JPH0777187B2 - ウエハ - Google Patents
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- JPH0777187B2 JPH0777187B2 JP22258292A JP22258292A JPH0777187B2 JP H0777187 B2 JPH0777187 B2 JP H0777187B2 JP 22258292 A JP22258292 A JP 22258292A JP 22258292 A JP22258292 A JP 22258292A JP H0777187 B2 JPH0777187 B2 JP H0777187B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 88
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001630 Pyrus pyrifolia var culta Nutrition 0.000 description 1
- 240000002609 Pyrus pyrifolia var. culta Species 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Description
【０００１】本発明はウエハ特に、ウエハの外形線とオ
リエンテーションフラットとの接合部のチッピング等の
不良を防止することのできるウエハに関するものであ
る。
リエンテーションフラットとの接合部のチッピング等の
不良を防止することのできるウエハに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、トランジスタ，集積回路（Ｉ
Ｃ）および大規模集積回路（ＬＳＩ）の如き半導体装置
の製造において、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料より
なるウエハに対し、拡散，レジスト塗布，エッチング，
蒸着等の処理を施こす場合、ウエハの表面に微少なゴミ
やチッピング片等の異物が付着すると、ウエハ表面にス
クラッチ傷が付いたり、膜厚の不均一あるいは搬送不良
等の不良発生原因となってしまう。
Ｃ）および大規模集積回路（ＬＳＩ）の如き半導体装置
の製造において、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料より
なるウエハに対し、拡散，レジスト塗布，エッチング，
蒸着等の処理を施こす場合、ウエハの表面に微少なゴミ
やチッピング片等の異物が付着すると、ウエハ表面にス
クラッチ傷が付いたり、膜厚の不均一あるいは搬送不良
等の不良発生原因となってしまう。
【０００３】このような異物の発生の原因は種々のもの
があるが、その１つとして、たとえばウエハの搬送時に
ウエハの外周部が何らかの搬送機構と衝突したりあるい
はウエハどうしが接触することによりそのウエハ外周部
自体の一部が欠損を生じることが知られており、その欠
損によるチッピング片は異物としてウエハ表面に付着し
て各種不良を引き起こす。そこで、従来、この種のウエ
ハ外周部の欠損を防止するため、ウエハ外周部の両主表
面を機械的または化学的手段により面取りすることが提
案されている。
があるが、その１つとして、たとえばウエハの搬送時に
ウエハの外周部が何らかの搬送機構と衝突したりあるい
はウエハどうしが接触することによりそのウエハ外周部
自体の一部が欠損を生じることが知られており、その欠
損によるチッピング片は異物としてウエハ表面に付着し
て各種不良を引き起こす。そこで、従来、この種のウエ
ハ外周部の欠損を防止するため、ウエハ外周部の両主表
面を機械的または化学的手段により面取りすることが提
案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにウエハ外周部の両主表面の面取りを行なうだけでは
ウエハのチッピングを未だ完全に防止することができな
い。
うにウエハ外周部の両主表面の面取りを行なうだけでは
ウエハのチッピングを未だ完全に防止することができな
い。
【０００５】そこで、本発明者等がそのようなチッピン
グの原因追及のために鋭意研究を重ねた結果、次のよう
な重大な事実が判明した。すなわち、ウエハには一般に
その結晶軸方向を示しかつ位置決めを行なうために一部
を直線状に切り取って、オリエンテーションフラット
（主フラット）と呼ばれるフラット部を形成することが
行なわれる。ところが、このようなフラット部の形成に
より、該フラット部とウエハの外形線との接合部に鋭角
的屈曲部が形成されてしまう。その結果、この接合部が
チッピングを起こし易く、ウエハの搬送時に該接合部が
エアベアリングのガイドに衝突したり、他のウエハと接
