JPS63131529A - 発光ダイオードの封止方法及び発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードの封止方法及び発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPS63131529A JPS63131529A JP61276789A JP27678986A JPS63131529A JP S63131529 A JPS63131529 A JP S63131529A JP 61276789 A JP61276789 A JP 61276789A JP 27678986 A JP27678986 A JP 27678986A JP S63131529 A JPS63131529 A JP S63131529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- pentene
- methyl
- injection molding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 15
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYPKRALMXUUNKS-UHFFFAOYSA-N 2-Hexene Natural products CCCC=CC RYPKRALMXUUNKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 ethylene, propylene, 1-butene Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 2
- ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 4-Methylbiphenyl Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はインサート射出成形法によって発光ダイオード
を製造するには、従来封止型に対象となる未封止の発光
ダイオードを入れ、エポキシ樹脂やアクリル樹脂を注入
して、加熱硬化または紫外線硬化により樹脂を硬化させ
て製作していた。しかし、この方法は硬化に長時間かか
るうえ、封止型が必要となって経済的にも劣る。
を製造するには、従来封止型に対象となる未封止の発光
ダイオードを入れ、エポキシ樹脂やアクリル樹脂を注入
して、加熱硬化または紫外線硬化により樹脂を硬化させ
て製作していた。しかし、この方法は硬化に長時間かか
るうえ、封止型が必要となって経済的にも劣る。
そこで製造工程の簡略化、ライン時間の短縮化、コスト
ダウンをねらって種々の方法が検討されており、その中
の一手段として射出成形によって発光ダイオードを封止
する技術がある。
ダウンをねらって種々の方法が検討されており、その中
の一手段として射出成形によって発光ダイオードを封止
する技術がある。
しかし、発光ダイオードの半導体チップ部には極めて細
いリード線が設けられており、通常の射出成形法では流
動してきた樹脂圧力によってリード線が切断されたり、
半導体チップが破損したりするという問題がある。そこ
で、たとえば特開昭５４−４８１８６号公報には、半導
体チップ部を予め樹脂でディップし硬化させることによ
り、リード線と半導体チップを保護し、その後インサー
ト射出成形によって必要箇所を封止する発光ダイオード
の封止方法が開示されている。しかし、この方法もディ
ップ、硬化工程と射出成形工程という繁雑な工程が必要
となり合理的ではない。
いリード線が設けられており、通常の射出成形法では流
動してきた樹脂圧力によってリード線が切断されたり、
半導体チップが破損したりするという問題がある。そこ
で、たとえば特開昭５４−４８１８６号公報には、半導
体チップ部を予め樹脂でディップし硬化させることによ
り、リード線と半導体チップを保護し、その後インサー
ト射出成形によって必要箇所を封止する発光ダイオード
の封止方法が開示されている。しかし、この方法もディ
ップ、硬化工程と射出成形工程という繁雑な工程が必要
となり合理的ではない。
本発明の目的は、特別な前処理の必要なくインサート射
出成形法によって一辺に発光ダイオードを封止する方法
を提供することにある。本発明の他の目的は、半導体チ
ップを破損したり、リード線を断線したりすることなく
インサート射出成形法によって発光ダイオードを封止す
る方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、電気特性、耐湿性に優れ、半導体チップを悪環境か
ら守り、いかなる条件下でも優れた特性を発揮させるこ
とのできる発光ダイオードを提供することにある。
出成形法によって一辺に発光ダイオードを封止する方法
を提供することにある。本発明の他の目的は、半導体チ
ップを破損したり、リード線を断線したりすることなく
インサート射出成形法によって発光ダイオードを封止す
