JPH0758033A - Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0758033A JPH0758033A JP21896893A JP21896893A JPH0758033A JP H0758033 A JPH0758033 A JP H0758033A JP 21896893 A JP21896893 A JP 21896893A JP 21896893 A JP21896893 A JP 21896893A JP H0758033 A JPH0758033 A JP H0758033A
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- plasma
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高度に微細化・高集積化したメモリー素子等
の集積半導体回路の製造の際に、層間膜を平坦化する工
程などに使用されるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置におい
て、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基板に
形成された膜に付着することを抑制し、基板や基板上の
膜に付着するパーティクルの個数を低減させる。 【構成】 ＥＣＲプラズマ発生部２０と、プラズマ反応
室６を有するプラズマＣＶＤ部２１とを備えたＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置において、プラズマ反応室６の基板保
持部（サセプター）９の真上に、この基板保持部９に近
接して、閉じたときに基板８を覆う開閉可能なシャッタ
ー３０を設ける。
の集積半導体回路の製造の際に、層間膜を平坦化する工
程などに使用されるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置におい
て、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基板に
形成された膜に付着することを抑制し、基板や基板上の
膜に付着するパーティクルの個数を低減させる。 【構成】 ＥＣＲプラズマ発生部２０と、プラズマ反応
室６を有するプラズマＣＶＤ部２１とを備えたＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置において、プラズマ反応室６の基板保
持部（サセプター）９の真上に、この基板保持部９に近
接して、閉じたときに基板８を覆う開閉可能なシャッタ
ー３０を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＣＲプラズマ発生部
と、プラズマＣＶＤ反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ部とを備えたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
に関する。さらに詳しくは、基板や基板に形成された薄
膜に付着するパーティクルの個数を低減することがで
き、例えば高度に微細化・高集積化したメモリー素子等
の集積半導体回路の製造において、層間膜を平坦化する
工程等に好適に使用することができるＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
と、プラズマＣＶＤ反応により基板上に薄膜を形成する
プラズマＣＶＤ部とを備えたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
に関する。さらに詳しくは、基板や基板に形成された薄
膜に付着するパーティクルの個数を低減することがで
き、例えば高度に微細化・高集積化したメモリー素子等
の集積半導体回路の製造において、層間膜を平坦化する
工程等に好適に使用することができるＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】メモリー素子等の半導体装置の配線技術
は、デバイスの高密度化にともなってますます微細化、
多層化の方向に進んでいるが、このような高集積化は一
方でデバイスの信頼性を低下させる要因となる。なぜな
ら、配線の微細化と多層化の進展によって層間絶縁膜の
段差は大きくかつ急峻となり、その上に形成される配線
の加工精度、信頼性を低下させるからである。
は、デバイスの高密度化にともなってますます微細化、
多層化の方向に進んでいるが、このような高集積化は一
方でデバイスの信頼性を低下させる要因となる。なぜな
ら、配線の微細化と多層化の進展によって層間絶縁膜の
段差は大きくかつ急峻となり、その上に形成される配線
の加工精度、信頼性を低下させるからである。
【０００３】このため、Ａ１配線の段差被覆性の大幅な
改善ができない現在、デバイスの信頼性を向上させるた
めには、層間絶縁膜の平坦性を向上させる必要がある。
この層間絶縁膜の平坦性の向上は、リソグラフィーの短
波長化にともなう焦点深度の低下の点からも重要になり
つつある。
改善ができない現在、デバイスの信頼性を向上させるた
めには、層間絶縁膜の平坦性を向上させる必要がある。
