JPH0760148B2 - 電子部品の洗浄効果評価方法 - Google Patents
電子部品の洗浄効果評価方法Info
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- JPH0760148B2 JPH0760148B2 JP61030811A JP3081186A JPH0760148B2 JP H0760148 B2 JPH0760148 B2 JP H0760148B2 JP 61030811 A JP61030811 A JP 61030811A JP 3081186 A JP3081186 A JP 3081186A JP H0760148 B2 JPH0760148 B2 JP H0760148B2
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- cleaning
- liquid
- ultrasonic
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子管，電子デバイス等に使用される構成部
品の清浄化および清浄後の構成部品の清浄度の評価に好
適な電子部品の洗浄効果評価方法に関するものである。
品の清浄化および清浄後の構成部品の清浄度の評価に好
適な電子部品の洗浄効果評価方法に関するものである。
従来、液中異物の計測装置には、断続方式による粒径５
〜100μｍ程度の異物を計測する超音波照射形の異物計
測方式と、粒径0.5〜60μｍ程度の異物を計測するレー
ザ光線照射形の異物計測方式とが用いられていた。
〜100μｍ程度の異物を計測する超音波照射形の異物計
測方式と、粒径0.5〜60μｍ程度の異物を計測するレー
ザ光線照射形の異物計測方式とが用いられていた。
なお、このような液中異物の計測装置の構造は、例えば
昭和59年２月「第３回空気清浄とコンタミネーシヨンコ
ントロールに関する技術研究大会」において発表された
「液体中微粒子のオンライン測定」等に記載されてい
る。
昭和59年２月「第３回空気清浄とコンタミネーシヨンコ
ントロールに関する技術研究大会」において発表された
「液体中微粒子のオンライン測定」等に記載されてい
る。
この種の液中異物の測定装置は、構成部品を洗浄した被
検液中に気泡，ガス等の混在気体が存在すると、異物計
測時に異物センサ部の表面に気泡が付着したり、また液
中の気泡をも同時に計測するために計測値が大きくな
り、誤差が大きくなるため、連続してかる液中の異物の
大きさおよび数を正確に計測し、その結果をプリントア
ウトまたはグラフ表示することができなかつた。
検液中に気泡，ガス等の混在気体が存在すると、異物計
測時に異物センサ部の表面に気泡が付着したり、また液
中の気泡をも同時に計測するために計測値が大きくな
り、誤差が大きくなるため、連続してかる液中の異物の
大きさおよび数を正確に計測し、その結果をプリントア
ウトまたはグラフ表示することができなかつた。
本発明は、被検液中の気泡を除去し、連続かつ高精度で
被検液中の異物の計測を可能にした電子部品の洗浄効果
評価方法を提供することを目的としている。
被検液中の異物の計測を可能にした電子部品の洗浄効果
評価方法を提供することを目的としている。
本発明に係わる電子部品の洗浄効果評価方法は、電子部
品を浸漬洗浄する洗浄槽（２）と、モニタ校正用標準液
を収容する標準液貯水槽（３）と、前記洗浄槽（２）で
洗浄済みの前記電子部品表面に残留付着している異物を
除去しこれを含有させた評価用洗浄液（７）を生成する
超音波洗浄槽（８）と、粒径及び数量が異なる各種の異
物を計測する異物計測手段（20），（30）と、前記異物
計測手段（20），（30）の計測センサ部前段に配設され
る真空脱気装置（21）とを備え、前記洗浄槽（２）から
の被検液，前記標準液貯水槽（３）からの被検液，また
は前記超音波洗浄槽（８）からの被検液を、前記異物計
測手段（20），（30）へ選択的に切換え送ることによ
り、電子部品表面に残留付着している異物を評価するも
のである。
品を浸漬洗浄する洗浄槽（２）と、モニタ校正用標準液
を収容する標準液貯水槽（３）と、前記洗浄槽（２）で
洗浄済みの前記電子部品表面に残留付着している異物を
除去しこれを含有させた評価用洗浄液（７）を生成する
超音波洗浄槽（８）と、粒径及び数量が異なる各種の異
物を計測する異物計測手段（20），（30）と、前記異物
計測手段（20），（30）の計測センサ部前段に配設され
る真空脱気装置（21）とを備え、前記洗浄槽（２）から
の被検液，前記標準液貯水槽（３）からの被検液，また
