JPH0758364A - 発光ダイオード及びその製造法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造法Info
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- JPH0758364A JPH0758364A JP5201398A JP20139893A JPH0758364A JP H0758364 A JPH0758364 A JP H0758364A JP 5201398 A JP5201398 A JP 5201398A JP 20139893 A JP20139893 A JP 20139893A JP H0758364 A JPH0758364 A JP H0758364A
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- metal lead
- melt flow
- flow index
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】金属リードフレームにマウントされた半導体チ
ップが、ポリエーテルスルホン樹脂９０〜９９．９重量
部とフタル酸混基エステル１０〜０．１重量部からな
り、３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデッ
クスの値が２０〜１２０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエー
テルスルホン樹脂組成物で封止されていることを特徴と
する発光ダイオード。 【効果】本発明による発光ダイオードは、３２０℃×
２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０
〜１２０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹
脂組成物で封止されているため為、金属リードの変形が
なく、透明性及び耐熱性、機械特性に優れ、さらに金属
リードフレームと樹脂との密着性にも優れている。
ップが、ポリエーテルスルホン樹脂９０〜９９．９重量
部とフタル酸混基エステル１０〜０．１重量部からな
り、３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデッ
クスの値が２０〜１２０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエー
テルスルホン樹脂組成物で封止されていることを特徴と
する発光ダイオード。 【効果】本発明による発光ダイオードは、３２０℃×
２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０
〜１２０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹
脂組成物で封止されているため為、金属リードの変形が
なく、透明性及び耐熱性、機械特性に優れ、さらに金属
リードフレームと樹脂との密着性にも優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップがポリエー
テルスルホン樹脂組成物で封止されている発光ダイオー
ドに関する。
テルスルホン樹脂組成物で封止されている発光ダイオー
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】 発光ダイオードは、金線等のワイヤー
が接続された金属リードフレームに半導体チップをマウ
ントし、その後エポキシ樹脂等の封止用樹脂で封止し、
種々の形状に成形されている。これらの半導体チップの
樹脂封止方法としては、熱硬化性樹脂、即ちエポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、シリコーン等を用い絶縁封止する成
形法が良く知られている。しかし、これらの樹脂による
封止方法では封止の前工程に樹脂の予備硬化状態及び長
時間の硬化時間が必要であり、さらに後硬化も必要であ
り、極めて生産性が悪かった。
が接続された金属リードフレームに半導体チップをマウ
ントし、その後エポキシ樹脂等の封止用樹脂で封止し、
種々の形状に成形されている。これらの半導体チップの
樹脂封止方法としては、熱硬化性樹脂、即ちエポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、シリコーン等を用い絶縁封止する成
形法が良く知られている。しかし、これらの樹脂による
封止方法では封止の前工程に樹脂の予備硬化状態及び長
時間の硬化時間が必要であり、さらに後硬化も必要であ
り、極めて生産性が悪かった。
【０００３】これらの問題を解決するため、熱可塑性樹
脂を用いる方法が試みられてきている。即ち、半導体チ
ップをインサートした金型に熱可塑性樹脂を直接、射出
成形することで生産性を高める試みである。さて、熱可
塑性樹脂を用いた発光ダイオードであるが、その要求特
性としては、特に高流動性、透明性及び耐熱性が挙げら
れる。 しかし、これまでは、上記の特性を十分満足さ
せてはいなかった。
脂を用いる方法が試みられてきている。即ち、半導体チ
ップをインサートした金型に熱可塑性樹脂を直接、射出
成形することで生産性を高める試みである。さて、熱可
塑性樹脂を用いた発光ダイオードであるが、その要求特
性としては、特に高流動性、透明性及び耐熱性が挙げら
れる。 しかし、これまでは、上記の特性を十分満足さ
せてはいなかった。
【０００４】例えば、ポリカーボネート樹脂を用いた
ら、射出成形時に、金属リードの変形無しに成形でき、
透明性を有するが、耐熱性が十分ではなく２４０℃以上
の半田耐熱性を有していない。また、ポリフェニレンス
ルフィド樹脂を用いると、結晶性樹脂であるため、透明
性が著しく劣り、好ましくなかった。さらに、ポリエー
テルスルホン樹脂を用いると、透明性を有し、耐熱性は
十分であるが、成形加工性が十分ではなく、射出成形時
に金属リードの変形を伴うという問題があった。さらに
は、上記熱可塑性樹脂を用いた場合、金属リードフレー
ムとの密着性に関しても不十分であった。
ら、射出成形時に、金属リードの変形無しに成形でき、
透明性を有するが、耐熱性が十分ではなく２４０℃以上
の半田耐熱性を有していない。また、ポリフェニレンス
ルフィド樹脂を用いると、結晶性樹脂であるため、透明
性が著しく劣り、好ましくなかった。さらに、ポリエー
テルスルホン樹脂を用いると、透明性を有し、耐熱性は
十分であるが、成形加工性が十分ではなく、射出成形時