この層間絶縁膜の平坦性の向上は、リソグラフィーの短
波長化にともなう焦点深度の低下の点からも重要になり
つつある。
【０００４】これまでに、様々な絶縁膜の形成技術及び
平坦化技術が開発されてきたが、これらの技術を微細
化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い
場合の平坦化の不足や、配線間隔における層間膜での
「す」の発生による配線間の接続不良などが問題とな
る。
平坦化技術が開発されてきたが、これらの技術を微細
化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い
場合の平坦化の不足や、配線間隔における層間膜での
「す」の発生による配線間の接続不良などが問題とな
る。
【０００５】この問題に関して、すでに本発明者は、特
開平３−１３９８５８号において、エッチングと膜堆積
の両方の機能を合わせ持つバイアスＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ法による平坦化膜堆積技術を提案している。この技術
の利点のひとつは、配線間隔への依存性無く平坦化がで
きるという点であるが、配線の上に残る膜は配線依存性
がある。
開平３−１３９８５８号において、エッチングと膜堆積
の両方の機能を合わせ持つバイアスＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ法による平坦化膜堆積技術を提案している。この技術
の利点のひとつは、配線間隔への依存性無く平坦化がで
きるという点であるが、配線の上に残る膜は配線依存性
がある。
【０００６】また、上記特開平３−１３９８５８号の技
術は、ＥＣＲ放電を利用しているので電力吸収率が高
く、また磁場による閉じ込め効果があり、高密度のプラ
ズマが生成可能であるため、基板の大口径化にともなう
装置の枚葉化にも対応できるという利点がある。
術は、ＥＣＲ放電を利用しているので電力吸収率が高
く、また磁場による閉じ込め効果があり、高密度のプラ
ズマが生成可能であるため、基板の大口径化にともなう
装置の枚葉化にも対応できるという利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法は、次世代の絶縁膜平坦化技術とし
て有望な技術といえるが、この方法にも解決すべき問題
が数多くある。そのひとつとして、いわゆるパーティク
ルの問題がある。これは、気相反応の副生成物や、装置
の内壁等に付着した膜が温度変化等によって剥がれたも
のがパーティクルとなり、これが基板や基板に形成され
た膜に付着して異物となり、絶縁破壊、リークなどの問
題を引き起こし、歩留まりの低下、信頼性の低下を招く
ものである。
ＲプラズマＣＶＤ法は、次世代の絶縁膜平坦化技術とし
て有望な技術といえるが、この方法にも解決すべき問題
が数多くある。そのひとつとして、いわゆるパーティク
ルの問題がある。これは、気相反応の副生成物や、装置
の内壁等に付着した膜が温度変化等によって剥がれたも
のがパーティクルとなり、これが基板や基板に形成され
た膜に付着して異物となり、絶縁破壊、リークなどの問
題を引き起こし、歩留まりの低下、信頼性の低下を招く
ものである。
【０００８】ここで、パーティクルの問題について、図
面を参照して詳細に説明する。図５は従来のＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を示す概略断面図である。図５に示した
ように、このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、ＥＣＲプラ
ズマ発生部２０と、プラズマＣＶＤ部２１とからなる。
面を参照して詳細に説明する。図５は従来のＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を示す概略断面図である。図５に示した
ように、このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、ＥＣＲプラ
ズマ発生部２０と、プラズマＣＶＤ部２１とからなる。
【０００９】ＥＣＲプラズマ発生部２０は、マイクロ波
１を導入する導波管２及びプラズマ発生室４をコイル３
で囲んだ構造を有するもので、Ｎ2Ｏ、Ａｒなどのガス
１０をプラズマ発生室４に供給し、磁界とマイクロ波に
よって電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を誘発させる
ことにより、プラズマ発生室４で高密度プラズマを発生
させる。そして、この高密度プラズマ１２をプラズマ引
き出し窓５を介してプラズマＣＶＤ反応を生じさせるプ
ラズマＣＶＤ部２１のプラズマ反応室６に送る。
１を導入する導波管２及びプラズマ発生室４をコイル３
で囲んだ構造を有するもので、Ｎ2Ｏ、Ａｒなどのガス
１０をプラズマ発生室４に供給し、磁界とマイクロ波に
よって電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を誘発させる
ことにより、プラズマ発生室４で高密度プラズマを発生
させる。そして、この高密度プラズマ１２をプラズマ引
き出し窓５を介してプラズマＣＶＤ反応を生じさせるプ
ラズマＣＶＤ部２１のプラズマ反応室６に送る。