は前記超音波洗浄槽（８）からの被検液を、前記異物計
測手段（20），（30）へ選択的に切換え送ることによ
り、電子部品表面に残留付着している異物を評価するも
のである。
洗浄槽（２）からの被検液，前記標準液貯水槽（３）か
らの被検液，または洗浄済みの前記電子部品表面に残留
付着している異物を除去しこれを含有させた超音波洗浄
槽（８）からの被検液の何れかを、選択的に自由に切換
えて、異物計測手段（20），（30）へ送ることにより、
洗浄槽（２）の汚染状態評価，洗浄済みの電子管及び電
子デバイス用構成部品等の電子部品の表面に残留付着し
ている異物の評価，或いは異物計測手段の校正などを適
宜選択して自動的かつ連続的に行なうことが可能にな
り、かつ異物計測手段（20），（30）の計測センサ部前
段に真空脱気装置（21）を配設しているので、被検液が
異物センサ部に到達する以前に被検液中の混在気体が脱
気され、液中異物のみが高精度に計測される。
らの被検液，または洗浄済みの前記電子部品表面に残留
付着している異物を除去しこれを含有させた超音波洗浄
槽（８）からの被検液の何れかを、選択的に自由に切換
えて、異物計測手段（20），（30）へ送ることにより、
洗浄槽（２）の汚染状態評価，洗浄済みの電子管及び電
子デバイス用構成部品等の電子部品の表面に残留付着し
ている異物の評価，或いは異物計測手段の校正などを適
宜選択して自動的かつ連続的に行なうことが可能にな
り、かつ異物計測手段（20），（30）の計測センサ部前
段に真空脱気装置（21）を配設しているので、被検液が
異物センサ部に到達する以前に被検液中の混在気体が脱
気され、液中異物のみが高精度に計測される。
次に図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明による電子部品の洗浄効果評価方法の一
実施例を示す構成図である。同図において、１はサンプ
リング部であり、２は内部に電子管，電子デバイス等に
用いられる構成部品としての被検処理体を浸漬し洗浄処
理した洗浄液2aを収容する洗浄槽、３は攪拌器を有しか
つ内部に粒径0.5〜4.9μｍの異物が60000個/100mlおよ
び粒径５〜100μｍの異物が5166/100mlの割合で含むモ
ニタ校正用の標準液3aを収容した標準液貯水槽、４は清
浄部品評価洗浄液4aを収容した洗浄液槽、５は清浄部
品、６は清浄部品５の清浄評価容器、７は清浄部品評価
被検液、８は内部に評価容器６および洗浄水8aを収容し
外部に超音波発生装置8bを有する超音波洗浄槽、９は洗
浄液2aのサンプリングチユーブ、10は標準液3aのサンプ
リングチユーブ、11は洗浄液4aのサンプリングチユー
ブ、13は各チユーブ9,10,12内に流れる各液測定用切換
弁である。なお、これらの各液は0.1〜0.15l/mの流速で
順次送流されている。
実施例を示す構成図である。同図において、１はサンプ
リング部であり、２は内部に電子管，電子デバイス等に
用いられる構成部品としての被検処理体を浸漬し洗浄処
理した洗浄液2aを収容する洗浄槽、３は攪拌器を有しか
つ内部に粒径0.5〜4.9μｍの異物が60000個/100mlおよ
び粒径５〜100μｍの異物が5166/100mlの割合で含むモ
ニタ校正用の標準液3aを収容した標準液貯水槽、４は清
浄部品評価洗浄液4aを収容した洗浄液槽、５は清浄部
品、６は清浄部品５の清浄評価容器、７は清浄部品評価
被検液、８は内部に評価容器６および洗浄水8aを収容し
外部に超音波発生装置8bを有する超音波洗浄槽、９は洗
浄液2aのサンプリングチユーブ、10は標準液3aのサンプ
リングチユーブ、11は洗浄液4aのサンプリングチユー
ブ、13は各チユーブ9,10,12内に流れる各液測定用切換
弁である。なお、これらの各液は0.1〜0.15l/mの流速で
順次送流されている。
また、20は超音波異物計測部であり、21は被検液中の混
在気体を脱気する真空脱気装置、22は被検液中の粒径５
〜100μｍの異物を検知する超音波異物センサ、23は電
源、24はマイコン、25はデイスプレイ、26はプリンタ、
27は被検液を20〜1000mlの流速で吸引する吸引ポンプ、
28は検液後の排液チユーブである。
在気体を脱気する真空脱気装置、22は被検液中の粒径５
〜100μｍの異物を検知する超音波異物センサ、23は電
源、24はマイコン、25はデイスプレイ、26はプリンタ、
27は被検液を20〜1000mlの流速で吸引する吸引ポンプ、
28は検液後の排液チユーブである。
また、30はレーザ異物計測部であり、このレーザ異物計
測部30は、被検液中の粒径0.5〜25μｍの異物を検知す
るレーザ光異物センサ31を有し、残部は前述した超音波