触したりすることにより、該接合部が欠損してチッピン
グ片を生じることになるものである。
グの原因追及のために鋭意研究を重ねた結果、次のよう
な重大な事実が判明した。すなわち、ウエハには一般に
その結晶軸方向を示しかつ位置決めを行なうために一部
を直線状に切り取って、オリエンテーションフラット
（主フラット）と呼ばれるフラット部を形成することが
行なわれる。ところが、このようなフラット部の形成に
より、該フラット部とウエハの外形線との接合部に鋭角
的屈曲部が形成されてしまう。その結果、この接合部が
チッピングを起こし易く、ウエハの搬送時に該接合部が
エアベアリングのガイドに衝突したり、他のウエハと接
触したりすることにより、該接合部が欠損してチッピン
グ片を生じることになるものである。
【０００６】したがって、本発明の目的は、ウエハ外周
部でのチッピングおよびウエハの外形線とオリエンテー
ションフラットの如きウエハ除去部との接合領域のチッ
ピングによる異物の発生およびその他の各種不良の発生
を防止することのできるウエハを提供することにある。
部でのチッピングおよびウエハの外形線とオリエンテー
ションフラットの如きウエハ除去部との接合領域のチッ
ピングによる異物の発生およびその他の各種不良の発生
を防止することのできるウエハを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【０００８】すなわち、ウエハの外形線とオリエンテー
ションフラットとの接合部の平面形状及び厚さ方向の形
状が面取り加工されているウエハとするものである。
ションフラットとの接合部の平面形状及び厚さ方向の形
状が面取り加工されているウエハとするものである。
【０００９】上記した手段によれば、ウエハの外形線と
オリエンテーションフラットとの接合部が平面形状でも
厚さ方向の形状でも面取り加工されているためそれらに
鋭角的角部または屈曲部が存在せず、上記接合部はチッ
ピングを起こさない。従って、チッピングによる異物の
発生およびその他の各種不良の発生を防止することがで
きる。
オリエンテーションフラットとの接合部が平面形状でも
厚さ方向の形状でも面取り加工されているためそれらに
鋭角的角部または屈曲部が存在せず、上記接合部はチッ
ピングを起こさない。従って、チッピングによる異物の
発生およびその他の各種不良の発生を防止することがで
きる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例にしたがっ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１１】図１及び図２は本発明によるウエハの一実
施例を示すもので、図１はその平面図、図２は拡大断面
図である。
施例を示すもので、図１はその平面図、図２は拡大断面
図である。
【００１２】本実施例のウエハ１はたとえばシリコン
（Ｓｉ）の単結晶をスライスすることにより作られた円
形形状を有し、その一部分は結晶軸の方向を示しかつ各
種処理におけるウエハ１の位置決めを行なうための位置
決め用除去部として主フラットすなわちオリエンテーシ
ョンフラット（Ｏ．Ｆ．）２が直線状に切断形成されて
いる。
（Ｓｉ）の単結晶をスライスすることにより作られた円
形形状を有し、その一部分は結晶軸の方向を示しかつ各
種処理におけるウエハ１の位置決めを行なうための位置
決め用除去部として主フラットすなわちオリエンテーシ
ョンフラット（Ｏ．Ｆ．）２が直線状に切断形成されて
いる。
【００１３】また、ウエハ１の外周部３は図２からわか
るようにたとえば円弧状に面取りされている。この面取
りによりウエハ外周部の欠損を防ぎ、ウエハ外周部での
チッピングを防止している。
るようにたとえば円弧状に面取りされている。この面取
りによりウエハ外周部の欠損を防ぎ、ウエハ外周部での
チッピングを防止している。
【００１４】さらに、この実施例におけるウエハ１は前
記オリエンテーションフラット２の両端と該ウエハ１の
外形線との接合部４において二点鎖線で示す角部領域を
実線で示す円弧状に面取りされ、この接合部４の角部領
域がウエハ１の各種処理中にチッピングを起こし、欠損
によるチッピング片として異物を発生すること等の不良
を防止するよう構成されている。すなわち、図１の実施
例における接合部４の面取り領域５は二点鎖線とで囲ま
れた領域であり、この面取り領域５の内縁はウエハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２とに内接する共
通内接円の円弧により画定されている。
記オリエンテーションフラット２の両端と該ウエハ１の
外形線との接合部４において二点鎖線で示す角部領域を
実線で示す円弧状に面取りされ、この接合部４の角部領
域がウエハ１の各種処理中にチッピングを起こし、欠損
によるチッピング片として異物を発生すること等の不良
