JP2892959B2 - ウェハの加工方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハの加工方法、特
に、ウエハの外形線と切り欠き部との接合部のチッピン
グ等の不良を防止することのできる半導体ウエハの加工
方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、トランジスタ，集積回路（Ｉ
Ｃ）および大規模集積回路（ＬＳＩ）の如き半導体装置
の製造において、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料より
なるウェハに対し、拡散，レジスト塗布，エッチング，
蒸着等の処理を施こす場合、ウェハの表面に微少なゴミ
やチッピング片等の異物が付着すると、ウェハ表面にス
クラッチ傷が付いたり、膜厚の不均一あるいは搬送不良
等の不良発生原因となってしまう。 【０００３】このような異物の発生の原因は種々のもの
があるが、その１つとして、たとえばウェハの搬送時に
ウェハの外周部が何らかの搬送機構と衝突したりあるい
はウェハどうしが接触することによりそのウェハ外周部
自体の一部が欠損を生じることが知られており、その欠
損によるピッチング片は異物としてウェハ表面に付着し
て各種不良を引き起こす。そこで、従来、この種のウェ
ハ外周部の欠損を防止するため、ウェハ外周部の両主表
面を機械的または化学的手段により面取りすることが提
案されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにウェハ外周部の両主表面の面取りを行なうだけでは
ウェハのチッピングを未だ完全に防止することができな
い。 【０００５】そこで、本発明者等がそのようなチッピン
グの原因追及のために鋭意研究を重ねた結果、次のよう
な重大な事実が判明した。すなわち、ウェハには一般に
その結晶軸方向を示しかつ位置決めを行なうために一部
を直線状に切り取って、オリエンテーションフラット
（主フラット）と呼ばれるフラット部を形成することが
行なわれる。ところが、このようなフラット部の形成に
より、該フラット部とウェハの外形線との接合部に鋭角
的屈曲部が形成されてしまう。その結果、この接合部が
チッピングを起こし易く、ウェハの搬送時に該接合部が
エアベアリングのガイドに衝突したり、他のウェハと接
触したりすることにより、該接合部が欠損してチッピン
グ片を生じることになるものである。 【０００６】又、ウエハの位置決め用として、上記のよ
うに直線状に切り取る以外に、ウエハの一部に曲線状の
切欠き部を設ける場合も、ウエハの外形線と該切り欠き
部との接合部に鋭角的屈曲部が形成され、上記と同様な
問題が発生する。 【０００７】特に、本発明は、ウエハの外形部に曲線状
の切り欠き部が存在するように加工される半導体ウエハ
の加工方法を対象とするもので有り、したがって、本発
明の目的は、ウエハ外形部と曲線状の切り欠き部との接
合部のチッピング及びウエハ外形部のチッピングによる
異物の発生およびその他の各種不良の発生を防止するこ
とのできる半導体ウエハの加工方法を提供することにあ
る。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 【０００９】すなわち、砥石を用いて、半導体ウエハの
外形部の主面及び裏面を厚さ方向に面取り加工し、かつ
前記ウエハの外形部と前記曲線状の切り欠き部との接合
部を厚さ方向及び平面方向において面取り加工して、前
記接合部が前記ウエハの主面及び主面に対し平行な面内
において曲線状となるように加工することを特徴とする
半導体ウエハの加工方法とするものである。 【００１０】 【作用】上記した手段によれば、ウエハの外形部と曲線
状の切り欠き部との接合部及びウエハの外形部が面取り
加工されているためそれらに鋭角的角部または屈曲部が
存在せず、上記接合部及び外形部はチッピングを起こさ
ない。従って、チッピングによる異物の発生およびその
他の各種不良の発生を防止することができる。 【００１１】 【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例にしたがっ
て詳細に説明する。 【００１２】図１及び図２は本発明によるウェハの一実
施例を示すもので、図１はその平面図、図２は拡大断面
図である。 【００１３】本実施例のウェハ１はたとえばシリコン
（Ｓｉ）の単結晶をスライスすることにより作られた円
形形状を有し、その一部分は結晶軸の方向を示しかつ各
種処理におけるウェハ１の位置決めを行なうための位置
決め用除去部として主フラットすなわちオリエンテーシ
ョンフラット（Ｏ．Ｆ．）２が直線状に切断形成されて
いる。 【００１４】また、ウェハ１の外周部３は図２からわか
るようにたとえば円弧状に面取りされている。この面取
りによりウェハ外周部の欠損を防ぎ、ウェハ外周部での
チッピングを防止している。 【００１５】さらに、この実施例におけるウェハ１は前
記オリエンテーションフラット２の両端と該ウェハ１の
外形線との接合部４において二点鎖線で示す角部領域を
実線で示す円弧状に面取りされ、この接合部４の角部領
域がウェハ１の各種処理中にチッピングを起こし、欠損
によるチッピング片として異物を発生すること等の不良
を防止するよう構成されている。すなわち、図１の実施
例における接合部４の面取り領域５は二点鎖線とで囲ま
れた領域であり、この面取り領域５の内縁はウェハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２とに内接する共
通内接円の円弧により画定されている。 【００１６】この接合部４の円弧状の面取りを行なう場
合、面取り領域５の好ましい面取り範囲は次のように決
定され、それについて図３に関し詳細に説明する。 【００１７】図３において、ウェハ１の半径はＲであ
り、その中心はＯ1とする。この中心Ｏ1からオリエンテ
ーションフラット２までの距離をｙとし、Ｏ1からオリ
エンテーションフラット２に垂線を下ろすと、その交点
Ｐはオリエンテーションフラット２の中間点であり、該
オリエンテーションフラット２の面取り加工前の全長の
半分すなわち点Ｐから該オリエンテーションフラット２
とウェハ１の外形線との接合部４までの距離はｂとす
る。 【００１８】オリエンテーションフラット２の長さおよ
びウェハ１の厚さとウェハの直径との関係はミラーウェ
ハ（鏡面ウェハ）状態で表１に示すようになることがＳ
ＥＭＩ規格において定められている。 【００１９】 【表１】 【００２０】一方、オリエンテーションフラット２を利
用してウェハ１の位置合せを行なう必要上、オリエンテ
ーションフラット２には正確な位置合せのために最低限
有していなければならないフラット部の長さがあり、そ
の長さの半分をａとすると、長さａは点Ｐから共通内接
円とオリエンテーションフラット２との内接点ｉ1まで
の距離である。符号６は位置合せ用のローラであるが、
位置合せ手段としてはそれ以外に光電変換素子等を用い
てもよい。 【００２１】また、共通内接円とウェハ１の外形線との
内接点はｉ2とすると、共通内接円の中心Ｏ2はウェハ１
の中心Ｏ1と内接点ｉ2を結ぶ直線状にあり、この直線と
直線Ｏ1Ｐとの角度はθで表わされる。 【００２２】したがって、ウェハ１の外形線およびオリ
エンテーションフラット２の両方に内接する共通内接円
の半径ｒは次のようにして求められる。 【００２３】まず、ローラ６による位置合せのために最
低限有していなければならない長さ、すなわちオリエン
テーションフラット２のうち面取り加工されないフラッ
ト部の長さａ（ａ＝Ｐｉ2）は 【００２４】 【数１】 【００２５】次に、ウェハ１の中心Ｏ1からオリエンテ
ーションフラット２への垂直Ｏ1Ｐの長さｙは 【００２６】 【数２】 【００２７】また、直角三角形Ｏ1Ｐ４より、ｙ2＝Ｒ2
−ｂ2であるから、 【００２８】 【数３】 【００２９】（数２）式に（数３）式を代入すると、 【００３０】 【数４】 【００３１】（数１）式より 【００３２】 【数５】 【００３３】ｓｉｎ2θ＋ｃｏｓ2θ＝１より、（数
４），（数５）式から 【００３４】 【数６】 【００３５】（数６）式を整理すると、 【００３６】 【数７】 【００３７】したがって、本実施例においては、ウェハ
１の外形線とオリエンテーションフラット２との接合領
域における面取り領域５は図２に斜線で示すように、
（数７）式の半径ｒの共通内接円の円弧またはそれより
も外側の領域内であれば、どのような半径の円弧に沿っ
て面取り加工してもよい。 【００３８】すなわち、ウェハ１の外形線およびオリエ
ンテーションフラット２の両方との共通内接円の半径ｒ
は次式に示す範囲内であればよく、この半径ｒの範囲内
で円弧状に面取り加工すればよい。 【００３９】 【数８】 【００４０】その結果、本実施例によれば、ウェハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２との接合領域に
は、鋭角的な角部または屈曲部が全く存在しないので、
この接合領域がウェハ１の搬送時にたとえばエアベアリ
ングのガイドに衝突したり、他のウェハと接触したりす
ることにより欠損してチッピング片を発生することを防
止できる。また、このようなチッピング片の発生による
異物不良の他に、搬送時に鋭角的角部がエアベアリング
のガイド等に引っ掛ることによる搬送不良、さらにレジ
スト塗布時に鋭角的角部で気流が乱れることによりレジ
ストの膜厚が部分的にばらつくことによるレジスト膜厚
不良等の不良を著しく低減することができ、大径のウェ
ハにとって特に好適である。 【００４１】図４は本発明によるウェハの他の１つの実
施例を示す平面図である。 【００４２】この実施例においては、ウェハ１の外形線
とオリエンテーションフラット２との接合領域を斜線で
示す面取り領域５の範囲内で直線的に面取り加工する。
この場合、面取り領域５の最大面取り範囲は、図３に関
して前記したように、ウェハ１の外形線およびオリエン
テーションフラット２の両方との共通内接円の内接点ｉ
1とｉ2とを結ぶ直線により画定される。この共通内接円
の半径ｒは前記（数８）式に示すものと同じ範囲内で選
択できる。 【００４３】本実施例の場合にも、ウェハ１の外形線と
オリエンテーションフラット２との接合部４における鋭
角的角部または屈曲部がなくなるので、チッピング片の
発生による異物不良、搬送不良、レジスト膜厚不良等を
大巾に低減できる。 【００４４】なお、本発明による面取り加工は前記実施
例の円弧状または直線状の他、様々な曲線形状または多
角形状等、鋭角的角部をなくすことのできるものであれ
ば、どのような面取り形状にもすることができる。ま
た、本発明は前記した主フラットすなわちオリエンテー
ションフラットの他に、副フラットすなわち第２フラッ
トを設ける場合にも適用できる。すなわち、この場合に
は、図５に示すようにオリエンテーションフラット２の
両端とウェハ１の外形線との接合領域の面取り領域５を
面取り加工すると共に、第２フラット７の両端とウェハ
１の外形線との接合領域も５ａで示す範囲の如く、第２
フラット７およびウェハ１の外形線の両方と内接する共
通内接円の円弧または内接点どうしを結ぶ直線に沿って
あるいはその外側の領域において面取り加工する。 【００４５】さらに、オリエンテーションフラット２お
よび第２フラツト７の如きフラット部以外に、図５に符
号８で例示するように曲線状の位置決め用切欠きをウエ
ハ１に形成する場合にも本発明を適用することができ
る。すなわち、この場合、位置決め用切欠き８の両端と
ウエハ１の外形線との接合領域を、５ｂで示す範囲の如
く、該位置決め用切欠き８およびウエハ１の外形線の両
方に内接する共通内接円の円弧に沿ってあるいはその外
側の領域において面取り加工すればよい。 【００４６】本発明の面取り加工はオリエンテーション
フラット２の形成と同時に行なってもよく、あるいは外
周部３の厚さ方向の面取り加工と同時に行なってもよ
く、このような同時的面取り加工は作業効率的に非常に
良好であるが、別々に面取り加工してもよい。 【００４７】なお、本発明により面取り加工を行なう場
合に用いることのできる装置としては様々なものが考え
られるが、図６〜図８にその一例を示す。 【００４８】図６の面取り装置はいわゆる形状倣い型の
もので、直線溝９を持つ砥石８を回転させながら水平方
向および垂直方向に移動させて面取り加工を行ない、ま
たウェハ１の外周部３の厚さ方向の面取り加工も行なう
ことができる。 【００４９】図７の面取り装置はいわゆる形状転写型の
もので、ウェハ１の外周部３の厚さ方向の面取り形状に
合せた湾曲溝１１を有する砥石１０を回転させながら水
平方向に移動させることにより、ウェハ１の外周部３を
図２に示す如く面取り加工する他、図３〜図５に示す面
取り領域５，５ａ，５ｂも面取り加工することができ
る。 【００５０】このように、図６および図７の面取り装置
は面取り領域５，５ａ，５ｂの面取り加工およびウェハ
１の外周部３の面取り加工のいずれも行なうことができ
るので、これらの機械的面取り加工は別々に行なっても
よいが、同時にに行なうのが効率的である。 【００５１】また、図８の面取り装置は化学的に面取り
加工を行なうもので、多数のウェハ１を回転指持体１２
に挟んでエッチング槽１３内のエッチング液１４中に沈
め、回転指持体１２と共に回転させながらエッチング液
１４でウェハ１の外周部のエッチングを行なう。この場
合には、面取り領域５，５ａ，５ｂのみの面取り加工を
行なうためにはウェハ１の他の外周部をエッチング液１
４に触れないようマスクする必要があるが、面取り領域
５，５ａ，５ｂを予め機械的研削で面取り加工した後、
エッチング液で外周部全体の角部を厚さ方向に化学的に
面取り加工してもよい。図８の場合はウェハ１に対する
機械的衝撃を軽減できる。 【００５２】なお、本発明はシリコン（Ｓｉ）よりなる
ウェハに限らず、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいはガリ
ウム・砒素（ＧａＡｓ），ガリウム・ガーネットの如き
各種化合物半導体材料よりなるウェハにも適用できる。 【００５３】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハの位置決め用切欠き部とウェハの外形部との接合
部及びウェハの外形部には鋭角的角部または屈曲部が存
在しないので、ウェハのチッピングによる異物不良，搬
送不良，レジスト膜厚不良の如き、鋭角的角部または屈
曲部の存在に起因する不良を著しく低減できる。
に、ウエハの外形線と切り欠き部との接合部のチッピン
グ等の不良を防止することのできる半導体ウエハの加工
方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、トランジスタ，集積回路（Ｉ
Ｃ）および大規模集積回路（ＬＳＩ）の如き半導体装置
の製造において、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料より
なるウェハに対し、拡散，レジスト塗布，エッチング，
蒸着等の処理を施こす場合、ウェハの表面に微少なゴミ
やチッピング片等の異物が付着すると、ウェハ表面にス
クラッチ傷が付いたり、膜厚の不均一あるいは搬送不良
等の不良発生原因となってしまう。 【０００３】このような異物の発生の原因は種々のもの
があるが、その１つとして、たとえばウェハの搬送時に
ウェハの外周部が何らかの搬送機構と衝突したりあるい
はウェハどうしが接触することによりそのウェハ外周部
自体の一部が欠損を生じることが知られており、その欠
損によるピッチング片は異物としてウェハ表面に付着し
て各種不良を引き起こす。そこで、従来、この種のウェ
ハ外周部の欠損を防止するため、ウェハ外周部の両主表
面を機械的または化学的手段により面取りすることが提
案されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにウェハ外周部の両主表面の面取りを行なうだけでは
ウェハのチッピングを未だ完全に防止することができな
い。 【０００５】そこで、本発明者等がそのようなチッピン
グの原因追及のために鋭意研究を重ねた結果、次のよう
な重大な事実が判明した。すなわち、ウェハには一般に
その結晶軸方向を示しかつ位置決めを行なうために一部
を直線状に切り取って、オリエンテーションフラット
（主フラット）と呼ばれるフラット部を形成することが
行なわれる。ところが、このようなフラット部の形成に
より、該フラット部とウェハの外形線との接合部に鋭角
的屈曲部が形成されてしまう。その結果、この接合部が
チッピングを起こし易く、ウェハの搬送時に該接合部が
エアベアリングのガイドに衝突したり、他のウェハと接
触したりすることにより、該接合部が欠損してチッピン
グ片を生じることになるものである。 【０００６】又、ウエハの位置決め用として、上記のよ
うに直線状に切り取る以外に、ウエハの一部に曲線状の
切欠き部を設ける場合も、ウエハの外形線と該切り欠き
部との接合部に鋭角的屈曲部が形成され、上記と同様な
問題が発生する。 【０００７】特に、本発明は、ウエハの外形部に曲線状
の切り欠き部が存在するように加工される半導体ウエハ
の加工方法を対象とするもので有り、したがって、本発
明の目的は、ウエハ外形部と曲線状の切り欠き部との接
合部のチッピング及びウエハ外形部のチッピングによる
異物の発生およびその他の各種不良の発生を防止するこ
とのできる半導体ウエハの加工方法を提供することにあ
る。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 【０００９】すなわち、砥石を用いて、半導体ウエハの
外形部の主面及び裏面を厚さ方向に面取り加工し、かつ
前記ウエハの外形部と前記曲線状の切り欠き部との接合
部を厚さ方向及び平面方向において面取り加工して、前
記接合部が前記ウエハの主面及び主面に対し平行な面内
において曲線状となるように加工することを特徴とする
半導体ウエハの加工方法とするものである。 【００１０】 【作用】上記した手段によれば、ウエハの外形部と曲線
状の切り欠き部との接合部及びウエハの外形部が面取り
加工されているためそれらに鋭角的角部または屈曲部が
存在せず、上記接合部及び外形部はチッピングを起こさ
ない。従って、チッピングによる異物の発生およびその
他の各種不良の発生を防止することができる。 【００１１】 【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例にしたがっ
て詳細に説明する。 【００１２】図１及び図２は本発明によるウェハの一実
施例を示すもので、図１はその平面図、図２は拡大断面
図である。 【００１３】本実施例のウェハ１はたとえばシリコン
（Ｓｉ）の単結晶をスライスすることにより作られた円
形形状を有し、その一部分は結晶軸の方向を示しかつ各
種処理におけるウェハ１の位置決めを行なうための位置
決め用除去部として主フラットすなわちオリエンテーシ
ョンフラット（Ｏ．Ｆ．）２が直線状に切断形成されて
いる。 【００１４】また、ウェハ１の外周部３は図２からわか
るようにたとえば円弧状に面取りされている。この面取
りによりウェハ外周部の欠損を防ぎ、ウェハ外周部での
チッピングを防止している。 【００１５】さらに、この実施例におけるウェハ１は前
記オリエンテーションフラット２の両端と該ウェハ１の
外形線との接合部４において二点鎖線で示す角部領域を
実線で示す円弧状に面取りされ、この接合部４の角部領
域がウェハ１の各種処理中にチッピングを起こし、欠損
によるチッピング片として異物を発生すること等の不良
を防止するよう構成されている。すなわち、図１の実施
例における接合部４の面取り領域５は二点鎖線とで囲ま
れた領域であり、この面取り領域５の内縁はウェハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２とに内接する共
通内接円の円弧により画定されている。 【００１６】この接合部４の円弧状の面取りを行なう場
合、面取り領域５の好ましい面取り範囲は次のように決
定され、それについて図３に関し詳細に説明する。 【００１７】図３において、ウェハ１の半径はＲであ
り、その中心はＯ1とする。この中心Ｏ1からオリエンテ
ーションフラット２までの距離をｙとし、Ｏ1からオリ
エンテーションフラット２に垂線を下ろすと、その交点
Ｐはオリエンテーションフラット２の中間点であり、該
オリエンテーションフラット２の面取り加工前の全長の
半分すなわち点Ｐから該オリエンテーションフラット２
とウェハ１の外形線との接合部４までの距離はｂとす
る。 【００１８】オリエンテーションフラット２の長さおよ
びウェハ１の厚さとウェハの直径との関係はミラーウェ
ハ（鏡面ウェハ）状態で表１に示すようになることがＳ
ＥＭＩ規格において定められている。 【００１９】 【表１】 【００２０】一方、オリエンテーションフラット２を利
用してウェハ１の位置合せを行なう必要上、オリエンテ
ーションフラット２には正確な位置合せのために最低限
有していなければならないフラット部の長さがあり、そ
の長さの半分をａとすると、長さａは点Ｐから共通内接
円とオリエンテーションフラット２との内接点ｉ1まで
の距離である。符号６は位置合せ用のローラであるが、
位置合せ手段としてはそれ以外に光電変換素子等を用い
てもよい。 【００２１】また、共通内接円とウェハ１の外形線との
内接点はｉ2とすると、共通内接円の中心Ｏ2はウェハ１
の中心Ｏ1と内接点ｉ2を結ぶ直線状にあり、この直線と
直線Ｏ1Ｐとの角度はθで表わされる。 【００２２】したがって、ウェハ１の外形線およびオリ
エンテーションフラット２の両方に内接する共通内接円
の半径ｒは次のようにして求められる。 【００２３】まず、ローラ６による位置合せのために最
低限有していなければならない長さ、すなわちオリエン
テーションフラット２のうち面取り加工されないフラッ
ト部の長さａ（ａ＝Ｐｉ2）は 【００２４】 【数１】 【００２５】次に、ウェハ１の中心Ｏ1からオリエンテ
ーションフラット２への垂直Ｏ1Ｐの長さｙは 【００２６】 【数２】 【００２７】また、直角三角形Ｏ1Ｐ４より、ｙ2＝Ｒ2
−ｂ2であるから、 【００２８】 【数３】 【００２９】（数２）式に（数３）式を代入すると、 【００３０】 【数４】 【００３１】（数１）式より 【００３２】 【数５】 【００３３】ｓｉｎ2θ＋ｃｏｓ2θ＝１より、（数
４），（数５）式から 【００３４】 【数６】 【００３５】（数６）式を整理すると、 【００３６】 【数７】 【００３７】したがって、本実施例においては、ウェハ
１の外形線とオリエンテーションフラット２との接合領
域における面取り領域５は図２に斜線で示すように、
（数７）式の半径ｒの共通内接円の円弧またはそれより
も外側の領域内であれば、どのような半径の円弧に沿っ
て面取り加工してもよい。 【００３８】すなわち、ウェハ１の外形線およびオリエ
ンテーションフラット２の両方との共通内接円の半径ｒ
は次式に示す範囲内であればよく、この半径ｒの範囲内
で円弧状に面取り加工すればよい。 【００３９】 【数８】 【００４０】その結果、本実施例によれば、ウェハ１の
外形線とオリエンテーションフラット２との接合領域に
は、鋭角的な角部または屈曲部が全く存在しないので、
この接合領域がウェハ１の搬送時にたとえばエアベアリ
ングのガイドに衝突したり、他のウェハと接触したりす
ることにより欠損してチッピング片を発生することを防
止できる。また、このようなチッピング片の発生による
異物不良の他に、搬送時に鋭角的角部がエアベアリング
のガイド等に引っ掛ることによる搬送不良、さらにレジ
スト塗布時に鋭角的角部で気流が乱れることによりレジ
ストの膜厚が部分的にばらつくことによるレジスト膜厚
不良等の不良を著しく低減することができ、大径のウェ
ハにとって特に好適である。 【００４１】図４は本発明によるウェハの他の１つの実
施例を示す平面図である。 【００４２】この実施例においては、ウェハ１の外形線
とオリエンテーションフラット２との接合領域を斜線で
示す面取り領域５の範囲内で直線的に面取り加工する。
この場合、面取り領域５の最大面取り範囲は、図３に関
して前記したように、ウェハ１の外形線およびオリエン
テーションフラット２の両方との共通内接円の内接点ｉ
1とｉ2とを結ぶ直線により画定される。この共通内接円
の半径ｒは前記（数８）式に示すものと同じ範囲内で選
択できる。 【００４３】本実施例の場合にも、ウェハ１の外形線と
オリエンテーションフラット２との接合部４における鋭
角的角部または屈曲部がなくなるので、チッピング片の
発生による異物不良、搬送不良、レジスト膜厚不良等を
大巾に低減できる。 【００４４】なお、本発明による面取り加工は前記実施
例の円弧状または直線状の他、様々な曲線形状または多
角形状等、鋭角的角部をなくすことのできるものであれ
ば、どのような面取り形状にもすることができる。ま
た、本発明は前記した主フラットすなわちオリエンテー
ションフラットの他に、副フラットすなわち第２フラッ
トを設ける場合にも適用できる。すなわち、この場合に
は、図５に示すようにオリエンテーションフラット２の
両端とウェハ１の外形線との接合領域の面取り領域５を
面取り加工すると共に、第２フラット７の両端とウェハ
１の外形線との接合領域も５ａで示す範囲の如く、第２
フラット７およびウェハ１の外形線の両方と内接する共
通内接円の円弧または内接点どうしを結ぶ直線に沿って
あるいはその外側の領域において面取り加工する。 【００４５】さらに、オリエンテーションフラット２お
よび第２フラツト７の如きフラット部以外に、図５に符
号８で例示するように曲線状の位置決め用切欠きをウエ
ハ１に形成する場合にも本発明を適用することができ
る。すなわち、この場合、位置決め用切欠き８の両端と
ウエハ１の外形線との接合領域を、５ｂで示す範囲の如
く、該位置決め用切欠き８およびウエハ１の外形線の両
方に内接する共通内接円の円弧に沿ってあるいはその外
側の領域において面取り加工すればよい。 【００４６】本発明の面取り加工はオリエンテーション
フラット２の形成と同時に行なってもよく、あるいは外
周部３の厚さ方向の面取り加工と同時に行なってもよ
く、このような同時的面取り加工は作業効率的に非常に
良好であるが、別々に面取り加工してもよい。 【００４７】なお、本発明により面取り加工を行なう場
合に用いることのできる装置としては様々なものが考え
られるが、図６〜図８にその一例を示す。 【００４８】図６の面取り装置はいわゆる形状倣い型の
もので、直線溝９を持つ砥石８を回転させながら水平方
向および垂直方向に移動させて面取り加工を行ない、ま
たウェハ１の外周部３の厚さ方向の面取り加工も行なう
ことができる。 【００４９】図７の面取り装置はいわゆる形状転写型の
もので、ウェハ１の外周部３の厚さ方向の面取り形状に
合せた湾曲溝１１を有する砥石１０を回転させながら水
平方向に移動させることにより、ウェハ１の外周部３を
図２に示す如く面取り加工する他、図３〜図５に示す面
取り領域５，５ａ，５ｂも面取り加工することができ
る。 【００５０】このように、図６および図７の面取り装置
は面取り領域５，５ａ，５ｂの面取り加工およびウェハ
１の外周部３の面取り加工のいずれも行なうことができ
るので、これらの機械的面取り加工は別々に行なっても
よいが、同時にに行なうのが効率的である。 【００５１】また、図８の面取り装置は化学的に面取り
加工を行なうもので、多数のウェハ１を回転指持体１２
に挟んでエッチング槽１３内のエッチング液１４中に沈
め、回転指持体１２と共に回転させながらエッチング液
１４でウェハ１の外周部のエッチングを行なう。この場
合には、面取り領域５，５ａ，５ｂのみの面取り加工を
行なうためにはウェハ１の他の外周部をエッチング液１
４に触れないようマスクする必要があるが、面取り領域
５，５ａ，５ｂを予め機械的研削で面取り加工した後、
エッチング液で外周部全体の角部を厚さ方向に化学的に
面取り加工してもよい。図８の場合はウェハ１に対する
機械的衝撃を軽減できる。 【００５２】なお、本発明はシリコン（Ｓｉ）よりなる
ウェハに限らず、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいはガリ
ウム・砒素（ＧａＡｓ），ガリウム・ガーネットの如き
各種化合物半導体材料よりなるウェハにも適用できる。 【００５３】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハの位置決め用切欠き部とウェハの外形部との接合
部及びウェハの外形部には鋭角的角部または屈曲部が存
在しないので、ウェハのチッピングによる異物不良，搬
送不良，レジスト膜厚不良の如き、鋭角的角部または屈
曲部の存在に起因する不良を著しく低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるウェハの一実施例の平面図。
【図２】図１のウェハの拡大断面図。
【図３】図１のウェハにおける面取り領域の決定につい
て説明するための平面図。 【図４】本発明によるウェハの他の１つの実施例の平面
図。 【図５】本発明のさらに他の実施例を示す平面図。 【図６】本発明によるウェハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。 【図７】本発明によるウェハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。 【図８】本発明によるウェハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。 【符号の説明】 １…ウェハ、２…オリエンテーションフラット、３…外
周部、４…面取り加工前のウェハの外形線とオリエンテ
ーションフラットとの接合部、５，５ａ，５ｂ…面取り
領域、６…位置決め用のローラ、７…第２フラット、８
…位置決め用切欠き。
て説明するための平面図。 【図４】本発明によるウェハの他の１つの実施例の平面
図。 【図５】本発明のさらに他の実施例を示す平面図。 【図６】本発明によるウェハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。 【図７】本発明によるウェハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。 【図８】本発明によるウェハの加工方法を実施するため
に使用できる面取り装置の例を示す図。 【符号の説明】 １…ウェハ、２…オリエンテーションフラット、３…外
周部、４…面取り加工前のウェハの外形線とオリエンテ
ーションフラットとの接合部、５，５ａ，５ｂ…面取り
領域、６…位置決め用のローラ、７…第２フラット、８
…位置決め用切欠き。
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フロントページの続き
(72)発明者 小森谷 進
東京都小平市上水本町1450番地 株式会
社日立製作所武蔵工場内
(72)発明者 江頭 悦郎
山梨県中巨摩郡竜王町西八幡（無番地)
株式会社日立製作所武蔵工場甲府分工場
内
(56)参考文献 特開 昭58−23430（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−111277（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−13728（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．半導体ウエハの外形部に曲線状の切り欠き部が存在
するように加工される半導体ウエハの加工方法であっ
て、砥石を用いて半導体ウエハの外形部の主面及び裏面
を厚さ方向に面取り加工し、かつ前記ウエハの外形部と
前記曲線状の切り欠き部との接合部を厚さ方向及び平面
方向において面取り加工して、前記接合部が前記ウエハ
の主面及び主面に対し平行な面内において曲線状となる
ように加工することを特徴とする半導体ウエハの加工方
法。 ２．前記ウエハの外形部と前記曲線状の切り欠き部との
接合部の面取り加工は、前記ウエハの外形部および前記
曲線状の切り欠き部の内接円に沿ってまたはそれよりも
外側の領域において曲線状に行なうことを特徴とする請
求項１記載の半導体ウエハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003783A JP2892959B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ウェハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003783A JP2892959B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ウェハの加工方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22258292A Division JPH0777187B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ウエハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211603A JPH07211603A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2892959B2 true JP2892959B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=11566793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003783A Expired - Lifetime JP2892959B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ウェハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892959B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004078639A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Tosoh Corporation | 微小流路構造体、及び金型 |
| JP2006203071A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体単結晶基板 |
| CN100440429C (zh) * | 2005-09-28 | 2008-12-03 | 日立电线株式会社 | 半导体外延晶片及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823430A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ウエハ−ス |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP7003783A patent/JP2892959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07211603A (ja) | 1995-08-11 |
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