JPH0767345A - 高周波インバータ - Google Patents
高周波インバータInfo
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- JPH0767345A JPH0767345A JP5206236A JP20623693A JPH0767345A JP H0767345 A JPH0767345 A JP H0767345A JP 5206236 A JP5206236 A JP 5206236A JP 20623693 A JP20623693 A JP 20623693A JP H0767345 A JPH0767345 A JP H0767345A
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- JP
- Japan
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- switching element
- resonance
- power switching
- inductor
- frequency inverter
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 共振用コンデンサを必要としない、パワース
イッチング素子に課せられる責務の小さい、小形の高周
波インバータを提供することを目的としている。 【構成】 制御回路8がパワースイッチング素子7を駆
動して、線間容量5aを有する共振用インダクタ5自身
の線間容量を利用して、零電圧スイッチングを行うこと
によって、小形の高周波インバータを実現するものであ
る。
イッチング素子に課せられる責務の小さい、小形の高周
波インバータを提供することを目的としている。 【構成】 制御回路8がパワースイッチング素子7を駆
動して、線間容量5aを有する共振用インダクタ5自身
の線間容量を利用して、零電圧スイッチングを行うこと
によって、小形の高周波インバータを実現するものであ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波インバータに関す
るものである。
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の高周波インバータは、図7に示し
ているような構成となっている。つまり、パワースイッ
チング素子41と共振用インダクタ42と共振用コンデ
ンサ43と、前記パワースイッチング素子41のオンオ
フを制御する制御回路49から構成しているものであ
る。
ているような構成となっている。つまり、パワースイッ
チング素子41と共振用インダクタ42と共振用コンデ
ンサ43と、前記パワースイッチング素子41のオンオ
フを制御する制御回路49から構成しているものであ
る。
【0003】図8は図7の従来例の動作を説明する動作
波形図である。vswはパワースイッチング素子41の電
圧、iswはパワースイッチング素子41の電流、swは
パワースイッチング素子41のオンオフの状態を表して
いる。図7に示した構成の高周波インバータは、共振用
インダクタ42と共振用コンデンサ43の共振によって
パワースイッチング素子41の電圧vswの零点でオン・
オフの遷移が行われる零電圧スイッチング動作を行って
いるものである。この零電圧スイッチングによってパワ
ースイッチング素子41として、責務の小さい動作を実
現している。
波形図である。vswはパワースイッチング素子41の電
圧、iswはパワースイッチング素子41の電流、swは
パワースイッチング素子41のオンオフの状態を表して
いる。図7に示した構成の高周波インバータは、共振用
インダクタ42と共振用コンデンサ43の共振によって
パワースイッチング素子41の電圧vswの零点でオン・
オフの遷移が行われる零電圧スイッチング動作を行って
いるものである。この零電圧スイッチングによってパワ
ースイッチング素子41として、責務の小さい動作を実
現している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の高周
波インバータにおける共振用コンデンサ43は、電力伝
達にとっては直接必要なものではなく、またコストも高
く、占有するスペースも大きいものである。また、共振
用コンデンサ43と共振用インダクタ42とパワースイ
ッチング素子41間の各配線は、インダクタンス成分を
有している。従って高周波インバータが高周波域で動作
すると、このインダクタンス成分によってスパイク電圧
が発生して、パワースイッチング素子41に大きな責務
がかかるものとなっている。
波インバータにおける共振用コンデンサ43は、電力伝
達にとっては直接必要なものではなく、またコストも高
く、占有するスペースも大きいものである。また、共振
用コンデンサ43と共振用インダクタ42とパワースイ
ッチング素子41間の各配線は、インダクタンス成分を
有している。従って高周波インバータが高周波域で動作
すると、このインダクタンス成分によってスパイク電圧
が発生して、パワースイッチング素子41に大きな責務
がかかるものとなっている。
【0005】本発明はこのような従来の構成が有してい
