JPH0758363A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH0758363A JPH0758363A JP5201397A JP20139793A JPH0758363A JP H0758363 A JPH0758363 A JP H0758363A JP 5201397 A JP5201397 A JP 5201397A JP 20139793 A JP20139793 A JP 20139793A JP H0758363 A JPH0758363 A JP H0758363A
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- metal lead
- emitting diode
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- light emitting
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】
【構成】金属リードフレームにマウントされた半導体チ
ップが、３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローイン
デックスの値が２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエ
ーテルスルホン樹脂で封止されていることを特徴とする
発光ダイオード。 【効果】本発明による発光ダイオードは、金属リードフ
レームの変形がなく、耐熱性にすぐれ、透明性も良好で
ある。
ップが、３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローイン
デックスの値が２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエ
ーテルスルホン樹脂で封止されていることを特徴とする
発光ダイオード。 【効果】本発明による発光ダイオードは、金属リードフ
レームの変形がなく、耐熱性にすぐれ、透明性も良好で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は半導体チップが高流動
ポリエーテルスルホン樹脂で封止されている発光ダイオ
ード及びその製造方法に関する。
ポリエーテルスルホン樹脂で封止されている発光ダイオ
ード及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 発光ダイオードは、金線等のワイヤー
が接続された金属リードフレームに半導体チップをマウ
ントし、その後エポキシ樹脂等の封止用樹脂で封止し、
種々の形状に成形されている。これらの半導体チップの
樹脂封止方法としては、熱硬化性樹脂、即ちエポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、シリコーン等を用い絶縁封止する成
形法が良く知られている。しかし、これらの樹脂による
封止方法では封止の前工程に樹脂の予備硬化状態及び長
時間の硬化時間が必要であり、さらに後硬化も必要であ
り、極めて生産性が悪かった。
が接続された金属リードフレームに半導体チップをマウ
ントし、その後エポキシ樹脂等の封止用樹脂で封止し、
種々の形状に成形されている。これらの半導体チップの
樹脂封止方法としては、熱硬化性樹脂、即ちエポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、シリコーン等を用い絶縁封止する成
形法が良く知られている。しかし、これらの樹脂による
封止方法では封止の前工程に樹脂の予備硬化状態及び長
時間の硬化時間が必要であり、さらに後硬化も必要であ
り、極めて生産性が悪かった。
【０００３】これらの問題を解決するため、熱可塑性樹
脂を用いる方法が試みられてきている。即ち、半導体チ
ップをインサートした金型に熱可塑性樹脂を直接、射出
成形することで生産性を高める試みである。さて、熱可
塑性樹脂を用いた発光ダイオードであるが、その要求特
性としては、特に高流動性、透明性及び耐熱性が挙げら
れる。しかし、これまでは、上記の特性を十分満足させ
てはいなかった。
脂を用いる方法が試みられてきている。即ち、半導体チ
ップをインサートした金型に熱可塑性樹脂を直接、射出
成形することで生産性を高める試みである。さて、熱可
塑性樹脂を用いた発光ダイオードであるが、その要求特
性としては、特に高流動性、透明性及び耐熱性が挙げら
れる。しかし、これまでは、上記の特性を十分満足させ
てはいなかった。
【０００４】例えば、ポリカーボネート樹脂を用いた
ら、射出成形時に、金属リードフレームの変形なしに成
形でき、透明性を有するが、耐熱性が十分ではなく２４
０℃以上の半田耐熱性を有していない。また、ポリフェ
ニレンスルフィド樹脂を用いると、結晶性樹脂であるた
め、透明性が著しく劣り、好ましくなかった。さらに、
ポリエーテルスルホン樹脂を用いると、透明性を有し、
耐熱性は十分であるが、メルトフローインデックス値
（３２０℃×２．１６ｋｇ）が１〜１０ｇ／１０ｍｉｎ
であり、成形加工性が十分ではなく、射出成形時に金属
リードフレームの変形を伴うという問題が生じていた。
ら、射出成形時に、金属リードフレームの変形なしに成
形でき、透明性を有するが、耐熱性が十分ではなく２４
０℃以上の半田耐熱性を有していない。また、ポリフェ
ニレンスルフィド樹脂を用いると、結晶性樹脂であるた
め、透明性が著しく劣り、好ましくなかった。さらに、
ポリエーテルスルホン樹脂を用いると、透明性を有し、
耐熱性は十分であるが、メルトフローインデックス値
（３２０℃×２．１６ｋｇ）が１〜１０ｇ／１０ｍｉｎ
であり、成形加工性が十分ではなく、射出成形時に金属
リードフレームの変形を伴うという問題が生じていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体チップをインサートした金型に高流動ポリエーテルス
ルホン樹脂を直接、射出成形し、金属リードフレームの
変形のない、透明性に優れ、耐熱性の優れた発光ダイオ
ード及びその製造方法に関するものである。
体チップをインサートした金型に高流動ポリエーテルス
ルホン樹脂を直接、射出成形し、金属リードフレームの
変形のない、透明性に優れ、耐熱性の優れた発光ダイオ
ード及びその製造方法に関するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記の目的
を達成するために鋭意検討した結果、金属リードフレー
ムにマウントされた半導体チップが、３２０℃×２．１