に金属リードの変形を伴うという問題があった。さらに
は、上記熱可塑性樹脂を用いた場合、金属リードフレー
ムとの密着性に関しても不十分であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体チップをインサートした金型にポリエーテルスルホン
樹脂組成物を直接、射出成形し、金属リードフレームの
変形のない、透明性及び耐熱性に優れ、さらには、優れ
た機械特性と金属リードフレームと樹脂組成物との密着
性が良好な発光ダイオード及びその製造方法を開発する
ものである。
体チップをインサートした金型にポリエーテルスルホン
樹脂組成物を直接、射出成形し、金属リードフレームの
変形のない、透明性及び耐熱性に優れ、さらには、優れ
た機械特性と金属リードフレームと樹脂組成物との密着
性が良好な発光ダイオード及びその製造方法を開発する
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記の目的
を達成するために鋭意検討した結果、金属リードフレー
ムにマウントされた半導体チップが、ポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸混基エステルとの混合物であり、且
つ特定のメルトフローインデックス値を有するポリエー
テルスルホン樹脂組成物で封止することにより、金属リ
ードの変形のない、透明性及び耐熱性に優れ、金属リー
ドフレームと樹脂組成物との密着性が良好な発光ダイオ
ードをえられることが可能であることを見出し、本発明
を完成した。
を達成するために鋭意検討した結果、金属リードフレー
ムにマウントされた半導体チップが、ポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸混基エステルとの混合物であり、且
つ特定のメルトフローインデックス値を有するポリエー
テルスルホン樹脂組成物で封止することにより、金属リ
ードの変形のない、透明性及び耐熱性に優れ、金属リー
ドフレームと樹脂組成物との密着性が良好な発光ダイオ
ードをえられることが可能であることを見出し、本発明
を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、金属リードフレームにマ
ウントされた半導体チップが、ポリエーテルスルホン樹
脂９０〜９９．９重量部とフタル酸混基エステル１０〜
０．１重量部からなり、且つ３２０℃×２．１６ｋｇで
のメルトフローインデックスの値が２０〜１２０ｇ／１
０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止
されていることを特徴とする発光ダイオードであり、さ
らには金属リードフレームに、成形温度３００℃〜３８
０℃、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５
００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、ポリエーテルスルホン樹脂
９０〜９９．９重量部と、フタル酸混基エステル１０〜
０．１重量部からなり、且つ３２０℃×２．１６ｋｇで
のメルトフローインデックスの値が２０〜１２０ｇ／１
０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止
することを特徴とする発光ダイオードの製造法でもあ
る。
ウントされた半導体チップが、ポリエーテルスルホン樹
脂９０〜９９．９重量部とフタル酸混基エステル１０〜
０．１重量部からなり、且つ３２０℃×２．１６ｋｇで
のメルトフローインデックスの値が２０〜１２０ｇ／１
０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止
されていることを特徴とする発光ダイオードであり、さ
らには金属リードフレームに、成形温度３００℃〜３８
０℃、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５
００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、ポリエーテルスルホン樹脂
９０〜９９．９重量部と、フタル酸混基エステル１０〜
０．１重量部からなり、且つ３２０℃×２．１６ｋｇで
のメルトフローインデックスの値が２０〜１２０ｇ／１
０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止
することを特徴とする発光ダイオードの製造法でもあ
る。
【０００８】本発明に用いるフタル酸混基エステルの添
加量は、ポリエーテルスルホン樹脂９０〜９９．９重量
部に対し、フタル酸混基エステル１０〜０．１重量部で
ある。フタル酸混基エステルは、ポリエーテルスルホン
樹脂の成形加工性と金属リードフレームと樹脂組成物と
の密着性を改良させる点に効果を有する。フタル酸混基
エステルの添加量が０．１重量部を下回ると、成形加工
性の改良効果が乏しく、また１０重量部を越えると、ポ
リエーテルスルホン樹脂の耐熱性を低下させる。またフ
タル酸混基エステルには、フタル酸ブチルベンジル、フ
タル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル等が用
いられる。
加量は、ポリエーテルスルホン樹脂９０〜９９．９重量
部に対し、フタル酸混基エステル１０〜０．１重量部で
ある。フタル酸混基エステルは、ポリエーテルスルホン
樹脂の成形加工性と金属リードフレームと樹脂組成物と
の密着性を改良させる点に効果を有する。フタル酸混基
エステルの添加量が０．１重量部を下回ると、成形加工
性の改良効果が乏しく、また１０重量部を越えると、ポ
リエーテルスルホン樹脂の耐熱性を低下させる。またフ
タル酸混基エステルには、フタル酸ブチルベンジル、フ
タル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル等が用
いられる。
【０００９】またポリエーテルスルホン樹脂９０〜９
９．９重量部とフタル酸混基エステル１０〜０．１重量
部からなるポリエーテルスルホン樹脂組成物の３２０℃
×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２
０〜１２０ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあるものが、成形加
工性と金属リードフレームと樹脂組成物との密着性の改
良に効果を有する。メルトフローインデックスの値が２
０ｇ／１０ｍｉｎを下回ると、金属リードフレームの変
形を伴い、好ましくない。しかし４００℃まで射出成形
