JPH0780381B2 - メモリカ−トリツジ - Google Patents

メモリカ−トリツジ

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JPH0780381B2
JPH0780381B2 JP62131477A JP13147787A JPH0780381B2 JP H0780381 B2 JPH0780381 B2 JP H0780381B2 JP 62131477 A JP62131477 A JP 62131477A JP 13147787 A JP13147787 A JP 13147787A JP H0780381 B2 JPH0780381 B2 JP H0780381B2
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JP
Japan
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wiring board
semiconductor memory
memory cartridge
leads
cartridge
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正信 草野
也寸志 堤
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Hitachi Maxell Energy Ltd
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Hitachi Maxell Energy Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、1乃至複数個の半導体メモリ素子を収納体内
に収納して成るメモリカートリツジに係り、特に、配線
基板上に実装される半導体メモリ素子の配置に関する。
〔従来の技術〕
従来より、例えば、ワードプロセツサ、ハンドヘルドコ
ンピユータ、情報収集装置、あるいは各種計測装置等の
データフアイル用電子機器として、メモリカートリツジ
が知られている。メモリカートリツジの外観形状は、そ
の利用形態に応じて多様のものが商品化されているが、
半導体製造技術の進展に伴つて、近年ますます小型化、
薄型化される傾向にあり、IDカードなどと同サイズのも
のも出現している。
第2図は従来提案されているメモリカートリツジの一例
を示す一部断面した斜視図であつて、収納体21内に、可
撓性の配線基板22と、配線基板22上に実装された1乃至
複数個の半導体メモリ素子23と、前記配線基板22の一方
の短辺に沿つて接続されたコネクタ24とが収納されてい
る。尚、この図において、収納体21は、内部の構成を明
確にするため2点鎖線にて表してある。
前記収納体21及び配線基板22は、平面から見た形状が横
長の長方形に形成されている。
また、前記半導体メモリ素子23は、平面から見た形状が
横長の矩形に形成されており、相対向する2つの短辺よ
りリード25,25aが相背向に延出されている。従来、この
種のメモリカートリツジにおいては、長方形の配線基板
22上に効率よく複数個の半導体メモリ素子23を実装する
ため、半導体メモリ素子23の長手方向、即ちリード25,2
5aの延出方向を配線基板22の長手方向に向けて取り付け
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、メモリカートリツジは、通常ユーザが携帯す
るものであるから、携帯中に誤つて折り曲げられるよう
な力を受け易い。
この場合、収納体21及び配線基板22が長方形に形成され
ているため、長手方向の剛性が低く、第3図に示すよう
に、長手方向に曲折され易い。一方、収納体21及び配線
基板22の短辺方向は寸法が小さいことから剛性が高く、
曲折変形されにくい構造になつている。
前記した従来のメモリカートリツジは、リード25,25aを
剛性の低い収納体21及び配線基板22の長手方向に向け半
導体メモリ素子23を配線基板22上に取り付けているた
め、メモリカートリツジに不正な外力が作用し、収納体
21と共に可撓性の配線基板22が長手方向に曲折された場
合、第4図に示すように、前記リード25,25aに引張力が
直接作用し、リード25,25aが切断されたり、配線基板22
との接続部が剥離し易いという問題がある。特に、半導
体メモリ素子23が所謂TAB(Taped Automated Bonding)
チツプである場合には、リード25,25aの引張強度が低い
ために、切断等の不具合を生じる虞れが高い。さらに、
半導体メモリ素子23がこのTABチツプである場合には、
チツプ自体が配線基板22とともに湾曲し易いため、チツ
プが破損するといつた不具合も生じ易い。
本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を解決し、
半導体メモリ素子と配線基板とをつなぐリードの切断や
剥離、それにチツプの破損といつた不具合を生じにく
く、耐久性及び信頼生に優れたメモリカートリツジを提
供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、前記の目的を達成するため、半導体メモリ素
子から延出されたリードを収納体及び配線基板の短辺方
向と平行に向けて、半導体メモリ素子を配線基板上に実
装したことを特徴とするものである。
〔作用〕
叙上のように、半導体メモリ素子から延出されたリード
を収納体及び配線基板の短辺方向と平行に向けて配設す
ると、使用中に何らかの原因によつてメモリカートリツ
ジに不正な外力が作用しても配線基板がその短辺方向に
は湾曲され難いことからリードに引張力が作用したりチ
ツプに曲げ力が作用することがなく、リードの切断や剥
離、それにチツプの破損が防止される。よつて、耐久性
及び信頼生に優れたメモリカートリツジを提供すること
ができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るメモリカートリツジの一部断面し
