JP2505000B2 - 電子部品の封止方法および封止された電子部品 - Google Patents
電子部品の封止方法および封止された電子部品Info
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- JP2505000B2 JP2505000B2 JP22937587A JP22937587A JP2505000B2 JP 2505000 B2 JP2505000 B2 JP 2505000B2 JP 22937587 A JP22937587 A JP 22937587A JP 22937587 A JP22937587 A JP 22937587A JP 2505000 B2 JP2505000 B2 JP 2505000B2
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明はポリ４−メチル−１−ペンテンを用いて、イ
ンサート射出成形法により半導体チップを封止する方法
およびポリ４−メチル−１−ペンテンで封止された電子
部品に関する。
ンサート射出成形法により半導体チップを封止する方法
およびポリ４−メチル−１−ペンテンで封止された電子
部品に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 半導体チップ、ICチップ等の電子部品の樹脂封止方法
としてはエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンなど
の熱硬化性樹脂を、ポッティング、シーリング、コーテ
ィング、トランスファー成形法などにより、絶縁封止す
る方法が最も広く用いられている。しかしながらこれら
の樹脂による封止方法には、封止の前工程に樹脂をＢ−
ステージ（予備硬化状態）に調整したり、封止樹脂の特
性を引き出すために硬化時間が長時間必要であり、かつ
後硬化を必要とするなど、生産性が悪いという重大な問
題点があった。
としてはエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンなど
の熱硬化性樹脂を、ポッティング、シーリング、コーテ
ィング、トランスファー成形法などにより、絶縁封止す
る方法が最も広く用いられている。しかしながらこれら
の樹脂による封止方法には、封止の前工程に樹脂をＢ−
ステージ（予備硬化状態）に調整したり、封止樹脂の特
性を引き出すために硬化時間が長時間必要であり、かつ
後硬化を必要とするなど、生産性が悪いという重大な問
題点があった。
このような問題点を解決する方法とし、熱可塑性樹脂
を電子・電気部品をインサートした金型に直接、射出成
形することにより生産性を高めようとする試みがなされ
ている。しかし、熱可塑性樹脂を射出成形により樹脂封
止する方法は、熱可塑性樹脂を射出成形する際には通
常、200℃以上の高温と300kg/cm2以上の高圧を要するた
め、電子・電気部品が破損したり、ICチップの封止の場
合はボンディングワイヤーが切断したりするなどの問題
点があった。また、熱可塑性樹脂は一般に熱硬化性樹脂
に比べて耐熱性が劣るため、封止された半導体チップを
ハンダづけする際にハンダごての熱あるいは外部リード
から伝わる熱により、一部熱可塑性樹脂が溶融するとい
う問題があった。
を電子・電気部品をインサートした金型に直接、射出成
形することにより生産性を高めようとする試みがなされ
ている。しかし、熱可塑性樹脂を射出成形により樹脂封
止する方法は、熱可塑性樹脂を射出成形する際には通
常、200℃以上の高温と300kg/cm2以上の高圧を要するた
め、電子・電気部品が破損したり、ICチップの封止の場
合はボンディングワイヤーが切断したりするなどの問題
点があった。また、熱可塑性樹脂は一般に熱硬化性樹脂
に比べて耐熱性が劣るため、封止された半導体チップを
ハンダづけする際にハンダごての熱あるいは外部リード
から伝わる熱により、一部熱可塑性樹脂が溶融するとい
う問題があった。
発明の目的 本発明者は、上記のような従来技術に伴う問題点を解
決し、熱可塑性樹脂を用いたインサート射出成形法によ
る半導体チップの樹脂封止方法および耐ハンダ性に優れ
た熱可塑性樹脂で封止された電子部品を開発すべく種々
検討した結果、熱可塑性樹脂とし、特定のポリ４−メチ
ル−１−ペンテンを用いることにより上記のような問題
点が一挙に解決されることを見出し、本発明を完成する
に至った。
決し、熱可塑性樹脂を用いたインサート射出成形法によ
る半導体チップの樹脂封止方法および耐ハンダ性に優れ
た熱可塑性樹脂で封止された電子部品を開発すべく種々
検討した結果、熱可塑性樹脂とし、特定のポリ４−メチ
ル−１−ペンテンを用いることにより上記のような問題
点が一挙に解決されることを見出し、本発明を完成する
に至った。
発明の概要 本発明に係る電子部品の封止方法は、金属リードフレ
ームにマウントされた半導体チップをインサートした射
出成形用金型内に、メルトフローレートが50g/10分以上
のポリ４−メチル−１−ペンテンを射出成形して半導体
チップ部を封止し、次いで外部リード部にガラス繊維強
化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物を射出成形する
ことを特徴としている。
ームにマウントされた半導体チップをインサートした射
出成形用金型内に、メルトフローレートが50g/10分以上
のポリ４−メチル−１−ペンテンを射出成形して半導体
チップ部を封止し、次いで外部リード部にガラス繊維強
化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物を射出成形する
ことを特徴としている。
また本発明に係る電子部品は、ポリ４−メチル−１−
ペンテンで封止された半導体チップ部と、ガラス繊維強
化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物で封止された外
部リード部とから構成されていることを特徴とし、この
電子部品は耐水性、耐熱性、透明性、ハンダ耐熱性、耐
薬品性、密着性に優れている。
ペンテンで封止された半導体チップ部と、ガラス繊維強
化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物で封止された外
部リード部とから構成されていることを特徴とし、この
電子部品は耐水性、耐熱性、透明性、ハンダ耐熱性、耐
薬品性、密着性に優れている。
発明の具体的説明 以下本発明に係る電子部品の封止方法および封止され
た電子部品について具体的に説明する。
た電子部品について具体的に説明する。
本発明の半導体チップ部を封止するに用いられるポリ
４−メチル−１−ペンテン（Ａ）とは、４−メチル−１
−ペンテンとの単独重合体もしくは４−メチル−１−ペ
ンテンと他のα−オレフィン、たとえばエチレン、プロ
ピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１
−デセン、１−テトラデセン、１−オクタデセンなどの
炭素数２〜20のα−オレフィンとの共重合体で通常４−
メチル−１−ペンテンを85モル％以上含む４−メチル−
１−ペンテンを主体とした重合体で、メルトフローレー
ト（MNR;荷重:5kg、温度;260℃）が50g/10分以上、好ま
しくは60g/10分以上であり、上限はとくに制限がないも
のの、封止部分の機械的強度の面から200g/10分が一つ
の目途となる。50g/10分未満のポリ４−メチル−１−ペ
ンテンでは、射出成形による封止材として用いても半導
体チップの破損やリード線の破線を招きやすく、本発明
の用途においては使用できない。また、ポリ４−メチル
−１−ペンテンは単独重合体よりも共重合体のほうが透
明性や半導体チップやリード線との接着性の面で有利な
場合がある。
４−メチル−１−ペンテン（Ａ）とは、４−メチル−１
−ペンテンとの単独重合体もしくは４−メチル−１−ペ
ンテンと他のα−オレフィン、たとえばエチレン、プロ
ピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１
−デセン、１−テトラデセン、１−オクタデセンなどの
炭素数２〜20のα−オレフィンとの共重合体で通常４−
メチル−１−ペンテンを85モル％以上含む４−メチル−
１−ペンテンを主体とした重合体で、メルトフローレー
ト（MNR;荷重:5kg、温度;260℃）が50g/10分以上、好ま
しくは60g/10分以上であり、上限はとくに制限がないも
のの、封止部分の機械的強度の面から200g/10分が一つ
の目途となる。50g/10分未満のポリ４−メチル−１−ペ
ンテンでは、射出成形による封止材として用いても半導
体チップの破損やリード線の破線を招きやすく、本発明
の用途においては使用できない。また、ポリ４−メチル
−１−ペンテンは単独重合体よりも共重合体のほうが透
明性や半導体チップやリード線との接着性の面で有利な
場合がある。
このようなポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）と、
半導体チップ、金属リードフレーム、リードなどとの密
着性、接着性を増すために、ポリ４−メチル−１−ペン
テン（Ａ）の一部もしくは全部を不飽和カルボン酸また
はその誘導体でグラフト変性しておいてもよい。不飽和
カルボン酸などのグラフト量は、通常ポリ４−メチル−
１−ペンテン（Ａ）全体に対して0.01〜10重量％の範囲
である。かかる不飽和カルボン酸またはその誘導体とし
ては、アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、テトラヒ
ドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン
酸、イソクロトン酸、ナジック酸 （エンドシス−ビシ
クロ［2,2,1］ヘプト−５−エン−2,3−ジカルボン酸）
などの不飽和カルボン酸、またはその誘導体、たとえば
酸ハライト、アミド、イミド、無水物、エステルなどが
挙げられ、具体的には、塩化マレニル、マレイミド、無
水マレイン酸、無水シトラコン酸、マレイン酸モノメチ
ル、マレイン酸ジメチル、グリシジルマレエートなどが
例示される。これらの中では、不飽和ジカルボン酸また
はその酸無水物が好適であり、とくにマレイン酸、ナジ
ック酸 またはこれらの酸無水物が好適である。
半導体チップ、金属リードフレーム、リードなどとの密
着性、接着性を増すために、ポリ４−メチル−１−ペン
テン（Ａ）の一部もしくは全部を不飽和カルボン酸また
はその誘導体でグラフト変性しておいてもよい。不飽和
カルボン酸などのグラフト量は、通常ポリ４−メチル−
１−ペンテン（Ａ）全体に対して0.01〜10重量％の範囲
である。かかる不飽和カルボン酸またはその誘導体とし
ては、アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、テトラヒ
ドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン
酸、イソクロトン酸、ナジック酸 （エンドシス−ビシ
クロ［2,2,1］ヘプト−５−エン−2,3−ジカルボン酸）
などの不飽和カルボン酸、またはその誘導体、たとえば
酸ハライト、アミド、イミド、無水物、エステルなどが
挙げられ、具体的には、塩化マレニル、マレイミド、無
水マレイン酸、無水シトラコン酸、マレイン酸モノメチ
ル、マレイン酸ジメチル、グリシジルマレエートなどが
例示される。これらの中では、不飽和ジカルボン酸また
はその酸無水物が好適であり、とくにマレイン酸、ナジ
ック酸 またはこれらの酸無水物が好適である。
本発明の外部リード部を封止するに用いるガラス繊維
強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物（以下、FR−
PMPと略す）とは、ガラス繊維で強化されたポリ４−メ
チル−１−ペンテン組成物であり、通常ガラス繊維をポ
リ４−メチル−１−ペンテン100重量部に対して１〜300
重量部、好ましくは10〜100重量部の範囲で添加補強し
た組成物である。ガラス繊維の添加量が少ないと耐ハン
ダ耐熱性が改良されず、一方添加量が多過ぎると外観を
損う傾向にある。
強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物（以下、FR−
PMPと略す）とは、ガラス繊維で強化されたポリ４−メ
チル−１−ペンテン組成物であり、通常ガラス繊維をポ
リ４−メチル−１−ペンテン100重量部に対して１〜300
重量部、好ましくは10〜100重量部の範囲で添加補強し
た組成物である。ガラス繊維の添加量が少ないと耐ハン
ダ耐熱性が改良されず、一方添加量が多過ぎると外観を
損う傾向にある。
FR−PMPを構成するポリ４−メチル−１−ペンテン
（Ｂ）は基本的には前記半導体チップ部を封止するに用
いるポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）と同じ範疇の
重合体であるが、外部リード部は半導体チップや内部リ
ード（ボンディングワイヤー、金細線）に比べて破損し
難く、また成形によっては外部リード部の周囲は前述の
ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）で被覆されている
ので直接接触しないので、そのMFRは通常0.5〜200g/10
分の範囲、好ましくは10〜200g/10分範囲のものを用い
ることができる。
（Ｂ）は基本的には前記半導体チップ部を封止するに用
いるポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）と同じ範疇の
重合体であるが、外部リード部は半導体チップや内部リ
ード（ボンディングワイヤー、金細線）に比べて破損し
難く、また成形によっては外部リード部の周囲は前述の
ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）で被覆されている
ので直接接触しないので、そのMFRは通常0.5〜200g/10
分の範囲、好ましくは10〜200g/10分範囲のものを用い
ることができる。
またポリ４−メチル−１−ペンテン（Ｂ）はガラス繊
維との接着性を改良するために、ポリ４−メチル−１−
ペンテン（Ｂ）の一部もしくは全部を不飽和カルボン酸
またはその誘導体でグラフト変性しておいてもよい。
維との接着性を改良するために、ポリ４−メチル−１−
ペンテン（Ｂ）の一部もしくは全部を不飽和カルボン酸
またはその誘導体でグラフト変性しておいてもよい。
本発明で用いるガラス繊維（Ｃ）は、熱可塑性樹脂の
補強材として用いられているものであり、通常繊維径が
１〜20μｍ、好ましくは６〜12μｍ、繊維長が１〜10m
m、好ましくは３〜6mmの範囲のものである。
補強材として用いられているものであり、通常繊維径が
１〜20μｍ、好ましくは６〜12μｍ、繊維長が１〜10m
m、好ましくは３〜6mmの範囲のものである。
FR−PMPを構成するガラス繊維は、必ずしも表面処理
が施されていなくてもよいが、表面処理が施されたもの
を用いるとさらに熱変形温度、機械的特性が改善され
る。表面処理されたガラス繊維としては、アミノ基を有
するシラン系化合物で表面処理されたものが一般的であ
る。アミノ基を有するシラン系化合物としてはたとえ
ば、不飽和カルボン酸またはその酸無水物と反応し易い
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げら
れる。
が施されていなくてもよいが、表面処理が施されたもの
を用いるとさらに熱変形温度、機械的特性が改善され
る。表面処理されたガラス繊維としては、アミノ基を有
するシラン系化合物で表面処理されたものが一般的であ
る。アミノ基を有するシラン系化合物としてはたとえ
ば、不飽和カルボン酸またはその酸無水物と反応し易い
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げら
れる。
本発明に用いるポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）
には、耐熱安定剤、耐候安定剤、滑剤、核剤、顔料、染
料、離型剤、 などを本発明の目的を損わない範囲で添加しておいても
よい。
には、耐熱安定剤、耐候安定剤、滑剤、核剤、顔料、染
料、離型剤、 などを本発明の目的を損わない範囲で添加しておいても
よい。
また本発明に用いるFR−PMPには耐熱安定剤、耐候安
定剤、滑剤、核剤、難燃剤、難燃助剤、無機充填剤、チ
タン酸カリウム繊維、離型剤、カーボンファイバーなど
を本発明の目的を損わない範囲で添加しておいてもよ
い。
定剤、滑剤、核剤、難燃剤、難燃助剤、無機充填剤、チ
タン酸カリウム繊維、離型剤、カーボンファイバーなど
を本発明の目的を損わない範囲で添加しておいてもよ
い。
またFR−PMPのMPRは通常0.1〜200g/10分、好ましくは
１〜100g/10分の範囲にある。
１〜100g/10分の範囲にある。
本発明に用いる半導体チップは発光ダイオード（LE
D）の素子、ICチップなどを例示することができる。
D）の素子、ICチップなどを例示することができる。
本発明に係る電子部品の封止方法では、金属リードフ
レームにマウントされた半導体チップをインサートした
射出成形用金型内に、上記のようなMFRが50g/10分以上
のポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）を射出成形して
半導体チップ部を封止し、次いで外部リード部にガラス
繊維強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物を射出成
形している。
レームにマウントされた半導体チップをインサートした
射出成形用金型内に、上記のようなMFRが50g/10分以上
のポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）を射出成形して
半導体チップ部を封止し、次いで外部リード部にガラス
繊維強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物を射出成
形している。
ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）を金型内に射出
する際の成形条件は、特に限定はされないが、通常、成
形温度（射出成形機のシリンダー温度）が250〜350℃、
好ましくは260〜320℃、射出成形速度1g/sec、好ましく
は1g/sec〜8g/sec、金型温度10℃〜80℃、好ましくは20
℃〜60℃、射出圧力が5kg/cm2・Ｇ〜70kg/cm2・Ｇ、好
ましくは15kg/cm2・Ｇ〜50kg/cm2・Ｇの範囲に設定され
る。
する際の成形条件は、特に限定はされないが、通常、成
形温度（射出成形機のシリンダー温度）が250〜350℃、
好ましくは260〜320℃、射出成形速度1g/sec、好ましく
は1g/sec〜8g/sec、金型温度10℃〜80℃、好ましくは20
℃〜60℃、射出圧力が5kg/cm2・Ｇ〜70kg/cm2・Ｇ、好
ましくは15kg/cm2・Ｇ〜50kg/cm2・Ｇの範囲に設定され
る。
FR−PMPを金型内に射出する際の成形条件は特に限定
はされないが、通常、成形温度（射出成形機のシリンダ
ー温度）が250℃〜330℃、好ましくは260℃〜300℃、射
出成形速度1.0g/sec〜10g/sec、好ましくは1g/sec〜8g/
sec、金型温度が10℃〜80℃、好ましくは20℃〜60℃、
射出圧力が10kg/cm2・Ｇ〜70kg/cm2・Ｇ、好ましくは15
kg/cm2・Ｇ〜50kg/cm2・Ｇの範囲に設定される。
はされないが、通常、成形温度（射出成形機のシリンダ
ー温度）が250℃〜330℃、好ましくは260℃〜300℃、射
出成形速度1.0g/sec〜10g/sec、好ましくは1g/sec〜8g/
sec、金型温度が10℃〜80℃、好ましくは20℃〜60℃、
射出圧力が10kg/cm2・Ｇ〜70kg/cm2・Ｇ、好ましくは15
kg/cm2・Ｇ〜50kg/cm2・Ｇの範囲に設定される。
ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）で半導体チップ
部を封止する工程とFR−PMPで外部リード部を封止する
工程とは、同一金型内で二本の射出成形機を用いて逐次
インサート射出成形するように、連続した工程であって
もよいし、第一の工程で成形した半導体チップを封止し
た中間成形品を金型から取り出し、別の射出成形金型に
インサートして外部リード部をFR−PMPで封止する如
く、別々の工程であってもよい。
部を封止する工程とFR−PMPで外部リード部を封止する
工程とは、同一金型内で二本の射出成形機を用いて逐次
インサート射出成形するように、連続した工程であって
もよいし、第一の工程で成形した半導体チップを封止し
た中間成形品を金型から取り出し、別の射出成形金型に
インサートして外部リード部をFR−PMPで封止する如
く、別々の工程であってもよい。
本発明では、半導体チップ部は、ポリ４−メチル−１
−ペンテン（Ａ）に完全に被覆されていることが好まし
い。一方、外部リード部は、必ずしもFR−PMPにより外
部リードが密着して被覆された状態でなくてもよいが、
耐ハンダ性の改良効果の点から、ハンダごてなどからの
熱が直接ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）封止部に
伝わらないように、外部リード部に密着するように脚部
全体をFR−PMPで封止されていることが好ましい。
−ペンテン（Ａ）に完全に被覆されていることが好まし
い。一方、外部リード部は、必ずしもFR−PMPにより外
部リードが密着して被覆された状態でなくてもよいが、
耐ハンダ性の改良効果の点から、ハンダごてなどからの
熱が直接ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）封止部に
伝わらないように、外部リード部に密着するように脚部
全体をFR−PMPで封止されていることが好ましい。
本発明の封止された電子部品は、ポリ４−メチル−１
−ペンテン（Ａ）で封止された半導体チップ部とガラス
繊維強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物で封止さ
れた外部リード部からなる部品である。かかる電子部品
としては、発光ダイオード、可視発光ダイオード、赤外
発光ダイオードなどを例示することができる。
−ペンテン（Ａ）で封止された半導体チップ部とガラス
繊維強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成物で封止さ
れた外部リード部からなる部品である。かかる電子部品
としては、発光ダイオード、可視発光ダイオード、赤外
発光ダイオードなどを例示することができる。
発明の効果 本発明の方法は半導体チップ、ボンディングワイヤー
などを破損もしくは切断することなくポリ４−メチル−
１−ペンテンで封止することができるので、従来のエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる封止方法に比べて
格段に生産性に優れている。また本発明のポリ４−メチ
ル−１−ペンテンで封止された電子部品は電気絶縁性、
耐水性、耐湿性、耐熱性、耐ハンダ耐熱性、透明性、耐
薬品性に優れている。とくに本発明の構成からなるLED
は透明性にも優れ、また半導体チップ封止部に不飽和カ
ルボン酸またはその誘導体でグラフト変性したポリ４−
メチル−１−ペンテンを一部もしくは全部に用いたLED
は、さらに耐湿性、耐水性、ヒートサイクル性、密着性
に優れるという特徴を有している。
などを破損もしくは切断することなくポリ４−メチル−
１−ペンテンで封止することができるので、従来のエポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる封止方法に比べて
格段に生産性に優れている。また本発明のポリ４−メチ
ル−１−ペンテンで封止された電子部品は電気絶縁性、
耐水性、耐湿性、耐熱性、耐ハンダ耐熱性、透明性、耐
薬品性に優れている。とくに本発明の構成からなるLED
は透明性にも優れ、また半導体チップ封止部に不飽和カ
ルボン酸またはその誘導体でグラフト変性したポリ４−
メチル−１−ペンテンを一部もしくは全部に用いたLED
は、さらに耐湿性、耐水性、ヒートサイクル性、密着性
に優れるという特徴を有している。
［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、これらの例に何ら制
約されるものではない。
本発明はその要旨を越えない限り、これらの例に何ら制
約されるものではない。
実施例１ 金属リードフレームにマウントされた発光ダイオード
チップを射出成形金型に設置し、MFRが80g/10分であ
り、１−デセン含有量が3.0重量％である４−メチル−
１−ペンテン・１−デセン共重合体を用いて、発光ダイ
オードチップ部を封止した。射出成形機としては、名機
製作所（株）、Ｍ−100を使用し、射出成形条件は、樹
脂温度310℃、射出圧力20kg/cm2G、射出成形速度2g/se
c、金型温度40℃であった。
チップを射出成形金型に設置し、MFRが80g/10分であ
り、１−デセン含有量が3.0重量％である４−メチル−
１−ペンテン・１−デセン共重合体を用いて、発光ダイ
オードチップ部を封止した。射出成形機としては、名機
製作所（株）、Ｍ−100を使用し、射出成形条件は、樹
脂温度310℃、射出圧力20kg/cm2G、射出成形速度2g/se
c、金型温度40℃であった。
発光ダイオードチップ部が上記のようにして封止され
たリードフレームを射出成形金型に設置し、次に、MFR
が26g/10分であり、１−デセン含有量が3.0重量％であ
る４−メチル−１−ペンテン・−１デセン共重合体100
重量部と、ガラス繊維（商品名:GR−Ｓ−3A,径13Mm:旭
ファイバーガラス（株）製）30重量部と無水マレイン酸
グラフト量が4.0重量％であり、［η］が0.95dl/gであ
り、融点が210℃であり、結晶化度が18％である変性ポ
リ４−メチル−１−ペンテン５重量部とヘンシェルミキ
サーで混合後、40mmφ押出機（設定260℃）で溶融混練
して得た組成物（MFR:100g/10分）を用いて、射出成形
機（型式Ｍ−100,（株）名機製作所製）にて、外部リー
ド部を封止した。射出成形条件は、樹脂温度290℃、射
出成形圧力35kg/cm2G、射出速度3g/sec、金型温度40℃
であった。
たリードフレームを射出成形金型に設置し、次に、MFR
が26g/10分であり、１−デセン含有量が3.0重量％であ
る４−メチル−１−ペンテン・−１デセン共重合体100
重量部と、ガラス繊維（商品名:GR−Ｓ−3A,径13Mm:旭
ファイバーガラス（株）製）30重量部と無水マレイン酸
グラフト量が4.0重量％であり、［η］が0.95dl/gであ
り、融点が210℃であり、結晶化度が18％である変性ポ
リ４−メチル−１−ペンテン５重量部とヘンシェルミキ
サーで混合後、40mmφ押出機（設定260℃）で溶融混練
して得た組成物（MFR:100g/10分）を用いて、射出成形
機（型式Ｍ−100,（株）名機製作所製）にて、外部リー
ド部を封止した。射出成形条件は、樹脂温度290℃、射
出成形圧力35kg/cm2G、射出速度3g/sec、金型温度40℃
であった。
得られた発光ダイオード（Ｉ）は、金細線の切断もな
く、発光ダイオードの機能を発揮した。また、得られた
発光ダイオード（Ｉ）とリードフレームとの密着性、耐
半田性等の評価を以下の方法で行った。
く、発光ダイオードの機能を発揮した。また、得られた
発光ダイオード（Ｉ）とリードフレームとの密着性、耐
半田性等の評価を以下の方法で行った。
密着性試験；封止発光ダイオードを赤インキ液中に浸漬
し、１時間煮沸した後、赤インキ液から取り出し洗浄
し、目視にて赤インキの侵入性を評価した。
し、１時間煮沸した後、赤インキ液から取り出し洗浄
し、目視にて赤インキの侵入性を評価した。
（評価方法）○；赤インキの侵入なし △；封止部本体から根元から1mmまで赤インキの侵入あ
り ×；封止部内部の半導体チップ付近まで内部侵入あり 耐半田性試験；半田温度が260℃になっている半田槽の
中へ封止発光ダイオードの本体根元2mmの位置まで10秒
間浸漬し、取り出した後、目視で外観を評価した。
り ×；封止部内部の半導体チップ付近まで内部侵入あり 耐半田性試験；半田温度が260℃になっている半田槽の
中へ封止発光ダイオードの本体根元2mmの位置まで10秒
間浸漬し、取り出した後、目視で外観を評価した。
（JIS C7021 Ａ−１規格参照） （評価方法）○；浸漬部分の外観変化なし。
△；浸漬部分若干、溶融する。
×；浸漬部分が溶融し、リードフレームの移動または発
泡を生じる。
泡を生じる。
結果を表１に示す。
実施例２ MFRが0.5g/10分であり、１−デセン含有量が3.0重量
％である４−メチル−１−ペンテン・１−デセン共重合
体100部と、無水マレイン酸1.0重量部と、2,5−ジメチ
ル−2,5−ジ（tert−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３
0.05重量部とをヘンシェルミキサーで混合した後、40
mmφ押出機（設定温度260℃）で溶融混練して、MFRが80
g/10分であり、無水マレイン酸グラフト量が0.8重量％
である変性４−メチル−１−ペンテン共重合体（MAH−M
D−Ｉ）を得た。
％である４−メチル−１−ペンテン・１−デセン共重合
体100部と、無水マレイン酸1.0重量部と、2,5−ジメチ
ル−2,5−ジ（tert−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３
0.05重量部とをヘンシェルミキサーで混合した後、40
mmφ押出機（設定温度260℃）で溶融混練して、MFRが80
g/10分であり、無水マレイン酸グラフト量が0.8重量％
である変性４−メチル−１−ペンテン共重合体（MAH−M
D−Ｉ）を得た。
このようにした得られたMAH−MD−Ｉを、４−メチル
−１−ペンテン・１−デセン共重合体の代わりに用いた
以外は、実施例１と同様に封止発光ダイオードを製造し
た。
−１−ペンテン・１−デセン共重合体の代わりに用いた
以外は、実施例１と同様に封止発光ダイオードを製造し
た。
得られた封止発光ダイオード（II）は金線の切断、半
導体チップ部の損傷もなく良好な外観を示した。
導体チップ部の損傷もなく良好な外観を示した。
密着性および耐半田性等の評価を実施例１に記載の方
法で評価した。
法で評価した。
結果を表１に示す。
比較例１ MFRが150g/10分であり、１−デセン含有量が3.0重量
％である４−メチル−１−ペンテン・１−デセン共重合
体で、発光ダイオートの半導体チップ部および金細線、
外部リード部全体を射出成形金型内で封止した。射出成
形条件は、樹脂温度300℃、射出圧力15kg/cm2G、射出速
度3g/sec、金型温度40℃であり、実施例１と同様の射出
成形機を用いた。
％である４−メチル−１−ペンテン・１−デセン共重合
体で、発光ダイオートの半導体チップ部および金細線、
外部リード部全体を射出成形金型内で封止した。射出成
形条件は、樹脂温度300℃、射出圧力15kg/cm2G、射出速
度3g/sec、金型温度40℃であり、実施例１と同様の射出
成形機を用いた。
封止された発光ダイオードは、金線の切断もなく良好
な外観を示した。得られた封止発光ダイオード（III）
を実施例１に記載の方法で密着性、耐半田性等の評価を
行なった。
な外観を示した。得られた封止発光ダイオード（III）
を実施例１に記載の方法で密着性、耐半田性等の評価を
行なった。
結果を表１に示す。
比較例２ MFRが35g/10分（荷重2.16kg、温度260℃）であるポリ
カーボネートを比較例１と同じ射出成形機を使用して、
成形温度310℃、射出圧力20kg/cmG、射出速度3g/sec、
金型温度90℃の成形条件で封止発光ダイオード（IV）を
得た。
カーボネートを比較例１と同じ射出成形機を使用して、
成形温度310℃、射出圧力20kg/cmG、射出速度3g/sec、
金型温度90℃の成形条件で封止発光ダイオード（IV）を
得た。
得られた封止発光ダイオードの密着性、耐半田性を評
価するように、実施例１に記載の方法で評価した。
価するように、実施例１に記載の方法で評価した。
結果を表１に示す。
Claims (2)
- 【請求項１】金属リードフレームにマウントされた半導
体チップをインサートした射出成形金型内に、メルトフ
ローレートが50g/10分以上のポリ４−メチル−１−ペン
テンを射出成形して半導体チップ部を封止し、次いで外
部リード部にガラス繊維強化ポリ４−メチル−１−ペン
テン組成物を射出成形することを特徴とする電子部品の
封止方法。 - 【請求項２】メルトフローレートが50g/10分以上のポリ
４−メチル−１−ペンテンで封止された半導体チップ部
と、ガラス繊維強化ポリ４−メチル−１−ペンテン組成
物で封止された外部リード部とから構成されていること
を特徴とする封止された電子部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22937587A JP2505000B2 (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 電子部品の封止方法および封止された電子部品 |
| EP88311305A EP0372126A1 (en) | 1987-07-27 | 1988-11-29 | Method for encapsulating electronic parts and encapsulated parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22937587A JP2505000B2 (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 電子部品の封止方法および封止された電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6472535A JPS6472535A (en) | 1989-03-17 |
| JP2505000B2 true JP2505000B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16891187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22937587A Expired - Fee Related JP2505000B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-09-12 | 電子部品の封止方法および封止された電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505000B2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-12 JP JP22937587A patent/JP2505000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6472535A (en) | 1989-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |