JPH0778750A

JPH0778750A - 処理装置

Info

Publication number: JPH0778750A
Application number: JP24590693A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Shirakawa; 英一白川; Hiroichi Inada; 博一稲田; Tomoko Hamada; 知子濱田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1993-09-06
Filing date: 1993-09-06
Publication date: 1995-03-20
Anticipated expiration: 2014-05-10
Also published as: JP2890089B2

Abstract

(57)【要約】【目的】処理液と接触する箇所の汚れを防止して処理
の清浄度を高め、歩留り向上を図る。【構成】ウエハＷ（被処理体）の表面に処理液供給ノ
ズル２５の先端部を微小の間隙をおいて臨ませ、そのノ
ズル先端からウエハＷの表面に処理液Ｌを滴下供給する
装置において、処理液供給ノズル２５の先端部表面に超
撥水性層２８を形成したことを特徴とする。処理液供給
後、処理液供給ノズル２５をウエハＷへから退避させれ
ば、ノズル２５の先端部表面の処理液Ｌが超撥水性層２
８の超撥水作用によって直ちに離脱するので、ノズル２
５の先端部表面に処理液Ｌが残留せず、汚れが防止でき
る。超撥水性層２８にテトラフルオロエチレン（tetora
fluoru-ethylene ）含有複合メッキを用いることによ
り、極めて高い撥水性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の技術分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給して処理
する処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の処理装置として、図１３及
び図１４に示すように、例えば半導体ウエハＷ等の被処
理体を回転可能なスピンチャック２０上に保持し、スピ
ンチャック２０の上部に半導体ウエハＷと対向するよう
に処理液供給ノズル５０を配設し、処理液供給ノズル５
０に多数設けられたノズル孔５１から半導体ウエハＷの
表面に処理液例えば現像液Ｌを供給すると共に、スピン
チャック２０を回転させて半導体ウエハＷの表面に現像
液Ｌの薄い液層（パドル）を形成するパドル方式の現像
装置が知られている。この装置の処理液供給ノズル５１
は、半導体ウエハＷの表面に現像液Ｌを滴下する多数の
ノズル孔５１を直線状に配設したもので、図１３
（ａ），（ｂ）に示すように、処理液供給ノズル５１に
よって現像液Ｌを滲み出させつつスピンチャック２０に
より半導体ウエハＷを低速例えば３０ｒｐｍで約１／２
回転させ、半導体ウエハＷ上に供給した現像液Ｌを押し
広げることによって半導体ウエハＷ表面に均一に現像液
Ｌを被着（液盛り）することができる。

【０００３】また、この種の別の処理装置として、図１
５に示すディップ方式の現像装置が知られている。同図
において、アッパーカップ３４及びローアーカップ３５
は、共に現像液の飛散防止のためのカップである。イン
ナーカップ３６は、その上面が現像液Ｌの液槽（ディッ
プ槽）を形成するように凹部３６ａとなっていて、その
中心部はスピンチャック２０の昇降経路を確保するため
に切り欠かれている。このインナーカップ３６には上記
凹部３６ａに連通する残液ドレイン管３８と、ウエハシ
ール用バキューム管３９とが設けられている。また、ウ
エハシール用バキューム管３９の一端側であって、イン
ナーカップ３６の凹部３６ａに臨む位置には、この凹部
３６ａの底部より突出して環状のウエハシール用パッキ
ン３７が設けられている。そして、この現像装置では、
ウエハシール用バキューム管３９の作用によりウエハＷ
の裏面をウエハシール用パッキン３７上に真空吸着し、
この吸着によって現像液Ｌをシールし、ウエハＷをディ
ップ現像するようになっている。この種のディップ方式
の現像装置によれば、ウエハＷを現像液Ｌ中に完全に浸
漬して現像を行うので、十分な量の現像液ＬをウエハＷ
表面へ均一に供給でき、現像むらのない良好な現像が実
現できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の現像装置は、処理液との接触に起因する共通の
問題点を有していた。

