JP3516203B2 - 化合物半導体ウェハ - Google Patents
化合物半導体ウェハInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体ウェ
ハの面取技術に関し、特にウェハを搬送する際、衝撃に
よりウェハが破損するのを有効に防止する技術に関す
る。
ハの面取技術に関し、特にウェハを搬送する際、衝撃に
よりウェハが破損するのを有効に防止する技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体ウェハはＰＦＡ（ペルフル
オロアルコキシフッ素樹脂）製やポリプロピレン製のウ
ェハ用キャリヤのポケット状の収納部に収納されて複数
枚同時に搬送される。そして、搬送する際の上下動や振
動により、収納部のガイド等にウェハ周縁部が何回も接
触し局所的な衝撃を受けるため、その部分から微小な亀
裂が生じ、やがて突然劈開が生じてウェハが破損するこ
とが多かった。そこで、ウェハ周縁部に加わる応力の集
中を避け破損を低減するために周縁部を面取りする技術
が提案され、これによりウェハの耐衝撃性を向上させウ
ェハ周縁部からの破損は減少してきた。さらに、ウェハ
の面取部分を鏡面研磨（エッジポリシング）することに
より、ウェハ周縁部からの破損を効果的に防止できるこ
とが一般的に知られている。
オロアルコキシフッ素樹脂）製やポリプロピレン製のウ
ェハ用キャリヤのポケット状の収納部に収納されて複数
枚同時に搬送される。そして、搬送する際の上下動や振
動により、収納部のガイド等にウェハ周縁部が何回も接
触し局所的な衝撃を受けるため、その部分から微小な亀
裂が生じ、やがて突然劈開が生じてウェハが破損するこ
とが多かった。そこで、ウェハ周縁部に加わる応力の集
中を避け破損を低減するために周縁部を面取りする技術
が提案され、これによりウェハの耐衝撃性を向上させウ
ェハ周縁部からの破損は減少してきた。さらに、ウェハ
の面取部分を鏡面研磨（エッジポリシング）することに
より、ウェハ周縁部からの破損を効果的に防止できるこ
とが一般的に知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たエッジポリシングは、面取されたウェハの表面を細か
い粒径の研磨剤を含んだ研磨液を使って機械研磨（ラッ
ピング）した後に、チャック等の固定部材でウェハの両
面または片面を保持して面取部分を研磨布（ポリシング
パッド）・研磨テープ等にウェハを長時間回転させなが
ら擦りつけることによって行われるため、ＩｎＰ等の化
合物半導体のように極めて脆い材質のウェハにおいては
ウェハの表裏面に新たに加工変質層が形成されてウェハ
が割れやすくなる等の問題がある。そこで、その加工変
質層を除去しなければならないが、後工程で表面を研磨
する量が増え研磨時間が長くなるとともに、加工変質層
を研磨する際の摩滅量を考慮してインゴットから厚めに
ウェハを切り出さなければならないため、１つのインゴ
ットから取得できるウェハ枚数が減少してしまい、手間
がかかるだけでなくウェハ収率が悪くなりウェハ単価が
高騰化するという問題がある。
たエッジポリシングは、面取されたウェハの表面を細か
い粒径の研磨剤を含んだ研磨液を使って機械研磨（ラッ
ピング）した後に、チャック等の固定部材でウェハの両
面または片面を保持して面取部分を研磨布（ポリシング
パッド）・研磨テープ等にウェハを長時間回転させなが
ら擦りつけることによって行われるため、ＩｎＰ等の化
合物半導体のように極めて脆い材質のウェハにおいては
ウェハの表裏面に新たに加工変質層が形成されてウェハ
が割れやすくなる等の問題がある。そこで、その加工変
質層を除去しなければならないが、後工程で表面を研磨
する量が増え研磨時間が長くなるとともに、加工変質層
を研磨する際の摩滅量を考慮してインゴットから厚めに
ウェハを切り出さなければならないため、１つのインゴ
ットから取得できるウェハ枚数が減少してしまい、手間
がかかるだけでなくウェハ収率が悪くなりウェハ単価が
高騰化するという問題がある。
【０００４】シリコンウェハのように比較的丈夫なウェ
ハの場合にはエッジポリッシングを施してもウェハ表面
に加工変質層が深く形成されないので、これによりウェ
ハ破損を有効に防止することができるが、化合物半導体
ウェハのように脆いウェハの場合にはエッジポリッシン
グにより加工変質層が深く形成され上記のような問題が
生じるため、エッジポリッシングはほとんど採用されて
いないのが現状である。
ハの場合にはエッジポリッシングを施してもウェハ表面
に加工変質層が深く形成されないので、これによりウェ
ハ破損を有効に防止することができるが、化合物半導体
ウェハのように脆いウェハの場合にはエッジポリッシン
グにより加工変質層が深く形成され上記のような問題が
生じるため、エッジポリッシングはほとんど採用されて
いないのが現状である。
【０００５】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたもので、前記のようにエッジポリシングの適用が
不向きなウェハについて、ウェハ周縁部からの破損を有
効に防止できるようにした化合物半導体ウェハを提供す
ることを目的とする。
されたもので、前記のようにエッジポリシングの適用が
不向きなウェハについて、ウェハ周縁部からの破損を有
効に防止できるようにした化合物半導体ウェハを提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために、まずIII−Ｖ族化合物半導体の一種で
あるＩｎＰウェハについて、ウェハ破損の原因を究明す
べく鋭意研究を行った。その結果、ＩｎＰウェハ等を搬
送する際に発生する破損は、面取部分とウェハ裏面との
境界で発生しやすく、その破損面は劈開面となっている
ことが判明した。
達成するために、まずIII−Ｖ族化合物半導体の一種で
あるＩｎＰウェハについて、ウェハ破損の原因を究明す
べく鋭意研究を行った。その結果、ＩｎＰウェハ等を搬
送する際に発生する破損は、面取部分とウェハ裏面との
境界で発生しやすく、その破損面は劈開面となっている
ことが判明した。
【０００７】一方、ＩｎＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体
ウェハにおいて、円形ウェハから矩形ウェハを切り出す
方法の一つとして、ダイシングソー等の切削装置を用い
ず、結晶の劈開性を利用して、円形ウェハの周縁部分に
小さな傷を付けてこの部分に適度な衝撃を与えることに
より劈開を生じさせる切断法がある。このように、Ｉｎ
Ｐ等の化合物半導体ウェハにおいては、傷に衝撃を与え
ると劈開が起こるという物性があることから、本発明者
は破損面が劈開面となっているのは面取されたウェハ外
周部に微小な傷状の欠陥があり、そこに衝撃が加わるか
らではないかと推論した。上記推論に基づきウェハ裏面
と面取部分に着目してさらに研究を重ねた結果、ウェハ
裏面と面取部分との平均表面粗さが若干異なっている場
合、その異なり具合によってウェハの破損率が変化する
ことを見出した。さらに検討を加えた結果、ウェハ裏面
の表面粗さより面取部分の表面粗さの方が一定値以上粗
くなると搬送等の衝撃で劈開を起こして破損しやすくな
ることが判明し、本発明に至った。
ウェハにおいて、円形ウェハから矩形ウェハを切り出す
方法の一つとして、ダイシングソー等の切削装置を用い
ず、結晶の劈開性を利用して、円形ウェハの周縁部分に
小さな傷を付けてこの部分に適度な衝撃を与えることに
より劈開を生じさせる切断法がある。このように、Ｉｎ
Ｐ等の化合物半導体ウェハにおいては、傷に衝撃を与え
ると劈開が起こるという物性があることから、本発明者
は破損面が劈開面となっているのは面取されたウェハ外
周部に微小な傷状の欠陥があり、そこに衝撃が加わるか
らではないかと推論した。上記推論に基づきウェハ裏面
と面取部分に着目してさらに研究を重ねた結果、ウェハ
裏面と面取部分との平均表面粗さが若干異なっている場
合、その異なり具合によってウェハの破損率が変化する
ことを見出した。さらに検討を加えた結果、ウェハ裏面
の表面粗さより面取部分の表面粗さの方が一定値以上粗
くなると搬送等の衝撃で劈開を起こして破損しやすくな
ることが判明し、本発明に至った。
【０００８】すなわち、化合物半導体ウェハの外周縁部
の面取部分に関し、ウェハ裏面とウェハ面取部分表面が
共に非鏡面で、かつ、 （面取部分の平均表面粗さ）−（ウェハ裏面の平均表面粗さ）≦５μｍ…条件 式（１） となるようにウェハ裏面および面取部分をそれぞれ加工
するようにした。
の面取部分に関し、ウェハ裏面とウェハ面取部分表面が
共に非鏡面で、かつ、 （面取部分の平均表面粗さ）−（ウェハ裏面の平均表面粗さ）≦５μｍ…条件 式（１） となるようにウェハ裏面および面取部分をそれぞれ加工
するようにした。
【０００９】また、望ましくは、上記面取部分の平均表
面粗さは、面取部分のうちウェハ端面中央稜線からウェ
ハ裏面にわたる部分の平均表面粗さとする。すなわち、 （面取中央からウェハ裏面にわたる部分の平均表面粗さ）−（ウェハ裏面の平 均表面粗さ）≦５μｍ…条件式（２） となるようにウェハ裏面および面取部分を加工するとよ
い。
面粗さは、面取部分のうちウェハ端面中央稜線からウェ
ハ裏面にわたる部分の平均表面粗さとする。すなわち、 （面取中央からウェハ裏面にわたる部分の平均表面粗さ）−（ウェハ裏面の平 均表面粗さ）≦５μｍ…条件式（２） となるようにウェハ裏面および面取部分を加工するとよ
い。
【００１０】ここで、図１の面取加工を施したウェハＷ
の概略断面図を用いて、上記条件式の各部分を具体的に
示す。図１の符合１は上記条件式（１）における「面取
部分」で、２は上記条件式（２）における「面取中央か
らウェハ裏面にわたる部分」で、３は上記条件式（１）
（２）における「ウェハ裏面部分」である。
の概略断面図を用いて、上記条件式の各部分を具体的に
示す。図１の符合１は上記条件式（１）における「面取
部分」で、２は上記条件式（２）における「面取中央か
らウェハ裏面にわたる部分」で、３は上記条件式（１）
（２）における「ウェハ裏面部分」である。
【００１１】これにより、化合物半導体のように脆い材
質のウェハであっても、比較的容易にウェハの耐衝撃性
を向上することができ、搬送等のハンドリングによりウ
ェハが破損するのを抑制できる。
質のウェハであっても、比較的容易にウェハの耐衝撃性
を向上することができ、搬送等のハンドリングによりウ
ェハが破損するのを抑制できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施例）以下に本発明の好適な
実施例を図面に基づいて具体的に説明する。
実施例を図面に基づいて具体的に説明する。
【００１３】本実施例に係る半導体ウェハは、直径５
０．８ｍｍ（２インチ）、厚さ３５０±１０μｍのＩｎ
Ｐウェハに、東京精密社製の面取加工機（Ｗ２０００
Ｍ）を用いて所望の面取研削を施し、前出の図１のよう
にウェハ周縁部が曲面になるようにし、その後、所定の
エッチングおよび研磨を施し片面研磨品としたものであ
る。
０．８ｍｍ（２インチ）、厚さ３５０±１０μｍのＩｎ
Ｐウェハに、東京精密社製の面取加工機（Ｗ２０００
Ｍ）を用いて所望の面取研削を施し、前出の図１のよう
にウェハ周縁部が曲面になるようにし、その後、所定の
エッチングおよび研磨を施し片面研磨品としたものであ
る。
【００１４】図２は、面取加工機を用いた面取加工を示
す概略図で、（ａ）が上面図、（ｂ）が側面図である。
面取加工機には、円形の面取砥石２０が備えられてお
り、該面取砥石の断面には円周に沿って溝２５が形成さ
れている。
す概略図で、（ａ）が上面図、（ｂ）が側面図である。
面取加工機には、円形の面取砥石２０が備えられてお
り、該面取砥石の断面には円周に沿って溝２５が形成さ
れている。
【００１５】まず、インゴットから切り出されたウェハ
Ｗを、真空チャック２２を用いて片面吸着により保持
し、粒度＃１５００のダイヤモンド砥粒２１を電着させ
