JPH0754135A - Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0754135A JPH0754135A JP5195932A JP19593293A JPH0754135A JP H0754135 A JPH0754135 A JP H0754135A JP 5195932 A JP5195932 A JP 5195932A JP 19593293 A JP19593293 A JP 19593293A JP H0754135 A JPH0754135 A JP H0754135A
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- JP
- Japan
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- sintered body
- ito
- target
- tin oxide
- ito sintered
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 酸化インジウムおよび酸化錫からなる焼
結体において、マンガンを５〜５０００ｐｐｍ含有する
密度９０％〜１００％のＩＴＯ焼結体。 【効果】 加熱された高温基板においても加熱され
ていない低温基板においても極めて低抵抗で高透明な透
明導電膜を与え、なおかつその成膜速度が速く、ターゲ
ット表面の粒状生成物もなく、ターゲットの割れ、ター
ゲットからの破損粒子の飛散りもなく、極めて生産性に
優れている
結体において、マンガンを５〜５０００ｐｐｍ含有する
密度９０％〜１００％のＩＴＯ焼結体。 【効果】 加熱された高温基板においても加熱され
ていない低温基板においても極めて低抵抗で高透明な透
明導電膜を与え、なおかつその成膜速度が速く、ターゲ
ット表面の粒状生成物もなく、ターゲットの割れ、ター
ゲットからの破損粒子の飛散りもなく、極めて生産性に
優れている
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングターゲ
ットとして優れたＩＴＯ焼結体に関するものである。
ットとして優れたＩＴＯ焼結体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶を中心とする表示デバイスの発展に
伴い、透明導電膜の需要が増加しているなか、透明導電
膜は低抵抗、高透明性という点でＩＴＯ（酸化インジウ
ム、酸化錫）膜が広く用いられている。ＩＴＯ透明導電
膜の形成方法としては操作性の簡便さという点からスパ
ッタリング法が一般的であり、ＩＴＯ焼結体からなるタ
ーゲットを用いたスパッタリング法が広く適用されてい
る。特に最近では液晶のカラー化、素子の微細化、アク
ティブマトリックス方式の採用に伴い、高性能なＩＴＯ
透明導電膜が要求されている。
伴い、透明導電膜の需要が増加しているなか、透明導電
膜は低抵抗、高透明性という点でＩＴＯ（酸化インジウ
ム、酸化錫）膜が広く用いられている。ＩＴＯ透明導電
膜の形成方法としては操作性の簡便さという点からスパ
ッタリング法が一般的であり、ＩＴＯ焼結体からなるタ
ーゲットを用いたスパッタリング法が広く適用されてい
る。特に最近では液晶のカラー化、素子の微細化、アク
ティブマトリックス方式の採用に伴い、高性能なＩＴＯ
透明導電膜が要求されている。
【０００３】通常、ＩＴＯ焼結体は、酸化インジウム粉
末と酸化錫粉末の混合粉末（ＩＴＯ粉末）を加圧成型
後、焼結して製造されている。
末と酸化錫粉末の混合粉末（ＩＴＯ粉末）を加圧成型
後、焼結して製造されている。
【０００４】ＩＴＯ焼結体の原料として用いる酸化イン
ジウム粉末または酸化錫粉末の調製は、各々の金属水酸
化物、有機金属塩、無機金属塩やゾル、ゲル等を熱分解
したり、また、直接ＩＴＯ粉末を調製する方法として
は、インジウムと錫との均一混合溶液に沈殿形成剤を添
加して共沈させた生成物（例えば、特開昭６２−７６２
７、特開昭６０−１８６４１６号公報等）や加水分解に
より生成した生成物（例えば、特開昭５８−３６９２５
号公報等）を加熱分解して製造する方法等が知られてい
る。
ジウム粉末または酸化錫粉末の調製は、各々の金属水酸
化物、有機金属塩、無機金属塩やゾル、ゲル等を熱分解
したり、また、直接ＩＴＯ粉末を調製する方法として
は、インジウムと錫との均一混合溶液に沈殿形成剤を添
加して共沈させた生成物（例えば、特開昭６２−７６２
７、特開昭６０−１８６４１６号公報等）や加水分解に
より生成した生成物（例えば、特開昭５８−３６９２５
号公報等）を加熱分解して製造する方法等が知られてい
る。
【０００５】しかし、このような方法で得られた原料粉
末から得られた焼結体の密度は、いまだ十分な密度を有
することができず、ＩＴＯ焼結体（酸化錫１０％含有）
の理論密度である７．１５ｇ／ｃｍ3の６５％程度のも
の（〜４．６５ｇ／ｃｍ3）であった。このような密度
の低いＩＴＯ焼結体は、導電性が悪く、熱伝導性、抗折
力が低いため、これをスパッタリングターゲットとして
使用した場合、導電性、光透過性に優れた高性能なＩＴ
Ｏ膜の成膜が極めて困難であったばかりか、ターゲット
表面の還元によるノジュールの発生、成膜速度が遅い等
スパッタ操作性が悪いという問題点を有していた。
末から得られた焼結体の密度は、いまだ十分な密度を有
することができず、ＩＴＯ焼結体（酸化錫１０％含有）
の理論密度である７．１５ｇ／ｃｍ3の６５％程度のも
の（〜４．６５ｇ／ｃｍ3）であった。このような密度
の低いＩＴＯ焼結体は、導電性が悪く、熱伝導性、抗折
力が低いため、これをスパッタリングターゲットとして
使用した場合、導電性、光透過性に優れた高性能なＩＴ
Ｏ膜の成膜が極めて困難であったばかりか、ターゲット
表面の還元によるノジュールの発生、成膜速度が遅い等
スパッタ操作性が悪いという問題点を有していた。
【０００６】このような問題を解決するために、高密度
なＩＴＯ焼結体を得る方法が種々検討され、その一例と
して、ＩＴＯ焼結体に焼結助剤としてＳｉ、Ｇｅ等を添
加する方法が提案されている（例えば、特開昭６１−１
３６９５４号公報）。
なＩＴＯ焼結体を得る方法が種々検討され、その一例と
して、ＩＴＯ焼結体に焼結助剤としてＳｉ、Ｇｅ等を添
加する方法が提案されている（例えば、特開昭６１−１
３６９５４号公報）。
【０００７】しかしながら、高密度な焼結体を得るため
には、Ｓｉ、Ｇｅ等の添加量を多くする必要があり、ま
た、このような焼結体からなるスパッタリングターゲッ
トから得られた透明導電膜中には、Ｓｉ、Ｇｅが混入
し、低抵抗な膜を得ることが難しかった。
には、Ｓｉ、Ｇｅ等の添加量を多くする必要があり、ま
た、このような焼結体からなるスパッタリングターゲッ
トから得られた透明導電膜中には、Ｓｉ、Ｇｅが混入
し、低抵抗な膜を得ることが難しかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、導電性、
光透過性に優れたＩＴＯ膜を与えることができ、ターゲ
ット表面の還元によるノジュールの発生や、ターゲット
の割れ、ターゲットからの破損微粒物の飛散りの問題が
ないＩＴＯ焼結体が望まれていた。
光透過性に優れたＩＴＯ膜を与えることができ、ターゲ
ット表面の還元によるノジュールの発生や、ターゲット
の割れ、ターゲットからの破損微粒物の飛散りの問題が
ないＩＴＯ焼結体が望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな現状に鑑み鋭意検討を重ねた結果、酸化インジウム
および酸化錫からなる焼結体において、マンガンを含有
する焼結体が、極めて高い焼結密度を達成できることを
見出し、本発明を完成するに至った。
うな現状に鑑み鋭意検討を重ねた結果、酸化インジウム
および酸化錫からなる焼結体において、マンガンを含有
する焼結体が、極めて高い焼結密度を達成できることを
見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明のＩＴＯ焼結体はマンガンを含有す