【０００５】パドル方式の現像装置においては、図１３
に示すように、処理液供給ノズル５０の先端部５０ａを
ウエハＷに対して微小の間隙をおいて臨ませ、ノズル孔
５１からウエハＷ上に現像液Ｌを滲み出させつつ、その
先端部５０ａによってこれを押し広げるため、現像液Ｌ
の吐出休止時間が長くなるとノズル先端部５０ａの表面
の現像液Ｌが乾いてここに汚れが付着することになる。
このようにしてノズル先端部５０ａに付着した汚れ物質
は、その後の現像処理の際に現像液中に混入することに
なり、処理の清浄度を損い、歩留まり低下の要因とな
る。この問題に対処するため、現状では処理液処理液供
給ノズル５０の待機位置などにソルベントバスなどの洗
浄手段を設けて、ノズル先端部５０ａを定期的に洗浄し
ているが、そのための複雑な機構を要し、コスト高とな
っている。

【０００６】また、ディップ方式の現像装置において
は、ウエハＷを現像液Ｌ中に完全に浸漬する構造上、デ
ィップ槽を形成するためのウエハシール用パッキン３７
やインナーカップ３６の凹部３６ａ内面などに汚れが付
着しやすく、この汚れが処理中の現像液Ｌ中に混入して
処理の清浄度を損ない、歩留まり低下を招くという問題
がある。この問題に対処するためには、現像液Ｌと接触
する箇所を非常に細めに洗浄する必要があり、その頻度
が多いことから、ディップ現像方式自体の現実性さえ疑
問視されつつある。

【０００７】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液と接触する箇所の汚れを防止し、処理の清浄
度を著しく向上できる処理装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の第１の処理装置は、被処理体の表面に処理
液供給ノズルの先端部を臨ませ、そのノズル先端から被
処理体の表面に処理液を供給する処理装置を前提とし、
上記処理液供給ノズルの先端部表面に超撥水性層を形成
したことを特徴とする。

【０００９】また、この発明の第２の処理装置は、被処
理体を処理液中に浸漬して被処理体の表面に処理液を供
給する処理装置において、被処理体を処理液中に浸漬す
るための液槽の表面に超撥水性層を形成したことを特徴
とする。

【００１０】上記第１及び第２の処理装置において、上
記超撥水性層にテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ：teto
rafluoru-ethylene ）含有複合メッキを用いることが望
ましい。

【００１１】

【作用】上記第１の処理装置では、処理液供給ノズルの
先端部の表面に超撥水性層を形成したことにより、被処
理体への処理液供給後、処理液供給ノズルを被処理体か
ら離せば、ノズルの先端部表面の処理液が超撥水性層の
超撥水作用によって直ちに離脱するようになる。したが
って、ノズルの先端部表面に処理液が残留することがな
く、その後の処理の清浄度を高く維持できる。

【００１２】また、第２の処理装置では、被処理体を処
理液中に浸漬するための液槽の表面に超撥水性層を形成
したことにより、被処理体への処理液供給後、液槽内の
処理液を排液すれば、凹部内壁やシール部表面の処理液
が超撥水性層の超撥水作用によって直ちに離脱するよう
になる。したがって、上記凹部の内壁面やシール部の表
面に処理液が残留することがなく、その後の処理の清浄
度を高く維持できる。

【００１３】上記超撥水性層にＴＦＥ含有複合メッキを
用いることにより、極めて高い撥水性が得られる。ＴＦ
Ｅは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：poly-t
etorafluoru-ethylene）の分子鎖を切断して得られるオ
リゴマーで、分子量はＰＴＦＥの１／２０〜１／５０程
度である。このオリゴマーをフッ素系界面活性剤を用い
てスルファミン酸液中に分散し金属表面にメッキするこ
とによりＴＦＥ含有複合メッキ層が得られる。ＴＦＥ含
有複合メッキには、ＴＦＥ含有亜鉛複合メッキやＴＦＥ
含有銅複合メッキ等がある。ＴＦＥ含有複合メッキの撥
水性を、撥水性の指標である接触角でテフロン（商品
名）と比較すると、テフロン層表面の１１０°に対し
て、超撥水性層表面は１７３°と著しく大きい。なお、
このＴＦＥ含有複合メッキは、アルミやステンレス鋼な
どの金属表面以外に、樹脂表面にもメッキ処理できるこ
とが確かめられている。