を防止するよう構成されている。すなわち、図１の実施
例における接合部４の面取り領域５は二点鎖線とで囲ま
れた領域であり、この面取り領域５の内縁はウエハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２とに内接する共
通内接円の円弧により画定されている。
【００１５】この接合部４の円弧状の面取りを行なう場
合、面取り領域５の好ましい面取り範囲は次のように決
定され、それについて図３に関して詳細に説明する。
合、面取り領域５の好ましい面取り範囲は次のように決
定され、それについて図３に関して詳細に説明する。
【００１６】図３において、ウエハ１の半径はＲであ
り、その中心はＯ1とする。この中心Ｏ1からオリエンテ
ーションフラット２までの距離をｙとし、Ｏ1からオリ
エンテーションフラット２に垂線を下ろすと、その交点
Ｐはオリエンテーションフラット２の中間点であり、該
オリエンテーションフラット２の面取り加工前の全長の
半分すなわち点Ｐから該オリエンテーションフラット２
とウエハ１の外形線との接合部４までの距離はｂとす
る。
り、その中心はＯ1とする。この中心Ｏ1からオリエンテ
ーションフラット２までの距離をｙとし、Ｏ1からオリ
エンテーションフラット２に垂線を下ろすと、その交点
Ｐはオリエンテーションフラット２の中間点であり、該
オリエンテーションフラット２の面取り加工前の全長の
半分すなわち点Ｐから該オリエンテーションフラット２
とウエハ１の外形線との接合部４までの距離はｂとす
る。
【００１７】オリエンテーションフラット２の長さおよ
びウエハ１の厚さとウエハの直径との関係はミラーウエ
ハ（鏡面ウエハ）状態で表１に示すようになることがＳ
ＥＭＩ規格において定められている。
びウエハ１の厚さとウエハの直径との関係はミラーウエ
ハ（鏡面ウエハ）状態で表１に示すようになることがＳ
ＥＭＩ規格において定められている。
【００１８】
【表１】
【００１９】一方、オリエンテーションフラット２を利
用してウエハ１の位置合せを行なう必要上、オリエンテ
ーションフラット２には正確な位置合せのために最低限
有していなければならないフラット部の長さがあり、そ
の長さの半分をａとすると、長さａは点Ｐから共通内接
円とオリエンテーションフラット２との内接点ｉ1まで
の距離である。符号６は位置合せ用のローラであるが、
位置合せ手段としてはそれ以外に光電変換素子等を用い
てもよい。
用してウエハ１の位置合せを行なう必要上、オリエンテ
ーションフラット２には正確な位置合せのために最低限
有していなければならないフラット部の長さがあり、そ
の長さの半分をａとすると、長さａは点Ｐから共通内接
円とオリエンテーションフラット２との内接点ｉ1まで
の距離である。符号６は位置合せ用のローラであるが、
位置合せ手段としてはそれ以外に光電変換素子等を用い
てもよい。
【００２０】また、共通内接円とウエハ１の外形線との
内接点はｉ2とすると、共通内接円の中心Ｏ2はウエハ１
の中心Ｏ1と内接点ｉ1を結ぶ直線上にあり、この直線と
直線Ｏ1Ｐとの角度はθで表わされる。
内接点はｉ2とすると、共通内接円の中心Ｏ2はウエハ１
の中心Ｏ1と内接点ｉ1を結ぶ直線上にあり、この直線と
直線Ｏ1Ｐとの角度はθで表わされる。
【００２１】したがって、ウエハ１の外形線およびオリ
エンテーションフラット２の両方に内接する共通内接円
の半径ｒは次のようにして求められる。
エンテーションフラット２の両方に内接する共通内接円
の半径ｒは次のようにして求められる。
【００２２】まず、ローラ６による位置合せのために最
低限有していなければならない長さ、すなわちオリエン
テーションフラット２のうち面取り加工されないフラッ
ト部の長さａ（ａ＝Ｐｉ2）は
低限有していなければならない長さ、すなわちオリエン
テーションフラット２のうち面取り加工されないフラッ
ト部の長さａ（ａ＝Ｐｉ2）は
【００２３】
【数２】
【００２４】次に、ウエハ１の中心Ｏ1からオリエンテ
ーション２への垂直Ｏ1Ｐの長さｙは
ーション２への垂直Ｏ1Ｐの長さｙは
【００２５】
【数３】
【００２６】また、直角三角形Ｏ1Ｐ４より、ｙ2＝Ｒ2
−ｂ2であるから、
−ｂ2であるから、
【００２７】
【数４】
【００２８】（数３）式に（数４）式を代入すると、
【００２９】
【数５】
【００３０】（数２）式より
【００３１】
【数６】
【００３２】sin2θ＋cos2θ＝１より、（数５），（数
６）式から
６）式から
【００３３】
【数７】
【００３４】（数７）式を整理すると、
【００３５】
【数８】
【００３６】したがって、本実施例においては、ウエハ
１の外形線とオリエンテーションフラット２との接合領
域における面取り領域５は図２に斜線で示すように、
（数８）式の半径ｒの共通内接円の円弧またはそれより
も外側の領域内であれば、どのような半径の円弧に沿っ
て面取り加工してもよい。