温度を上げて溶融粘度を下げることにより、金属リード
フレームの変形を防ぐことはできるが、その際樹脂の分
解を伴うので好ましくない。更に、各種色素（例えば、
複素環系、アンスラキノン系等）を用いて、各種の色を
持つ発光ダイオードを得る場合には、高温の成形は色素
の分解を促進させ、特に好ましくない。また逆にメルト
フローインデックスの値が１２０ｇ／１０ｍｉｎを越え
ると、樹脂の機械的特性が著しく低下して好ましくな
い。
９．９重量部とフタル酸混基エステル１０〜０．１重量
部からなるポリエーテルスルホン樹脂組成物の３２０℃
×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２
０〜１２０ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあるものが、成形加
工性と金属リードフレームと樹脂組成物との密着性の改
良に効果を有する。メルトフローインデックスの値が２
０ｇ／１０ｍｉｎを下回ると、金属リードフレームの変
形を伴い、好ましくない。しかし４００℃まで射出成形
温度を上げて溶融粘度を下げることにより、金属リード
フレームの変形を防ぐことはできるが、その際樹脂の分
解を伴うので好ましくない。更に、各種色素（例えば、
複素環系、アンスラキノン系等）を用いて、各種の色を
持つ発光ダイオードを得る場合には、高温の成形は色素
の分解を促進させ、特に好ましくない。また逆にメルト
フローインデックスの値が１２０ｇ／１０ｍｉｎを越え
ると、樹脂の機械的特性が著しく低下して好ましくな
い。
【００１０】本発明では、金属リードフレームにポリエ
ーテルスルホン樹脂９０〜９９．９重量部と、フタル酸
混基エステル１０〜０．１重量部からなり、３２０℃×
２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０
〜１２０ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあるポリエーテルスル
ホン樹脂組成物を用いて、成形温度３００〜３８０℃、
金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の条件で封止することにより、金属リードの
変形のない、透明性及び耐熱性に優れ、金属リードフレ
ームと樹脂組成物との密着性が良好な発光ダイオードを
製造できる。
ーテルスルホン樹脂９０〜９９．９重量部と、フタル酸
混基エステル１０〜０．１重量部からなり、３２０℃×
２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０
〜１２０ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあるポリエーテルスル
ホン樹脂組成物を用いて、成形温度３００〜３８０℃、
金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の条件で封止することにより、金属リードの
変形のない、透明性及び耐熱性に優れ、金属リードフレ
ームと樹脂組成物との密着性が良好な発光ダイオードを
製造できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例により詳
細に説明する。 実施例１ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が５．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量に
てドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、ペ
レットを得た。ペレットの３２０℃×２．１６ｋｇでの
メルトフローインデックスの値は３８．６ｇ／１０ｍｉ
ｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度３
３０℃、金型温度１２０℃、射出圧力５００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。また、
成形温度３３０℃、金型温度１２０℃、射出圧力７００
kg/cm2の条件で、ＡＳＴＭ−７９０に準じた曲げ試験片
を成形した。この試験片を用いて、耐ハンダ性、光線透
過率及び曲げ強度の測定を行った。試験方法は以下に示
す方法によつた。
細に説明する。 実施例１ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が５．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量に
てドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、ペ
レットを得た。ペレットの３２０℃×２．１６ｋｇでの
メルトフローインデックスの値は３８．６ｇ／１０ｍｉ
ｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度３
３０℃、金型温度１２０℃、射出圧力５００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。また、
成形温度３３０℃、金型温度１２０℃、射出圧力７００
kg/cm2の条件で、ＡＳＴＭ−７９０に準じた曲げ試験片
を成形した。この試験片を用いて、耐ハンダ性、光線透
過率及び曲げ強度の測定を行った。試験方法は以下に示
す方法によつた。
【００１２】耐ハンダ性、２６０℃の半田浴に曲げ試
験片を１０秒浸漬後、試験片の変形及び膨れの有無を観
察した。変形及び膨れのない場合を○印に、変形及び膨
れが若干ある場合を△印、さらに変形及び膨れがひどい
場合を×印とした。 光線透過率、ＪＩＳ Ｋ−７１０５に準じて行った。 曲げ強度、ＡＳＴＭ−７９０に準じて測定した。 金属リードフレームと密着性、得られた発光ダイオー
ドを温度−３０℃、１５０℃の環境下に各３０分放置
し、１０サイクル迄繰り返した後、封止部を固定し、リ
ードフレームを引っ張ることにより、封止部とリードフ
レーム間の密着性を評価した。このとき、リードフレー
ムの破断がおきたときを○印、封止部の破損がおきたと
きを△印、リードフレームと封止部間の界面剥離がおき
たときを×印とした。
験片を１０秒浸漬後、試験片の変形及び膨れの有無を観
察した。変形及び膨れのない場合を○印に、変形及び膨
れが若干ある場合を△印、さらに変形及び膨れがひどい
場合を×印とした。 光線透過率、ＪＩＳ Ｋ−７１０５に準じて行った。 曲げ強度、ＡＳＴＭ−７９０に準じて測定した。 金属リードフレームと密着性、得られた発光ダイオー