【００１４】

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。

【００１５】図１に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハ（以下、単にウエ
ハという）Ｗに種々の処理を施す処理機構が配置された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機構１とで概
ね構成されている。

【００１６】搬入・搬出機構１は、処理前のウエハＷを
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ（水平），Ｚ（垂直）及
びθ（回転）方向に移動させる移動機構５と、ウエハＷ
がアライメントされかつ処理機構ユニット１０との間で
ウエハＷの受け渡しがなされるアライメントステージ６
とを備えている。

【００１７】処理機構ユニット１０には、アライメント
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウ
エハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理された
ウエハＷを冷却する冷却機構１６とが配置されている。
また、搬送路１１の他方の側にはウエハＷの表面に処理
液例えば現像液を塗布する現像機構１７（処理装置）
と、ウエハＷのにレジスト膜をを塗布形成する塗布機構
１８とが配置されている。

【００１８】以上のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置される。次いで、
アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送機構１２
のメインアーム１３に保持されて、各処理機構１４〜１
８へと搬送され、レジスト塗布及び現像処理される。そ
して、処理後のウエハＷはメインアーム１３によってア
ライメントステージ６に戻され、更にアーム４により搬
送されてウエハキャリア３に収納されることになる。

【００１９】◎第１実施例次に、この発明の第１実施例の処理装置について説明す
る。この実施例の処理装置１７はパドル式の現像装置で
あり、図１に示すように、ウエハＷを吸着保持すると共
に垂直移動及び水平回転可能に保持するスピンチャック
２０と、このスピンチャック２０の上方に移動されてウ
エハＷの表面に処理液である現像液を供給する処理液供
給ノズル２１と、スピンチャック２０の一方の側に配置
されて不使用時の処理液供給ノズル２１を保持する待機
手段２２と、スピンチャック２０の他方の側に配置され
て現像処理後、ウエハ表面をリンスするためのリンス液
供給ノズル２３と、処理液供給ノズル２１をスピンチャ
ック２０上及び待機手段２２上に選択移動するノズル移
動機構２４とで主要部が構成されている。

【００２０】処理液供給ノズル２１は、図２及び図３に
示すように、現像液Ｌを収容する矩形容器２５の下面に
台形状の突条部２６を突設し、その突条部２６に多数の
ノズル孔２７を等間隔に並べて形成してなり、この処理
液供給ノズル２１の先端部である矩形容器２５の下面及
び突条部２６の表面は、ノズル孔２７の吐出口２７ａを
除いて超撥水性層２８がコーティングされている。超撥
水性層２８にはＴＦＥ含有複合メッキが用いられ、処理
液供給ノズル２１の表面に直接メッキ処理されている。
矩形容器２５はウエハＷの直径とほぼ同じ長さに形成さ
れており、突条部２６は矩形容器２５の幅方向中央部に
全長に亘って形成されている。また、突条部２６の矩形
容器２５の下面からの超撥水性層２８の層厚分を含む突
出長は、例えば８mmとなっている。

【００２１】一方、矩形容器２５の上端開口部にはＯリ
ング３２を介して矩形容器２５を気密に閉塞する蓋体２
９が装着され、この蓋体２９には、処理液供給管３０が
接続されており、図示しない処理液供給源から不活性ガ
ス等により、現像液Ｌを所定圧で矩形容器２５内に圧送
供給できるようになっている。

【００２２】上記のように構成されるこの実施例の処理
装置において、ウエハＷの表面に現像液を被着するに
は、予め処理液供給ノズル２１の矩形容器２５内に現像
液Ｌを供給して矩形容器２５内を現像液で満たした状態
としておき、待機手段２２に待機させておく。そして、
メインアーム１３によって上昇したスピンチャック２０
上にウエハＷを載置し、スピンチャック２０を下降させ
る。次に、ノズル移動機構２４によって処理液供給ノズ
ル２１をウエハＷの中心位置付近まで平行移動させた
後、スピンチャック２０と処理液供給ノズル２１とを相
対的に上下移動させ、処理液供給ノズル２１のノズル孔
先端部とウエハＷとの間が微小間隔例えば０．５mm〜２
mmの範囲となるように調節する。そして、処理液供給管
３０から所定圧力で矩形容器２５内に現像液Ｌを供給す
ることにより、各ノズル孔２７から滲み出させるように
して現像液Ｌをウエハ表面に供給する。これに伴ってス
ピンチャック２０によりウエハＷを低速回転で約１／２
回転させると、ウエハＷの表面に供給された現像液Ｌは
図１３の場合と同様処理液供給ノズル２１の先端部で押
し広げられ、ウエハＷの表面に均一に被着される。