１の外形線とオリエンテーションフラット２との接合領
域における面取り領域５は図２に斜線で示すように、
（数８）式の半径ｒの共通内接円の円弧またはそれより
も外側の領域内であれば、どのような半径の円弧に沿っ
て面取り加工してもよい。
【００３７】すなわち、ウエハ１の外形線およびオリエ
ンテーションフラット２の両方との共通内接円の半径ｒ
は次式に示す範囲内であればよく、この半径ｒの範囲内
で円弧状に面取り加工すればよい。
ンテーションフラット２の両方との共通内接円の半径ｒ
は次式に示す範囲内であればよく、この半径ｒの範囲内
で円弧状に面取り加工すればよい。
【００３８】
【数９】
【００３９】その結果、本実施例によれば、ウエハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２との接合領域に
は、鋭角的な角部または屈曲部が全く存在しないので、
この接合領域がウエハ１の搬送時にたとえばエアベアリ
ングのガイドに衝突したり、他のウエハと接触したりす
ることにより欠損してチッピング片を発生することを防
止できる。また、このようなチッピング片の発生による
異物不良の他に、搬送時に鋭角的角部がエアベアリング
のガイド等に引っ掛ることによる搬送不良、さらにレジ
スト塗布時に鋭角的角部で気流が乱れることによりレジ
ストの膜厚が部分的にばらつくことによるレジスト膜厚
不良等の不良を著しく低減することができ、大径のウエ
ハにとって特に好適である。
外形線とオリエンテーションフラット２との接合領域に
は、鋭角的な角部または屈曲部が全く存在しないので、
この接合領域がウエハ１の搬送時にたとえばエアベアリ
ングのガイドに衝突したり、他のウエハと接触したりす
ることにより欠損してチッピング片を発生することを防
止できる。また、このようなチッピング片の発生による
異物不良の他に、搬送時に鋭角的角部がエアベアリング
のガイド等に引っ掛ることによる搬送不良、さらにレジ
スト塗布時に鋭角的角部で気流が乱れることによりレジ
ストの膜厚が部分的にばらつくことによるレジスト膜厚
不良等の不良を著しく低減することができ、大径のウエ
ハにとって特に好適である。
【００４０】図４は本発明によるウエハの他の１つの実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【００４１】この実施例においては、ウエハ１の外形線
とオリエンテーションフラット２との接合領域を斜線で
示す面取り領域５の範囲内で直線的に面取り加工する。
この場合、面取り領域５の最大面取り範囲は、図３に関
して前記したように、ウエハ１の外形線およびオリエン
テーションフラット２の両方との共通内接円の内接点ｉ
1とｉ2とを結ぶ直線により画定される。この共通内接円
の半径ｒは前記（数９）式に示すものと同じ範囲内で選
択できる。
とオリエンテーションフラット２との接合領域を斜線で
示す面取り領域５の範囲内で直線的に面取り加工する。
この場合、面取り領域５の最大面取り範囲は、図３に関
して前記したように、ウエハ１の外形線およびオリエン
テーションフラット２の両方との共通内接円の内接点ｉ
1とｉ2とを結ぶ直線により画定される。この共通内接円
の半径ｒは前記（数９）式に示すものと同じ範囲内で選
択できる。
【００４２】本実施例の場合にも、ウエハ１の外形線と
オリエンテーションフラット２との接合部４における鋭
角的角部または屈曲部がなくなるので、チッピング片の
発生による異物不良，搬送不良，レジスト膜厚不良等を
大巾に低減できる。
オリエンテーションフラット２との接合部４における鋭
角的角部または屈曲部がなくなるので、チッピング片の
発生による異物不良，搬送不良，レジスト膜厚不良等を
大巾に低減できる。
【００４３】なお、本発明による面取り加工は前記実施
例の円弧状または直線上の他、様々な曲線形状または多
角形状等、鋭角的角部をなくすことのできるものであれ
ば、どのような面取り形状にもすることができる。
例の円弧状または直線上の他、様々な曲線形状または多
角形状等、鋭角的角部をなくすことのできるものであれ
ば、どのような面取り形状にもすることができる。
【００４４】また、本発明は前記した主フラットすなわ
ちオリエンテーションフラットの他に、副フラットすな
わち第２フラットを設ける場合にも適用できる。すなわ
ち、この場合には、図５に示すようにオリエンテーショ
ンフラット２の両端とウエハ１の外形線との接合領域の
面取り領域５を面取り加工すると共に、第２フラット７
の両端とウエハ１の外形線との接合領域も５ａで示す範
囲の如く、第２フラット７およびウエハ１の外形線の両
方と内接する共通内接円の円弧または内接点どうしを結
ぶ直線に沿ってあるいはその外側の領域において面取り
加工する。
ちオリエンテーションフラットの他に、副フラットすな
わち第２フラットを設ける場合にも適用できる。すなわ