異物計測部20と同様に構成されている。
測部30は、被検液中の粒径0.5〜25μｍの異物を検知す
るレーザ光異物センサ31を有し、残部は前述した超音波
異物計測部20と同様に構成されている。
なお、前述した真空脱気装置21は、有機膜室内に有機物
からなるチユーブを通し、この有機膜室内を真空とし、
この部分に被検液が通過する際、有機チユーブ内の被検
液中の混在気体を除去する有機膜製真空脱気装置または
低真空中で被検液を衝突板に噴霧し、低真空吸引による
液中混在気体を脱気する真空スプレー脱気装置が使用で
き、これらの脱気装置は、毎分20〜1000mlの速度で送液
される被検液中の混在気体１〜100ppmを脱気する機能を
有している。
からなるチユーブを通し、この有機膜室内を真空とし、
この部分に被検液が通過する際、有機チユーブ内の被検
液中の混在気体を除去する有機膜製真空脱気装置または
低真空中で被検液を衝突板に噴霧し、低真空吸引による
液中混在気体を脱気する真空スプレー脱気装置が使用で
き、これらの脱気装置は、毎分20〜1000mlの速度で送液
される被検液中の混在気体１〜100ppmを脱気する機能を
有している。
また、前述した超音波異物センサ22は、第２図に示すよ
うにチユーブ22a内に連続して流れる被検液22bの流路側
面よりクオーツクリスタル素子22cに印加した約400Vの
高周波電圧を約15MHz超音波音圧に変換した超音波パル
ス22dを１秒間に200回（２μsec/回）連続して繰返し照
射する。その超音波エネルギーは音響レンズ22eで集束
させ、円錐状に焦点を結ばせると、被検液22b中に超音
波が伝波するため、その密度が最も高くなる領域22f,22
gでの異物22hからの後方反射する反射エネルギー（粒子
の大きさに比例する）を利用し、粒子１個からの１個の
反射波をエコーとして返してくるため、反射パスル受信
ゲート22iの約1.4mmφ内の反射のみをセンサ22jで受け
る。なお、22kは超音波ビームである。そして、1000回
の反射パルス22dによつて返つて来た反射パスル計測値2
2l,22m,22nをカウントパルスに変換することにより、粒
径５〜100μｍの異物の連続計測を行なう。
うにチユーブ22a内に連続して流れる被検液22bの流路側
面よりクオーツクリスタル素子22cに印加した約400Vの
高周波電圧を約15MHz超音波音圧に変換した超音波パル
ス22dを１秒間に200回（２μsec/回）連続して繰返し照
射する。その超音波エネルギーは音響レンズ22eで集束
させ、円錐状に焦点を結ばせると、被検液22b中に超音
波が伝波するため、その密度が最も高くなる領域22f,22
gでの異物22hからの後方反射する反射エネルギー（粒子
の大きさに比例する）を利用し、粒子１個からの１個の
反射波をエコーとして返してくるため、反射パスル受信
ゲート22iの約1.4mmφ内の反射のみをセンサ22jで受け
る。なお、22kは超音波ビームである。そして、1000回
の反射パルス22dによつて返つて来た反射パスル計測値2
2l,22m,22nをカウントパルスに変換することにより、粒
径５〜100μｍの異物の連続計測を行なう。
また、前述したレーザ光異物センサ31は、第３図に示す
ようにセンサセル31a内に連続して流れる被検液31bの流
路側面より、He−Neレーザ31cをプリズム31dで反射させ
集束レンズ31fで集光したレーザ31eを照射し、被検液31
b中の異物（粒径0.5〜60μｍ）により散乱された光を集
光レンズ31f′で集め、高感度のフオトダイオード31gで
その大きさおよび数量を検出することにより、粒径0.5
〜25μｍの異物の連続計測を行なう。なお、非散乱はプ
リズム31hで反射させ、フオトダイオード31gに入射され
ない。
ようにセンサセル31a内に連続して流れる被検液31bの流
路側面より、He−Neレーザ31cをプリズム31dで反射させ
集束レンズ31fで集光したレーザ31eを照射し、被検液31
b中の異物（粒径0.5〜60μｍ）により散乱された光を集
光レンズ31f′で集め、高感度のフオトダイオード31gで
その大きさおよび数量を検出することにより、粒径0.5
〜25μｍの異物の連続計測を行なう。なお、非散乱はプ
リズム31hで反射させ、フオトダイオード31gに入射され
ない。
このような構成において、まず、製作された図示しない
例えば電子銃構体等の被検処理体を、洗浄槽２内に純水
を収容してその中に浸漬し、洗浄処理する。この場合、
この純水中には被検処理体の表面に付着していた各種粒
径の異物が除去され含有された洗浄液2aとなる。次に洗