【００２３】その後、処理液供給ノズル２１は移動機構
２４によってウエハＷ表面から退避され、待機手段２２
の上方まで水平移動されたのち下降されて待機手段２２
上に保持される。この場合処理液供給ノズル２１の先端
部である矩形容器２５の下面及び突条部２６の表面には
超撥水性層２８がコーティングされているので、処理液
供給ノズル２１をウエハＷから退避させれば、それまで
処理液供給ノズル２１の先端部表面に接していた現像液
Ｌは超撥水性層２８の超撥水作用によって直ちに離脱す
る。したがって、処理液供給ノズル２１の先端部表面は
汚れることなく常に清浄に保たれる。また、処理液供給
ノズル２１の待機中に、矩形容器２５内の清浄な現像液
Ｌをノズル孔２７から吐出することにより、ノズル孔２
７の壁面に付着していた現像液Ｌが洗い流される。また
同時に、待機手段２２側の汚れも洗い流すことができ、
待機手段２２側から処理液供給ノズル２１へのパーティ
クルの再付着が防止される。

【００２４】したがって、処理液供給ノズル２１の先端
部はその表面並びにノズル孔２７内面が常に清浄に保た
れることになり、次の現像液被着工程において、汚れ物
質が現像液Ｌ中に混入するのを防ぎ、ウエハＷの表面に
常に清浄な現像液Ｌを被着することができる。これによ
り、歩留まりが著しく向上する。また、処理液供給ノズ
ル２１の現像液Ｌと接触する先端部表面に超撥水性層２
８をコーティングして、現像液Ｌが自然に撥水除去され
るようにしたので、従来のように別途ノズル先端洗浄手
段を設ける必要がなく、構造を簡単にすることができる
と共に装置の小形化が図れる。

【００２５】なお、処理液供給ノズル２１が待機手段２
２に保持されて待機している間、ウエハＷは現像液Ｌが
被着された状態で所定時間現像処理され、その後リンス
液供給ノズル２３からリンス液（例えば純水）が供給さ
れ、リンスが行われた後、リンス液の振り切りを行って
処理は終了する。

【００２６】上記実施例では、処理液供給ノズル２１の
表面に直接メッキ処理することにより超撥水性層２８が
形成されているとしたが、処理液供給ノズル２１の材質
上などの理由により、超撥水性層２８を直接コーティン
グすることが困難な場合には、例えば図４に示すよう
に、超撥水性層２８をコーティングした薄板３３を処理
液供給ノズル２１の現像液Ｌと接触する面に貼り付ける
ようにしてもよい。また、処理液供給ノズルの構造は上
記のものに限定されず、被処理体へ処理液を供給するノ
ズル全般において、その処理液と接触する面に超撥水性
層を形成すれば上記と同様の効果を発揮できる。

【００２７】◎第２実施例次に、この発明の第２実施例の処理装置について説明す
る。この実施例の処理装置はディップ方式の現像装置で
あり、その処理部の全体的構成は図１５に示す従来の装
置と同様である。ただし、インナーカップ３６の上面に
ウエハＷを浸漬すべく液槽が形成された凹部３６ａの内
面及びシール部であるウエハシール用パッキン３７の表
面に、図５に示すように超撥水性層２８が形成されてい
る点が従来装置と異なっている。そして、この実施例の
処理装置は、上記第１実施例の現像装置１７の代りにレ
ジスト塗布現像装置の処理機構ユニット１０に配置され
る。