ち、この場合には、図５に示すようにオリエンテーショ
ンフラット２の両端とウエハ１の外形線との接合領域の
面取り領域５を面取り加工すると共に、第２フラット７
の両端とウエハ１の外形線との接合領域も５ａで示す範
囲の如く、第２フラット７およびウエハ１の外形線の両
方と内接する共通内接円の円弧または内接点どうしを結
ぶ直線に沿ってあるいはその外側の領域において面取り
加工する。
【００４５】さらに、オリエンテーションフラット２お
よび第２フラット７の如きフラット部以外に、図５に符
号８で例示するように曲線状の位置決め用切欠きをウエ
ハ１に形成する場合にも本発明を適用することができ
る。すなわち、この場合、位置決め用切欠き８の両端と
ウエハ１の外形線との接合領域を、５ｂで示す範囲の如
く、該位置決め用切欠き８およびウエハ１の外形線の両
方に内接する共通内接円の円弧または内接点どうしを結
ぶ直線に沿ってあるいはその外側の領域において面取り
加工すればよい。
よび第２フラット７の如きフラット部以外に、図５に符
号８で例示するように曲線状の位置決め用切欠きをウエ
ハ１に形成する場合にも本発明を適用することができ
る。すなわち、この場合、位置決め用切欠き８の両端と
ウエハ１の外形線との接合領域を、５ｂで示す範囲の如
く、該位置決め用切欠き８およびウエハ１の外形線の両
方に内接する共通内接円の円弧または内接点どうしを結
ぶ直線に沿ってあるいはその外側の領域において面取り
加工すればよい。
【００４６】本発明の面取り加工はオリエンテーション
フラット２の形成と同時に行なってもよく、あるいは外
周部３の厚さ方向の面取り加工と同時に行なってもよ
く、このような同時的面取り加工は作業効率的に非常に
良好であるが、別々に面取り加工してもよい。勿論、本
発明はウエハ１の外周部３の厚さ方向の面取り加工は必
ずしも必要とするものではない。
フラット２の形成と同時に行なってもよく、あるいは外
周部３の厚さ方向の面取り加工と同時に行なってもよ
く、このような同時的面取り加工は作業効率的に非常に
良好であるが、別々に面取り加工してもよい。勿論、本
発明はウエハ１の外周部３の厚さ方向の面取り加工は必
ずしも必要とするものではない。
【００４７】なお、本発明により面取り加工を行なう場
合に用いることのできる装置としては様々なものが考え
られるが、図６〜図８にその一例を示す。
合に用いることのできる装置としては様々なものが考え
られるが、図６〜図８にその一例を示す。
【００４８】図６の面取り装置はいわゆる形状倣い型の
もので、直線溝９を持つ砥石８を回転させながら水平方
向および垂直方向に移動させて面取り加工を行ない、ま
たウエハ１の外周部３の厚さ方向の面取り加工も行なう
ことができる。
もので、直線溝９を持つ砥石８を回転させながら水平方
向および垂直方向に移動させて面取り加工を行ない、ま
たウエハ１の外周部３の厚さ方向の面取り加工も行なう
ことができる。
【００４９】図７の面取り装置はいわゆる形状転写型の
もので、ウエハ１の外周部３の厚さ方向の面取り形状に
合せた湾曲溝１１を有する砥石１０を回転させながら水
平方向に移動させることにより、ウエハ１の外周部３を
図２に示す如く面取り加工する他、図３〜図５に示す面
取り領域５，５ａ，５ｂも面取り加工することができ
る。
もので、ウエハ１の外周部３の厚さ方向の面取り形状に
合せた湾曲溝１１を有する砥石１０を回転させながら水
平方向に移動させることにより、ウエハ１の外周部３を
図２に示す如く面取り加工する他、図３〜図５に示す面
取り領域５，５ａ，５ｂも面取り加工することができ
る。
【００５０】このように、図６および図７の面取り装置
は面取り領域５，５ａ，５ｂの面取り加工およびウエハ
１の外周部３の面取り加工のいずれも行なうことができ
るので、これらの機械的面取り加工は別々に行なっても
よいが、同時に行なうのが効率的である。
は面取り領域５，５ａ，５ｂの面取り加工およびウエハ
１の外周部３の面取り加工のいずれも行なうことができ
るので、これらの機械的面取り加工は別々に行なっても
よいが、同時に行なうのが効率的である。
【００５１】また、図８の面取り装置は化学的に面取り
加工を行なうもので、多数のウエハ１を回転支持体１２
に挾んでエッチング槽１３内のエッチング液１４中に沈
め、回転支持体１２と共に回転させながらエッチング液
１４でウエハ１の外周部のエッチングを行なう。この場
合には、面取り領域５，５ａ，５ｂのみの面取り加工を
行なうためにはウエハ１の他の外周部をエッチング液１
４に触れないようマスクする必要があるが、面取り領域
５，５ａ，５ｂを予め機械的研削で面取り加工した後、
エッチング液で外周部全体の角部を厚さ方向に化学的に
面取り加工してもよい。図８の場合はウエハ１に対する
機械的衝撃を軽減できる。
加工を行なうもので、多数のウエハ１を回転支持体１２