ドを温度−３０℃、１５０℃の環境下に各３０分放置
し、１０サイクル迄繰り返した後、封止部を固定し、リ
ードフレームを引っ張ることにより、封止部とリードフ
レーム間の密着性を評価した。このとき、リードフレー
ムの破断がおきたときを○印、封止部の破損がおきたと
きを△印、リードフレームと封止部間の界面剥離がおき
たときを×印とした。
【００１３】実施例２ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が５．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量に
てドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、ペ
レットを得た。ペレットの３２０℃×２．１６ｋｇでの
メルトフローインデックスの値は２７．３ｇ／１０ｍｉ
ｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度３
３０℃、金型温度１５０℃、射出圧力７００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が５．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量に
てドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、ペ
レットを得た。ペレットの３２０℃×２．１６ｋｇでの
メルトフローインデックスの値は２７．３ｇ／１０ｍｉ
ｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度３
３０℃、金型温度１５０℃、射出圧力７００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
【００１４】実施例３ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は４０．０ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３３０℃、金型温度１５０℃、射出圧力７００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は４０．０ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３３０℃、金型温度１５０℃、射出圧力７００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
【００１５】実施例４ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が３０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は９０．１ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３００℃、金型温度１００℃、射出圧力５００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が３０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は９０．１ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３００℃、金型温度１００℃、射出圧力５００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
【００１６】実施例５ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルラウリルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は３８．８ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３３０℃、金型温度１２０℃、射出圧力５００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルラウリルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は３８．８ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３３０℃、金型温度１２０℃、射出圧力５００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
【００１７】比較例１ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が０．５ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、
射出圧力７００kg/cm2にて、半導体チップをインサート
した金型を使用し、射出成形を行い、封止を行った。そ
の後、得られた発光ダイオードの金属リードフレームの
変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法により、
曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求
めた。
の値が０．５ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、
射出圧力７００kg/cm2にて、半導体チップをインサート
した金型を使用し、射出成形を行い、封止を行った。そ
の後、得られた発光ダイオードの金属リードフレームの
変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法により、
曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求
めた。
【００１８】比較例２ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が８０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３００℃、金型温度１００℃、射
出圧力５００kg/cm2にて、半導体チップをインサートし
た金型を使用し、射出成形を行い、封止を行った。その
後、得られた発光ダイオードの金属リードフレームの変
形を観察した。さらに実施例１と同様の方法により、曲
げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