る。マンガンの含有量としては、焼結体全量に対して５
〜５０００ｐｐｍ、好ましくは１０〜５００ｐｐｍ、特
に好ましくは５０〜２００ｐｐｍである。添加量が５ｐ
ｐｍ未満では、マンガンを含有させる効果が不十分であ
り、一方、５０００ｐｐｍを越えて加えてもその焼結密
度向上の効果が飽和し、経済的ではない。
る。マンガンの含有量としては、焼結体全量に対して５
〜５０００ｐｐｍ、好ましくは１０〜５００ｐｐｍ、特
に好ましくは５０〜２００ｐｐｍである。添加量が５ｐ
ｐｍ未満では、マンガンを含有させる効果が不十分であ
り、一方、５０００ｐｐｍを越えて加えてもその焼結密
度向上の効果が飽和し、経済的ではない。
【００１２】本発明におけるＩＴＯ焼結体中の錫の含有
量は、酸化錫換算で１〜２０重量％、特に好ましくは２
〜１５重量％である。
量は、酸化錫換算で１〜２０重量％、特に好ましくは２
〜１５重量％である。
【００１３】本発明のＩＴＯ焼結体の密度は真密度の９
０％〜１００％、このＩＴＯ焼結体をスパッタリングタ
ーゲットとして用いて得られた膜の比抵抗は、１×１０
-3Ωｃｍ以下、特に５×１０-5〜７×１０-4Ωｃｍとな
る。このように低抵抗な膜が得られるのは、焼結体の抵
抗が低いため、消費電力が少なく、低い電圧で放電が可
能となり、プラズマ中で発生する負イオンによる膜への
ダメージが少なくなるからである。
０％〜１００％、このＩＴＯ焼結体をスパッタリングタ
ーゲットとして用いて得られた膜の比抵抗は、１×１０
-3Ωｃｍ以下、特に５×１０-5〜７×１０-4Ωｃｍとな
る。このように低抵抗な膜が得られるのは、焼結体の抵
抗が低いため、消費電力が少なく、低い電圧で放電が可
能となり、プラズマ中で発生する負イオンによる膜への
ダメージが少なくなるからである。
【００１４】また本発明のＩＴＯ焼結体は焼結粒径が１
〜２０μｍであり、特に２〜２０μｍである。従来のＩ
ＴＯ焼結体の焼結粒径は、ホットプレスでは１μｍ未
満、酸素中加圧高温焼結では３０μｍ以上である。焼結
粒径が１μｍ未満の小さい焼結体では成膜速度が遅く、
焼結体強度が弱いため、スパッタ中に割れたり、焼結体
が欠けたりして粒状物が膜に飛散るという問題を有して
いる。一方、焼結粒径が２０μｍをこえる焼結体は耐衝
撃性が小さいため割れ易く、さらに熱膨張係数が大きい
ため、スパッタ中にボンディング面からはく離したり、
割れたりし易い。次に、本発明の焼結体の製造方法に関
し、その一例を例示する。
〜２０μｍであり、特に２〜２０μｍである。従来のＩ
ＴＯ焼結体の焼結粒径は、ホットプレスでは１μｍ未
満、酸素中加圧高温焼結では３０μｍ以上である。焼結
粒径が１μｍ未満の小さい焼結体では成膜速度が遅く、
焼結体強度が弱いため、スパッタ中に割れたり、焼結体
が欠けたりして粒状物が膜に飛散るという問題を有して
いる。一方、焼結粒径が２０μｍをこえる焼結体は耐衝
撃性が小さいため割れ易く、さらに熱膨張係数が大きい
ため、スパッタ中にボンディング面からはく離したり、
割れたりし易い。次に、本発明の焼結体の製造方法に関
し、その一例を例示する。
【００１５】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化インジウ
ム、酸化錫と、マンガン化合物、例えば酸化物、塩等を
混合、成型、焼結することによって製造することができ
る。酸化インジウム、酸化錫およびマンガン化合物の混
合方法は、特に限定しないが、例えば酸化インジウム、
酸化錫とマンガンの化合物とを混合後、熱処理すればよ
い。なお、本発明は、酸化インジウムおよび／または酸
化錫中にマンガンを不純物として含有している場合を除
くものではない。
ム、酸化錫と、マンガン化合物、例えば酸化物、塩等を
混合、成型、焼結することによって製造することができ
る。酸化インジウム、酸化錫およびマンガン化合物の混
合方法は、特に限定しないが、例えば酸化インジウム、
酸化錫とマンガンの化合物とを混合後、熱処理すればよ
い。なお、本発明は、酸化インジウムおよび／または酸
