JP2003018833A - フライバックｄｃ／ｄｃ変換回路 - Google Patents
フライバックｄｃ／ｄｃ変換回路Info
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- JP2003018833A JP2003018833A JP2001202261A JP2001202261A JP2003018833A JP 2003018833 A JP2003018833 A JP 2003018833A JP 2001202261 A JP2001202261 A JP 2001202261A JP 2001202261 A JP2001202261 A JP 2001202261A JP 2003018833 A JP2003018833 A JP 2003018833A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導通損失を低減して変換効率を向上し、小型
化を図るソフトスイッチングフライバックＤＣ／ＤＣ変
換回路を提供する。 【解決手段】 フライバックトランス２０が密結合さ
れ、共振用リアクトル５０がフライバックトランス２０
の低電流側である二次側に接続されることにより、フラ
イバックトランス２０および共振用リアクトル５０の導
通損失やコア損失を低減し、変換効率を向上することが
できる。これにより、体格を小型にし、搭載スペースを
確保することが容易となる。また、共振用リアクトル５
０は可飽和リアクトルであるので、高負荷時に飽和領域
を使用して共振用リアクトル５０のインダクタンス値を
低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同等まで増
加させることにより、負荷状態に依存せず、スイッチン
グ周波数を一定とすることができる。したがって、スイ
ッチング周波数を増大させて容易に装置の小型化を図る
ことができる。
化を図るソフトスイッチングフライバックＤＣ／ＤＣ変
換回路を提供する。 【解決手段】 フライバックトランス２０が密結合さ
れ、共振用リアクトル５０がフライバックトランス２０
の低電流側である二次側に接続されることにより、フラ
イバックトランス２０および共振用リアクトル５０の導
通損失やコア損失を低減し、変換効率を向上することが
できる。これにより、体格を小型にし、搭載スペースを
確保することが容易となる。また、共振用リアクトル５
０は可飽和リアクトルであるので、高負荷時に飽和領域
を使用して共振用リアクトル５０のインダクタンス値を
低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同等まで増
加させることにより、負荷状態に依存せず、スイッチン
グ周波数を一定とすることができる。したがって、スイ
ッチング周波数を増大させて容易に装置の小型化を図る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直流電源の電圧を
昇圧するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路に関し、特に
放電灯を点灯する放電灯装置に用いて好適なフライバッ
クＤＣ／ＤＣ変換回路に関する。
昇圧するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路に関し、特に
放電灯を点灯する放電灯装置に用いて好適なフライバッ
クＤＣ／ＤＣ変換回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁型フライバックＤＣ／ＤＣ変
換回路にソフトスイッチング技術を適用する場合、回路
構成要素として共振用リアクトルが必要とされている。
特開平８−２６６０５６号公報に開示される技術では、
例えば図１４に示すように、共振用リアクトルLｒをフ
ライバックトランスTの一次側に挿入するフライバック
形回路が提案されている。
換回路にソフトスイッチング技術を適用する場合、回路
構成要素として共振用リアクトルが必要とされている。
特開平８−２６６０５６号公報に開示される技術では、
例えば図１４に示すように、共振用リアクトルLｒをフ
ライバックトランスTの一次側に挿入するフライバック
形回路が提案されている。
【０００３】このフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路で
は、フライバックトランスＴの入力側（一次側）におい
て、一次巻線Ｎ１と並列に共振用コンデンサＣｒを接続
し、スイッチングデバイスＳＷと直列に共振用リアクト
ルLｒを接続して構成される。その動作は、スイッチン
グデバイスＳＷがオンのときに一次巻線Ｎ１にエネルギ
を蓄積し、スイッチングデバイスＳＷがオフのときに蓄
積されたエネルギを二次巻線Ｎ２から放出する。このス
イッチングデバイスＳＷのオン／オフを調整することに
より出力電圧を調整する。さらに、この回路では、共振
用リアクトルLｒと共振用コンデンサＣｒとを共振させ
ることで、スイッチングデバイスＳＷを流れる電流がゼ
ロ、またはスイッチングデバイスＳＷの内蔵ダイオード
を電流が流れたときにスイッチングデバイスＳＷをオフ
させる、いわゆるソフトスイッチング（ゼロ電流スイッ
チング）を実現している。なお、ソフトスイッチングを
行なうのは、スイッチング損失の低減と、ノイズを抑制
するためである。
は、フライバックトランスＴの入力側（一次側）におい
て、一次巻線Ｎ１と並列に共振用コンデンサＣｒを接続
し、スイッチングデバイスＳＷと直列に共振用リアクト
ルLｒを接続して構成される。その動作は、スイッチン
グデバイスＳＷがオンのときに一次巻線Ｎ１にエネルギ
を蓄積し、スイッチングデバイスＳＷがオフのときに蓄
積されたエネルギを二次巻線Ｎ２から放出する。このス
イッチングデバイスＳＷのオン／オフを調整することに
より出力電圧を調整する。さらに、この回路では、共振
用リアクトルLｒと共振用コンデンサＣｒとを共振させ
ることで、スイッチングデバイスＳＷを流れる電流がゼ
ロ、またはスイッチングデバイスＳＷの内蔵ダイオード
を電流が流れたときにスイッチングデバイスＳＷをオフ
させる、いわゆるソフトスイッチング（ゼロ電流スイッ
チング）を実現している。なお、ソフトスイッチングを
行なうのは、スイッチング損失の低減と、ノイズを抑制
するためである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、放電灯
装置に用いられる昇圧型のフライバックＤＣ／ＤＣ変換
回路では、一次側電流は二次側電流よりも実効値が大き
いため、特開平８−２６６０５６号公報に開示されるよ
うに、共振用リアクトルLｒをフライバックトランスTの
一次側に挿入すると、大幅な導通損失が発生し、変換効
率が悪化するという問題があった。
装置に用いられる昇圧型のフライバックＤＣ／ＤＣ変換
回路では、一次側電流は二次側電流よりも実効値が大き
いため、特開平８−２６６０５６号公報に開示されるよ
うに、共振用リアクトルLｒをフライバックトランスTの
一次側に挿入すると、大幅な導通損失が発生し、変換効
率が悪化するという問題があった。