浄処理された被検処理体は清浄部品として評価容器６内
に収容し、洗浄液槽４からサンプリングチユーブ11を通
して例えば純水等の洗浄液4aを供給し、超音波発生装置
７により超音波を連続的に照射して再洗浄し、清浄部品
５に付着残存していた異物をさらに除去して含有させて
清浄品評価被検液７とする。次にこの清浄品評価被検液
７およびモニタ校正用標準液3aは、それぞれサンプリン
グチユーブ12,10を通して各液測定用切換弁13により切
換えられ、超音波異物計測部20およびレーザ異物計測部
30の各吸引ポンプ27により約100ml/分の流速で各真空脱
気装置21に導入され、被検液７および標準液3a内に含有
されている気泡，ガス等の混在気体を脱気させた後、超
音波異物計測部20では、被検液７および標準液3aが超音
波異物センサ22に導入され、第２図で説明したように粒
径５〜100μｍの液中異物のみが計測される。一方、レ
ーザ異物計測部30では、同様に脱気した被検液７および
標準液3aがレーザ光異物センサ31にそれぞれ導入され、
第３図で説明したように粒径0.5〜4.9μｍの液中異物の
みが計測される。この結果、標準液3aは、前述した標準
値（粒径0.5〜4.9μｍの異物粒子数60000個/100ml,粒径
５〜100μｍの異物粒子数5166/100ml）に対して変動係
数が±15％以内で計測され、かつ前述した被検処理体を
全体の水流量を0.1〜0.15l/分で洗浄した場合、評価容
器６内の清浄品評価被検液７中の異物は13000〜16000個
/100mlであつた。また、製作後の被検処理体10本をサン
プリング部１で評価容器６内での超音波洗浄による再洗
浄を行なわないで、初期の洗浄槽２のみによる洗浄後、
超音波異物計測部20で真空脱気装置21を通して計測した
結果、粒径５〜100μｍの付着異物の合計が30000〜5000
0個／本（＝46000個／本）であつたのに対して本実施
例の如き評価容器６内での超音波洗浄による再洗浄を行
なつた場合には3100〜6200個／本（＝3700個／本）と
なり、連続的な異物の計測が可能となる。ここで真空脱
気装置21を用いて液中異物を連続計測する場合、予め測
定済の異物の粒子数および大きさの判明している既知試
料を用い、異物の大きさとその数の両者に対する照射超
音波の反射エネルギーとの関係曲線を作成し、マイコン
24に記憶させ、これと被検液中の異物によるそれぞれの
超音波異物センサ22による計測数を演算し、異物の数と
大きさとをグラフ表示および作表し、同時にプリンタ26
にプリントアウトおよびデイスプレイ25に表示すること
により、液中異物が連続計測される。
例えば電子銃構体等の被検処理体を、洗浄槽２内に純水
を収容してその中に浸漬し、洗浄処理する。この場合、
この純水中には被検処理体の表面に付着していた各種粒
径の異物が除去され含有された洗浄液2aとなる。次に洗
浄処理された被検処理体は清浄部品として評価容器６内
に収容し、洗浄液槽４からサンプリングチユーブ11を通
して例えば純水等の洗浄液4aを供給し、超音波発生装置
７により超音波を連続的に照射して再洗浄し、清浄部品
５に付着残存していた異物をさらに除去して含有させて
清浄品評価被検液７とする。次にこの清浄品評価被検液
７およびモニタ校正用標準液3aは、それぞれサンプリン
グチユーブ12,10を通して各液測定用切換弁13により切
換えられ、超音波異物計測部20およびレーザ異物計測部
30の各吸引ポンプ27により約100ml/分の流速で各真空脱
気装置21に導入され、被検液７および標準液3a内に含有
されている気泡，ガス等の混在気体を脱気させた後、超
音波異物計測部20では、被検液７および標準液3aが超音
波異物センサ22に導入され、第２図で説明したように粒
径５〜100μｍの液中異物のみが計測される。一方、レ
ーザ異物計測部30では、同様に脱気した被検液７および
標準液3aがレーザ光異物センサ31にそれぞれ導入され、
第３図で説明したように粒径0.5〜4.9μｍの液中異物の
みが計測される。この結果、標準液3aは、前述した標準
値（粒径0.5〜4.9μｍの異物粒子数60000個/100ml,粒径
５〜100μｍの異物粒子数5166/100ml）に対して変動係
数が±15％以内で計測され、かつ前述した被検処理体を
全体の水流量を0.1〜0.15l/分で洗浄した場合、評価容
器６内の清浄品評価被検液７中の異物は13000〜16000個
/100mlであつた。また、製作後の被検処理体10本をサン
プリング部１で評価容器６内での超音波洗浄による再洗
浄を行なわないで、初期の洗浄槽２のみによる洗浄後、
超音波異物計測部20で真空脱気装置21を通して計測した