の値が８０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３００℃、金型温度１００℃、射
出圧力５００kg/cm2にて、半導体チップをインサートし
た金型を使用し、射出成形を行い、封止を行った。その
後、得られた発光ダイオードの金属リードフレームの変
形を観察した。さらに実施例１と同様の方法により、曲
げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
【００１９】比較例３ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は１８．９ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３４０℃、金型温度１５０℃、射出圧力７００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は１８．９ｇ／１０ｍ
ｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温度
３４０℃、金型温度１５０℃、射出圧力７００kg/cm2に
て、半導体チップをインサートした金型を使用し、射出
成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダイ
オードの金属リードフレームの変形を観察した。さらに
実施例１と同様の方法により、曲げ試験片を成形し、各
物性を実施例１と同様にして求めた。
【００２０】比較例４ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は１８０．０ｇ／１０
ｍｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温
度３００℃、金型温度１００℃、射出圧力４００kg/cm2
にて、半導体チップをインサートした金型を使用し、射
出成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダ
イオードの金属リードフレームの変形を観察した。
の値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスル
ホン樹脂とフタル酸ブチルベンジルを表１に示す配合量
にてドライブレンドし、３３０℃にて溶融押出を行い、
ペレットを得た。ペレットのメルトフローインデックス
の３２０℃×２．１６ｋｇでの値は１８０．０ｇ／１０
ｍｉｎであった。その後、該ペレットを用いて、成形温
度３００℃、金型温度１００℃、射出圧力４００kg/cm2
にて、半導体チップをインサートした金型を使用し、射
出成形を行い、封止を行った。その後、得られた発光ダ
イオードの金属リードフレームの変形を観察した。
【００２１】比較例５ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が２８ｇ／１０ｍｉｎであるポリカーボネート樹脂
を用い、成形温度３２０℃、金型温度１００℃、射出圧
力７００kg/cm2にて、半導体チップをインサートした金
型を使用し、射出成形を行い、封止を行った。その後、
得られた発光ダイオードの金属リードフレームの変形を
観察した。さらに実施例１と同様の方法により、曲げ試
験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が２８ｇ／１０ｍｉｎであるポリカーボネート樹脂
を用い、成形温度３２０℃、金型温度１００℃、射出圧
力７００kg/cm2にて、半導体チップをインサートした金
型を使用し、射出成形を行い、封止を行った。その後、
得られた発光ダイオードの金属リードフレームの変形を
観察した。さらに実施例１と同様の方法により、曲げ試
験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求めた。
【００２２】比較例６ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が３０ｇ／１０ｍｉｎであるポリフェニレンスルフ
ィド樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１３０
℃、射出圧力７００kg/cm2にて、半導体チップをインサ
ートした金型を使用し、射出成形を行い、封止を行っ
た。その後、得られた発光ダイオードの金属リードフレ
ームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法に
より、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様に
して求めた。但し、得られた発光ダイオードは不透明性
の為、金属リードフレームの変形と密着性の試験は実施
しなかった。
の値が３０ｇ／１０ｍｉｎであるポリフェニレンスルフ
ィド樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１３０
℃、射出圧力７００kg/cm2にて、半導体チップをインサ
ートした金型を使用し、射出成形を行い、封止を行っ
た。その後、得られた発光ダイオードの金属リードフレ
ームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法に
より、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様に
して求めた。但し、得られた発光ダイオードは不透明性
の為、金属リードフレームの変形と密着性の試験は実施
しなかった。
【００２３】以上の試験結果より以下のことがわかる。
実施例１〜５と比較例１との比較より、フタル酸混基エ
ステルを使用しないで、メルトフローインデックスの小
さいポリエーテルスルホン樹脂を用いた場合、溶融粘度
が大きく、金属リードフレームの変形を伴い、さらに樹
脂と金属リードフレームとの接着性が劣ることがわか
る。実施例１〜５と比較例２との比較より、フタル酸混
基エステルを使用しないで、メルトフローインデックス
の大きいポリエーテルスルホン樹脂を用いた場合、強度
低下が著しく、かつ樹脂と金属リードフレームとの接着
性が劣っていることがわかる。
実施例１〜５と比較例１との比較より、フタル酸混基エ
ステルを使用しないで、メルトフローインデックスの小
さいポリエーテルスルホン樹脂を用いた場合、溶融粘度
が大きく、金属リードフレームの変形を伴い、さらに樹
脂と金属リードフレームとの接着性が劣ることがわか
る。実施例１〜５と比較例２との比較より、フタル酸混
基エステルを使用しないで、メルトフローインデックス