【０００５】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、導通損失を低減し、変換効率を
向上するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供するこ
とを目的とする。本発明の他の目的は、スイッチング周
波数を増大させて装置の小型化を図り、搭載スペースを
確保することが容易なフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路
を提供することにある。
になされたものであり、導通損失を低減し、変換効率を
向上するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供するこ
とを目的とする。本発明の他の目的は、スイッチング周
波数を増大させて装置の小型化を図り、搭載スペースを
確保することが容易なフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路
を提供することにある。
【０００６】本発明のさらに他の目的は、共振用リアク
トルのインダクタンス値のばらつきを低減し、作動の安
定化が図れるフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供す
ることにある。本発明のさらにまた他の目的は、フライ
バックトランスのコア損失を低減するフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路を提供することにある。本発明のさらに
また他の目的は、共振用リアクトルのコア損失を低減す
るフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供することにあ
る。
トルのインダクタンス値のばらつきを低減し、作動の安
定化が図れるフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供す
ることにある。本発明のさらにまた他の目的は、フライ
バックトランスのコア損失を低減するフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路を提供することにある。本発明のさらに
また他の目的は、共振用リアクトルのコア損失を低減す
るフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供することにあ
る。
【０００７】本発明のさらにまた他の目的は、共振用リ
アクトルの導通損失を低減するフライバックＤＣ／ＤＣ
変換回路を提供することにある。本発明のさらにまた他
の目的は、共振用リアクトルの体格を小型にするフライ
バックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供することにある。本発
明のさらにまた他の目的は、共振用コンデンサの体格を
小型にするフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供する
ことにある。本発明のさらにまた他の目的は、部品の共
通化を図り、製造コストを低減するフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を提供することにある。
アクトルの導通損失を低減するフライバックＤＣ／ＤＣ
変換回路を提供することにある。本発明のさらにまた他
の目的は、共振用リアクトルの体格を小型にするフライ
バックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供することにある。本発
明のさらにまた他の目的は、共振用コンデンサの体格を
小型にするフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路を提供する
ことにある。本発明のさらにまた他の目的は、部品の共
通化を図り、製造コストを低減するフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
フライバックＤＣ／ＤＣ変換回路によると、直流電源に
直列接続され、密結合かつ差動結合であるフライバック
トランスの一次側には共振用コンデンサが接続され、上
記フライバックトランスの二次側には共振用リアクトル
が接続されているので、共振用リアクトルと共振用コン
デンサとを共振させることで、共振用コンデンサの電圧
が最も低くなったときにスイッチング素子をオンさせ、
またターンオフ時に共振用コンデンサをＣスナバとして
利用することにより、ソフトスイッチングを実現してス
イッチング損失を低減しノイズを抑制することができ
る。このとき、フライバックトランスが密結合され、共
振用リアクトルがフライバックトランスの低電流側であ
る二次側に接続されることにより、フライバックトラン
スおよび共振用リアクトルの導通損失やコア損失を低減
し、変換効率を向上することができる。これにより、装
置の小型化を図り、搭載スペースを確保することが容易
となる。
フライバックＤＣ／ＤＣ変換回路によると、直流電源に
直列接続され、密結合かつ差動結合であるフライバック
トランスの一次側には共振用コンデンサが接続され、上
記フライバックトランスの二次側には共振用リアクトル
が接続されているので、共振用リアクトルと共振用コン
デンサとを共振させることで、共振用コンデンサの電圧
が最も低くなったときにスイッチング素子をオンさせ、
またターンオフ時に共振用コンデンサをＣスナバとして
利用することにより、ソフトスイッチングを実現してス
イッチング損失を低減しノイズを抑制することができ
る。このとき、フライバックトランスが密結合され、共
振用リアクトルがフライバックトランスの低電流側であ
る二次側に接続されることにより、フライバックトラン
スおよび共振用リアクトルの導通損失やコア損失を低減
し、変換効率を向上することができる。これにより、装
置の小型化を図り、搭載スペースを確保することが容易
となる。
【０００９】上記請求項１の発明では、請求項２、３ま
たは４に記載するように、共振用コンデンサをスイッチ
ング素子に並列に接続し、共振用リアクトルを二次巻線
と整流用ダイオードとの間、整流用ダイオードと平滑用
コンデンサとの間、一次巻線と二次巻線との間に接続す
ることができる。
たは４に記載するように、共振用コンデンサをスイッチ
ング素子に並列に接続し、共振用リアクトルを二次巻線
と整流用ダイオードとの間、整流用ダイオードと平滑用
コンデンサとの間、一次巻線と二次巻線との間に接続す
ることができる。
【００１０】また、請求項１の発明では、請求項５、６
または７に記載するように、共振用コンデンサを一次巻
線に並列に接続し、共振用リアクトルを二次巻線と整流
用ダイオードとの間、整流用ダイオードと平滑用コンデ
ンサとの間、一次巻線と二次巻線との間に接続すること
ができる。
または７に記載するように、共振用コンデンサを一次巻
線に並列に接続し、共振用リアクトルを二次巻線と整流
用ダイオードとの間、整流用ダイオードと平滑用コンデ
ンサとの間、一次巻線と二次巻線との間に接続すること
ができる。
【００１１】本発明の請求項８記載のフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルはコアを有
しているので、共振用リアクトルの体格を小型にするこ
とができる。
／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルはコアを有
しているので、共振用リアクトルの体格を小型にするこ
とができる。
【００１２】本発明の請求項９記載のフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは可飽和リ
アクトルであるので、可飽和リアクトルに流れる電流の
所定範囲内でコアが不飽和となって大きいインダクタン
ス値を有し、上記所定範囲を超える領域でコアが飽和し
てインダクタンス値が減少する。このため、高負荷時に
飽和領域を使用して共振用リアクトルのインダクタンス
値を低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同等ま
で増加させることにより、負荷状態に依存せず、スイッ
チング周波数を一定とすることができる。したがって、
スイッチング周波数を増大させ、装置の小型化を図るこ
とが容易となる。
／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは可飽和リ
アクトルであるので、可飽和リアクトルに流れる電流の
所定範囲内でコアが不飽和となって大きいインダクタン
ス値を有し、上記所定範囲を超える領域でコアが飽和し
てインダクタンス値が減少する。このため、高負荷時に
飽和領域を使用して共振用リアクトルのインダクタンス
値を低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同等ま
で増加させることにより、負荷状態に依存せず、スイッ
チング周波数を一定とすることができる。したがって、
スイッチング周波数を増大させ、装置の小型化を図るこ
とが容易となる。
【００１３】本発明の請求項１０記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルのコアは
トロイダル形状を有しているので、インダクタンス値の
ばらつきを低減し、作動の安定化を図ることができる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルのコアは
トロイダル形状を有しているので、インダクタンス値の
ばらつきを低減し、作動の安定化を図ることができる。
【００１４】本発明の請求項１１記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルおよびフ
ライバックトランスのコアはトロイダル形状を有してお
り、共振用リアクトルのコアは外径および内径がフライ
バックトランスのコアと同等で、厚みがフライバックト
ランスのコアと同等またはフライバックトランスのコア
よりも小さい。フライバックトランスのコアと共振用リ
アクトルのコアとの厚みが同等である場合は、コアを共
通化して製造コストが低減できる。また、フライバック
トランスのコアよりも共振用リアクトルのコアの厚みが
小さい場合は、共振用リアクトルの体格を小型にして高
密度実装を図ることができる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルおよびフ
ライバックトランスのコアはトロイダル形状を有してお
り、共振用リアクトルのコアは外径および内径がフライ
バックトランスのコアと同等で、厚みがフライバックト
ランスのコアと同等またはフライバックトランスのコア
よりも小さい。フライバックトランスのコアと共振用リ
アクトルのコアとの厚みが同等である場合は、コアを共
通化して製造コストが低減できる。また、フライバック
トランスのコアよりも共振用リアクトルのコアの厚みが
小さい場合は、共振用リアクトルの体格を小型にして高
密度実装を図ることができる。
【００１５】本発明の請求項１２記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは空芯で
あるので、共振用リアクトルのコア損失を低減すること
ができる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは空芯で
あるので、共振用リアクトルのコア損失を低減すること
ができる。
【００１６】本発明の請求項１３記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは巻線が
リッツ線であるので、共振用リアクトルの導通損失を低
減することができる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは巻線が
リッツ線であるので、共振用リアクトルの導通損失を低
減することができる。
【００１７】本発明の請求項１４記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは巻線が
単線であるので、共振用リアクトルの体格を小型にして
搭載スペースを確保することが容易となる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用リアクトルは巻線が
単線であるので、共振用リアクトルの体格を小型にして
搭載スペースを確保することが容易となる。
【００１８】本発明の請求項１５記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用コンデンサは誘電体
材料がセラミックスからなるので、共振用コンデンサを
セラミックチップコンデンサで構成することにより、高
周波対応を可能とし、共振用コンデンサの体格を小型に
して搭載スペースを確保することが容易となる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用コンデンサは誘電体
材料がセラミックスからなるので、共振用コンデンサを
セラミックチップコンデンサで構成することにより、高
周波対応を可能とし、共振用コンデンサの体格を小型に
して搭載スペースを確保することが容易となる。
【００１９】本発明の請求項１６記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用コンデンサは誘電体
材料がプラスチックからなるので、共振用コンデンサを
プラスチックフィルムコンデンサで構成することによ
り、高周波対応を可能とし、共振用コンデンサの体格を
小型にして搭載スペースを確保することが容易となる。
なお、上記プラスチックとしては、ポリプロピレン、ポ
リエステル、ポリカーボネイト等が挙げられ、これら材
料にメタライズ等を施してプラスチックフィルムコンデ
ンサが構成される。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用コンデンサは誘電体
材料がプラスチックからなるので、共振用コンデンサを
プラスチックフィルムコンデンサで構成することによ
り、高周波対応を可能とし、共振用コンデンサの体格を
小型にして搭載スペースを確保することが容易となる。
なお、上記プラスチックとしては、ポリプロピレン、ポ
リエステル、ポリカーボネイト等が挙げられ、これら材
料にメタライズ等を施してプラスチックフィルムコンデ