化錫中にマンガンを不純物として含有している場合を除
くものではない。
【００１６】他の方法として、インジウム及び／又は錫
とマンガン化合物との前駆体を共沈法等によって得た
後、熱処理する方法を例示することができる。
とマンガン化合物との前駆体を共沈法等によって得た
後、熱処理する方法を例示することができる。
【００１７】酸化インジウム、酸化錫とマンガンは混合
状態でも、結合状態でも良いが、特に結合状態であるこ
とが好ましい。結合状態とは、例えば固溶状態等が例示
でき、例えば酸化インジウムおよび／または酸化錫とマ
ンガン化合物とを６００℃〜１８００℃で熱処理するこ
とにより達成される。特にマンガン化合物と酸化錫とを
固溶させることが好ましい。
状態でも、結合状態でも良いが、特に結合状態であるこ
とが好ましい。結合状態とは、例えば固溶状態等が例示
でき、例えば酸化インジウムおよび／または酸化錫とマ
ンガン化合物とを６００℃〜１８００℃で熱処理するこ
とにより達成される。特にマンガン化合物と酸化錫とを
固溶させることが好ましい。
【００１８】マンガンの固溶量は、最終的に得られるＩ
ＴＯ焼結体中の含有量が５〜５０００ｐｐｍになるよう
に調整する。
ＴＯ焼結体中の含有量が５〜５０００ｐｐｍになるよう
に調整する。
【００１９】用いる酸化インジウムは特に限定されない
が、焼結性に優れた微細で均一な酸化インジウムである
ことが好ましい。例えば酸化インジウム粉末のＢＥＴ表
面積は１０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
が、焼結性に優れた微細で均一な酸化インジウムである
ことが好ましい。例えば酸化インジウム粉末のＢＥＴ表
面積は１０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
【００２０】一方、用いる酸化錫は表面積が小さいこと
が好ましく、ＢＥＴ表面積が３ｍ2／ｇ以下、特に１ｍ2
／ｇ以下であることが好ましい。
が好ましく、ＢＥＴ表面積が３ｍ2／ｇ以下、特に１ｍ2
／ｇ以下であることが好ましい。
【００２１】酸化インジウム粉末、酸化錫粉末およびマ
ンガン化合物の混合方法は特に限定されず、ジルコニ
ア、ウレタン樹脂等のボールを用いたボールミル、振動
ミル、或いはＶ型ブレンダー、らいかい機等の湿式或い
は乾式の混合方法が例示される。
ンガン化合物の混合方法は特に限定されず、ジルコニ
ア、ウレタン樹脂等のボールを用いたボールミル、振動
ミル、或いはＶ型ブレンダー、らいかい機等の湿式或い
は乾式の混合方法が例示される。
【００２２】次に粉末を成型するが、成型方法は、目的
とした形状に合った成型方法を選べばよく、金型成型
法、鋳込み成型法等が挙げられるが特に限定されない。
とした形状に合った成型方法を選べばよく、金型成型
法、鋳込み成型法等が挙げられるが特に限定されない。
【００２３】焼結体の高密度化のために、成型体は冷間
静水圧プレスにて加圧処理することが好ましい。その時
の圧力は３〜５ｔ／ｃｍ2程度でよく、必要に応じて処
理を２〜５回繰り返してもよい。
静水圧プレスにて加圧処理することが好ましい。その時
の圧力は３〜５ｔ／ｃｍ2程度でよく、必要に応じて処
理を２〜５回繰り返してもよい。
【００２４】得られた成型体は１２５０〜１６００℃、
特に好ましくは１３５０〜１５００℃の温度で焼結す
る。焼結温度が１２５０℃未満の場合、密度が９０％未
満のＩＴＯ焼結体が得られたり、また、焼結温度が１６
００℃を越える場合、焼結体粒子の異常な成長が生じる
ことがある。焼結時間は数時間〜数十時間、特に１０時
間から３０時間で十分である。焼結雰囲気は特に限定さ
れず、大気中、酸素中、不活性ガス中等で行えばよい。
特に好ましくは１３５０〜１５００℃の温度で焼結す
る。焼結温度が１２５０℃未満の場合、密度が９０％未
満のＩＴＯ焼結体が得られたり、また、焼結温度が１６
００℃を越える場合、焼結体粒子の異常な成長が生じる
ことがある。焼結時間は数時間〜数十時間、特に１０時
間から３０時間で十分である。焼結雰囲気は特に限定さ