６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０〜７０
ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂で封止
することにより、金属リードフレームの変形のない、透
明性に優れ、耐熱性の優れた発光ダイオードをえられる
ことが可能であることを見出し、本発明を完成した。
を達成するために鋭意検討した結果、金属リードフレー
ムにマウントされた半導体チップが、３２０℃×２．１
６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０〜７０
ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂で封止
することにより、金属リードフレームの変形のない、透
明性に優れ、耐熱性の優れた発光ダイオードをえられる
ことが可能であることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、金属リードフレームにマ
ウントされた半導体チップが、３２０℃×２．１６ｋｇ
でのメルトフローインデックスの値が２０〜７０ｇ／１
０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂により封止さ
れていることを特徴とする発光ダイオードであり、さら
には金属リードフレームに成形温度３００℃〜３８０
℃、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５０
０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、３２０℃×２．１６ｋｇでの
メルトフローインデックスの値が２０〜７０ｇ／１０ｍ
ｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂を封止することを
特徴とする発光ダイオードの製造方法である。
ウントされた半導体チップが、３２０℃×２．１６ｋｇ
でのメルトフローインデックスの値が２０〜７０ｇ／１
０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂により封止さ
れていることを特徴とする発光ダイオードであり、さら
には金属リードフレームに成形温度３００℃〜３８０
℃、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５０
０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、３２０℃×２．１６ｋｇでの
メルトフローインデックスの値が２０〜７０ｇ／１０ｍ
ｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂を封止することを
特徴とする発光ダイオードの製造方法である。
【０００８】本発明に用いるポリエーテルスルホン樹脂
は３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデック
スの値が２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎ、好ましくは、３０
〜６０ｇ／１０ｍｉｎである高流動性を有するポリエー
テルスルホン樹脂である。メルトフローインデックス値
が２０ｇ／１０ｍｉｎを下回ると、成形加工性が十分で
はなく、射出成形時に、金属リードフレームの変形が生
じ、また７０ｇ／１０ｍｉｎを越えると、耐熱性が低下
する。
は３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデック
スの値が２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎ、好ましくは、３０
〜６０ｇ／１０ｍｉｎである高流動性を有するポリエー
テルスルホン樹脂である。メルトフローインデックス値
が２０ｇ／１０ｍｉｎを下回ると、成形加工性が十分で
はなく、射出成形時に、金属リードフレームの変形が生
じ、また７０ｇ／１０ｍｉｎを越えると、耐熱性が低下
する。
【０００９】また、本発明では半導体チップをインサー
トした金型に高流動ポリエーテルスルホン樹脂を直接射
出成形する際には、成形条件の設定が重要である。本発
明に用いる高流動ポリエーテルスルホン樹脂は、射出成
形の際、過酷な条件にて成形（例えば高射出圧、高温金
型）すると、オーバーパックとなり、型開きの際、製品
のゲート部が金型から離型しなくなり、さらには樹脂が
脆い為、型から製品を取り出すことができなくなる。こ
れに対し、従来のポリエーテルスルホン樹脂の場合に
は、オーバーパックしても、高流動ポリエーテルスルホ
ン樹脂に比べて靱性があるため、簡単に成形物を型より
取り出すことができるが、成形加工性が充分でなく、金
属リードフレームの変形を伴うという欠点がある。
トした金型に高流動ポリエーテルスルホン樹脂を直接射
出成形する際には、成形条件の設定が重要である。本発
明に用いる高流動ポリエーテルスルホン樹脂は、射出成
形の際、過酷な条件にて成形（例えば高射出圧、高温金
型）すると、オーバーパックとなり、型開きの際、製品
のゲート部が金型から離型しなくなり、さらには樹脂が
脆い為、型から製品を取り出すことができなくなる。こ
れに対し、従来のポリエーテルスルホン樹脂の場合に
は、オーバーパックしても、高流動ポリエーテルスルホ
ン樹脂に比べて靱性があるため、簡単に成形物を型より
取り出すことができるが、成形加工性が充分でなく、金
属リードフレームの変形を伴うという欠点がある。
【００１０】即ち、本発明では半導体チップをインサー
トした金型に高流動ポリエーテルスルホン樹脂を直接射
出成形する際には、成形温度３００℃〜３８０℃であ
り、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５０
０ｋｇ／ｃｍ2 の条件であることが必須である。さら
に、本発明に係る発光ダイオードは、ヒートサイクル
性、長期信頼性及び封止樹脂と金属リードフレームとの
密着性に優れている。また各種色素、例えば複素環系、
アンスラキノン系を用いることにより、各種の色を有す
る発光ダイオードとして使用することもできる。但し、
この場合には、色素の耐熱性を考慮する必要がある。
トした金型に高流動ポリエーテルスルホン樹脂を直接射
出成形する際には、成形温度３００℃〜３８０℃であ
り、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００〜１５０
０ｋｇ／ｃｍ2 の条件であることが必須である。さら
に、本発明に係る発光ダイオードは、ヒートサイクル
性、長期信頼性及び封止樹脂と金属リードフレームとの
密着性に優れている。また各種色素、例えば複素環系、
アンスラキノン系を用いることにより、各種の色を有す
る発光ダイオードとして使用することもできる。但し、
この場合には、色素の耐熱性を考慮する必要がある。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例により詳
細に説明する。 実施例１ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が３０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力７００ｋｇ／ｃｍ2 にて、半導体チップをインサ
ートした金型を使用し、射出成形を行い、封止を行っ
た。その後、得られた発光ダイオードの金属リードフレ
ームの変形を観察した。また、成形温度３５０℃、金型
温度１５０℃、射出圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2の条件
で、ＡＳＴＭ−７９０に準じた曲げ試験片を成形した。
この試験片を用いて、耐ハンダ性、光線透過率及び曲げ
強度の測定を行った。試験方法は以下に示す方法によつ
た。
細に説明する。 実施例１ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が３０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力７００ｋｇ／ｃｍ2 にて、半導体チップをインサ
ートした金型を使用し、射出成形を行い、封止を行っ
た。その後、得られた発光ダイオードの金属リードフレ
ームの変形を観察した。また、成形温度３５０℃、金型
温度１５０℃、射出圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2の条件
で、ＡＳＴＭ−７９０に準じた曲げ試験片を成形した。
この試験片を用いて、耐ハンダ性、光線透過率及び曲げ
強度の測定を行った。試験方法は以下に示す方法によつ
た。
【００１２】耐ハンダ性、２６０℃の半田浴に曲げ試
験片を１０秒浸漬後、試験片の変形及び膨れの有無を観
察した。変形及び膨れのない場合を○印に、変形及び膨
れが若干ある場合を△印、さらに変形及び膨れがひどい
場合を×印とした。 光線透過率、ＪＩＳ Ｋ−７１０５に準じて行った。 曲げ強度、ＡＳＴＭ−７９０に準じて測定した。
験片を１０秒浸漬後、試験片の変形及び膨れの有無を観
察した。変形及び膨れのない場合を○印に、変形及び膨
れが若干ある場合を△印、さらに変形及び膨れがひどい
場合を×印とした。 光線透過率、ＪＩＳ Ｋ−７１０５に準じて行った。 曲げ強度、ＡＳＴＭ−７９０に準じて測定した。
【００１３】実施例２ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が３５ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力６８０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法
により、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様
にして求めた。
の値が３５ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力６８０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法
により、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様
にして求めた。
【００１４】実施例３ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が４０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力６５０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法
により、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様
にして求めた。
の値が４０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力６５０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法
により、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様
にして求めた。
【００１５】実施例４ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が５０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力５９０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに射出圧力を８００ｋｇ
／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により曲げ試
験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求めた。
の値が５０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力５９０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに射出圧力を８００ｋｇ
／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により曲げ試
験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求めた。
【００１６】実施例５ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が６０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力５５０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法
により、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様
にして求めた。
の値が６０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力５５０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに実施例１と同様の方法
により、曲げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様
にして求めた。
【００１７】比較例１ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が１０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力８００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに射出圧力を１２００ｋ
ｇ／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により、曲
げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
の値が１０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１５０℃、射
出圧力８００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を
行った。その後得られた発光ダイオードの金属リードフ
レームの変形を観察した。さらに射出圧力を１２００ｋ
ｇ／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により、曲
げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
【００１８】比較例２ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が１２０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１００℃、
射出圧力４００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止
を行った。その後、得られた発光ダイオードの金属リー
ドフレームの変形を観察した。さらに射出圧力を６００
ｋｇ／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により曲
げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
の値が１２０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホ
ン樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１００℃、
射出圧力４００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止
を行った。その後、得られた発光ダイオードの金属リー
ドフレームの変形を観察した。さらに射出圧力を６００
ｋｇ／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により曲
げ試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
【００１９】比較例３ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が６０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１９０℃、射
出圧力１６００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止
を行ったが、オーバーパックとなり、離型しなくなっ
た。さらに、射出圧力１０００ｋｇ／ｃｍ 2 まで下げた
が、オーバーパックは防げたが、型温がまだ高いため、
製品は離型しなかった。
の値が６０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１９０℃、射
出圧力１６００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止
を行ったが、オーバーパックとなり、離型しなくなっ
た。さらに、射出圧力１０００ｋｇ／ｃｍ 2 まで下げた
が、オーバーパックは防げたが、型温がまだ高いため、
製品は離型しなかった。
【００２０】比較例４ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が２５ｇ／１０ｍｉｎであるポリフェニレンスルフ
ィド樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１３０
℃、射出圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行
い、ＡＳＴＭ−７９０に準じた曲げ試験片を成形した。
この試験片を用いて、各物性を実施例１と同様にして求
めた。
の値が２５ｇ／１０ｍｉｎであるポリフェニレンスルフ
ィド樹脂を用い、成形温度３５０℃、金型温度１３０
℃、射出圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行
い、ＡＳＴＭ−７９０に準じた曲げ試験片を成形した。
この試験片を用いて、各物性を実施例１と同様にして求
めた。
【００２１】比較例５ ３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックス
の値が２８ｇ／１０ｍｉｎであるポリカーボネート樹脂
を用い、成形温度２８０℃、金型温度１００℃、射出圧
力７５０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を行っ
た。その後、得られた発光ダイオードの金属リードフレ
ームの変形を観察した。さらに射出圧力を１０００ｋｇ
／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により、曲げ
試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
の値が２８ｇ／１０ｍｉｎであるポリカーボネート樹脂
を用い、成形温度２８０℃、金型温度１００℃、射出圧
力７５０ｋｇ／ｃｍ2 にて射出成形を行い、封止を行っ
た。その後、得られた発光ダイオードの金属リードフレ
ームの変形を観察した。さらに射出圧力を１０００ｋｇ
／ｃｍ2 にした他は実施例１と同様の方法により、曲げ
試験片を成形し、各物性を実施例１と同様にして求め
た。
【００２２】以上より、一般に使用されている３２０℃
×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が１
０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂で
は、金属リードフレームの変形が起きているが、メルト
フローインデックスが２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎの範囲
にあるポリエーテルスルホン樹脂では、金属リードフレ
ームの変形が起こっていない。しかしメルトフローイン
デックスが２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあっても
成形条件によっては、オーバーパックとなったり、離型
不良になったりする。またメルトフローインデックスが
１２０ｇ／１０ｍｉｎのポリエーテルスルホン樹脂を用
いると、耐半田性が悪くなり、耐熱性が劣ることを示し
ている。さらにポリエーテルスルホン樹脂以外のもの、
例えばポリフェニレンスルフィド樹脂では不透明であ
り、ポリカーボネート樹脂では耐熱性が劣っている。
×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が１
０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂で
は、金属リードフレームの変形が起きているが、メルト
フローインデックスが２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎの範囲
にあるポリエーテルスルホン樹脂では、金属リードフレ
ームの変形が起こっていない。しかしメルトフローイン
デックスが２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎの範囲にあっても
成形条件によっては、オーバーパックとなったり、離型
不良になったりする。またメルトフローインデックスが
１２０ｇ／１０ｍｉｎのポリエーテルスルホン樹脂を用
いると、耐半田性が悪くなり、耐熱性が劣ることを示し
ている。さらにポリエーテルスルホン樹脂以外のもの、
例えばポリフェニレンスルフィド樹脂では不透明であ
り、ポリカーボネート樹脂では耐熱性が劣っている。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明による発光ダイオードは、３２０
℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が
２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂で封止されており、封止された発光ダイオードは、
金属リードフレームの変形がなく、耐熱性にすぐれ、透
明性も良好である。
℃×２．１６ｋｇでのメルトフローインデックスの値が
２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン
樹脂で封止されており、封止された発光ダイオードは、
金属リードフレームの変形がなく、耐熱性にすぐれ、透
明性も良好である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 高橋 敏明 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 大地 広泰 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 金属リードフレームにマウントされた半
導体チップが、３２０℃×２．１６ｋｇでのメルトフロ
ーインデックスの値が２０〜７０ｇ／１０ｍｉｎである
ポリエーテルスルホン樹脂により封止されていることを
特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 金属リードフレームに成形温度３００℃
〜３８０℃、金型温度２５〜１７０℃、射出圧力３００
〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 の条件で、３２０℃×２．１６
ｋｇでのメルトフローインデックスの値が２０〜７０ｇ
／１０ｍｉｎであるポリエーテルスルホン樹脂を封止す
ることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201397A JPH0758363A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201397A JPH0758363A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758363A true JPH0758363A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16440418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5201397A Pending JPH0758363A (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758363A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995025149A1 (fr) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Element organique electroluminescent |
| US5821003A (en) * | 1994-03-16 | 1998-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
-
1993
- 1993-08-13 JP JP5201397A patent/JPH0758363A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995025149A1 (fr) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Element organique electroluminescent |
| US5821003A (en) * | 1994-03-16 | 1998-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
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