ンサが構成される。
【００２０】本発明の請求項１７記載のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用コンデンサは誘電体
材料がマイカからなるので、共振用コンデンサをマイカ
コンデンサで構成することにより、高周波対応を可能と
し、共振用コンデンサの体格を小型にして搭載スペース
を確保することが容易となる。
Ｃ／ＤＣ変換回路によると、共振用コンデンサは誘電体
材料がマイカからなるので、共振用コンデンサをマイカ
コンデンサで構成することにより、高周波対応を可能と
し、共振用コンデンサの体格を小型にして搭載スペース
を確保することが容易となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を示す複
数の実施例を図に基づいて説明する。 （第１実施例）本発明の第１実施例によるフライバック
ＤＣ／ＤＣ変換回路を図１に示す。図１に示すフライバ
ックＤＣ／ＤＣ変換回路１００は、車両用放電灯装置に
用いられる昇圧型のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路で
あり、直流電源としてのバッテリ１０からの直流電圧を
昇圧するものである。
数の実施例を図に基づいて説明する。 （第１実施例）本発明の第１実施例によるフライバック
ＤＣ／ＤＣ変換回路を図１に示す。図１に示すフライバ
ックＤＣ／ＤＣ変換回路１００は、車両用放電灯装置に
用いられる昇圧型のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路で
あり、直流電源としてのバッテリ１０からの直流電圧を
昇圧するものである。
【００２２】図１に示すように、フライバックＤＣ／Ｄ
Ｃ変換回路１００は、バッテリ１０側に配設される一次
巻線２１、ならびに負荷８０側に配設される二次巻線２
２を有するフライバックトランス２０と、フライバック
トランス２０の一次巻線２１に直列接続されるスイッチ
ング素子としてのＭＯＳ（金属酸化物）型の電界効果型
トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）３０と、ＭＯＳＦＥＴ３
０に並列に接続される共振用コンデンサ４０と、フライ
バックトランス２０の二次巻線２２に直列接続される共
振用リアクトル５０、整流用ダイオード６０および平滑
用コンデンサ７０とを備えており、平滑用コンデンサ７
０には負荷８０が並列に接続されている。
Ｃ変換回路１００は、バッテリ１０側に配設される一次
巻線２１、ならびに負荷８０側に配設される二次巻線２
２を有するフライバックトランス２０と、フライバック
トランス２０の一次巻線２１に直列接続されるスイッチ
ング素子としてのＭＯＳ（金属酸化物）型の電界効果型
トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）３０と、ＭＯＳＦＥＴ３
０に並列に接続される共振用コンデンサ４０と、フライ
バックトランス２０の二次巻線２２に直列接続される共
振用リアクトル５０、整流用ダイオード６０および平滑
用コンデンサ７０とを備えており、平滑用コンデンサ７
０には負荷８０が並列に接続されている。
【００２３】フライバックトランス２０は、密結合かつ
差動結合されており、一次巻線２１と二次巻線２２とは
電気的に導通するように構成されている。また、フライ
バックトランス２０のコア２３はトロイダル形状を有し
ている。
差動結合されており、一次巻線２１と二次巻線２２とは
電気的に導通するように構成されている。また、フライ
バックトランス２０のコア２３はトロイダル形状を有し
ている。
【００２４】共振用コンデンサ４０は、誘電体材料がセ
ラミックス、プラスチックまたはマイカからなり、高周
波対応が可能な構成となっている。誘電体材料としてセ
ラミックスを採用した場合、共振用コンデンサ４０はセ
ラミックチップコンデンサであり、誘電体材料としてポ
リプロピレン、ポリエステル、ポリカーボネイト等のプ
ラスチックを採用し、これら材料にメタライズ等を施し
た場合、共振用コンデンサ４０はプラスチックフィルム
コンデンサであり、誘電体材料としてマイカを採用した
場合、共振用コンデンサ４０はマイカコンデンサであ
る。
ラミックス、プラスチックまたはマイカからなり、高周
波対応が可能な構成となっている。誘電体材料としてセ
ラミックスを採用した場合、共振用コンデンサ４０はセ
ラミックチップコンデンサであり、誘電体材料としてポ
リプロピレン、ポリエステル、ポリカーボネイト等のプ
ラスチックを採用し、これら材料にメタライズ等を施し
た場合、共振用コンデンサ４０はプラスチックフィルム
コンデンサであり、誘電体材料としてマイカを採用した
場合、共振用コンデンサ４０はマイカコンデンサであ
る。
【００２５】共振用リアクトル５０は可飽和リアクトル
であって、フライバックトランス２０の二次巻線２２と
整流用ダイオード６０との間に接続されている。共振用
リアクトル５０は、巻線がリッツ線（より線）であり、
コアがトロイダル形状を有している。共振用リアクトル
５０の図示しないコアは、外径および内径がフライバッ
クトランス２０のコア２３と同等であり、厚みがフライ
バックトランス２０のコア２３と同等またはフライバッ
クトランス２０のコア２３よりも小さく形成されてい
る。また、共振用リアクトル５０のコアの磁化特性は図
２に示すようなものとなる。すなわち、共振用リアクト
ル５０に流れる電流が−ＩSから＋ＩSの範囲内にあると
きコアは不飽和であり、この領域ではほぼ一定のインダ
クタンス値ＬCを有し、−ＩSから＋ＩSの範囲を超える
領域ではコアが飽和してインダクタンス値が減少する。
この可飽和リアクトルが点灯初期の高出力時であるスイ
ッチング周波数が低下するときに飽和状態となって小さ
いインダクタンス値をもち、安定点灯期の低出力時であ
るスイッチング周波数が上昇するときに不飽和状態とな
って大きいインダクタンス値ＬCをもつように設定する
ことにより、負荷状態に依存せず、スイッチング周波数
を一定とすることができる。
であって、フライバックトランス２０の二次巻線２２と
整流用ダイオード６０との間に接続されている。共振用
リアクトル５０は、巻線がリッツ線（より線）であり、
コアがトロイダル形状を有している。共振用リアクトル
５０の図示しないコアは、外径および内径がフライバッ
クトランス２０のコア２３と同等であり、厚みがフライ
バックトランス２０のコア２３と同等またはフライバッ
クトランス２０のコア２３よりも小さく形成されてい
る。また、共振用リアクトル５０のコアの磁化特性は図
２に示すようなものとなる。すなわち、共振用リアクト
ル５０に流れる電流が−ＩSから＋ＩSの範囲内にあると
きコアは不飽和であり、この領域ではほぼ一定のインダ
クタンス値ＬCを有し、−ＩSから＋ＩSの範囲を超える
領域ではコアが飽和してインダクタンス値が減少する。
この可飽和リアクトルが点灯初期の高出力時であるスイ
ッチング周波数が低下するときに飽和状態となって小さ
いインダクタンス値をもち、安定点灯期の低出力時であ
るスイッチング周波数が上昇するときに不飽和状態とな
って大きいインダクタンス値ＬCをもつように設定する