る方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、電気特性、耐湿性に優れ、半導体チップを悪環境か
ら守り、いかなる条件下でも優れた特性を発揮させるこ
とのできる発光ダイオードを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段および作用〕すなわち本
発明は２６０℃、５ ｋｇの荷重下でのメルトフローレ
ートが５０ｇ／１０ｍｉｎ以上のポリ４−メチル−１−
ペンテンを用いてインサート射出成形法によって封止す
ることを特徴とする発光ダイオードの封止方法に関する
。
発明は２６０℃、５ ｋｇの荷重下でのメルトフローレ
ートが５０ｇ／１０ｍｉｎ以上のポリ４−メチル−１−
ペンテンを用いてインサート射出成形法によって封止す
ることを特徴とする発光ダイオードの封止方法に関する
。
本発明に用いるポリ４−メチル−１−ペンテンとは４−
メチル−１−ペンテンの単独重合体もしくは４−メチル
−１−ペンテンと他のα−オレフィン、例えばエチレン
、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテ
ン、１−デセン、１−テトラデセン、■−オクタデセン
等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体
で通常４−メチル−１−ペンテンを８５モル％以上含む
４−メチル−１−ペンテンを主体とした重合体である。
メチル−１−ペンテンの単独重合体もしくは４−メチル
−１−ペンテンと他のα−オレフィン、例えばエチレン
、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテ
ン、１−デセン、１−テトラデセン、■−オクタデセン
等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体
で通常４−メチル−１−ペンテンを８５モル％以上含む
４−メチル−１−ペンテンを主体とした重合体である。
ポリ４−メチル−１−ペンテンのメルトフローレート（
荷重：５ｋｇ、温度：２６０℃）は５０ ｇ ／ １０
ｍｉｎ以上、好ましくは６０ｇ／１０ｍｉｎ以上であり
、上限はとくに制限がないものの、封止部分の機械的強
度の面から２００ ｇ ／ Ｉｏｍｉ ｎが一つの目途
となる。５０ ｇ ／ １０ｍｉｎ未満のポリ４−メチ
ル−１−ペンテンでは、射出成形による発光ダイオード
の封止材として用いても半導体チップの破損やリード線
の破線を招き易く、本発明の用途においては使用できな
い。また、ポリ４−メチル−１−ペンテンは単独重合体
よりも共重合体のほうが透明性や半導体チップやリード
線との接着性の面で有利な場合がある。
荷重：５ｋｇ、温度：２６０℃）は５０ ｇ ／ １０
ｍｉｎ以上、好ましくは６０ｇ／１０ｍｉｎ以上であり
、上限はとくに制限がないものの、封止部分の機械的強
度の面から２００ ｇ ／ Ｉｏｍｉ ｎが一つの目途
となる。５０ ｇ ／ １０ｍｉｎ未満のポリ４−メチ
ル−１−ペンテンでは、射出成形による発光ダイオード
の封止材として用いても半導体チップの破損やリード線
の破線を招き易く、本発明の用途においては使用できな
い。また、ポリ４−メチル−１−ペンテンは単独重合体
よりも共重合体のほうが透明性や半導体チップやリード
線との接着性の面で有利な場合がある。
なお、本発明におけるメルトフローレートの規定）よ、
あくまでも発光ダイオードを封止する時点でのポリ４−
メチル−１−ペンテンのメルトフローレートである。よ
って射出成形機のホッパーに仕込まれる時点でのポリ４
−メチル−１−ペンテンのメルトフローレートが５０ｇ
／１０ｍｉｎ未満であっても、成形機内の熱で減成され
て、封止する時点で結果的に５０ｇ／１０ｍｉｎ以上に
なっておれば本発明の範囲内に包含される。
あくまでも発光ダイオードを封止する時点でのポリ４−
メチル−１−ペンテンのメルトフローレートである。よ
って射出成形機のホッパーに仕込まれる時点でのポリ４
−メチル−１−ペンテンのメルトフローレートが５０ｇ
／１０ｍｉｎ未満であっても、成形機内の熱で減成され
て、封止する時点で結果的に５０ｇ／１０ｍｉｎ以上に
なっておれば本発明の範囲内に包含される。
本発明の発光ダイオードを製造するには、半導体チップ
がボンディングされたリードフレームを金型内にインサ
ートし、前記封止材で半導体チップ周囲を封止すること
によって得られる。したがって、従来のディップ、硬化
方法に比べ生産性が優れると共に、ディップ方法では必
要であった封止型の必要もない。しかもポリ４−メチル
−１−ペンテンは電気絶縁性が良好で、耐水性、耐湿性
もよく、さらに耐薬品性にも優れ、勿論耐熱性や透明性
にも優れるので、高温下あるいは加湿下で使用されても
発光ダイオードの性能を充分に発揮させることができる
。
がボンディングされたリードフレームを金型内にインサ
ートし、前記封止材で半導体チップ周囲を封止すること
によって得られる。したがって、従来のディップ、硬化
方法に比べ生産性が優れると共に、ディップ方法では必
要であった封止型の必要もない。しかもポリ４−メチル