の大きいポリエーテルスルホン樹脂を用いた場合、強度
低下が著しく、かつ樹脂と金属リードフレームとの接着
性が劣っていることがわかる。
【００２４】実施例１〜５と比較例３との比較より、フ
タル酸混基エステルの添加量が小さいと、金属リードフ
レームの変形およびフレームと樹脂の密着性が劣ること
がわかる。実施例１〜５と比較例４との比較より、フタ
ル酸混基エステルの添加量が大きいと、耐熱性の低下が
著しいことがわかる。さらに、実施例１〜５と比較例５
との比較より、ポリカーボネート樹脂では耐熱性が十分
ではないことが明白である。最後に、比較例６のポリフ
ェニレンスルフィド樹脂では、不透明であり、本発明の
用途には不適である。
タル酸混基エステルの添加量が小さいと、金属リードフ
レームの変形およびフレームと樹脂の密着性が劣ること
がわかる。実施例１〜５と比較例４との比較より、フタ
ル酸混基エステルの添加量が大きいと、耐熱性の低下が
著しいことがわかる。さらに、実施例１〜５と比較例５
との比較より、ポリカーボネート樹脂では耐熱性が十分
ではないことが明白である。最後に、比較例６のポリフ
ェニレンスルフィド樹脂では、不透明であり、本発明の
用途には不適である。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】本発明の金属リードフレームにマウント
された半導体チップが、３２０℃×２．１６ｋｇでのメ
ルトフローインデックスの値が２０〜１２０ｇ／１０ｍ
ｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止され
ている発光ダイオードは、金属リードフレームの変形が
なく、耐熱性、透明性に優れ、さらに、機械特性および
金属リードフレームと樹脂組成物の接着性にも優れてい
る。
された半導体チップが、３２０℃×２．１６ｋｇでのメ
ルトフローインデックスの値が２０〜１２０ｇ／１０ｍ
ｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止され
ている発光ダイオードは、金属リードフレームの変形が
なく、耐熱性、透明性に優れ、さらに、機械特性および
金属リードフレームと樹脂組成物の接着性にも優れてい
る。
フロントページの続き (72)発明者 高橋 敏明 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 佐藤 友章 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 金属リードフレームにマウントされた半
導体チップが、ポリエーテルスルホン樹脂９０〜９９．
９重量部とフタル酸混基エステル１０〜０．１重量部か
らなり、且つ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフロー
インデックスの値が２０〜１２０ｇ／１０ｍｉｎである
ポリエーテルスルホン樹脂組成物で封止されていること
を特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 金属リードフレームに、成形温度３００
℃〜３８０℃、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３０
０〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、ポリエーテルスル
ホン樹脂９０〜９９．９重量部と、フタル酸混基エステ
ル１０〜０．１重量部からなり、且つメルトフローイン
デックスの３２０℃×２．１６ｋｇでの値が２０〜１２
０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂組成
物で封止されていることを特徴とする発光ダイオードの
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201398A JPH0758364A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 発光ダイオード及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201398A JPH0758364A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 発光ダイオード及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758364A true JPH0758364A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16440434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5201398A Pending JPH0758364A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 発光ダイオード及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074038A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 旭硝子株式会社 | 発光素子モジュールおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-13 JP JP5201398A patent/JPH0758364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074038A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 旭硝子株式会社 | 発光素子モジュールおよびその製造方法 |
| JPWO2010074038A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-14 | 旭硝子株式会社 | 発光素子モジュールおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070618 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070914 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070920 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080304 |