ことにより、負荷状態に依存せず、スイッチング周波数
を一定とすることができる。
【００２６】負荷８０は、整流用ダイオード６０と平滑
用コンデンサ７０との接続点ａに接続されており、この
接続点ａに高電圧が出力される。負荷８０は、図示しな
いインバータ回路、始動回路および放電灯としてのラン
プ等から構成される。
用コンデンサ７０との接続点ａに接続されており、この
接続点ａに高電圧が出力される。負荷８０は、図示しな
いインバータ回路、始動回路および放電灯としてのラン
プ等から構成される。
【００２７】次に、上記構成のフライバックＤＣ／ＤＣ
変換回路１００の動作について説明する。ＭＯＳＦＥＴ
３０をオン状態にすると、バッテリ１０からフライバッ
クトランス２０の一次巻線２１を経由してＭＯＳＦＥＴ
３０に一次電流が流れて一次巻線２１にエネルギが蓄積
される。このとき、ＭＯＳＦＥＴ３０をオフ状態にする
と、共振用コンデンサ４０に電流が転流し、コンデンサ
電圧がゼロから上昇する。共振用コンデンサ４０の電圧
が所定値に達すると、フライバックトランス２０の一次
巻線２１に蓄えられたエネルギが二次巻線２２から共振
用リアクトル５０、整流用ダイオード６０、平滑用コン
デンサ７０の経路で負荷８０側に放出される。
変換回路１００の動作について説明する。ＭＯＳＦＥＴ
３０をオン状態にすると、バッテリ１０からフライバッ
クトランス２０の一次巻線２１を経由してＭＯＳＦＥＴ
３０に一次電流が流れて一次巻線２１にエネルギが蓄積
される。このとき、ＭＯＳＦＥＴ３０をオフ状態にする
と、共振用コンデンサ４０に電流が転流し、コンデンサ
電圧がゼロから上昇する。共振用コンデンサ４０の電圧
が所定値に達すると、フライバックトランス２０の一次
巻線２１に蓄えられたエネルギが二次巻線２２から共振
用リアクトル５０、整流用ダイオード６０、平滑用コン
デンサ７０の経路で負荷８０側に放出される。
【００２８】共振用リアクトル５０と共振用コンデンサ
４０とを共振させることで、共振用コンデンサ４０の電
圧が最も低くなったときにＭＯＳＦＥＴ３０をオン状態
にする。すると、最初に説明したときと同様に、バッテ
リ１０、フライバックトランス２０の一次巻線２１、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３０の経路でフライバックトランス２０の一
次巻線２１にエネルギを蓄積する。第１実施例の回路の
場合、ＭＯＳＦＥＴ３０のオフ時は、共振用コンデンサ
４０がＣスナバとして働くためソフトスイッチング実現
し、スイッチング損失を低減してノイズを抑制する。こ
のようにスイッチング損失が小さく、ノイズの少ない回
路として放電灯を点灯する放電灯装置に好適に用いるこ
とができる。
４０とを共振させることで、共振用コンデンサ４０の電
圧が最も低くなったときにＭＯＳＦＥＴ３０をオン状態
にする。すると、最初に説明したときと同様に、バッテ
リ１０、フライバックトランス２０の一次巻線２１、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３０の経路でフライバックトランス２０の一
次巻線２１にエネルギを蓄積する。第１実施例の回路の
場合、ＭＯＳＦＥＴ３０のオフ時は、共振用コンデンサ
４０がＣスナバとして働くためソフトスイッチング実現
し、スイッチング損失を低減してノイズを抑制する。こ
のようにスイッチング損失が小さく、ノイズの少ない回
路として放電灯を点灯する放電灯装置に好適に用いるこ
とができる。
【００２９】このとき、共振用リアクトル５０がフライ
バックトランス２０の一次側に挿入されていると、一次
側電流は二次側電流よりも実効値が大きいため、大幅な
導通損失が発生し、変換効率が悪化するという問題があ
る。ところが、第１実施例においては、フライバックト
ランス２０が密結合され、共振用リアクトル５０がフラ
イバックトランス２０の低電流側である二次側に接続さ
れていることにより、フライバックトランス２０および
共振用リアクトル５０の導通損失やコア損失を低減し、
変換効率を向上することができる。これにより、装置の
小型化を図り、搭載スペースを確保することが容易とな
る。
バックトランス２０の一次側に挿入されていると、一次
側電流は二次側電流よりも実効値が大きいため、大幅な
導通損失が発生し、変換効率が悪化するという問題があ
る。ところが、第１実施例においては、フライバックト
ランス２０が密結合され、共振用リアクトル５０がフラ
イバックトランス２０の低電流側である二次側に接続さ
れていることにより、フライバックトランス２０および
共振用リアクトル５０の導通損失やコア損失を低減し、
変換効率を向上することができる。これにより、装置の
小型化を図り、搭載スペースを確保することが容易とな
る。
【００３０】また、第１実施例においては、共振用リア
クトル５０は可飽和リアクトルであるので、高負荷時に
飽和領域を使用して共振用リアクトル５０のインダクタ
ンス値を低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同
等まで増加させることにより、負荷状態に依存せず、ス
イッチング周波数を一定とすることができる。したがっ
て、スイッチング周波数を増大させて容易に装置の小型
化を図ることができる。
クトル５０は可飽和リアクトルであるので、高負荷時に
飽和領域を使用して共振用リアクトル５０のインダクタ
ンス値を低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同
等まで増加させることにより、負荷状態に依存せず、ス
イッチング周波数を一定とすることができる。したがっ
て、スイッチング周波数を増大させて容易に装置の小型
化を図ることができる。
【００３１】さらに、第１実施例においては、共振用リ
アクトル５０のコアおよびフライバックトランス２０の
コア２３はトロイダル形状を有しており、共振用リアク
トル５０のコアは外径および内径がフライバックトラン
ス２０のコア２３と同等で、厚みがフライバックトラン
ス２０のコア２３と同等またはフライバックトランス２
０のコア２３よりも小さい。このため、インダクタンス
値のばらつきを低減して作動の安定化を図るとともに、
フライバックトランス２０のコア２３と共振用リアクト
ル５０のコアとの厚みが同等である場合は、コアを共通
化して製造コストが低減でき、フライバックトランス２
０のコア２３よりも共振用リアクトル５０のコアの厚み
が小さい場合は、共振用リアクトル５０の体格を小型に
して高密度実装を図ることができる。
アクトル５０のコアおよびフライバックトランス２０の
コア２３はトロイダル形状を有しており、共振用リアク
トル５０のコアは外径および内径がフライバックトラン
ス２０のコア２３と同等で、厚みがフライバックトラン
ス２０のコア２３と同等またはフライバックトランス２
０のコア２３よりも小さい。このため、インダクタンス
値のばらつきを低減して作動の安定化を図るとともに、
フライバックトランス２０のコア２３と共振用リアクト
ル５０のコアとの厚みが同等である場合は、コアを共通
化して製造コストが低減でき、フライバックトランス２
０のコア２３よりも共振用リアクトル５０のコアの厚み
が小さい場合は、共振用リアクトル５０の体格を小型に