る課題を解決しようとするもので、パワースイッチング
素子の負っている責務が小さく、小形の高周波インバー
タを提供することを第一の目的としているものである。
また前記第一の目的を達成するための第二の手段を提供
することを、第二の目的としているものである。更に、
共振用コンデンサを必要としない構成で、小形の高周波
インバータを提供することを第三の目的としているもの
である。また第三の目的を達成するための第二の手段を
提供することを、第四の目的としている。
る課題を解決しようとするもので、パワースイッチング
素子の負っている責務が小さく、小形の高周波インバー
タを提供することを第一の目的としているものである。
また前記第一の目的を達成するための第二の手段を提供
することを、第二の目的としているものである。更に、
共振用コンデンサを必要としない構成で、小形の高周波
インバータを提供することを第三の目的としているもの
である。また第三の目的を達成するための第二の手段を
提供することを、第四の目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】第一の目的を達成するた
めの本発明の第一の手段は、パワースイッチング素子
と、金属箔もしくは金属板を長手方向に巻きとった構造
を有し前記パワースイッチング素子に直列に接続した共
振用インダクタと、前記パワースイッチング素子のオン
オフを制御する制御回路からなり、前記共振用インダク
タと前記共振用インダクタの有する線間容量による共振
で零電圧スイッチングを行う高周波インバータとするも
のである。
めの本発明の第一の手段は、パワースイッチング素子
と、金属箔もしくは金属板を長手方向に巻きとった構造
を有し前記パワースイッチング素子に直列に接続した共
振用インダクタと、前記パワースイッチング素子のオン
オフを制御する制御回路からなり、前記共振用インダク
タと前記共振用インダクタの有する線間容量による共振
で零電圧スイッチングを行う高周波インバータとするも
のである。
【0007】また第二の目的を達成するための本発明の
第二の手段は、パワースイッチング素子と、コイルの線
間に誘電物を挿入した構造を有し前記パワースイッチン
グ素子に直列に接続した共振用インダクタと、前記パワ
ースイッチング素子のオンオフを制御する制御回路から
なり、前記共振用インダクタと前記共振用インダクタの
有する線間容量による共振で零電圧スイッチングを行う
高周波インバータとするものである。
第二の手段は、パワースイッチング素子と、コイルの線
間に誘電物を挿入した構造を有し前記パワースイッチン
グ素子に直列に接続した共振用インダクタと、前記パワ
ースイッチング素子のオンオフを制御する制御回路から
なり、前記共振用インダクタと前記共振用インダクタの
有する線間容量による共振で零電圧スイッチングを行う
高周波インバータとするものである。
【0008】第三の目的を達成するための本発明の第三
の手段は、半導体パッケージの中に複数チップもしくは
1チップでコンデンサを作りこんだパワースイッチング
素子と、前記パワースイッチング素子に直列に接続した
共振用インダクタと、前記パワースイッチング素子のオ
ンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用インダ
クタと前記パワースイッチング素子の有する共振用容量
による共振で零電圧スイッチングを行う高周波インバー
タとするものである。
の手段は、半導体パッケージの中に複数チップもしくは
1チップでコンデンサを作りこんだパワースイッチング
素子と、前記パワースイッチング素子に直列に接続した
共振用インダクタと、前記パワースイッチング素子のオ
ンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用インダ
クタと前記パワースイッチング素子の有する共振用容量
による共振で零電圧スイッチングを行う高周波インバー
タとするものである。
【0009】更に第四の目的を達成するための本発明の
第四の手段は、半導体パッケージの中にチップコンデン
サをモールドしたパワースイッチング素子と、前記パワ
ースイッチング素子に直列に接続した共振用インダクタ
と、前記パワースイッチング素子のオンオフを制御する
制御回路からなり、前記共振用インダクタと前記パワー
スイッチング素子の有する共振用容量による共振で零電
圧スイッチングを行う高周波インバータとするものであ
る。
第四の手段は、半導体パッケージの中にチップコンデン
サをモールドしたパワースイッチング素子と、前記パワ
ースイッチング素子に直列に接続した共振用インダクタ
と、前記パワースイッチング素子のオンオフを制御する
制御回路からなり、前記共振用インダクタと前記パワー
スイッチング素子の有する共振用容量による共振で零電
圧スイッチングを行う高周波インバータとするものであ
る。
【0010】
【作用】本発明の第一の手段は、共振用インダクタとこ
の共振用インダクタ自身が備えている線間容量によって
共振するように作用するもので、共振用コンデンサを特
に設けなくてもパワースイッチング素子の負っている責
務は小さいものとなり、小型の高周波インバータを実現
するものである。
の共振用インダクタ自身が備えている線間容量によって