に挾んでエッチング槽１３内のエッチング液１４中に沈
め、回転支持体１２と共に回転させながらエッチング液
１４でウエハ１の外周部のエッチングを行なう。この場
合には、面取り領域５，５ａ，５ｂのみの面取り加工を
行なうためにはウエハ１の他の外周部をエッチング液１
４に触れないようマスクする必要があるが、面取り領域
５，５ａ，５ｂを予め機械的研削で面取り加工した後、
エッチング液で外周部全体の角部を厚さ方向に化学的に
面取り加工してもよい。図８の場合はウエハ１に対する
機械的衝撃を軽減できる。
【００５２】なお、本発明はシリコン（Ｓｉ）よりなる
ウエハに限らず、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいはガリ
ウム・砒素（ＧａＡｓ），ガリウム・ガーネットの如き
各種化合物半導体材料よりなるウエハにも適用できる。
ウエハに限らず、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいはガリ
ウム・砒素（ＧａＡｓ），ガリウム・ガーネットの如き
各種化合物半導体材料よりなるウエハにも適用できる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハの位置決め用除去部とウエハの外形線との接合領
域及びウエハの外周部に鋭角的角部または屈曲部が存在
しないので、ウエハのチッピングによる異物不良，搬送
不良，レジスト膜厚不良の如き、鋭角的角部または屈曲
部の存在に起因する不良を著しく低減できる。
ウエハの位置決め用除去部とウエハの外形線との接合領
域及びウエハの外周部に鋭角的角部または屈曲部が存在
しないので、ウエハのチッピングによる異物不良，搬送
不良，レジスト膜厚不良の如き、鋭角的角部または屈曲
部の存在に起因する不良を著しく低減できる。
【図１】本発明によるウエハの一実施例の平面図。
【図２】図１のウエハの拡大断面図。
【図３】図１のウエハにおける面取り領域の決定につい
て説明するための平面図。
て説明するための平面図。
【図４】本発明によるウエハの他の１つの実施例の平面
図。
図。
【図５】本発明のさらに他の実施例を示す平面図。
【図６】本発明によるウエハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。
に使用できる面取り装置の例を示す図。
【図７】本発明によるウエハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。
に使用できる面取り装置の例を示す図。
【図８】本発明によるウエハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図である。
に使用できる面取り装置の例を示す図である。
１…ウエハ、２…オリエンテーションフラット、３…外
周部、４…面取り加工前のウエハの外形線とオリエンテ
ーションフラットとの接合部、５，５ａ，５ｂ…面取り
領域、６…位置決め用のローラ、７…第２フラット、８
…位置決め用切欠き。
周部、４…面取り加工前のウエハの外形線とオリエンテ
ーションフラットとの接合部、５，５ａ，５ｂ…面取り
領域、６…位置決め用のローラ、７…第２フラット、８
…位置決め用切欠き。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江頭 悦郎 山梨県中巨摩郡竜王町西八幡（無番地）株 式会社日立製作所武蔵工場甲府分工場内 (56)参考文献 特開 昭58−23430（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】ウエハの外形線と該ウエハの外形に対する
オリエンテーションフラットとの接合部の平面形状及び
厚さ方向の形状が面取り加工されていることを特徴とす
るウエハ。 - 【請求項２】面取り加工は、ウエハの外形線および前記
オリエンテーションフラットの共通内接円に沿ってまた
はそれよりも外側の領域において曲線状に行われている
ことを特徴とする請求項１記載のウエハ。 - 【請求項３】前記内接円の半径は次式で表わされること
を特徴とする請求項１記載のウエハ。 【数１】 ｒ＝内接円の半径 Ｒ＝ウエハの半径 ａ＝オリエンテーションフラットの面取りしない部分（フラット部）の長 さの半分。 ｂ＝オリエンテーションフラットの面取り加工前の全長の半分。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22258292A JPH0777187B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22258292A JPH0777187B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ウエハ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131949A Division JPH0624199B2 (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ウエハの加工方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003782A Division JP2892958B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ウェハ |