−１−ペンテンは電気絶縁性が良好で、耐水性、耐湿性
もよく、さらに耐薬品性にも優れ、勿論耐熱性や透明性
にも優れるので、高温下あるいは加湿下で使用されても
発光ダイオードの性能を充分に発揮させることができる
。
実施例１
メルトフローレート７０ ｇ ／ １０ｍｉｎ 、デセ
ン含量３．０帆％の４−メチル−１−ペンテン・１−デ
セン共重合体を用いて、発光ダイオードのリードフレー
ムにボンディングされている半導体チップ部をインサー
ト射出成形法によって封止した。使用した射出成形機は
名機製作所鋳、Ｍ−１００を使用し、射出成形条件は、
樹脂温度３２０℃、射出圧力３５ｇ／Ｃａ・Ｇ、射出速
度３０％、金型温度６０℃〜８０℃であった。得られた
封止発光ダイオードは、半導体チップ部およびリード線
とも破損されておらず、また高温、加湿条件下でも半導
体回路部の腐蝕や短絡が生せず長時間に亘り良好な特性
を発揮した。
ン含量３．０帆％の４−メチル−１−ペンテン・１−デ
セン共重合体を用いて、発光ダイオードのリードフレー
ムにボンディングされている半導体チップ部をインサー
ト射出成形法によって封止した。使用した射出成形機は
名機製作所鋳、Ｍ−１００を使用し、射出成形条件は、
樹脂温度３２０℃、射出圧力３５ｇ／Ｃａ・Ｇ、射出速
度３０％、金型温度６０℃〜８０℃であった。得られた
封止発光ダイオードは、半導体チップ部およびリード線
とも破損されておらず、また高温、加湿条件下でも半導
体回路部の腐蝕や短絡が生せず長時間に亘り良好な特性
を発揮した。
比較例１
メルトフローレート２６ｇ／１０ｍｉｎの４−メチル−
１−ペンテン・１−デセン共重合体を使用する以外は実
施例１と同様に行った。得られた封止発光ダイオードは
リード線が断線しており発光グイオードとしての機能は
発揮できなかった。
１−ペンテン・１−デセン共重合体を使用する以外は実
施例１と同様に行った。得られた封止発光ダイオードは
リード線が断線しており発光グイオードとしての機能は
発揮できなかった。
比較例２
メルトフローレート８ｇ／１０ｍｉｎの４−メチル−１
−ペンテン・１−デセン共重合体を使用する以外は実施
例１と同様に行った。結果は比較例１と同じであった。
−ペンテン・１−デセン共重合体を使用する以外は実施
例１と同様に行った。結果は比較例１と同じであった。
比較例３
メルトフローレート７０ ｇ ／ １０ｍｉｎのポリエ
チレンを使用する以外は実施例１と同様に行った。
チレンを使用する以外は実施例１と同様に行った。
得られた発光ダイオードは封止部が不透明で発光ダイオ
ードとしての機能は発揮できなかった。
ードとしての機能は発揮できなかった。
実施例２
メルトフローレート８０ｇ／１０ｍｉｎの４−メチル−
１−ペンテンホモ重合体を射出成形機内で減成すること
によりインサート金型内に供給される時点でのメルトフ
ローレートを２００ ｇ ／ １０ｍｉｎとしたほかは
実施例１と同様に行った。結果は実施例１と同じであり
、良好な発光ダイオードが得られた。
１−ペンテンホモ重合体を射出成形機内で減成すること
によりインサート金型内に供給される時点でのメルトフ
ローレートを２００ ｇ ／ １０ｍｉｎとしたほかは
実施例１と同様に行った。結果は実施例１と同じであり
、良好な発光ダイオードが得られた。
出願人 三井石油化学工業株式会社
代理人 山 口 和
手続補正書
昭和６２年／１月ｌ？日
Claims (1)
- ２６０℃、５ｋｇの荷重下でのメルトフローレートが５
０ｇ／１０ｍｉｎ以上のポリ４−メチル−１−ペンテン
を用いてインサート射出成形法によつて封止することを
特徴とする発光ダイオードの封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61276789A JPH077850B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 発光ダイオードの封止方法及び発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61276789A JPH077850B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 発光ダイオードの封止方法及び発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63131529A true JPS63131529A (ja) | 1988-06-03 |
| JPH077850B2 JPH077850B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17574394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61276789A Expired - Lifetime JPH077850B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 発光ダイオードの封止方法及び発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077850B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139546A1 (ja) | 2007-05-01 | 2008-11-20 | Fujitsu Limited | 電子機器 |