共振するように作用するもので、共振用コンデンサを特
に設けなくてもパワースイッチング素子の負っている責
務は小さいものとなり、小型の高周波インバータを実現
するものである。
【0011】本発明の第二の手段は、コイルの線間に誘
電物を挿入した構成の共振用インダクタが、共振用コン
デンサの機能を兼ねて、共振用コンデンサを特に設けな
くてもパワースイッチング素子の負っている責務は小さ
いものとなり、小型の高周波インバータを実現するもの
である。
電物を挿入した構成の共振用インダクタが、共振用コン
デンサの機能を兼ねて、共振用コンデンサを特に設けな
くてもパワースイッチング素子の負っている責務は小さ
いものとなり、小型の高周波インバータを実現するもの
である。
【0012】また本発明の第三の手段は、共振用インダ
クタとパワースイッチング素子の有する共振用容量によ
って共振するように作用するもので、共振用コンデンサ
を特に設けなくてもパワースイッチング素子の責務の小
さい小型の高周波インバータを実現するものである。
クタとパワースイッチング素子の有する共振用容量によ
って共振するように作用するもので、共振用コンデンサ
を特に設けなくてもパワースイッチング素子の責務の小
さい小型の高周波インバータを実現するものである。
【0013】本発明の第四の手段は、チップコンデンサ
をモールドしたパワースイッチング素子が、共振用コン
デンサを特に設けなくても共振用コンデンサとして作用
し、パワースイッチング素子の責務の小さい小型の高周
波インバータを実現するものである。
をモールドしたパワースイッチング素子が、共振用コン
デンサを特に設けなくても共振用コンデンサとして作用
し、パワースイッチング素子の責務の小さい小型の高周
波インバータを実現するものである。
【0014】
【実施例】(実施例1)図1は本発明の第一の手段の実
施例である回路図である。商用電源1の両端には整流ス
タック2を接続して交流を直流に変換しており、チョー
クコイル3とフィルタコンデンサ4によってこの波形を
整形している。フィルタコンデンサ4の一端には、金属
箔もしくは金属板を長手方向に巻きとった構成となって
いる共振用インダクタ5と共振用インダクタ5に直列に
接続したパワースイッチング素子7を接続している。前
記共振用インダクタ5は、線間容量5aを備えている。
また6はダイオードである。8はパワースイッチング素
子7のオンオフを制御する制御回路である。
施例である回路図である。商用電源1の両端には整流ス
タック2を接続して交流を直流に変換しており、チョー
クコイル3とフィルタコンデンサ4によってこの波形を
整形している。フィルタコンデンサ4の一端には、金属
箔もしくは金属板を長手方向に巻きとった構成となって
いる共振用インダクタ5と共振用インダクタ5に直列に
接続したパワースイッチング素子7を接続している。前
記共振用インダクタ5は、線間容量5aを備えている。
また6はダイオードである。8はパワースイッチング素
子7のオンオフを制御する制御回路である。
【0015】共振用インダクタ5は図2に示すように、
銅板10・絶縁フィルム11を共に巻きとった構成とし
ているものである。ここで、使用している絶縁フィルム
11の厚みが薄いため共振用インダクタ5が有している
線間容量5aは実質的に利用できるだけの大きなものと
なっている。
銅板10・絶縁フィルム11を共に巻きとった構成とし
ているものである。ここで、使用している絶縁フィルム
11の厚みが薄いため共振用インダクタ5が有している
線間容量5aは実質的に利用できるだけの大きなものと
なっている。
【0016】以下本実施例の動作を、図3に基づいて説
明する。vswはパワースイッチング素子7の電圧を、ま
たiswはパワースイッチング素子7の電流を、swはパ
ワースイッチング素子7のオンオフの状態を示してい
る。図3の時刻t0からt1の期間は、制御回路8によっ
てパワースイッチング素子7が導通している。この期間
中は共振インダクタ5の電流が増加する。時刻t1でパ
ワースイッチング素子7を遮断すると、共振インダクタ
5はその線間容量5aとの共振を開始する。つまり、v
swに示しているように、パワースイッチング素子7の電
圧は共振の弧を描いて上昇し時刻t2で再び零に達す
る。このとき制御回路8によってパワースイッチング素
子7を再びオンすると、時刻t0の状態に戻って発振を
継続する。
明する。vswはパワースイッチング素子7の電圧を、ま
たiswはパワースイッチング素子7の電流を、swはパ
ワースイッチング素子7のオンオフの状態を示してい
る。図3の時刻t0からt1の期間は、制御回路8によっ
てパワースイッチング素子7が導通している。この期間
中は共振インダクタ5の電流が増加する。時刻t1でパ
ワースイッチング素子7を遮断すると、共振インダクタ
5はその線間容量5aとの共振を開始する。つまり、v
swに示しているように、パワースイッチング素子7の電
圧は共振の弧を描いて上昇し時刻t2で再び零に達す
る。このとき制御回路8によってパワースイッチング素
子7を再びオンすると、時刻t0の状態に戻って発振を
継続する。
【0017】以上のように本実施例によれば、共振イン
ダクタ5の有する線間容量5aを利用することによっ
て、共振用コンデンサを特に設けなくても、パワースイ