| JP378195A Division JPH07201692A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ウェハ |
| JP7003783A Division JP2892959B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ウェハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217830A JPH05217830A (ja) | 1993-08-27 |
| JPH0777187B2 true JPH0777187B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16784731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22258292A Expired - Lifetime JPH0777187B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777187B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121312A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハ |
| JP6071611B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-02-01 | Ｍｉｐｏｘ株式会社 | オリエンテーションフラット等切り欠き部を有する、結晶材料から成るウエハの周縁を、研磨テープを使用して研磨することにより円形ウエハを製造する方法 |
| CN106605289B (zh) * | 2014-09-08 | 2020-01-21 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法 |
| CN114150286A (zh) * | 2021-08-18 | 2022-03-08 | 重庆佳禾光电科技有限公司 | 一种镀膜监控片及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351591A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-11 | Hitachi Ltd | Method of removing sharpened portions from the peripheral corners of a plate |
| JPS53111277A (en) * | 1977-12-21 | 1978-09-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer and its fabricating method |
| JPS55121643A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Toshiba Corp | Fabricating method of semiconductor element |
| JPS5613728A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nagano Denshi Kogyo Kk | Grinding method for semiconductor wafer |
| JPS5823430A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ウエハ−ス |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22258292A patent/JPH0777187B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217830A (ja) | 1993-08-27 |
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