| JP2010195848A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Inoac Corp | 樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP61276789A patent/JPH077850B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139546A1 (ja) | 2007-05-01 | 2008-11-20 | Fujitsu Limited | 電子機器 |
| US7924575B2 (en) | 2007-05-01 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Electronic apparatus |
| JP2010195848A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Inoac Corp | 樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077850B2 (ja) | 1995-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104968724B (zh) | 电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及成形体的制造方法 | |
| US4812896A (en) | Metal electronic package sealed with thermoplastic having a grafted metal deactivator and antioxidant | |
| US5057457A (en) | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor | |
| CN1720610B (zh) | 具有铜背部金属结构的薄GaAs管芯 | |
| US10854547B2 (en) | Chip package with cross-linked thermoplastic dielectric | |
| CN105451954A (zh) | 离型膜、成型体的制造方法、半导体部件和反射器部件 | |
| JP2009088335A (ja) | 金属−樹脂複合体、並びに素子搭載用パッケージ及び電子装置 | |
| CN107408549A (zh) | 具有防止脱层的引线框架特征的经封装半导体装置 | |
| JPS63131529A (ja) | 発光ダイオードの封止方法及び発光ダイオード | |
| JP2000133665A (ja) | 電子部品が実装されたプリント基板を封止する方法 | |
| CN109904077B (zh) | 多管脚半导体产品的封装方法 | |
| JP2016104543A (ja) | モールド加工電線 | |
| JP3266680B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| TW430685B (en) | Epoxy resin liquid composition for semiconductor encapsulation | |
| JPS63219145A (ja) | Ｐｐｓ封止電子部品 | |
| TWI498375B (zh) | 電氣電子零件低壓嵌入成形用樹脂組成物、電氣電子零件封裝體及電氣電子零件封裝體之製造方法 | |
| JP2505000B2 (ja) | 電子部品の封止方法および封止された電子部品 | |
| JPH0758364A (ja) | 発光ダイオード及びその製造法 | |
| JPH0212845A (ja) | 電子部品の封止方法および封止された電子部品 | |
| TWI772391B (zh) | 電傳導零件及電線束 | |
| JP6358091B2 (ja) | 樹脂組成物、および該樹脂組成物を用いた成形体ならびに成形体の製造方法 | |
| JPH0758363A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2511466B2 (ja) | 電子部品の封止方法及び樹脂封止電子部品 | |
| JP2008041754A (ja) | 電子部品封止成形品 | |
| JPH11189719A (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの電子部品封止用樹脂組成物を用いた封止電子部品 |