結果、粒径５〜100μｍの付着異物の合計が30000〜5000
0個／本（＝46000個／本）であつたのに対して本実施
例の如き評価容器６内での超音波洗浄による再洗浄を行
なつた場合には3100〜6200個／本（＝3700個／本）と
なり、連続的な異物の計測が可能となる。ここで真空脱
気装置21を用いて液中異物を連続計測する場合、予め測
定済の異物の粒子数および大きさの判明している既知試
料を用い、異物の大きさとその数の両者に対する照射超
音波の反射エネルギーとの関係曲線を作成し、マイコン
24に記憶させ、これと被検液中の異物によるそれぞれの
超音波異物センサ22による計測数を演算し、異物の数と
大きさとをグラフ表示および作表し、同時にプリンタ26
にプリントアウトおよびデイスプレイ25に表示すること
により、液中異物が連続計測される。
なお、前述した実施例においては、サンプリング部１
に、超音波異物計測部20とレーザ異物計測部30とを並列
接続して液中異物の計測を行つたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、第４図に示すように直列接続し
て超音波・レーザ異物計測部40として構成しても前述と
全く同様の効果が得られ、この場合は吸引ポンプ27が１
個省略できるので、システムのコストが安価となる。
に、超音波異物計測部20とレーザ異物計測部30とを並列
接続して液中異物の計測を行つたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、第４図に示すように直列接続し
て超音波・レーザ異物計測部40として構成しても前述と
全く同様の効果が得られ、この場合は吸引ポンプ27が１
個省略できるので、システムのコストが安価となる。
なお、前述した真空脱気装置は、内部にらせん状に巻設
させた合成樹脂チユーブを挿通した真空チヤンバと、こ
の真空チヤンバ内を所定の真空度に保持する圧力セン
サ，コントロールボツクスおよび真空ポンプからなる真
空装置を具備する構成のものでもよいことは勿論であ
る。
させた合成樹脂チユーブを挿通した真空チヤンバと、こ
の真空チヤンバ内を所定の真空度に保持する圧力セン
サ，コントロールボツクスおよび真空ポンプからなる真
空装置を具備する構成のものでもよいことは勿論であ
る。
以上説明したように本発明によれば、被検液中の異物を
検知する異物センサの前段に真空脱気装置を設けたこと
により、被検液中の混在気体が確実に除去されて液中異
物のみが計測されるので、異物の粒径および数量が連続
して確実に計測できるとともに、付着異物の極めて少な
い構成部品が連続して得られるなどの極めて優れた効果
が得られる。
検知する異物センサの前段に真空脱気装置を設けたこと
により、被検液中の混在気体が確実に除去されて液中異
物のみが計測されるので、異物の粒径および数量が連続
して確実に計測できるとともに、付着異物の極めて少な
い構成部品が連続して得られるなどの極めて優れた効果
が得られる。
第１図は本発明による電子部品の洗浄効果評価方法の一
実施例を示す構成図、第２図は超音波異物センサを説明
する図、第３図はレーザ光異物センサを説明する図、第
４図は本発明の他の実施例を説明する図である。 １……サンプリング部、２……洗浄槽、2a……洗浄液、
３……標準液貯水槽、3a……標準液、４……洗浄液槽、
4a……清浄部品評価洗浄液、５……清浄部品、６……清
浄評価容器、７……清浄部品評価被検液、８……超音波
洗浄槽、8a……洗浄水、8b……超音波発生装置、9,10,1
1,12……サンプリングチユーブ、13……各液測定用切換
弁、20……超音波異物計測部、21……真空脱気装置、22
……超音波異物センサ、23……電源、24……マイコン、
25……デイスプレイ、26……プリンタ、27……ポンプ、
28……排液チユーブ、30……レーザ異物計測部、31……
レーザ光異物センサ、40……超音波・レーザ異物計測
部。
実施例を示す構成図、第２図は超音波異物センサを説明
する図、第３図はレーザ光異物センサを説明する図、第
４図は本発明の他の実施例を説明する図である。 １……サンプリング部、２……洗浄槽、2a……洗浄液、
３……標準液貯水槽、3a……標準液、４……洗浄液槽、
4a……清浄部品評価洗浄液、５……清浄部品、６……清
浄評価容器、７……清浄部品評価被検液、８……超音波
洗浄槽、8a……洗浄水、8b……超音波発生装置、9,10,1
1,12……サンプリングチユーブ、13……各液測定用切換
弁、20……超音波異物計測部、21……真空脱気装置、22
……超音波異物センサ、23……電源、24……マイコン、