ッチング素子7の電圧が零になった時にパワースイッチ
ング素子7をオンする零電圧スイッチングを行うことが
できるものである。つまり、パワースイッチング素子7
に課せられる責務は小さくてすみ、小形の高周波インバ
ータを実現できるものである。
ダクタ5の有する線間容量5aを利用することによっ
て、共振用コンデンサを特に設けなくても、パワースイ
ッチング素子7の電圧が零になった時にパワースイッチ
ング素子7をオンする零電圧スイッチングを行うことが
できるものである。つまり、パワースイッチング素子7
に課せられる責務は小さくてすみ、小形の高周波インバ
ータを実現できるものである。
【0018】(実施例2)図4は、本発明の第二の手段
の実施例に使用している共振用インダクタ12を示す構
成図である。本実施例では共振用インダクタ12は、コ
イル13とコイル13の層間に含浸した誘電体14であ
る絶縁物で構成している。共振用インダクタ12が有す
る線間容量は実質的に利用できるだけの大きなものとな
っている。
の実施例に使用している共振用インダクタ12を示す構
成図である。本実施例では共振用インダクタ12は、コ
イル13とコイル13の層間に含浸した誘電体14であ
る絶縁物で構成している。共振用インダクタ12が有す
る線間容量は実質的に利用できるだけの大きなものとな
っている。
【0019】以上の構成として、前記実施例と同様に動
作するものである。本実施例によれば、共振用インダク
タ10の構成が前記実施例よりも簡単となるものであ
る。
作するものである。本実施例によれば、共振用インダク
タ10の構成が前記実施例よりも簡単となるものであ
る。
【0020】(実施例3)次いで本発明の第三の手段の
実施例について、図5に基づいて説明する。15は共振
用容量15aを有するパワースイッチング素子で、半導
体パッケージの中に複数チップもしくは1チップでコン
デンサを作りこんだ構成としているものである。16は
共振用インダクタ、17はダイオード、18はフィルタ
コンデンサ、19はチョークコイル、20は整流スタッ
ク、21は低周波交流電源、22はパワースイッチング
素子15のオンオフを制御する制御回路である。
実施例について、図5に基づいて説明する。15は共振
用容量15aを有するパワースイッチング素子で、半導
体パッケージの中に複数チップもしくは1チップでコン
デンサを作りこんだ構成としているものである。16は
共振用インダクタ、17はダイオード、18はフィルタ
コンデンサ、19はチョークコイル、20は整流スタッ
ク、21は低周波交流電源、22はパワースイッチング
素子15のオンオフを制御する制御回路である。
【0021】以下本実施例の動作について説明する。パ
ワースイッチング素子は一般に寄生容量を有している
が、本実施例のパワースイッチング素子15はこの寄生
容量を共振に利用すると共に、スイッチング素子チップ
と同一チップ上に設けた容量を共振に利用しているもの
である。この構成によって、スイッチング素子と共振用
容量との配線は最短となって、配線インダクタンスによ
って生じるスパイク電圧による影響を避けることが可能
となるものである。従ってパワースイッチング素子15
に課せられた責務を小さくでき、小形の高周波インバー
タを実現できるものである。
ワースイッチング素子は一般に寄生容量を有している
が、本実施例のパワースイッチング素子15はこの寄生
容量を共振に利用すると共に、スイッチング素子チップ
と同一チップ上に設けた容量を共振に利用しているもの
である。この構成によって、スイッチング素子と共振用
容量との配線は最短となって、配線インダクタンスによ
って生じるスパイク電圧による影響を避けることが可能
となるものである。従ってパワースイッチング素子15
に課せられた責務を小さくでき、小形の高周波インバー
タを実現できるものである。
【0022】(実施例4)次に本発明の第四の手段の実
施例について、図6に基づいて説明する。32は共振用
容量32aを有するパワースイッチング素子で、半導体
パッケージの中にチップコンデンサをモールドした構成
となっているものである。
施例について、図6に基づいて説明する。32は共振用
容量32aを有するパワースイッチング素子で、半導体
パッケージの中にチップコンデンサをモールドした構成
となっているものである。
【0023】以上の構成として、パワースイッチング素
子32は寄生容量を共振に利用すると共に、スイッチン
グ素子チップと一緒にモールドしたチップコンデンサの
容量を共振用容量として利用できるものである。このた
め、素子間を接続する配線は最短となり、配線インダク
タンスによって生じるスパイク電圧による影響を避ける
ことができるものである。従って前記各実施例と同様、
パワースイッチング素子に課せられる責務は小さいもの
となり、小形の高周波インバータを実現できるものであ
る。
子32は寄生容量を共振に利用すると共に、スイッチン
グ素子チップと一緒にモールドしたチップコンデンサの
容量を共振用容量として利用できるものである。このた
め、素子間を接続する配線は最短となり、配線インダク
タンスによって生じるスパイク電圧による影響を避ける
ことができるものである。従って前記各実施例と同様、
パワースイッチング素子に課せられる責務は小さいもの
となり、小形の高周波インバータを実現できるものであ
る。
【0024】なお前記各実施例に従来使用している共振
用コンデンサを付加する場合は、この共振用コンデンサ
の容量を小さく出来ることはもちろんである。また前記
各実施例は任意に組み合わせて使用することができ、共
振用容量を大きくする、あるいは同じ共振用容量でも部
品の小型化を図ることができることはいうまでもない。
用コンデンサを付加する場合は、この共振用コンデンサ
の容量を小さく出来ることはもちろんである。また前記
各実施例は任意に組み合わせて使用することができ、共
振用容量を大きくする、あるいは同じ共振用容量でも部
品の小型化を図ることができることはいうまでもない。
【0025】
【発明の効果】本発明の第一の手段は、パワースイッチ
ング素子と、金属箔もしくは金属板を長手方向に巻きと
った構造を有し前記パワースイッチング素子に直列に接
続した共振用インダクタと、前記パワースイッチング素
子のオンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用
インダクタと前記共振用インダクタの有する線間容量に
よる共振で零電圧スイッチングを行う構成として、共振
用インダクタの有する線間容量を利用でき、共振用コン
デンサを特に設ける必要のない、パワースイッチング素
子に課せられる責務の小さい小形の高周波インバータを
提供することができるものである。
ング素子と、金属箔もしくは金属板を長手方向に巻きと
った構造を有し前記パワースイッチング素子に直列に接
続した共振用インダクタと、前記パワースイッチング素
子のオンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用
インダクタと前記共振用インダクタの有する線間容量に
よる共振で零電圧スイッチングを行う構成として、共振
用インダクタの有する線間容量を利用でき、共振用コン
デンサを特に設ける必要のない、パワースイッチング素
子に課せられる責務の小さい小形の高周波インバータを
提供することができるものである。
【0026】本発明の第二の手段は、パワースイッチン
グ素子と、コイルの線間に誘電物を挿入した構造を有し
前記パワースイッチング素子に直列に接続した共振用イ
ンダクタと、前記パワースイッチング素子のオンオフを
制御する制御回路からなり、前記共振用インダクタと前
記共振用インダクタの有する線間容量による共振で零電
圧スイッチングを行う構成として、特に共振用インダク
タの構成を簡単にした小形の高周波インバータを提供す
ることができるものである。
グ素子と、コイルの線間に誘電物を挿入した構造を有し
前記パワースイッチング素子に直列に接続した共振用イ
ンダクタと、前記パワースイッチング素子のオンオフを
制御する制御回路からなり、前記共振用インダクタと前
記共振用インダクタの有する線間容量による共振で零電
圧スイッチングを行う構成として、特に共振用インダク
タの構成を簡単にした小形の高周波インバータを提供す
ることができるものである。
【0027】本発明の第三の手段は、半導体パッケージ
の中に複数チップもしくは1チップでコンデンサを作り
こんだパワースイッチング素子と、前記パワースイッチ
ング素子に直列に接続した共振用インダクタと、前記パ
ワースイッチング素子のオンオフを制御する制御回路か
らなり、前記共振用インダクタと前記パワースイッチン
グ素子の有する共振用容量による共振で零電圧スイッチ
ングを行う構成として、パワースイッチング素子の有す
る共振用容量を利用でき、共振用コンデンサを特に設け
る必要がなく、パワースイッチング素子に課せられる責
務の小さい小形の高周波インバータを提供することがで
きるものである。
の中に複数チップもしくは1チップでコンデンサを作り
こんだパワースイッチング素子と、前記パワースイッチ
ング素子に直列に接続した共振用インダクタと、前記パ
ワースイッチング素子のオンオフを制御する制御回路か
らなり、前記共振用インダクタと前記パワースイッチン
グ素子の有する共振用容量による共振で零電圧スイッチ
ングを行う構成として、パワースイッチング素子の有す
る共振用容量を利用でき、共振用コンデンサを特に設け
る必要がなく、パワースイッチング素子に課せられる責
務の小さい小形の高周波インバータを提供することがで
きるものである。
【0028】本発明の第四の手段は、半導体パッケージ
の中にチップコンデンサをモールドしたパワースイッチ
ング素子と、前記パワースイッチング素子に直列に接続
した共振用インダクタと、前記パワースイッチング素子
のオンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用イ
ンダクタと前記パワースイッチング素子の有する共振用
容量による共振で零電圧スイッチングを行う構成とし
て、パワースイッチング素子の有する共振用容量を利用
でき、共振用コンデンサを特に設ける必要がなく、パワ
ースイッチング素子に課せられる責務の小さい小形の高
周波インバータを提供することができるものである。
の中にチップコンデンサをモールドしたパワースイッチ
ング素子と、前記パワースイッチング素子に直列に接続
した共振用インダクタと、前記パワースイッチング素子
のオンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用イ
ンダクタと前記パワースイッチング素子の有する共振用
容量による共振で零電圧スイッチングを行う構成とし
て、パワースイッチング素子の有する共振用容量を利用
でき、共振用コンデンサを特に設ける必要がなく、パワ
ースイッチング素子に課せられる責務の小さい小形の高
周波インバータを提供することができるものである。
【図1】本発明の第一の手段の実施例の高周波インバー
タの回路図
タの回路図
【図2】同共振用インダクタの斜視図
【図3】同動作を説明する動作波形図
【図4】本発明の第二の実施例に使用する共振用インダ
クタの断面図
クタの断面図
【図5】本発明の第三の手段の実施例である高周波イン
バータの回路図
バータの回路図
【図6】本発明の第四の手段の実施例である高周波イン
バータの回路図
バータの回路図
【図7】従来の高周波インバータを示す回路図
【図8】同動作を説明する動作波形図
5 共振用インダクタ 7 パワースイッチング素子 8 制御回路 12 共振用インダクタ 15 パワースイッチング素子 32 パワースイッチング素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 英樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 パワースイッチング素子と、金属箔もし
くは金属板を長手方向に巻きとった構造を有し前記パワ
ースイッチング素子に直列に接続した共振用インダクタ
と、前記パワースイッチング素子のオンオフを制御する
制御回路からなり、前記共振用インダクタと前記共振用
インダクタの有する線間容量による共振で零電圧スイッ
チングを行う高周波インバータ。 - 【請求項2】 パワースイッチング素子と、コイルの線
間に誘電物を挿入した構造を有し前記パワースイッチン
グ素子に直列に接続した共振用インダクタと、前記パワ
ースイッチング素子のオンオフを制御する制御回路から
なり、前記共振用インダクタと前記共振用インダクタの
有する線間容量による共振で零電圧スイッチングを行う
高周波インバータ。 - 【請求項3】 半導体パッケージの中に複数チップもし
くは1チップでコンデンサを作りこんだパワースイッチ
ング素子と、前記パワースイッチング素子に直列に接続
した共振用インダクタと、前記パワースイッチング素子
のオンオフを制御する制御回路からなり、前記共振用イ
ンダクタと前記パワースイッチング素子の有する共振用
容量による共振で零電圧スイッチングを行う高周波イン
バータ。 - 【請求項4】 半導体パッケージの中にチップコンデン
サをモールドしたパワースイッチング素子と、前記パワ
ースイッチング素子に直列に接続した共振用インダクタ
と、前記パワースイッチング素子のオンオフを制御する
制御回路からなり、前記共振用インダクタと前記パワー
スイッチング素子の有する共振用容量による共振で零電
圧スイッチングを行う高周波インバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5206236A JPH0767345A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 高周波インバータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5206236A JPH0767345A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 高周波インバータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0767345A true JPH0767345A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16520008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5206236A Pending JPH0767345A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 高周波インバータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0767345A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014019236A (ja) * | 2012-07-16 | 2014-02-03 | Denso Corp | 空調装置用送風ユニット |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP5206236A patent/JPH0767345A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014019236A (ja) * | 2012-07-16 | 2014-02-03 | Denso Corp | 空調装置用送風ユニット |
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