【００２８】上記のように構成されるこの実施例の処理
装置において、ウエハＷの表面に現像液を被着するに
は、先ず、メインアーム１３によって上昇したスピンチ
ャック２０上にウエハＷを載置し、スピンチャック２０
を下降させて、ウエハＷをウエハシール用パッキン３７
上に載置する。次いでウエハシール用バキューム管３９
に接続された図示しない吸引装置を作動させて、ウエハ
Ｗをウエハシール用パッキン３７上に吸着保持する。こ
のウエハＷをウエハシール用パッキン３７上に吸着され
たウエハＷによって上記凹部３６ａが液密にシールさ
れ、ここに現像液Ｌを貯溜可能となる。その後、図示し
ない処理液供給管を通して凹部３６ａ内に現像液Ｌを導
入し、凹部３６ａ内を処理液Ｌで満たす。これによりウ
エハＷは処理液Ｌ中に浸漬され、その上面に均一に現像
液Ｌが供給される。この状態でウエハＷは所定時間ディ
ップ現像処理される。

【００２９】その後、残液ドレイン管３８を通して凹部
３６ａ内の現像液Ｌを排水する。この場合、ウエハＷを
現像液Ｌ中に浸漬するための凹部３６ａの内面及びシー
ル部であるウエハシール用パッキン３７の表面に超撥水
性層２８が形成されているので、現像液Ｌを排水すれ
ば、それまで凹部３６ａの内面及びウエハシール用パッ
キン３７の表面に接触していた現像液Ｌは超撥水性層２
８の超撥水作用によって直ちに離脱し排水される。

【００３０】したがって、処理液Ｌの液槽を成す凹部３
６ａの内面及びウエハシール用パッキン３７の表面は、
現像液Ｌの付着残留によって汚れることなく常に清浄に
保たれるようになり、次の現像工程における汚れ物質の
現像液Ｌ中への混入を防ぎ、処理の清浄度を高く維持で
きる。これにより、歩留まりを著しく向上できる。ま
た、現像液Ｌと接触する箇所に超撥水性層２８をコーテ
ィングして、現像液Ｌが自然に撥水除去されるようにし
たので、従来ディップ方式の現像装置の最大の欠点であ
った面倒な洗浄作業を一掃できる。また、洗浄のために
装置の稼働を停止する必要がなくなり、稼働効率を著し
く向上できる。

【００３１】この実施例の場合も、超撥水性層２８は上
記凹部３６ａの内面及びウエハシール用パッキン３７の
表面に直接メッキ処理することによって形成してもよ
く、それが困難な箇所には、図４と同様に超撥水性層２
８をコーティングした薄板３３を貼り付けてもよい。ま
た、ディップ方式の現像装置の構造は上記のものに限定
されず、被処理体を処理液中に浸漬して処理する装置全
般において、その処理液と接触する面に超撥水性層を形
成すれば上記と同様の効果を発揮できる。

【００３２】◎変形実施例次に、この発明の変形実施例の処理装置について説明す
る。この実施例の処理装置は、ウエハＷの表面の粒子汚
損物を除去するための洗浄装置で、図６，図７に示すよ
うに、ウエハＷを水平に保持して回転するスピンチャッ
ク４０と、このスピンチャック４０にて保持されるウエ
ハＷの上面に洗浄液をジェット流にして噴出するジェッ
トノズル４１と、洗浄液を用いてウエハＷの上面に付着
する粒子汚損物を洗浄除去するブラシ４２とで主要部が
構成されている。スピンチャック４０の周囲には、その
ウエハ保持部４０ａを取り囲むようにして処理カップ４
３が設けられている。この処理カップ４３は、洗浄液な
どの飛散防止のためのもので、これが図示しない昇降装
置により上下に移動することで、その上部開口部４３ａ
からスピンチャック４０のウエハ保持部４０ａが出没で
きるようになっている。

【００３３】この種の装置において、ウエハＷの回路パ
ターンが形成される側の面を洗浄する場合には、真空吸
着式のスピンチャックが使用され、回路パターンが形成
されない側の面を洗浄する場合には、ベルヌーイ効果に
よりウエハＷを吸着するスピンチャック（ベルヌーイチ
ャック）が使用される。図６に示すスピンチャック４０
は後者すなわちベルヌーイチャックであり、図８に示す
ように、その中空管構造の回転軸４４を通してチャック
上面中央部から外周部へ不活性ガス（例えばＮ２ガス）
等の作動ガスを流出させ、ベルヌーイ効果によりウエハ
Ｗの下面とチャック上面間を負圧にすることでウエハＷ
を吸引するものである。スピンチャック４０のウエハ保
持部４０ａの周縁部には、作動ガスの流路を確保すべく
ウエハＷをチャック上面との間に所定の隙間を持たせて
保持するための支持爪４５が周方向に適宜間隔をおいて
設けられている。

【００３４】この洗浄装置でウエハＷを洗浄処理する場
合、まず、処理カップ４３を下降させ、ウエハ搬送アー
ム１３等によってウエハＷをその回路パターン面を下向
きにしてスピンチャック４０の保持爪４５上に仮置きし
た後、図示しない作動ガス供給源から回転軸４４を通し
てチャック上面とウエハＷの下面との間にＮ２ガスを流
出させ、ベルヌーイ効果によりウエハＷを支持爪４５上
に吸引保持する。その後、スピンチャック４０を駆動し
てウエハＷを回転させ、ブラシ４２あるいはジェットノ
ズル４１とをウエハＷの上方に移動させ、回転している
ウエハＷの上面にジェットノズル４１から洗浄液（多く
の場合純水が用いられる）を散布し、あるいはブラシ４
２を回動走査してウエハＷの上面に付着している粒子汚
損物の除去を行う。

【００３５】したがって、この種の洗浄装置において
は、その主要な構成要素の全て、すなわちスピンチャッ
ク４０、ジェットノズル４１及びブラシ４２、更には処
理カップ４３に汚れが付着することになる。スピンチャ
ック４０は、ウエハＷから汚れを含む洗浄液が流下する
ため、周縁部の特に支持爪４５の表面が汚れやすい。ジ
ェットノズル４１は、ウエハＷへ向けて洗浄液を勢いよ
く散布するため、洗浄液がウエハＷの上面で跳ね反って
汚れを含むミストが発生し、ノズル表面に汚れが付着し
やすい。ブラシ４２は洗浄対象であるウエハＷの表面に
直接接触して粒子汚損物を除去するため、全体的に汚れ
やすい。また、処理カップ４３は、洗浄液の飛散を防止
する構造上、その内面が汚れやすい。これら構成要素が
汚れたままの状態で洗浄処理を繰り返すと、洗浄すべき
ウエハＷの表面へ粒子汚損物が再付着し、歩留まり低下
を招くことになるため、洗浄装置内部は洗浄を行って常
に清浄に保っておく必要がある。

【００３６】しかしながら、洗浄装置は多くの構成要素
からなり、各部の構造も複雑であるため、その洗浄作業
は著しく煩雑である。しかも、汚れが付着したウエハＷ
を洗浄するための装置の性質上、一度洗浄を行っても直
ぐ上記各部に汚れが発生することとなり、装置の洗浄作
業を頻繁に行わなければならない。これでは装置の可動
効率を著しく低下させることになってしまう。

【００３７】そこで、洗浄装置を構成する上記各構成要
素の汚れやすい箇所に予め超撥水性層をコーティングし
ておく。つまり、スピンチャック４０は、図９に示すよ
うに、その周縁部及び支持爪４５の表面に超撥水性層２
８をコーティングしておく。また、ジェットノズル４１
は、図１０に示すように、その支持アーム４８を含む全
表面に超撥水性層２８をコーティングしておく。また、
ブラシ４２は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、毛
４９、ブラシ本体４７及びアーム４６の全表面に超撥水
性層２８をコーティングしておく。また、処理カップ４
３は、図１２に示すように、その内面全体に超撥水性層
２８をコーティングしておく。

【００３８】以上のように、洗浄液が付着して汚れやす
い箇所に超撥水性層２８をコーティングしておくこと
で、これらの箇所に洗浄水が付着するのを防止し、汚れ
の発生を未然に防ぐことができる。上記構成要素の中で
もブラシ４２の毛４９の部分が本来最も汚れやすい箇所
であるが、多数植設された毛４９の表面にも超撥水性層
２８をコーティングしたことにより、超撥水性層２８自
体の超撥水作用と、毛４９と毛４９の間の空気による撥
水作用との相乗作用によって洗浄水が完全に撥水除去さ
れるので、この部分の汚れの発生を効果的に防止でき
る。このように、洗浄装置の要部が清浄に保たれるの
で、洗浄作業の頻度を減少し、稼働効率を著しく向上で
きる。

【００３９】この実施例では、洗浄装置の主要な構成要
素の汚れやすい箇所に超撥水性層２８をコーティングす
る場合について説明したが、これらの箇所以外でも、洗
浄液と接触する箇所あるいは接触する可能性のある箇所
には可能な限り超撥水性層２８をコーティングしておく
ことが望ましい。また、上記ベルヌーイチャックに代え
て真空吸着式のスピンチャックを使用する場合にも、そ
のウエハ保持部の表面に超撥水性層２８をコーティング
しておくことが望ましい。

【００４０】なお、以上の実施例では被処理体が半導体
ウエハの場合について説明したが、非処理体は必ずしも
半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基
板、セラミック基板などに対して処理を施すものについ
ても適用できるものである。

【００４１】

【発明の効果】以上要するにこの発明の処理装置によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００４２】１）請求項１記載の処理装置によれば、処
理液供給ノズルの先端部の表面に超撥水性層を形成した
ことにより、ノズルの先端部表面に処理液が残留し汚れ
が発生するのを防止できるので、処理の清浄度を高く維
持し、歩留まりの向上を図ることができる。

【００４３】２）請求項２記載の処理装置によれば、被
処理体を処理液中に浸漬するための液槽を形成する凹部
の内壁及びシール部の表面に超撥水性層を形成したこと
により、凹部の内壁面やシール部の表面に処理液が残留
し汚れが発生するのを防止できるので、処理の清浄度を
高く維持し、歩留まりの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の処理装置をレジスト塗布現像装置に
適用した一実施例を示す概略平面図である。

【図２】この発明の処理装置の第１実施例の要部断面図
である。

【図３】図２の要部斜視図である。

【図４】他の実施態様を示す要部断面図である。

【図５】この発明の処理装置の第２実施例の要部断面図
である。

【図６】この発明の処理装置の変形実施例の概略斜視図
である。

【図７】図６の要部側面図である。

【図８】図６の要部断面図である。

【図９】図６の要部断面図である。

【図１０】図６の要部断面図である。

【図１１】図６の要部断面図及びそのＡ部拡大断面図で
ある。

【図１２】図６の要部断面図である。

【図１３】処理装置（パドル式現像装置）の処理状態を
示す説明図である。

【図１４】図１３の処理装置の処理状態を示す要部拡大
断面図である。

【図１５】処理装置（ディップ式現像装置）の処理状態
を示す断面図である。

【符号の説明】

２５処理液供給ノズル２８超撥水性層３６ａ凹部３７ウエハシール用パッキン（シール部）Ｌ処理液Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１０月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】処理機構ユニット１０には、アライメント
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウ
エハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理された
ウエハＷを冷却する冷却機構１６とが配置されている。
また、搬送路１１の他方の側にはウエハＷの表面に処理
液例えば現像液を塗布する現像機構１７（処理装置）
と、ウエハＷのにレジスト膜を塗布形成する塗布機構１
８とが配置されている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者濱田知子熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社熊本事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体の表面に処理液供給ノズルの先
端部を臨ませ、そのノズル先端から被処理体の表面に処
理液を供給する処理装置において、上記処理液供給ノズルの先端部表面に超撥水性層を形成
したことを特徴とする処理装置。
【請求項２】被処理体を処理液中に浸漬して被処理体
の表面に処理液を供給する処理装置において、被処理体を処理液中に浸漬するための液槽の表面に超撥
水性層を形成したことを特徴とする処理装置。
【請求項３】上記超撥水性層がテトラフルオロエチレ
ン含有複合メッキ層である請求項１又は２記載の処理装
置。