た平面図であつて、1はメモリカートリツジの全体、2
はフレーム、3は配線基板、4は半導体メモリ素子、5
はコネクタ、6は銘板を示している。
フレーム2は、絶縁性に優れた硬質の合成樹脂材料をも
つて横長の枠形に形成されており、その上下両面に被着
された銘板6(下面側の銘板については図示を省略す
る。)とによつて、配線基板3、半導体メモリ素子4、
コネクタ5を収納する収納体を構成している。
配線基板3は、可撓性に優れた合成樹脂材料をもつて横
長に形成されており、その表裏両面に、例えば半導体メ
モリ素子4の接続端子及びコネクタ端子の接続端子を含
む所望の回路パターンが印刷形成されている。
前記コネクタ5は、絶縁性の合成樹脂をもつて、外部利
用機器に備えられたコネクタピンを挿通するための挿通
孔7が開設されたブロツク状に形成されており、各挿通
孔7内に設定されたコネクタ端子7aの末端部を前記配線
基板3に印刷形成されたリード部に接続することによつ
て、配線基板3と一体化される。このコネクタ5は、前
記配線基板3の一短辺に沿つて設定され、配線基板3と
電気的な接続が行われたのち、前記フレーム2の一側端
に沿つて凹設されたコネクタ設定部8内に嵌合固定され
る。
半導体メモリ素子4は、例えばTABチツプ等従来よりこ
の種のメモリカートリツジに実装されているものと同様
のものであつて、平面から見た形状が矩形に形成され、
相対向する2つの短辺よりリード9,9aが相背向に延出さ
れている。この半導体メモリ素子4は、リード9,9aの延
出方向を配線基板3の短辺方向と平行に向けて配線基板
3上に取り付けられる。尚、この半導体メモリ素子4と
しては、ROM(リードオンリメモリ)を用いることもで
きるし、また、RAM(ランダムアクセスメモリ)を用い
ることもできる。
銘板6は、合成樹脂板あるいは金属板にて形成されてお
り、その外面に、例えば商品名、製造者、メモリカート
リツジの仕様、その他所定の記載事項が印刷されてい
る。
前記フレーム2、配線基板3、銘板6は、例えば接着あ
るいはねじ止め等、公知に属する任意の結合手段によつ
て結合される。
尚、前記半導体メモリ素子4としてRAMを用いる場合に
はバツクアツプ用の電源を必要とするが、この場合、銘
板6の一部に電源交換用の蓋板を設けることもできる。
前記実施例のメモリカートリツジは、半導体メモリ素子
4のリード9,9aを配線基板3の短辺方向に向けて配設し
たので、配線基板3がその短辺方向には湾曲され難いこ
とからリード9,9aに作用する引張力やチツプに作用する
曲げ力が緩和され、リード9,9aの切断や剥離、それにチ
ツプの破損といつた不具合が防止される。特に、リード
9,9aの引張強度が低く、かつチツプが配線基板3ととも
に湾曲し易いTABチツプの不具合防止に有効である。
尚、本発明は半導体メモリ素子のい配置に関するもので
あつて、フレーム、配線基板、コネクタ、及び銘板の形
状、構造、それに材質等が前記各実施例において説明し
たものに限定されるものではなく、これらについては必
要に応じて適宜設計し得ることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明のメモリカートリツジは、
半導体メモリ素子から延出されたリードを収納体及び配
線基板の短辺方向と平行にして配設したので、使用中に
何らかの原因によつてメモリカートリツジに不正な外力
が作用しても配線基板がその短辺方向に湾曲され難いこ
とからリードに作用する引張力が緩和され、リードの切
断や剥離が防止される。よつて、耐久性及び信頼性に優
れたメモリカートリツジを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るメモリカートリツジの一例を示す
一部断面した平面図、第2図は従来のメモリカートリツ
ジの斜視図、第3図は従来のメモリカートリツジの変形
状態を示す斜視図、第4図は従来技術の問題点を説明す
る断面図である。 1:メモリカートリツジ、2:フレーム、3:プリント配線基
板、4:半導体メモリ素子、5:コネクタ、6:銘板、7:コネ
クタピン挿通孔、8:コネクタ設定部、9,9a:リード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 5/02 H01L 23/52 27/10 495 7210−4M G06K 19/00 L

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体メモリ素子及びその他の回路素子が
    実装された長方形の配線基板を内装して成るメモリカー
    トリツジにおいて、相対向する二辺から延出されたリー
    ドを前記配線基板の短辺方向と平行に向けて、前記半導
    体メモリ素子を前記配線基板上に実装したことを特徴と
    するメモリカートリツジ。
JP62131477A 1987-05-29 1987-05-29 メモリカ−トリツジ Expired - Fee Related JPH0780381B2 (ja)

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JP62131477A JPH0780381B2 (ja) 1987-05-29 1987-05-29 メモリカ−トリツジ

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JPS63296990A JPS63296990A (ja) 1988-12-05
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JPH03297700A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Ryoden Kasei Co Ltd Icカード用パッケージ

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