れず、大気中、酸素中、不活性ガス中等で行えばよい。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のマンガンを含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリ
ングターゲットは、加熱された高温基板においても加熱
されていない低温基板においても極めて低抵抗で高透明
な透明導電膜を与え、なおかつその成膜速度が速く、タ
ーゲット表面の粒状生成物もなく、ターゲットの割れ、
ターゲットからの破損粒子の飛散りもなく、極めて生産
性に優れている。
のマンガンを含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリ
ングターゲットは、加熱された高温基板においても加熱
されていない低温基板においても極めて低抵抗で高透明
な透明導電膜を与え、なおかつその成膜速度が速く、タ
ーゲット表面の粒状生成物もなく、ターゲットの割れ、
ターゲットからの破損粒子の飛散りもなく、極めて生産
性に優れている。
【００２６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２７】実施例１ ＢＥＴ表面積１ｍ2／ｇの酸化錫と酸化マンガンとを混
合後、大気中、１５００℃で５時間加熱し、マンガンを
酸化錫に固溶させた。このマンガン含有酸化錫と酸化イ
ンジウムとをさらに混合し、得られた混合粉末を金型プ
レスした後、３ｔｏｎ／ｃｍ2で静水圧プレス処理し、
酸素中、１５００℃で２４時間焼結し、ＩＴＯ焼結体を
得た（酸化インジウム／酸化錫＝約９０／１０（重量
比）、焼結粒径＝８μｍ）。なお、酸化マンガンの添加
量は、最終生成物であるＩＴＯ焼結体中のマンガン含有
量が５０ｐｐｍ、１００ｐｐｍ、５００ｐｐｍとなるよ
うにした。これらの焼結体の物性を表１に示す。
合後、大気中、１５００℃で５時間加熱し、マンガンを
酸化錫に固溶させた。このマンガン含有酸化錫と酸化イ
ンジウムとをさらに混合し、得られた混合粉末を金型プ
レスした後、３ｔｏｎ／ｃｍ2で静水圧プレス処理し、
酸素中、１５００℃で２４時間焼結し、ＩＴＯ焼結体を
得た（酸化インジウム／酸化錫＝約９０／１０（重量
比）、焼結粒径＝８μｍ）。なお、酸化マンガンの添加
量は、最終生成物であるＩＴＯ焼結体中のマンガン含有
量が５０ｐｐｍ、１００ｐｐｍ、５００ｐｐｍとなるよ
うにした。これらの焼結体の物性を表１に示す。
【００２８】続いて、得られた焼結体をターゲットとし
て用い、表２に示すスパッタ条件にて、スパッタリング
成膜した結果を表１にあわせて示す。
て用い、表２に示すスパッタ条件にて、スパッタリング
成膜した結果を表１にあわせて示す。
【００２９】実施例２ ＢＥＴ表面積２０ｍ2／ｇの酸化インジウムと酸化マン
ガンとを混合後、大気中、７００℃で５時間加熱し、マ
ンガンを酸化インジウムに固溶させた。このマンガン含
有酸化インジウムと酸化錫とをさらに混合し、得られた
混合粉末を金型プレスした後、３ｔｏｎ／ｃｍ2で静水
圧プレス処理し、酸素中、１５００℃で２４時間焼結
し、ＩＴＯ焼結体を得た（酸化インジウム／酸化錫＝約
９０／１０（重量比）、焼結粒径＝１０μｍ）。なお、
酸化マンガンの添加量は、実施例１と同様になるよう設
定した。これらの焼結体の物性を表１に示す。
ガンとを混合後、大気中、７００℃で５時間加熱し、マ
ンガンを酸化インジウムに固溶させた。このマンガン含
有酸化インジウムと酸化錫とをさらに混合し、得られた
混合粉末を金型プレスした後、３ｔｏｎ／ｃｍ2で静水
圧プレス処理し、酸素中、１５００℃で２４時間焼結
し、ＩＴＯ焼結体を得た（酸化インジウム／酸化錫＝約
９０／１０（重量比）、焼結粒径＝１０μｍ）。なお、
酸化マンガンの添加量は、実施例１と同様になるよう設
定した。これらの焼結体の物性を表１に示す。
【００３０】続いて、得られた焼結体をターゲットとし
て用い、実施例１と同様のスパッタ条件にて、スパッタ
リング成膜した結果を表１にあわせて示す。