25……デイスプレイ、26……プリンタ、27……ポンプ、
28……排液チユーブ、30……レーザ異物計測部、31……
レーザ光異物センサ、40……超音波・レーザ異物計測
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富田 好文 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 平塚 豊 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−28249（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】電子部品を浸漬洗浄する洗浄槽（２）と、 モニタ校正用標準液を収容する標準液貯水槽（３）と、 前記洗浄槽（２）で洗浄済みの前記電子部品表面に残留
付着している異物を除去しこれを含有させた評価用洗浄
液（７）を生成する超音波洗浄槽（８）と、 粒径及び数量が異なる各種の異物を計測する異物計測手
段（20），（30）と、 前記異物計測手段（20），（30）の計測センサ部前段に
配設される真空脱気装置（21）とを備え、 前記洗浄槽（２）からの被検液，前記標準液貯水槽
（３）からの被検液，または前記超音波洗浄槽（８）か
らの被検液を、前記異物計測手段（20），（30）へ選択
的に切換え送ることにより、電子部品表面に残留付着し
ている異物を評価することを特徴とした電子部品の洗浄
効果評価方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030811A JPH0760148B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 電子部品の洗浄効果評価方法 |
| US07/014,787 US4779451A (en) | 1986-02-17 | 1987-02-13 | System for measuring foreign materials in liquid |
| KR1019870001282A KR900001575B1 (ko) | 1986-02-17 | 1987-02-17 | 액중 이물류의 계측방법 |
| US07/226,204 US4890481A (en) | 1986-02-17 | 1988-07-29 | System for measuring foreign materials in liquid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030811A JPH0760148B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 電子部品の洗浄効果評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190462A JPS62190462A (ja) | 1987-08-20 |
| JPH0760148B2 true JPH0760148B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=12314071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61030811A Expired - Lifetime JPH0760148B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 電子部品の洗浄効果評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760148B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728249A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-15 | Toshiba Corp | Measuring apparatus for concentration |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61030811A patent/JPH0760148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62190462A (ja) | 1987-08-20 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |