Ｓｉ）
であり、前記電極は金（Ａｕ）である請求項１１に記載
の誘電体光導波路デバイス。 - 【請求項１４】 前記第１の層の前記第１の半導電部及
び前記第２の層の前記第２の絶縁部は、それぞれ互いに
離間して複数存在する請求項１１に記載の誘電体光導波
路デバイス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23149693A JP3628342B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 誘電体光導波路デバイス |
| US08/190,478 US5473711A (en) | 1993-09-17 | 1994-02-02 | Dielectric optical waveguide device |
| EP94101645A EP0644449B1 (en) | 1993-09-17 | 1994-02-03 | Dielectric optical waveguide device |
| CN94102498A CN1037996C (zh) | 1993-09-17 | 1994-02-28 | 介质光波导器件 |
| US08/459,459 US5598490A (en) | 1993-09-17 | 1995-06-02 | Dielectric optical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23149693A JP3628342B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 誘電体光導波路デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784228A true JPH0784228A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3628342B2 JP3628342B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=16924406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23149693A Expired - Lifetime JP3628342B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 誘電体光導波路デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5473711A (ja) |
| EP (1) | EP0644449B1 (ja) |
| JP (1) | JP3628342B2 (ja) |
| CN (1) | CN1037996C (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH103064A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導波路型光デバイス |
| JP2017161595A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光素子 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2894961B2 (ja) * | 1994-11-18 | 1999-05-24 | 日本電気株式会社 | 光制御デバイス |
| JP3544020B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2004-07-21 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイスの製造方法 |
| JP2850950B2 (ja) * | 1996-01-19 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 導波型光デバイス |
| EP0813092B1 (en) * | 1996-06-14 | 2007-03-07 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide modulator with travelling-wave type electrodes |
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