【００１０】なお、プラズマ発生室４の内壁には石英コ
ート１３が施されており、ＳＵＳからのＣｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｉといった汚染物やパーティクルの付着を防止してい
る。また、マイクロ波導入部には、石英製の窓が付いて
いる。
ート１３が施されており、ＳＵＳからのＣｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｉといった汚染物やパーティクルの付着を防止してい
る。また、マイクロ波導入部には、石英製の窓が付いて
いる。
【００１１】プラズマＣＶＤ部２１は、プラズマ反応室
６内にサセプター（基板保持部）９が配置された構造の
もので、上記サセプター９上に基板（ウェハー）８が静
電チャック等によって保持されている。プラズマＣＶＤ
部２１では、成膜のための原料ガス（例えばＳｉＨ4）
を原料ガスリング７を通してプラズマ反応室６に送り、
イオン及び電子の衝突効果によって原料ガスを活性化
し、基板８上に膜を形成する。
６内にサセプター（基板保持部）９が配置された構造の
もので、上記サセプター９上に基板（ウェハー）８が静
電チャック等によって保持されている。プラズマＣＶＤ
部２１では、成膜のための原料ガス（例えばＳｉＨ4）
を原料ガスリング７を通してプラズマ反応室６に送り、
イオン及び電子の衝突効果によって原料ガスを活性化
し、基板８上に膜を形成する。
【００１２】図５に示したＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に
よる基板８への成膜においては、原料ガスがプラズマ反
応室６全体に拡がるため、基板８の表面に反応生成物が
堆積するだけでなく、図５において破線で示したよう
に、反応室６のチャンバー壁１１内面、プラズマ引き出
し窓５の周囲、サセプター９の露出面にも同様に反応生
成物が堆積して膜２２が形成される。そして、この膜２
２が剥離して基板８や基板８に形成された膜に付着し、
パーティクルの問題の一方の原因となる。
よる基板８への成膜においては、原料ガスがプラズマ反
応室６全体に拡がるため、基板８の表面に反応生成物が
堆積するだけでなく、図５において破線で示したよう
に、反応室６のチャンバー壁１１内面、プラズマ引き出
し窓５の周囲、サセプター９の露出面にも同様に反応生
成物が堆積して膜２２が形成される。そして、この膜２
２が剥離して基板８や基板８に形成された膜に付着し、
パーティクルの問題の一方の原因となる。
【００１３】また、気相中の副反応生成物がプラズマ
中、とりわけシース付近に浮遊して、基板８や基板８に
形成された膜に付着し、これがパーティクルの問題の他
方の原因となる。この場合、特にプラズマを停止したと
きに、プラズマ中の上記浮遊物が基板８に付着する。し
たがって、パーティクルの問題を解消するためには、チ
ャンバー壁内面等の付着膜の剥がれに起因するパーティ
クルのみではなく、プラズマ中に浮遊する副反応生成物
に起因するパーティクルをも防止することが重要にな
る。
中、とりわけシース付近に浮遊して、基板８や基板８に
形成された膜に付着し、これがパーティクルの問題の他
方の原因となる。この場合、特にプラズマを停止したと
きに、プラズマ中の上記浮遊物が基板８に付着する。し
たがって、パーティクルの問題を解消するためには、チ
ャンバー壁内面等の付着膜の剥がれに起因するパーティ
クルのみではなく、プラズマ中に浮遊する副反応生成物
に起因するパーティクルをも防止することが重要にな
る。
【００１４】これに対し、本発明者は、上述したパーテ
ィクルの問題の内、前者の付着膜の剥がれに関して、基
板の近傍に表面に凹凸がある防着部を設けたＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を提案している（特願平３−３０６６６
６）。しかし、後者の気相中の副反応生成物に起因する
パーティクル関しては、従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置で有効な防止手段を有しているものはなかった。
ィクルの問題の内、前者の付着膜の剥がれに関して、基
板の近傍に表面に凹凸がある防着部を設けたＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置を提案している（特願平３−３０６６６
６）。しかし、後者の気相中の副反応生成物に起因する
パーティクル関しては、従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置で有効な防止手段を有しているものはなかった。
【００１５】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基板に
形成された膜に付着することを効果的に抑制し、基板や
基板上の膜に付着するパーティクルの個数を低減するこ
とのできるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
で、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基板に
形成された膜に付着することを効果的に抑制し、基板や
基板上の膜に付着するパーティクルの個数を低減するこ
とのできるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために鋭意検討を行った過程で、プラズマ中の
素反応を制御し、反応のパスをコントロールして副反応
生成物の発生を抑制することが現在の技術ではきわめて
困難であり、したがって副反応生成物によるパーティク
ルを抑制するためには、生成した副反応生成物を基板表
面に付着しないようにすることが重要であると考えるに
至った。そして、さらに検討を行った結果、プラズマ反
応室内の基板保持部近傍に開閉可能なシャッターを設
け、シャッターを開いた状態で基板への成膜を行うとと
もに、成膜後直ちにシャッターを閉じて基板を覆うこと
により、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基
板上の膜に付着することを効果的に抑制できることを見
い出し、本発明をなすに至った。
達成するために鋭意検討を行った過程で、プラズマ中の
素反応を制御し、反応のパスをコントロールして副反応
生成物の発生を抑制することが現在の技術ではきわめて
困難であり、したがって副反応生成物によるパーティク
ルを抑制するためには、生成した副反応生成物を基板表
面に付着しないようにすることが重要であると考えるに
至った。そして、さらに検討を行った結果、プラズマ反
応室内の基板保持部近傍に開閉可能なシャッターを設
け、シャッターを開いた状態で基板への成膜を行うとと
もに、成膜後直ちにシャッターを閉じて基板を覆うこと
により、プラズマ中に浮遊する副反応生成物が基板や基
板上の膜に付着することを効果的に抑制できることを見
い出し、本発明をなすに至った。
【００１７】したがって、本発明は、ＥＣＲプラズマ発
生部と、プラズマ反応室を有するプラズマＣＶＤ部とを
備えたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において、前記プラズ
マ反応室内の基板保持部近傍に閉じたときに基板を覆う
開閉可能なシャッターを設けたことを特徴とするＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置を提供する。
生部と、プラズマ反応室を有するプラズマＣＶＤ部とを
備えたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において、前記プラズ
マ反応室内の基板保持部近傍に閉じたときに基板を覆う
開閉可能なシャッターを設けたことを特徴とするＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【００１８】本発明において、シャッターの形状、構造
に特に制限はなく、開閉可能であって、開いたときに基
板への成膜を妨げることがなく、閉じたときに基板を覆
ってプラズマ中に浮遊するパーティクルの基板への付着
を防止できるものであればどのような形状、構造であっ
てももよい。具体的には、例えばカメラに使用されるよ
うな複数の羽根板からなるレンズシャッター、あるいは
フォーカルプレーンシャッター等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
に特に制限はなく、開閉可能であって、開いたときに基
板への成膜を妨げることがなく、閉じたときに基板を覆
ってプラズマ中に浮遊するパーティクルの基板への付着
を防止できるものであればどのような形状、構造であっ
てももよい。具体的には、例えばカメラに使用されるよ
うな複数の羽根板からなるレンズシャッター、あるいは
フォーカルプレーンシャッター等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
【００１９】また、本発明は、前記シャッターが静電集
塵機能を有するＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提供する。
この場合、シャッターに静電集塵機能を付与する手段に
限定はないが、例えば、直流電圧を印加可能な電極をシ
ャッターに埋設あるいは固定したり、シャッター自体を
直流電圧を印加可能な電極に構成したりして、この電極
あるいはシャッターに直流電圧を印加して静電集塵機能
を発揮させる手段等が挙げられる。
塵機能を有するＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提供する。
この場合、シャッターに静電集塵機能を付与する手段に
限定はないが、例えば、直流電圧を印加可能な電極をシ
ャッターに埋設あるいは固定したり、シャッター自体を
直流電圧を印加可能な電極に構成したりして、この電極
あるいはシャッターに直流電圧を印加して静電集塵機能
を発揮させる手段等が挙げられる。
【００２０】さらに、本発明は、前記シャッターが静電
集塵機能及び静電チャックの除電機能を有するＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を提供する。この場合、シャッターに
静電集塵機能及び静電チャックの除電機能を付与する手
段は特に限られないが、例えば、静電集塵機能を付与す
るためにシャッターに埋設あるいは固定した電極や、シ
ャッター自体を電極に構成した場合のシャッターに、成
膜後において、成膜時と逆の極性になるようにバイアス
を印加することにより静電チャックの残留電荷を除去す
る手段等が挙げられる。
集塵機能及び静電チャックの除電機能を有するＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置を提供する。この場合、シャッターに
静電集塵機能及び静電チャックの除電機能を付与する手
段は特に限られないが、例えば、静電集塵機能を付与す
るためにシャッターに埋設あるいは固定した電極や、シ
ャッター自体を電極に構成した場合のシャッターに、成
膜後において、成膜時と逆の極性になるようにバイアス
を印加することにより静電チャックの残留電荷を除去す
る手段等が挙げられる。
【００２１】
【作用】気相中に存在するパーティクルで基板に最も付
着しやすいパーティクルは、プラズマ反応室内の基板の
真上に存在するプラズマシース付近に浮遊している副反
応生成物であると考えられる。本発明では、プラズマ反
応室の基板保持部の近傍に閉じたときに基板を覆う開閉
可能なシャッターを設けたので、シャッターを開いた状
態で成膜反応を行い、成膜反応終了直後にシャッターを
閉じることにより、基板の真上のプラズマシース付近に
浮遊している副反応生成物が基板や基板上の膜に付着す
ることを防止することができる。
着しやすいパーティクルは、プラズマ反応室内の基板の
真上に存在するプラズマシース付近に浮遊している副反
応生成物であると考えられる。本発明では、プラズマ反
応室の基板保持部の近傍に閉じたときに基板を覆う開閉
可能なシャッターを設けたので、シャッターを開いた状
態で成膜反応を行い、成膜反応終了直後にシャッターを
閉じることにより、基板の真上のプラズマシース付近に
浮遊している副反応生成物が基板や基板上の膜に付着す
ることを防止することができる。
【００２２】また、シャッターに静電集塵機能を付与し
た場合、成膜終了後にシャッターで基板を覆い、さらに
シャッターに静電集塵機能を発揮させ、プラズマシース
付近に浮遊しているパーティクルをシャッターに付着さ
せて捕集することにより、基板や基板上の膜にパーティ
クルが付着することを防止することができる。
た場合、成膜終了後にシャッターで基板を覆い、さらに
シャッターに静電集塵機能を発揮させ、プラズマシース
付近に浮遊しているパーティクルをシャッターに付着さ
せて捕集することにより、基板や基板上の膜にパーティ
クルが付着することを防止することができる。
【００２３】さらに、シャッターに静電集塵機能及び静
電チャックの除電機能を付与した場合、静電集塵の際の
放電を基板の静電チャックの解除のための除電プロセス
として兼用することにより、装置及び工程の簡略化及び
省エネルギー化を達成することができる。
電チャックの除電機能を付与した場合、静電集塵の際の
放電を基板の静電チャックの解除のための除電プロセス
として兼用することにより、装置及び工程の簡略化及び
省エネルギー化を達成することができる。
【００２４】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例１ 図１は本発明の一実施例に係るＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置を示す概略断面図、図２は同装置のシャッター部分を
示す拡大概略断面図である。なお、図１及び図２におい
て、図５の装置と同一構成の部分には、同一参照符号を
付してその説明を省略する。
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例１ 図１は本発明の一実施例に係るＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置を示す概略断面図、図２は同装置のシャッター部分を
示す拡大概略断面図である。なお、図１及び図２におい
て、図５の装置と同一構成の部分には、同一参照符号を
付してその説明を省略する。
【００２５】本実施例の装置は、プラズマ反応室６の基
板保持部（サセプター）９の真上に、この基板保持部９
に近接して、閉じたときに基板８を覆う開閉可能なシャ
ッター３０が設けられている。基板８は、静電チャック
（図示せず）で基板保持台９上に保持されている。
板保持部（サセプター）９の真上に、この基板保持部９
に近接して、閉じたときに基板８を覆う開閉可能なシャ
ッター３０が設けられている。基板８は、静電チャック
（図示せず）で基板保持台９上に保持されている。
【００２６】上記シャッター３０は、図３に示したよう
に複数の開閉する羽根板３１からなるレンズシャッター
状のもので、これら羽根板３１はシャッター支持部３２
に支持されている。また、シャッター３０の径は基板８
の径よりも大きく形成されている。実際には、基板８と
して１２５ｍｍ径のウェハーを用い、シャッター３０と
して１４０ｍｍ径のものを用い、シャッター３０と基板
８との距離は１０ｍｍとした。
に複数の開閉する羽根板３１からなるレンズシャッター
状のもので、これら羽根板３１はシャッター支持部３２
に支持されている。また、シャッター３０の径は基板８
の径よりも大きく形成されている。実際には、基板８と
して１２５ｍｍ径のウェハーを用い、シャッター３０と
して１４０ｍｍ径のものを用い、シャッター３０と基板
８との距離は１０ｍｍとした。
【００２７】実施例１の装置を用いて以下の条件で成膜
を数回行った。この場合、成膜が終了するごとにシャッ
ター３０を閉じ、基板や基板上の膜への浮遊パーティク
ルの付着を防止した。 ガス流量 ： ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ ＝ ２０／３５ S
CCM 圧力 ： ０．１Ｐａ ［８×１０-4 Tor
r］ 温度 ： ４００℃ マイクロ波出力 ： １０００Ｗ ＲＦ ： ４００Ｗ なお、ＲＦは１３．５６ＭＨzを用いた。
を数回行った。この場合、成膜が終了するごとにシャッ
ター３０を閉じ、基板や基板上の膜への浮遊パーティク
ルの付着を防止した。 ガス流量 ： ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ ＝ ２０／３５ S
CCM 圧力 ： ０．１Ｐａ ［８×１０-4 Tor
r］ 温度 ： ４００℃ マイクロ波出力 ： １０００Ｗ ＲＦ ： ４００Ｗ なお、ＲＦは１３．５６ＭＨzを用いた。
【００２８】その結果、基板に付着したパーティクル数
は、図５に示した従来例と比べて約３０％低減されてい
た。
は、図５に示した従来例と比べて約３０％低減されてい
た。
【００２９】実施例２ 図４は本発明の他の実施例に係るＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置のシャッター部分を示す拡大概略断面図である。本
実施例の装置は、実施例１の装置のシャッター３０に静
電集塵機能を付与した例である。
装置のシャッター部分を示す拡大概略断面図である。本
実施例の装置は、実施例１の装置のシャッター３０に静
電集塵機能を付与した例である。
【００３０】本実施例の装置は、シャッター３０自体が
直流電圧３３を印加できる電極として構成されている。
そして、シャッター（電極）３０に直流電圧３３を印加
することにより、シャッター３０に静電集塵機能を付与
するようになっている。また、図中３４は図２では図示
しなかったＲＦ電極で、このＲＦ電極３４は基板保持部
９内に収容されている。なお、本実施例の装置の他の部
分は実施例１の装置と同様であるから、同一構成部分に
は同一参照符号を付してその説明を省略する。
直流電圧３３を印加できる電極として構成されている。
そして、シャッター（電極）３０に直流電圧３３を印加
することにより、シャッター３０に静電集塵機能を付与
するようになっている。また、図中３４は図２では図示
しなかったＲＦ電極で、このＲＦ電極３４は基板保持部
９内に収容されている。なお、本実施例の装置の他の部
分は実施例１の装置と同様であるから、同一構成部分に
は同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００３１】なお、本例では、シャッター３０に静電集
塵機能を付与するためにシャッター３０自体を電極に構
成したが、シャッターの構造によっては、シャッターに
直流電圧を印加できる電極を埋設したり、固定したりす
るようにしてもよい。
塵機能を付与するためにシャッター３０自体を電極に構
成したが、シャッターの構造によっては、シャッターに
直流電圧を印加できる電極を埋設したり、固定したりす
るようにしてもよい。
【００３２】実施例２の装置を用いて実施例１と同じの
条件で成膜を数回行った。この場合、成膜が終了するご
とにシャッター３０を閉じ、静電集塵機能を発揮させ、
浮遊パーティクルをシャッター３０上に捕集して、基板
や基板上の膜への浮遊パーティクルの付着を防止した。
条件で成膜を数回行った。この場合、成膜が終了するご
とにシャッター３０を閉じ、静電集塵機能を発揮させ、
浮遊パーティクルをシャッター３０上に捕集して、基板
や基板上の膜への浮遊パーティクルの付着を防止した。
【００３３】また、パーティクルをシャッター３０に付
着させたままにしておくのは好ましくないため、成膜後
にプラズマクリーニングを施してシャッター３０のパー
ティクルを除去した。この場合、プラズマクリーニング
はＲＦ電極３４との間で行い、条件は下記の通りとし
た。また、このとき図示していない駆動部によって、パ
ッシェンの法則に従うように、シャッター３０と基板保
持部９との間の距離を必要に応じて変化させて放電を行
った。 ガス流量 ： ＮＦ3 ＝ １００ SCCM 圧力 ： １３．３Ｐａ ［１×１０-2 Tor
r］ 温度 ： ４００℃ マイクロ波出力 ： ０Ｗ ＲＦ ： ４００Ｗ
着させたままにしておくのは好ましくないため、成膜後
にプラズマクリーニングを施してシャッター３０のパー
ティクルを除去した。この場合、プラズマクリーニング
はＲＦ電極３４との間で行い、条件は下記の通りとし
た。また、このとき図示していない駆動部によって、パ
ッシェンの法則に従うように、シャッター３０と基板保
持部９との間の距離を必要に応じて変化させて放電を行
った。 ガス流量 ： ＮＦ3 ＝ １００ SCCM 圧力 ： １３．３Ｐａ ［１×１０-2 Tor
r］ 温度 ： ４００℃ マイクロ波出力 ： ０Ｗ ＲＦ ： ４００Ｗ
【００３４】その結果、基板に付着したパーティクル数
は、図５に示した従来例と比べて約４０％低減されてい
た。
は、図５に示した従来例と比べて約４０％低減されてい
た。
【００３５】実施例３ 本実施例においては、実施例１の装置のシャッター３０
に静電集塵機能及び静電チャックの除電機能を付与し
た。なお、本実施例の装置の構造は実施例２の装置と同
様であるので、図面の記載は省略する。
に静電集塵機能及び静電チャックの除電機能を付与し
た。なお、本実施例の装置の構造は実施例２の装置と同
様であるので、図面の記載は省略する。
【００３６】具体的には、静電集塵の際の放電を基板８
の静電チャックの解除のための除電プロセスとして兼用
するため、成膜後において、直流電圧３３を印加するこ
とができるシャッター（電極）３０に成膜時と逆の極性
になるようにバイアスを印加することにより、静電チャ
ックの残留電荷を除去した。このときの条件は以下の通
りとした。 ガス流量 ： Ｎ2 ＝ ５０ SCCM 圧力 ： ０．１Ｐａ ［８×１０-4 Tor
r］ 温度 ： ４００℃ マイクロ波出力 ： ５００Ｗ ＲＦ ： ０Ｗ
の静電チャックの解除のための除電プロセスとして兼用
するため、成膜後において、直流電圧３３を印加するこ
とができるシャッター（電極）３０に成膜時と逆の極性
になるようにバイアスを印加することにより、静電チャ
ックの残留電荷を除去した。このときの条件は以下の通
りとした。 ガス流量 ： Ｎ2 ＝ ５０ SCCM 圧力 ： ０．１Ｐａ ［８×１０-4 Tor
r］ 温度 ： ４００℃ マイクロ波出力 ： ５００Ｗ ＲＦ ： ０Ｗ
【００３７】実施例３の装置を用いて実施例１と同じ条
件で成膜を数回行った。この場合、成膜が終了するごと
にシャッター３０を閉じ、静電集塵機能を作動させ、静
電チャックの除電を行うとともに、浮遊パーティクルを
シャッター３０上に捕集して、基板や基板上の膜への浮
遊パーティクルの付着を防止した。
件で成膜を数回行った。この場合、成膜が終了するごと
にシャッター３０を閉じ、静電集塵機能を作動させ、静
電チャックの除電を行うとともに、浮遊パーティクルを
シャッター３０上に捕集して、基板や基板上の膜への浮
遊パーティクルの付着を防止した。
【００３８】また、パーティクルをシャッター３０に付
着させたままにしておくのは好ましくないため、成膜後
にプラズマクリーニングを施してパーティクルの除去を
行った。この場合、プラズマクリーニングの方法及び条
件は、実施例２と同様とした。
着させたままにしておくのは好ましくないため、成膜後
にプラズマクリーニングを施してパーティクルの除去を
行った。この場合、プラズマクリーニングの方法及び条
件は、実施例２と同様とした。
【００３９】その結果、基板に付着したパーティクル数
は、図５に示した従来例と比べて約４０％低減されてい
た。
は、図５に示した従来例と比べて約４０％低減されてい
た。
【００４０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構造、条
件等を任意に変更することができる。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構造、条
件等を任意に変更することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置は、基板や基板上の膜に付着するパーテ
ィクルの個数を低減することのできるもので、例えば次
世代の超ＬＳＩを信頼性の高いプロセスで歩留まり良く
製造することを可能にするものである。この場合、本発
明のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、従来のＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置を多少改造するだけで簡便に構成すること
ができ、経済的にも非常に有利である。
ズマＣＶＤ装置は、基板や基板上の膜に付着するパーテ
ィクルの個数を低減することのできるもので、例えば次
世代の超ＬＳＩを信頼性の高いプロセスで歩留まり良く
製造することを可能にするものである。この場合、本発
明のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、従来のＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置を多少改造するだけで簡便に構成すること
ができ、経済的にも非常に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施例に係るＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置を示す概略断面図である。
ＣＶＤ装置を示す概略断面図である。
【図２】図２は同装置のシャッター部分を示す拡大概略
断面図である。
断面図である。
【図３】図３は同装置のシャッターを示す平面図で、
（Ａ）は閉じた状態、（Ｂ）は開いた状態を示す。
（Ａ）は閉じた状態、（Ｂ）は開いた状態を示す。
【図４】図４は本発明の他の実施例に係るＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置のシャッター部分を示す拡大概略断面図で
ある。
マＣＶＤ装置のシャッター部分を示す拡大概略断面図で
ある。
【図５】図５は従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
６ プラズマ反応室 ８ 基板 ９ サセプター（基板保持部） ２０ ＥＣＲプラズマ発生部 ２１ プラズマＣＶＤ部 ３０ シャッター
Claims (3)
- 【請求項１】 ＥＣＲプラズマ発生部と、プラズマ反応
室を有するプラズマＣＶＤ部とを備えたＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記プラズマ反応室内の基板保持
部近傍に閉じたときに基板を覆う開閉可能なシャッター
を設けたことを特徴とするＥＣＲプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記シャッターが、静電集塵機能を有す
るものである請求項１記載のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項３】 前記シャッターが、静電集塵機能及び静
電チャックの除電機能を有するものである請求項１記載
のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21896893A JPH0758033A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21896893A JPH0758033A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758033A true JPH0758033A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16728184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21896893A Pending JPH0758033A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758033A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230356B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-11-15 | 윤종용 | 공동 방식 전자 싸이크로트론 공명 화학기상 증착 장비 및 이를 사용한 박막 형성 방법 |
| US6184489B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| JP2002261029A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピウエハの成長方法及び成長装置 |
| KR101248917B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2013-03-29 | 주성엔지니어링(주) | 기판 합착 장치 및 합착 방법 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP21896893A patent/JPH0758033A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230356B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-11-15 | 윤종용 | 공동 방식 전자 싸이크로트론 공명 화학기상 증착 장비 및 이를 사용한 박막 형성 방법 |
| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| US6184489B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| US6423176B1 (en) | 1998-04-13 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| US7045465B2 (en) | 1998-04-13 | 2006-05-16 | Nec Electronics Corporation | Particle-removing method for a semiconductor device manufacturing apparatus |
| JP2002261029A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピウエハの成長方法及び成長装置 |
| JP4605331B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2011-01-05 | 住友電気工業株式会社 | エピウエハの成長方法及び成長装置 |
| KR101248917B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2013-03-29 | 주성엔지니어링(주) | 기판 합착 장치 및 합착 방법 |
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