JPH0777988B2 - ヒートシンク付きセラミックパッケージ - Google Patents

ヒートシンク付きセラミックパッケージ

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JPH0777988B2
JPH0777988B2 JP1189229A JP18922989A JPH0777988B2 JP H0777988 B2 JPH0777988 B2 JP H0777988B2 JP 1189229 A JP1189229 A JP 1189229A JP 18922989 A JP18922989 A JP 18922989A JP H0777988 B2 JPH0777988 B2 JP H0777988B2
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JP
Japan
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heat sink
ceramic package
plating
package
coating
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JP1189229A
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JPH0354173A (ja
Inventor
賀津雄 木村
和久 佐藤
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ヒートシンク付きセラミックパッケージに関
する。
[従来の技術] セラミックと熱膨張係数の異なるヒートシンクをセラミ
ックパッケージ(アルミナを主成分とする)に高温でろ
う付け接合した場合、両者の熱膨張差によって接合部に
応力が加わり、接合部にクラック等の破壊が生じる場合
がある。
そこで、従来では、セラミックパッケージとヒートシン
クとの間に、ヤング率の大きなCu系金属より成る応力緩
衝材を挟んでろう付け接合することで、クラック等の破
壊を防止している。
[発明が解決しようとする課題] しかるに、緩衝材としてのCu系金属は、高温で使用する
銀ろう材と互いに溶解し合って元の形状を保たなくなる
とともに、内部組織が変質する。このため、リークパス
を形成したり、ICチップアセンブリの際に加わる熱によ
り、ろう付部外表面のメッキの“ふくれ”や高温腐食を
生じさせる等の課題を有していた。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目的
は、Cu系金属の溶融拡散を防ぐことで、リークパスやメ
ッキの“ふくれ”、および高温腐食の発生を防止したヒ
ートシンク付きセラミックパッケージを提供することに
ある。
[課題を解決するための手段] 本発明は上記目的を達成するために、Cu系金属の外周
に、Pt、Pd、Rh、Ni、Coのうち1種あるいは2種以上の
合金からなる被膜を形成して成る応力緩衝材を介して、
セラミックと熱膨張係数の異なるヒートシンクをセラミ
ックパッケージにろう付け接合したヒートシンク付きセ
ラミックパッケージ。
[作用および発明の効果] 上記構成よりなる本発明は、応力緩衝材であるCu系金属
の外周に、Pt、Pd、Rh、Ni、Coのうち1種あるいは2種
以上の合金からなる被膜を形成したものである。
この被膜を形成するPt、Pd、Rh、Ni、Coの各金属は、ろ
う材に対して溶融拡散を起こしにくいため、Cu系金属の
外周にこれらの被膜を形成することで、ろう材へのCu系
金属の溶融拡散を防止して、内部組織の変質を防ぐこと
ができる。その結果、リークパスの形成がなく、また、
ICチップアセンブリの際に加わる熱によるろう付部外表
面のメッキの“ふくれ”や高温腐食の発生を防ぐことが
できる。
[実施例] 次に、本発明のヒートシンク付きセラミックパッケージ
を図面に示す一実施例に基づき説明する。
第1図はヒートシンク付きセラミックパッケージの要部
断面図である。
本実施例のヒートシンク付きセラミックパッケージは、
Cu系金属より成る応力緩衝材1を挟んで、セラミックパ
ッケージ2(以下パッケージと言う)に、セラミックと
熱膨張係数の異なるヒートシンク3をろう付け接合した
ものである。
パッケージ2は、アルミナを主成分とするグリーンシー
トを積層(第1図では3層)して焼結したものである
(熱膨張係数が7×10-6/℃)。
一方、ヒートシンク3は、窒化アルミニウムより成る
(熱膨張係数4.4×10-6/℃)。
応力緩衝材1は、無酸素銅1aの外周に、0.2〜2.0μmの
厚さで、Niメッキの被膜1bが形成されている。
応力緩衝材1との接合面であるパッケージ2の底面(第
1図下面)、およびヒートシンク3の上面には、MoやW
などから成るメタライズの上に、Niメッキを施した接合
部2aおよび3aが設けられている。
そして、上記した応力緩衝材1を、第1図に示すよう
に、パッケージ2の接合部2aとヒートシンク3の接合部
3aとの間に介装し、共晶銀ろう(Ag−Cu等)4により、
約850℃以上でろう付け接合する。その後、ろう付部外
表面にNiメッキ2.5μm、Auメッキ1.7μmを施した(図
示省略)。
ここで、ヒートシンク3をパッケージ2にろう付け接合
する際に、無酸素銅1aの外周に、本実施例で示したNiメ
ッキによる被膜1b、およびNiメッキ以外の各種被膜1bを
形成した応力緩衝材1と、外周に被膜1bを形成していな
い従来の応力緩衝材とを使用した場合の、気密性、メッ
キの“ふくれ”、および高温腐食についてそれぞれ検査
した。ここで、“ふくれ”は、大気中450℃×5分の加
熱試験後のNi・Auメッキのふくれの有無、高温腐食は大
気中300℃×300時間エージング後のNi・Auメッキ上の黒
色化部分の有無、気密性はHeリークパスの有無をもって
評価した。
第1表は、その検査結果であり、被膜1bのない場合と、
Ni、Pt、Pd、Rh、Co、およびNi−40Coの各被膜1bを形成
した場合とについて、それぞれ10ケのパッケージ試料を
検査し、その不良の数を示す。
第1表に示したように、この検査では、被膜1bを形成し
ていない場合に、メッキの“ふくれ”や高温腐食の検査
で多くの不良が生じたのに対して、被膜1bを形成した場
合、特に被膜1bの厚さが0.5μm以上では、不良の発生
が0であった。
このように、本実施例では、無酸素銅1aの外周にNiメッ
キの被膜1bを形成した応力緩衝材1を用いたことによ
り、無酸素銅1aの溶融拡散が防止されて、内部組織の変
質を防ぐことができる。この結果、リークパスの形成を
防ぐことができるとともに、ICチップアセンブリの際に
加わる熱によるメッキの“ふくれ”や高温腐食などの発
生を防止することができる。
なお、Cu系金属として無酸素銅1aを示したが、無酸素銅
1aの他にリン青銅、アロイ194等を使用してもよい。ま
た、被膜1bは、第1表でも示したように、Ni、Pt、Pd、
Rh、Coのうち1種あるいは2種以上の合金であればよ
い。
被膜1bの厚さは、高温(約850℃以上)でろう付けする
際のCu系金属と被膜1bとの間の熱拡散を防ぐために、0.
3μm以上であることが望ましい。
【図面の簡単な説明】 第1図はヒートシンク付きセラミックパッケージの要部
断面図である。 図中 1……応力緩衝材 1a……無酸素銅(Cu系金属) 1b……被膜(Niメッキ) 2……セラミックパッケージ 3……ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/36

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Cu系金属の外周に、Pt、Pd、Rh、Ni、Coの
    うち1種あるいは2種以上の合金からなる被膜を形成し
    て成る応力緩衝材を介して、セラミックと熱膨張係数の
    異なるヒートシンクをセラミックパッケージにろう付け
    接合したヒートシンク付きセラミックパッケージ。
JP1189229A 1989-07-21 1989-07-21 ヒートシンク付きセラミックパッケージ Expired - Lifetime JPH0777988B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3171402A1 (en) 2015-11-17 2017-05-24 NGK Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06107472A (ja) * 1992-09-25 1994-04-19 Nippon Cement Co Ltd 窒化珪素系セラミックスと金属との接合方法
JP2011228591A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Kyocera Corp 素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置
JP6881913B2 (ja) * 2015-11-17 2021-06-02 日本特殊陶業株式会社 配線基板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01103853A (ja) * 1987-07-03 1989-04-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用部品

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0739236Y2 (ja) * 1986-10-30 1995-09-06 日本特殊陶業株式会社 アルミナ質基板と窒化アルミニウム基板の接合部

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01103853A (ja) * 1987-07-03 1989-04-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用部品

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3171402A1 (en) 2015-11-17 2017-05-24 NGK Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate
US10039179B2 (en) 2015-11-17 2018-07-31 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate

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