た砥石２０を回転数３６００r.p.m.で回転させ、該砥石
２０の断面溝部２５の傾斜面２０ａにウェハ周縁部の上
側Ｗａを擦りつけて研削し、次に傾斜面２０ｂにウェハ
周縁部の下側Ｗｂを擦りつけて面取研削を行った。
Ｗを、真空チャック２２を用いて片面吸着により保持
し、粒度＃１５００のダイヤモンド砥粒２１を電着させ
た砥石２０を回転数３６００r.p.m.で回転させ、該砥石
２０の断面溝部２５の傾斜面２０ａにウェハ周縁部の上
側Ｗａを擦りつけて研削し、次に傾斜面２０ｂにウェハ
周縁部の下側Ｗｂを擦りつけて面取研削を行った。
【００１６】このとき、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equi
pment and Materials Incorporation）規格Ｍ５−８３
に記載されるシリコン用の面取研削テンプレートを参考
にして作成したテンプレートＴ（図３参照）に基づいて
ＩｎＰウェハに面取加工を施した。
pment and Materials Incorporation）規格Ｍ５−８３
に記載されるシリコン用の面取研削テンプレートを参考
にして作成したテンプレートＴ（図３参照）に基づいて
ＩｎＰウェハに面取加工を施した。
【００１７】図３のテンプレートＴは、厚さ３５０μｍ
用のテンプレートで、ＯＡ＝７６μｍ、ＯＢ＝３８１μ
ｍ、ＢＣ＝２５μｍ、ＯＥ＝７６μｍ、ＤＦ＝５０μ
ｍ、ＯＦ＝１１７μｍである。このテンプレートＴとウ
ェハの面取部断面の輪郭を比較して、面取部断面の輪郭
が図３の斜線領域Ｒに入るように面取した。実際には、
このテンプレートＴ上に面取されたウェハＷの断面を投
射し、ウェハの断面の表面部分がｘ軸に一致するよう
に、かつ、面取部分の最外部がｙ軸と接するようにウェ
ハＷの位置を調整して、面取部断面の輪郭が斜線部領域
Ｒにあるかどうか検査した。
用のテンプレートで、ＯＡ＝７６μｍ、ＯＢ＝３８１μ
ｍ、ＢＣ＝２５μｍ、ＯＥ＝７６μｍ、ＤＦ＝５０μ
ｍ、ＯＦ＝１１７μｍである。このテンプレートＴとウ
ェハの面取部断面の輪郭を比較して、面取部断面の輪郭
が図３の斜線領域Ｒに入るように面取した。実際には、
このテンプレートＴ上に面取されたウェハＷの断面を投
射し、ウェハの断面の表面部分がｘ軸に一致するよう
に、かつ、面取部分の最外部がｙ軸と接するようにウェ
ハＷの位置を調整して、面取部断面の輪郭が斜線部領域
Ｒにあるかどうか検査した。
【００１８】次に、上述のように所定の面取研削を施し
たウェハは加工変質層が形成され大きく反っているの
で、この反りをなくすためにエッチング処理により上記
加工変質層を除去した。その後、ガラス等の研磨定盤に
例えばシリカや酸化セリウム等を拡散した液体研磨剤を
供給しながら粗研磨（ラッピング）を行い、ウェハ表面
を切り出し時のソーマークのない均質な粗面にした。次
にラッピングで生じた加工変質層や表面にめり込んだ研
磨砥粒を除去するために再度エッチングを行った。
たウェハは加工変質層が形成され大きく反っているの
で、この反りをなくすためにエッチング処理により上記
加工変質層を除去した。その後、ガラス等の研磨定盤に
例えばシリカや酸化セリウム等を拡散した液体研磨剤を
供給しながら粗研磨（ラッピング）を行い、ウェハ表面
を切り出し時のソーマークのない均質な粗面にした。次
にラッピングで生じた加工変質層や表面にめり込んだ研
磨砥粒を除去するために再度エッチングを行った。
【００１９】その後、精密加工（ポリシング）とエッチ
ングを交互に繰り返し、最後に仕上げ洗浄をして所望の
半導体ウェハ、すなわちウェハ裏面の表面粗さと面取部
分の表面粗さとの差が５μｍ以内である半導体ウェハを
得た。
ングを交互に繰り返し、最後に仕上げ洗浄をして所望の
半導体ウェハ、すなわちウェハ裏面の表面粗さと面取部
分の表面粗さとの差が５μｍ以内である半導体ウェハを
得た。
【００２０】なお、本実施例の製造方法によれば、面取
加工の直後に加工変質層を除去するためのエッチング処
理を行うとともに、その後エッジポリッシングを行わな
いので新たに加工変質層が形成されることもないため、
従来と同等の工程で良質の半導体ウェハを製造すること
ができる。
加工の直後に加工変質層を除去するためのエッチング処
理を行うとともに、その後エッジポリッシングを行わな
いので新たに加工変質層が形成されることもないため、
従来と同等の工程で良質の半導体ウェハを製造すること
ができる。
【００２１】次に、本実施例に係る半導体ウェハを用い
て耐衝撃性試験を行った結果について説明する。
て耐衝撃性試験を行った結果について説明する。
【００２２】上述のように所定の面取加工および研磨を
行って、表側が鏡面、裏側が粗面の２５枚の所望のウェ
ハ群を得た。
行って、表側が鏡面、裏側が粗面の２５枚の所望のウェ
ハ群を得た。
【００２３】得られた２５枚のウェハについて、ウェハ
の裏面と面取部分の表面粗さを触針ゲージで測定した結
果を表１に示す。
の裏面と面取部分の表面粗さを触針ゲージで測定した結
果を表１に示す。
【００２４】また、このときの測定位置を図４に示す。
図４に示した裏面中心ｏと裏面中心ｏを通る十字上の点
で中心ｏからの距離が等しい４点ａ，ｂ，ｃ，ｄで測定
したＲｍａｘの平均値を裏面の平均表面粗さとし、面取
中央部から裏面にわたる部分２と前記中心ｏを通る十字
が交差する４点ｅ，ｆ，ｇ，ｈで測定したＲｍａｘの平
均値を面取部分の表面粗さとした。ここで、Ｒｍａｘは
各測定点を中心に５０μｍにわたり測定したときの｜最
大山高さ｜＋｜最大谷深さ｜で表される。
図４に示した裏面中心ｏと裏面中心ｏを通る十字上の点
で中心ｏからの距離が等しい４点ａ，ｂ，ｃ，ｄで測定
したＲｍａｘの平均値を裏面の平均表面粗さとし、面取
中央部から裏面にわたる部分２と前記中心ｏを通る十字
が交差する４点ｅ，ｆ，ｇ，ｈで測定したＲｍａｘの平
均値を面取部分の表面粗さとした。ここで、Ｒｍａｘは
各測定点を中心に５０μｍにわたり測定したときの｜最
大山高さ｜＋｜最大谷深さ｜で表される。
【００２５】なお、本実施例では上述の測定個所でＲ
ｍａｘを測定してその平均をもって表面粗さとしたが、
測定個所は上述した点に制限されず、上記測定点ａ〜ｈ
は厳密に中心ｏを通る十字上の点でなく、その近辺の点
であってもよいことはいうまでもない。また、面取部分
の表面粗さは、面取中央部からウェハの表側の面にわた
る部分で測定してもよい。さらに測定点を増加してもよ
いが、少なくとも上述した点を測定個所に含めることが
望ましい。
ｍａｘを測定してその平均をもって表面粗さとしたが、
測定個所は上述した点に制限されず、上記測定点ａ〜ｈ
は厳密に中心ｏを通る十字上の点でなく、その近辺の点
であってもよいことはいうまでもない。また、面取部分
の表面粗さは、面取中央部からウェハの表側の面にわた
る部分で測定してもよい。さらに測定点を増加してもよ
いが、少なくとも上述した点を測定個所に含めることが
望ましい。
【００２６】
【表１】
【００２７】（面取部分の平均表面粗さ）−（裏面の平
均表面粗さ）は４．１〜４．４μｍの範囲にあり、５μ
ｍ以下にすることができた。
均表面粗さ）は４．１〜４．４μｍの範囲にあり、５μ
ｍ以下にすることができた。
【００２８】これらの２５枚のウェハを試験用試料とし
て耐衝撃性試験を行った。耐衝撃性試験には、図５に示
すＰＦＡ製のウェハ用キャリヤＷＣを使用した。まず、
上記ウェハＷをウェハ用キャリヤＷＣのポケット状の収
納部１１に装填した。次に、同じ形状の空のウェハ用キ
ャリヤを前記ウェハを装填したキャリヤＷＣの上部に反
転した状態で被せ、各キャリヤ上部にある凹凸部１２を
合わせて各々のキャリヤ同士を組み付けた。次に、一組
になったキャリヤセットをそのまま上下反転して、ウェ
ハを他方のキャリヤに移動させた。このウェハを移動さ
せる動作をキャリヤに装填されたウェハが割れるまで繰
り返し行った結果、１３８７回移動させたところで２５
枚中１枚破損した。
て耐衝撃性試験を行った。耐衝撃性試験には、図５に示
すＰＦＡ製のウェハ用キャリヤＷＣを使用した。まず、
上記ウェハＷをウェハ用キャリヤＷＣのポケット状の収
納部１１に装填した。次に、同じ形状の空のウェハ用キ
ャリヤを前記ウェハを装填したキャリヤＷＣの上部に反
転した状態で被せ、各キャリヤ上部にある凹凸部１２を
合わせて各々のキャリヤ同士を組み付けた。次に、一組
になったキャリヤセットをそのまま上下反転して、ウェ
ハを他方のキャリヤに移動させた。このウェハを移動さ
せる動作をキャリヤに装填されたウェハが割れるまで繰
り返し行った結果、１３８７回移動させたところで２５
枚中１枚破損した。
【００２９】（比較例１）比較例１では、ウェハ裏面の
表面粗さと面取部分の表面粗さとの差を６μｍ前後とす
るため、上記面取加工機に粒度＃１０００のダイヤモン
ド電着砥石を装着して、砥石回転数２５００r.p.m.で面
取研削を行った。その後、臭素・メタノール系のエッチ
ング液でエッチング処理し、さらに所定の研磨を行っ
て、表側が鏡面、裏側が粗研磨面に加工して２５枚の所
望のウェハ群を得た。
表面粗さと面取部分の表面粗さとの差を６μｍ前後とす
るため、上記面取加工機に粒度＃１０００のダイヤモン
ド電着砥石を装着して、砥石回転数２５００r.p.m.で面
取研削を行った。その後、臭素・メタノール系のエッチ
ング液でエッチング処理し、さらに所定の研磨を行っ
て、表側が鏡面、裏側が粗研磨面に加工して２５枚の所
望のウェハ群を得た。
【００３０】得られた２５枚のウェハについて、上記実
施例と同様にウェハの裏面と面取部分の表面粗さを測定
した結果を表２に示す。
施例と同様にウェハの裏面と面取部分の表面粗さを測定
した結果を表２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】これら２５枚のウェハを試験用試料として
上記実施例と同様に耐衝撃性試験を行った結果、８８３
回移動させたところで２５枚中１枚破損した。
上記実施例と同様に耐衝撃性試験を行った結果、８８３
回移動させたところで２５枚中１枚破損した。
【００３３】（比較例２）比較例２では、ウェハ裏面の
表面粗さと面取部分の表面粗さとの差を８μｍ以上とす
るため、上記面取加工機に粒度＃８００のダイヤモンド
電着砥石を装着して、砥石回転数１６００r.p.m.で面取
研削を行った。その後、臭素・メタノール系のエッチン
グ液でエッチング処理し、さらに所定の研磨を行って、
表側が鏡面、裏側が粗研磨面に加工して２５枚の所望の
ウェハ群を得た。
表面粗さと面取部分の表面粗さとの差を８μｍ以上とす
るため、上記面取加工機に粒度＃８００のダイヤモンド
電着砥石を装着して、砥石回転数１６００r.p.m.で面取
研削を行った。その後、臭素・メタノール系のエッチン
グ液でエッチング処理し、さらに所定の研磨を行って、
表側が鏡面、裏側が粗研磨面に加工して２５枚の所望の
ウェハ群を得た。
【００３４】得られた２５枚のウェハについて、上記実
施例と同様にウェハの裏面と面取部分の表面粗さを測定
した結果を表３に示す。
施例と同様にウェハの裏面と面取部分の表面粗さを測定
した結果を表３に示す。
【００３５】
【表３】
【００３６】これら２５枚のウェハを試験用試料として
上記実施例と同様に耐衝撃性試験を行った結果、７８１
回移動させたところで２５枚中２枚破損した。
上記実施例と同様に耐衝撃性試験を行った結果、７８１
回移動させたところで２５枚中２枚破損した。
【００３７】以上の耐衝撃性試験の結果をまとめると表
４のようになった。これより、（裏面の平均表面粗さ）
と（面取部分の平均表面粗さ）の差を小さくするとウェ
ハが破損するまでの移動回数が増加しており、その差を
５μｍ以下にすることにより著しく移動回数が増加し耐
衝撃性が向上していることが判る。すなわち、（裏面の
平均表面粗さ）−（面取部分の平均表面粗さ）を５μｍ
以下とすることにより、ウェハの耐衝撃性を向上するこ
とができ、ウェハ搬送等のハンドリング中にウェハが破
損するのを効果的に抑制することができる。
４のようになった。これより、（裏面の平均表面粗さ）
と（面取部分の平均表面粗さ）の差を小さくするとウェ
ハが破損するまでの移動回数が増加しており、その差を
５μｍ以下にすることにより著しく移動回数が増加し耐
衝撃性が向上していることが判る。すなわち、（裏面の
平均表面粗さ）−（面取部分の平均表面粗さ）を５μｍ
以下とすることにより、ウェハの耐衝撃性を向上するこ
とができ、ウェハ搬送等のハンドリング中にウェハが破
損するのを効果的に抑制することができる。
【００３８】なお、（裏面の表面粗さ）―（面取部分の
表面粗さ）の値は、可能な限り小さい方が望ましい。
表面粗さ）の値は、可能な限り小さい方が望ましい。
【００３９】
【表４】
【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではない。例えば、化合物半導体ウェ
ハは円形のウェハであればＩｎＰウェハに限定されず、
ＧａＡｓやＩｎＳｂなどのIII−Ｖ族化合物半導体ウェ
ハおよびIII−Ｖ族以外の化合物半導体ウェハに対して
も本発明を適用することが可能である。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではない。例えば、化合物半導体ウェ
ハは円形のウェハであればＩｎＰウェハに限定されず、
ＧａＡｓやＩｎＳｂなどのIII−Ｖ族化合物半導体ウェ
ハおよびIII−Ｖ族以外の化合物半導体ウェハに対して
も本発明を適用することが可能である。
【００４１】また、面取部分の形状もＳＥＭＩ規格で推
奨されるテンプレートにしたがった曲面形状のものであ
れば同様の効果が得られることはいうまでもなく、その
他、段構造等のように特別な形状のものであっても面取
部分の表面粗さを制御することで同様の効果を奏するこ
とができる。
奨されるテンプレートにしたがった曲面形状のものであ
れば同様の効果が得られることはいうまでもなく、その
他、段構造等のように特別な形状のものであっても面取
部分の表面粗さを制御することで同様の効果を奏するこ
とができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、化合物半導体のように
脆い材質のウェハであっても、面取部分の表面粗さを制
御することにより、比較的容易にウェハの耐衝撃性を向
上することができ、搬送時等のハンドリングによりウェ
ハが破損することを抑制できるという効果がある。
脆い材質のウェハであっても、面取部分の表面粗さを制
御することにより、比較的容易にウェハの耐衝撃性を向
上することができ、搬送時等のハンドリングによりウェ
ハが破損することを抑制できるという効果がある。
【図１】面取加工を施された半導体ウェハの概略断面図
である。
である。
【図２】面取加工機を用いた面取加工を示す概略図であ
る。
る。
【図３】本実施例に使用した面取加工用のテンプレート
である。
である。
【図４】ウェハ裏面および面取部分の測定位置を示す平
面図である。
面図である。
【図５】ウェハ用キャリヤの斜視図である。
１ 全面取部分
２ 面取部分のうち中央部分からウェハ裏面にわたる部
分 ３ ウェハ裏面
分 ３ ウェハ裏面
Claims (2)
- 【請求項１】 外周縁部に面取加工を施され、かつ、ウ
ェハ裏面とウェハ面取部分表面が共に非鏡面仕上げされ
た半導体ウェハであって、 （面取部分の平均表面粗さ）−（ウェハ裏面の平均表面
粗さ）≦５μｍ となることを特徴とする化合物半導体ウェハ。 - 【請求項２】 上記面取部分の平均表面粗さは、面取部
分のうちウェハ端面中央稜線からウェハ裏面にわたる部
分の平均表面粗さであることを特徴とする請求項１に記
載の化合物半導体ウェハ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31676499A JP3516203B2 (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 化合物半導体ウェハ |
| EP00971815A EP1150339A1 (en) | 1999-11-08 | 2000-11-07 | Compound semiconductor wafer |
| PCT/JP2000/007803 WO2001035450A1 (fr) | 1999-11-08 | 2000-11-07 | Tranche de semi-conducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31676499A JP3516203B2 (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 化合物半導体ウェハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135557A JP2001135557A (ja) | 2001-05-18 |
| JP3516203B2 true JP3516203B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=18080676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31676499A Expired - Lifetime JP3516203B2 (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 化合物半導体ウェハ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1150339A1 (ja) |
| JP (1) | JP3516203B2 (ja) |
| WO (1) | WO2001035450A1 (ja) |
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| JPWO2011083667A1 (ja) * | 2010-01-05 | 2013-05-13 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体ウェハの加工方法及び加工装置 |
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| JP3125228B2 (ja) * | 1990-08-16 | 2001-01-15 | コニカ株式会社 | 塗布方法 |
| JPH05291215A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-05 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハ |
| JP3286020B2 (ja) * | 1993-06-18 | 2002-05-27 | 株式会社東芝 | 単結晶ウェーハの製造方法 |
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-
1999
- 1999-11-08 JP JP31676499A patent/JP3516203B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-07 WO PCT/JP2000/007803 patent/WO2001035450A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-11-07 EP EP00971815A patent/EP1150339A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1150339A1 (en) | 2001-10-31 |
| WO2001035450A1 (fr) | 2001-05-17 |
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