して高密度実装を図ることができる。
【００３２】さらにまた、第１実施例においては、共振
用コンデンサ４０は、誘電体材料がセラミックス、プラ
スチックまたはマイカからなるので、高周波対応を可能
とし、共振用コンデンサの体格を小型にして搭載スペー
スを確保することが容易となる。
用コンデンサ４０は、誘電体材料がセラミックス、プラ
スチックまたはマイカからなるので、高周波対応を可能
とし、共振用コンデンサの体格を小型にして搭載スペー
スを確保することが容易となる。
【００３３】第１実施例では、共振用リアクトル５０が
コアを有しており、体格を小型にすることが可能な構成
としたが、本発明では、共振用リアクトルを空芯として
コア損失を低減することが可能な構成としてもよい。
コアを有しており、体格を小型にすることが可能な構成
としたが、本発明では、共振用リアクトルを空芯として
コア損失を低減することが可能な構成としてもよい。
【００３４】また第１実施例では、共振用リアクトル５
０の巻線をリッツ線として巻線をより線で構成すること
により、共振用リアクトル５０の導通損失を低減するこ
とが可能な構成としたが、本発明では、共振用リアクト
ルの巻線を単線として体格を小型にし、搭載スペースを
確保することが容易な構成としてもよい。
０の巻線をリッツ線として巻線をより線で構成すること
により、共振用リアクトル５０の導通損失を低減するこ
とが可能な構成としたが、本発明では、共振用リアクト
ルの巻線を単線として体格を小型にし、搭載スペースを
確保することが容易な構成としてもよい。
【００３５】なお、第１実施例では、スイッチング素子
としてＭＯＳＦＥＴ３０を用いたが、本発明では、バイ
ポーラトランジスタ（ＮＰＮバイポーラトランジス
タ）、ＩＧＢＴのいずれを用いてもよく、要は、スイッ
チング素子であればよい。
としてＭＯＳＦＥＴ３０を用いたが、本発明では、バイ
ポーラトランジスタ（ＮＰＮバイポーラトランジス
タ）、ＩＧＢＴのいずれを用いてもよく、要は、スイッ
チング素子であればよい。
【００３６】次に、変形例を図３に示す。図１に示す第
１実施例と実質的に同一構成部分に同一符号を付す。変
形例においては、図３に示すように、バッテリ１０側に
配設される一次巻線１２１と、負荷８０側に配設される
二次巻線１２２と、コア１２３とを有するフライバック
トランス１２０を回路に備えている。フライバックトラ
ンス１２０は密結合かつ差動結合されており、一次巻線
１２１と二次巻線１２２とは絶縁するように構成されて
いる。上記変形例においても、図１に示す第１実施例と
同様の効果を得ることができる。
１実施例と実質的に同一構成部分に同一符号を付す。変
形例においては、図３に示すように、バッテリ１０側に
配設される一次巻線１２１と、負荷８０側に配設される
二次巻線１２２と、コア１２３とを有するフライバック
トランス１２０を回路に備えている。フライバックトラ
ンス１２０は密結合かつ差動結合されており、一次巻線
１２１と二次巻線１２２とは絶縁するように構成されて
いる。上記変形例においても、図１に示す第１実施例と
同様の効果を得ることができる。
【００３７】（第２実施例）第２実施例を図４に示す。
図１に示す第１実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。
図１に示す第１実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。
【００３８】第２実施例においては、図４に示すよう
に、共振用リアクトル５０が整流用ダイオード６０と、
平滑用コンデンサ７０および負荷８０の接続点ａとの間
に接続されている。その他の構成は第１実施例と同様で
ある。
に、共振用リアクトル５０が整流用ダイオード６０と、
平滑用コンデンサ７０および負荷８０の接続点ａとの間
に接続されている。その他の構成は第１実施例と同様で
ある。
【００３９】また、図５は第２実施例の変形例を示すも
のであり、図４のフライバックトランス２０を絶縁型の
フライバックトランス１２０に変更したものである。第
２実施例およびその変形例においても、図１および図３
に示す第１実施例およびその変形例と同様の効果を得る
ことができる。
のであり、図４のフライバックトランス２０を絶縁型の
フライバックトランス１２０に変更したものである。第
２実施例およびその変形例においても、図１および図３
に示す第１実施例およびその変形例と同様の効果を得る
ことができる。
【００４０】（第３実施例）第３実施例を図６に示す。
図１に示す第１実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。第３実施例においては、図６に示すように、
共振用リアクトル５０がフライバックトランス２０の一
次巻線２１と二次巻線２２との間に接続されている。そ
の他の構成は第１実施例と同様である。
図１に示す第１実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。第３実施例においては、図６に示すように、
共振用リアクトル５０がフライバックトランス２０の一
次巻線２１と二次巻線２２との間に接続されている。そ
の他の構成は第１実施例と同様である。
【００４１】また、図７は第３実施例の変形例を示すも
のであり、図６のフライバックトランス２０を絶縁型の
フライバックトランス１２０に変更し、共振用リアクト
ル５０を平滑用コンデンサ７０とフライバックトランス
１２０の二次巻線１２２との間に接続したものである。
第３実施例およびその変形例においても、図１および図
３に示す第１実施例およびその変形例と同様の効果を得
ることができる。
のであり、図６のフライバックトランス２０を絶縁型の
フライバックトランス１２０に変更し、共振用リアクト
ル５０を平滑用コンデンサ７０とフライバックトランス
１２０の二次巻線１２２との間に接続したものである。
第３実施例およびその変形例においても、図１および図
３に示す第１実施例およびその変形例と同様の効果を得
ることができる。
【００４２】（第４実施例）第４実施例を図８に示す。
図１に示す第１実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。第４実施例においては、図８に示すように、
共振用コンデンサ４０がフライバックトランス２０の一
次巻線２１に並列に接続されている。その他の構成は第
１実施例と同様である。
図１に示す第１実施例と実質的に同一構成部分に同一符
号を付す。第４実施例においては、図８に示すように、
共振用コンデンサ４０がフライバックトランス２０の一
次巻線２１に並列に接続されている。その他の構成は第
１実施例と同様である。
【００４３】また、図９は第４実施例の変形例を示すも
のであり、図８のフライバックトランス２０を絶縁型の
フライバックトランス１２０に変更したものである。第
４実施例およびその変形例においても、図１および図３
に示す第１実施例およびその変形例と同様の効果を得る
ことができる。
のであり、図８のフライバックトランス２０を絶縁型の
フライバックトランス１２０に変更したものである。第
４実施例およびその変形例においても、図１および図３
に示す第１実施例およびその変形例と同様の効果を得る
ことができる。
【００４４】（第５実施例）第５実施例を図１０に示
す。図８に示す第４実施例と実質的に同一構成部分に同
一符号を付す。第５実施例においては、図１０に示すよ
うに、共振用リアクトル５０が整流用ダイオード６０
と、平滑用コンデンサ７０および負荷８０の接続点ａと
の間に接続されている。その他の構成は第４実施例と同
様である。
す。図８に示す第４実施例と実質的に同一構成部分に同
一符号を付す。第５実施例においては、図１０に示すよ
うに、共振用リアクトル５０が整流用ダイオード６０
と、平滑用コンデンサ７０および負荷８０の接続点ａと
の間に接続されている。その他の構成は第４実施例と同
様である。
【００４５】また、図１１は第５実施例の変形例を示す
ものであり、図１０のフライバックトランス２０を絶縁
型のフライバックトランス１２０に変更したものであ
る。第５実施例およびその変形例においても、図８およ
び図９に示す第４実施例およびその変形例と同様の効果
を得ることができる。
ものであり、図１０のフライバックトランス２０を絶縁
型のフライバックトランス１２０に変更したものであ
る。第５実施例およびその変形例においても、図８およ
び図９に示す第４実施例およびその変形例と同様の効果
を得ることができる。
【００４６】（第６実施例）第６実施例を図１２に示
す。図８に示す第４実施例と実質的に同一構成部分に同
一符号を付す。第６実施例においては、図１２に示すよ
うに、共振用リアクトル５０がフライバックトランス２
０の一次巻線２１と二次巻線２２との間に接続されてい
る。その他の構成は第４実施例と同様である。
す。図８に示す第４実施例と実質的に同一構成部分に同
一符号を付す。第６実施例においては、図１２に示すよ
うに、共振用リアクトル５０がフライバックトランス２
０の一次巻線２１と二次巻線２２との間に接続されてい
る。その他の構成は第４実施例と同様である。
【００４７】また、図１３は第６実施例の変形例を示す
ものであり、図１２のフライバックトランス２０を絶縁
型のフライバックトランス１２０に変更し、共振用リア
クトル５０を平滑用コンデンサ７０とフライバックトラ
ンス１２０の二次巻線１２２との間に接続したものであ
る。第６実施例およびその変形例においても、図８およ
び図９に示す第４実施例およびその変形例と同様の効果
を得ることができる。
ものであり、図１２のフライバックトランス２０を絶縁
型のフライバックトランス１２０に変更し、共振用リア
クトル５０を平滑用コンデンサ７０とフライバックトラ
ンス１２０の二次巻線１２２との間に接続したものであ
る。第６実施例およびその変形例においても、図８およ
び図９に示す第４実施例およびその変形例と同様の効果
を得ることができる。
【００４８】以上説明した本発明の複数の実施例では、
車両用放電灯装置に用いられる昇圧型のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路に本発明を適用したが、本発明では、
これに限定されることなく、直流電源からの直流電圧を
昇圧するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路に適用可能な
ことはいうまでもない。
車両用放電灯装置に用いられる昇圧型のフライバックＤ
Ｃ／ＤＣ変換回路に本発明を適用したが、本発明では、
これに限定されることなく、直流電源からの直流電圧を
昇圧するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路に適用可能な
ことはいうまでもない。
【図１】本発明の第１実施例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図２】第１実施例のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路
に用いる可飽和リアクトルの特性を示す図である。
に用いる可飽和リアクトルの特性を示す図である。
【図３】第１実施例の変形例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図４】本発明の第２実施例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図５】第２実施例の変形例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図６】本発明の第３実施例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図７】第３実施例の変形例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図８】本発明の第４実施例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図９】第４実施例の変形例によるフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図１０】本発明の第５実施例によるフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図１１】第５実施例の変形例によるフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図１２】本発明の第６実施例によるフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図１３】第６実施例の変形例によるフライバックＤＣ
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
／ＤＣ変換回路を示す回路図である。
【図１４】従来技術によるフライバックＤＣ／ＤＣ変換
回路を示す回路図である。
回路を示す回路図である。
１０ バッテリ（直流電源）
２０、１２０ フライバックトランス
２１、１２１ 一次巻線
２２、１２１ 二次巻線
２３、１２３ コア
３０ ＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）
４０ 共振用コンデンサ
５０ 共振用リアクトル
６０ 整流用ダイオード
７０ 平滑用コンデンサ
８０ 負荷
１００ フライバックＤＣ／ＤＣ変換回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 水越 正人
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
Ｆターム(参考） 5H730 AA14 AA15 AS11 BB43 BB57
BB66 EE07 FG09
Claims (17)
- 【請求項１】 直流電源に直列接続され、密結合かつ差
動結合であるフライバックトランスと、 前記フライバックトランスの一次巻線に直列接続される
スイッチング素子と、 前記フライバックトランスの二次巻線に直列接続される
整流用ダイオードおよび平滑用コンデンサとを備え、前
記スイッチング素子のオン期間に前記一次巻線にエネル
ギを蓄積し、前記スイッチング素子のオフ期間に前記一
次巻線に蓄積されたエネルギを前記二次巻線から放出す
るように構成され、前記直流電源からの直流電圧を昇圧
するフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路であって、 前記フライバックトランスの一次側に接続される共振用
コンデンサと、 前記フライバックトランスの二次側に接続される共振用
リアクトルと、 を備えることを特徴とするフライバックＤＣ／ＤＣ変換
回路。 - 【請求項２】 前記共振用コンデンサは前記スイッチン
グ素子に並列に接続され、前記共振用リアクトルは前記
二次巻線と前記整流用ダイオードとの間に接続されてい
ることを特徴とする請求項１記載のフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路。 - 【請求項３】 前記共振用コンデンサは前記スイッチン
グ素子に並列に接続され、前記共振用リアクトルは前記
整流用ダイオードと前記平滑用コンデンサとの間に接続
されていることを特徴とする請求項１記載のフライバッ
クＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項４】 前記共振用コンデンサは前記スイッチン
グ素子に並列に接続され、前記共振用リアクトルは前記
一次巻線と前記二次巻線との間に接続されていることを
特徴とする請求項１記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換
回路。 - 【請求項５】 前記共振用コンデンサは前記一次巻線に
並列に接続され、前記共振用リアクトルは前記二次巻線
と前記整流用ダイオードとの間に接続されていることを
特徴とする請求項１記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換
回路。 - 【請求項６】 前記共振用コンデンサは前記一次巻線に
並列に接続され、前記共振用リアクトルは前記整流用ダ
イオードと前記平滑用コンデンサとの間に接続されてい
ることを特徴とする請求項１記載のフライバックＤＣ／
ＤＣ変換回路。 - 【請求項７】 前記共振用コンデンサは前記一次巻線に
並列に接続され、前記共振用リアクトルは前記一次巻線
と前記二次巻線との間に接続されていることを特徴とす
る請求項１記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項８】 前記共振用リアクトルは、コアを有する
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載のフ
ライバックＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項９】 前記共振用リアクトルは、可飽和リアク
トルであることを特徴とする請求項８記載のフライバッ
クＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項１０】 前記コアは、トロイダル形状を有する
ことを特徴とする請求項８または９記載のフライバック
ＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項１１】 前記フライバックトランスのコアはト
ロイダル形状を有し、前記共振用リアクトルのコアは外
径および内径が前記フライバックトランスのコアと同等
で、厚みが前記フライバックトランスのコアと同等また
は前記フライバックトランスのコアよりも小さいことを
特徴とする請求項１０記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変
換回路。 - 【請求項１２】 前記共振用リアクトルは、空芯である
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載のフ
ライバックＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項１３】 前記共振用リアクトルは、巻線がリッ
ツ線であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一
項記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項１４】 前記共振用リアクトルは、巻線が単線
であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記
載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路。 - 【請求項１５】 前記共振用コンデンサは、誘電体材料
がセラミックスからなることを特徴とする請求項１〜７
のいずれか一項記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回
路。 - 【請求項１６】 前記共振用コンデンサは、誘電体材料
がプラスチックからなることを特徴とする請求項１〜７
のいずれか一項記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回
路。 - 【請求項１７】 前記共振用コンデンサは、誘電体材料
がマイカからなることを特徴とする請求項１〜７のいず
れか一項記載のフライバックＤＣ／ＤＣ変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001202261A JP2003018833A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | フライバックｄｃ／ｄｃ変換回路 |
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|---|---|---|---|
| JP2001202261A JP2003018833A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | フライバックｄｃ／ｄｃ変換回路 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003018833A true JP2003018833A (ja) | 2003-01-17 |
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|---|---|---|---|
| JP2001202261A Pending JP2003018833A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | フライバックｄｃ／ｄｃ変換回路 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003018833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011073777A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fuel cell system including soft switching boost converter |
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