て用い、実施例１と同様のスパッタ条件にて、スパッタ
リング成膜した結果を表１にあわせて示す。
【００３１】比較例 ＢＥＴ表面積２０ｍ2／ｇの酸化インジウムとＢＥＴ表
面積１ｍ2／ｇの酸化錫とを混合し、得られた混合粉末
を金型プレスした後、３ｔｏｎ／ｃｍ2で静水圧プレス
処理し、酸素中、１５００℃で２４時間焼結し、ＩＴＯ
焼結体を得た （酸化インジウム／酸化錫＝約９０／１
０（重量比）、焼結粒径＝５μｍ）。この焼結体の物性
を表１に示す。
面積１ｍ2／ｇの酸化錫とを混合し、得られた混合粉末
を金型プレスした後、３ｔｏｎ／ｃｍ2で静水圧プレス
処理し、酸素中、１５００℃で２４時間焼結し、ＩＴＯ
焼結体を得た （酸化インジウム／酸化錫＝約９０／１
０（重量比）、焼結粒径＝５μｍ）。この焼結体の物性
を表１に示す。
【００３２】続いて、得られた焼結体をターゲットとし
て用い、実施例１と同様のスパッタ条件にて、スパッタ
リング成膜した結果を表１にあわせて示す。
て用い、実施例１と同様のスパッタ条件にて、スパッタ
リング成膜した結果を表１にあわせて示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化インジウムおよび酸化錫からなるＩ
ＴＯ焼結体において、マンガンを含有することを特徴と
する密度９０％〜１００％のＩＴＯ焼結体。 - 【請求項２】 請求項１項に記載のＩＴＯ焼結体からな
るスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19593293A JP3496239B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19593293A JP3496239B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0754135A true JPH0754135A (ja) | 1995-02-28 |
| JP3496239B2 JP3496239B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=16349376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19593293A Expired - Fee Related JP3496239B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3496239B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110163279A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-07-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102171159A (zh) | 2008-09-25 | 2011-08-31 | Jx日矿日石金属株式会社 | 透明导电膜制造用的氧化物烧结体 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19593293A patent/JP3496239B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110163279A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-07-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
| US9028726B2 (en) * | 2008-09-25 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3496239B2 (ja) | 2004-02-09 |
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