JPH07509812A - 測定層を短縮した磁気抵抗センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 測定層を短縮した磁気抵抗センサ 本発明は磁気抵抗センサに関する。

ニッケル（Ｎ　ｉ　）　、鉄（Ｆｅ）ｉ６２いはコバル｝　（Ｃｏ）のような強 磁性遷移金属や二れらの金属の合金においては電気抵抗はこの材料を貫通する磁 場の大きさ及び方向に関係する．この効果は異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）或いは異 方性磁気抵抗効果と呼ばれる。この効果は物理的にはスピンの異なる電子、即ち それぞれＤ軌道の多数電子及び少数電子と称される電子の異なる散乱断面積に基 づ＜、ｉｎ磁気抵抗センサは一般にこのような磁気抵抗材料からなる薄い層で、 その層面において磁化されたものが使用される．電流方向に関し，て磁化を回転 する際の抵抗変化は正常の等方性抵抗の数％である。

多数の強磁性層を金属性の中間層により互いに隔′ζて１つの積層体に構成し、 その磁化面がそれぞれその層面にあるようにした多層構成は公知である．その場 合それぞれのＦＪ厚は伝導電子の平均自由行路よりずっと小さく選ばれている． このような層構成においては個々の層における異方性磁気抵抗効果の他に、特に 合金における層の体積において並びに強磁性層と中間層との間の境界面において 多数欣び少数の伝４電子の異なる強さの散乱に基づく、いわゆる巨大磁気抵抗効 果代いは巨大磁気抵抗（巨大ＭＲ）が生ずる．二の巨大ＭＲは等方性効果であり 、異方性〜ＩＲよりはるかに大きく、正常の等方性抵抗の７０％にまでなる。

二のような巨大ＭＲ多層構成については２つの基本的なタイプが公知である。

第一のタイプ巳一おいては強磁性層は中間層を介して互いに反強磁性に結合され ているのて　２つの互いに隣接する強磁性層の層面における磁化は外部磁場がな い亡き互いＬこ反平行に向いている。このタイプの１つの例はＦｅからなる強磁 性層）：（’：ｊか５なる反強磁性山間層上を備えた鉄・クロム・超格子（Ｆｅ −Ｃｒ一超ネ８子）である。二の場合り１部磁場によって隣接の強磁性層の磁化 方向は反強磁性結合力に坑して回転さえ工行二二なる．磁場によるこの磁化の方 向転換は磁場の大きさのｇ４である巨大ＭＲを恒常的に滅失させる結果となる． 飽和磁場の強さＨ、においては巨大Ｍｒｌの変化は起こらない、なぜならその場 合全ての磁化方向は圧いに下行に向いているからである。巨大ＭＲは磁場の強さ の大きさにのみ関係−４ろ（Ｕフィンカル・レヴイユー・レクーズＪＣｉ１巻、 ２１号、１９８８年１１月２１日、２４７２−２４７５頁参照）。

反強磁性に結合された強磁性すを備えるこのタイプのものについて境界面におい て敗乱し、たスピンアップを持つ電子及びスピンダウンを持つ電子に対する電流 及び透過係汐と隣接した強磁性層の磁化の間の角度との関係を明らかにする理論 的なコ１算を行ったと、：ろ、この計算から巨大ＭＲは２つの磁化の間の角度が ０１から１８０°まで増大する間に１！！！続的に増加し、１８０°の角度で極 大であることがｉｌ＋［！Ｉ’１１．た（「フィジカル・レヴイユー・レターズ ー１６３巻、６号、１９８９缶８月、６６１−６６７頁参計重！？）。

巨大Ｍｒｌ多層構成の第一のタイプのものにおいては強磁性層は中央部で互いに １ｔｌ−、ｔ：層面に第３いて磁化され、金属からなる反磁性成いは常磁性の中 間層によって互いに隔てられ°ζいる。山間層の厚さは強４１ｉ性層の磁化の間 の磁気交換結合がＣきン、たけ小さくなるように選ばれている。それぞれ隣接し た強磁性層は異なる（？磁力を持っている。こわ凰より飽和時において先ず同方 向である、軟■１性の測定層の磁化ＭＩ及び隣接の硬磁性のバイアス層の磁化Ｍ ２の平均値が磁場Ｈによって胃なるｉ回転し、４５１化Ｍ１及びＭ２の平均値の 間の磁場Ｈに関係した角度Ｐｈ１が設定される。個々の磁化ｖ＋ｔ及びＭ２と６ ５３場１１との関係はその場合軟磁性ｊ−ｉ　シ（ｊよ硬（ヅｌ性材のそれぞれ のヒステリシス曲線から生ずる。軟磁性層の保磁力ＩＩｅ、と硬ｆ４ｆ性層の保 磁力１１ｃ！七の間及び〜１１，２及び−Ｈｅｌとの間には、磁化Ｍ。

がｌ！胃に飽和し７ており、磁化Ｍ２がその飽和に対応する値を持ちがっ磁化Ｍ 、に対すて反軍４テｔ７向いている、叩らＰｈ１＝１８０’のそれぞれ１つの範 囲が存在する。：の範囲においてＭＲ信号は極大でかつ一定である６種々の異な る保磁力ＩＨｃ、ｌ≦・＋１ｃｚ・はｎなる材ｌの選択によ杓吸いは異なる製造 プロセスによりもすくは回し、材京」で異なる厚さを選促することにより設定す る。二とができる。異なる柑１１を備えた公知の層構成は例えばＮ１ＦＱ−Ｃ＋ 」−Ｃｏ構造やＦｅ　Ｃｕ−Ｃ，Ｏ構造である。異なる製造方ｖ、＃いは異なる 厚さに基づく公知の層構成はＣ。

／’１１１Ｊ　−−Ｃｏ横込である（７ジセーナル　オプ・アプライド　フィジ クスー１７０缶、１０号、１．９９１年１１月１５０．５８６４−５８６６頁参 照）、この公知の層構成のＭＲ信号はしかしながらその前歴、即ちどのような行 程で、どのような磁場の値の間でそしてどの様な方向にヒステリシス曲線が経過 するかに関係する。それ故このような公知の１？Ｊ構成では一義的な可逆的特性 を持つＭＲセンサは実現さ机ない。さらにこのような公知の層構成においては硬 磁性バイアス層の磁束の一部が軟磁性測定層を介して閉成する。この擾乱磁場は センサの測定怒気を減少さゼ　センサ特性の好ましくない変位を招集する。

それ教本発明の課題は、少なくとも１つの測定層と、この測定層から中間層によ って交換層結合された少なくとも１つのバイアス層とからなる層構成を備え、一 義的な特性を持ちかつ測定層におけるバイアス層の擾乱磁場が大幅に抑制される 磁気抵抗センサを提供するごとにある。さらに、少なくとも充分に線形特性を持 つ釘多気抵抗七ンサを提供ξ、ようとするものである。

この課題は未発明によれば、請；ｂＪｕ　１に記載の特１ｔ！事項により解決さ れる。

測定層の磁化向、は少なくとも１つの方向において可逆的に、従って一義的に測 定される＆１１場に関係し１、挙底状譚、理ち■ｉ場が加わっていないとき、こ の磁化抵抗（２号を得るこ七ができる。

測定層におけるバイアス層の擾乱ｍ場は、最悪の場合、測定層における基底状＝ 　ｆ；Ｓ化Ｍ　Ｍ　ｏが　磁場が加わっていないのに、バイアス層における磁化 Ｍ、の方向にに→し、て反平行に向くようにさせることがある。特にＭ、が大き い場合、バイアス１７→の磁束の一部が測定層を介して閉成するのを回避するた めに、測定層はバイ゛？ス層の０１化Ｍ、の方向に対し、て平行な少なくとも１ つの方向においてその縁部がバイアス層よりも短く形成され、その結果バイアス 層がこの方向の両側で測定層を越えるように形成される。

イ］利な実施健様においてはθ１１定層はその全縁部領域でバイアス層より短（ 形成される。

ｉｊ、］定層の存在しないに＊部領域と拶１１定唱の存在する中央の測定範囲と の間の移行部は好すし、くは′Ｊｋ腺形に形成される。例えばこの移行部におけ る測定層の厚みは中央に向かって連続的に増１＋ｕする。

１☆５構成の抵抗をθり定−づるために２−）のＪ１１定接触部が設けられてい る。この測定接触部は互いに間隔を隔てて好ましくは最上部の府に配置され、測 定電流は中央部で層面に１し゛ζ平行にｉｆれる（ｃｉｐ〕、また異なる実施態 様では測定接触部は閏り部層と最下部層とに配置され　測定電流は層面に対して 垂直に流れる（Ｃｐｐ）。二のように配置さｎ、たｃｐｐ夕１１定接醇部を備え た層構成は「フイジカルレウ゛イユー・ビー＋４６巻、１号　（１９９２年Ｌ　 ５４Ｂ−５５１頁によりこ・ト知である。

Ａｌｌｌｌ部層１利な実施り揉においては磁気基準軸Δ、を偵えている。測定層 は趙畠（、庄性材ｌから選ばれ得ろことは勿論である。その場合その磁化Ｍ、は 全での方向にバいて可逆的に磁場に関係する。

線種ζありかつ極大ピ１．千を持つ範囲に設定される。

−シ・る番１９威Ｒ度軸八つを偵え、二の基７層軸へつに１合って５１化される 。

Ｊた胃ｆ；不実協Ｑ様にδいてはいわゆる９０６結合が利用される。この場合、 山間層の厚さは、４１１定層とハイ−２１層との間の磁気交換結合がその符号を 変える、１１１ち強鵠性結ゐから反強←ｌ性情訂二もし、（はその逆に転移する ような値に設定さ層を４成する材１１が坤々てありかつ層の形状が種々である場 合、発生する反磁４Ｆの感嘆の線形性に対して最適な動作点を達成することが必 要となる。

５１化荷、。及び富、の方向が相互に少なくともほぼ垂直な方向から大きく変位 していることはセンサの宮変支び線形性を悪化する。

２−〕のＧ旧’ｆ、　Ｍ　−ｏ及び双、のノ挿１）の間の角度がこのように変位 する原因は、バイアス層の仔１束のなお僅かな部分が常に測定層を介して閉成す る場合である。従って他の実施■様ではバイアス層の磁化１荷、１が測定層の基 底状態磁化ＩＭＭＯＩよりも低く選ばれ”ζいる。

就中、層の縁部ＳＪＩ域における、特にバイアス層における反磁場に蟇づいても 磁化Ｍ、。及び！８の所定方向からの変位は起こり得る。それ故好ましい実施態 様によくいて（よ抵１）°シ測定のための♂ｊ定接触部は層構成の内部の測定範 囲にずれて配置され、この縁部領域の測定信号に対する影響を回避する。

特に有効な実施態様においては層は縦長に形成され、その長手方向が測定層の基 底状態磁化Ｍ、Ｏの方向に）ルで垂直となるようにされる。これにより磁化九の 状態が特に安定である。ざらにセンサの高度のｌｉ度が得られその特性の変位が 減少する。測定層もし、くはバイアス層により形成される反磁場が著しく弱めら れ、その被Ａ１１定磁場に反磁１に作用するシ二客が減少されるからである。

り１定層の磁束の方向転換のためにさらに異なる実施卯様においては少なくとも １つの測定層が、互いに反平行な方向に磁化され、中間層によって隔てられてい る２つの判定層によって換えられＺ）、この２つのδり部層の磁化の方向はバイ アス層の磁化Ｍ、の方向に対する垂線に対し、て、それらが１８０′″より小さ い角度で交りろようにほぼ同ξ、角度で傾いているのが好すし、い、これにより 測定層における磁区の形成が付加的に減少さ机る。

金言：でに説明し、できた層構成の実施態様は互いに紺合わせて多数のこのよう な次的な刷積成はそれぞれ他の１つの中間層によって互いに隔てられている。

図面を参詔して二の発明をさらに説明する。

−１皮ひ図２はそれぞれその１部領域に測定層が存在しない本発明による磁気抵 喧センサの実施例を横断面図で 図３は測定接触部が内側に向かってずれて配置されている実施例を平面図で、図 ４は２つの隣接した測定層を備えた実施例を横断面図で、それぞれ概略的に示す 。

図１は複数の磁性測定層２及び複数の磁性バイアス層６（但し図ではそれぞれ２ つしか示されていない）並びにそれぞれ測定層２とバイアス層６の間に配置され た非磁性の中間層４を備えた磁気抵抗センサの一実施例を示す、これらの層は全 て４１性物質からなり、その厚さは伝４電子の平均自由行路よりずっと小さい。

測定＋１２は、互いに平行でかつ好ましくは同じ大きさの基底状態磁化Ｍ６゜を 、Ａ９で表示され測定ｌ１５２の層面に走る基準軸に沿って有している。バイア ス層６は互いに平行でかつ好ましくは同し大きさの固定の磁化Ｍ、をその層面に 有しており、これらは測定Ｎ２の基準軸ＡＭに対して少なくともほぼ垂直に向い ており図面に示されている。磁化Ｍ、の方向は勿論逆の方向とすることもできる 。′ｐＦｔ準軸ＡＭ、従って基底状態磁化Ｍ、。の方向を磁化Ｍ、の方向に対し て相対的に少なくともぽぼ直交する方向にすることにより、この実施例における センサの動作点は少なくともほぼ線形的な特性範囲にあり同時に最大のピッチを 持つ０両磁化ＭＮＯ及びＭｌの方向の間の角度は反磁場を補償するために杓９０ ＠変位している。

図１には示さ虹ていない磁場）ｌが層面に加わると、測定層２の磁化Ｍ−の方向 は基底状態磁化Ｍ、。の方向から変化し、バイアス層の磁化Ｍ、の方向は実質的 に不変化の才まである。測定軸２の基準軸Ａ５に対して垂直な磁場Ｈの成分Ｈ， は測定層２の磁化ＭＭの方向を、磁場の方向Ｈに応じて、磁化Ｍ、もしくは−Ｍ 。

の方向に回転させる。飽和状態になると磁化Ｍ９及びＭ、の方向は互いに平行も しくは反平行になる。この回転プロセスは回転角に関係した巨大磁気抵抗信号を 形成するにれに対して測定軸２の基準軸Ａ、に対し、て平行な磁場Ｈの成分Ｈ７ は磁区壁移動を、従って磁区壁における方向変換だけを行わせる。磁気抵抗信号 は、：れにより形成されない。層面に対して垂直な磁場が加わっているときには 測定１２における大きな反磁場のため同様に回転プロセスは起こらず、従って磁 気抵抗信号は測定されない。磁気抵抗センサはそれ故実質的には、この実施例で は％Ｊ軸Ａ、に村して垂直なもしくＬよ一船的に言えば測定１１２の基底状態磁 化Ｍ　Ｈ６の方向に対して直交する方向の磁場Ｈの成分Ｈｖに対してのみ感度を 有する。

バイアス＠６の磁化Ｍｓの方向は磁場Ｈが加わる測定範囲においては一定であり 特に層面において回転してはならない、このため１つの実施例ではバイアス層６ にそれぞれ１つの磁気的車軸異方性、特に結晶異方性、磁場誘起異方性或いは電 圧誘起異方性が加えられる。バイアス層はその場合異方性軸に沿って磁化される 。

測定層、中間層及びバイアス層からなる多数の副次的層構成を、それぞれ１つの 中間層を介して隔てて１つの周期的な積層体に構成することも好ましい、この副 次的層構成の数は一隘に１７’ｌ至１００の間に選ばれる。

抵抗測定のために、好ましくは層構成の最上部の層に２つの測定接触部が互いに 間隔、好ましくは層構成の厚みよりずっと大きい間隔をおいて配置される（Ｃ１ ｐ）、異なる実権例においては測定接触部はＩｉｌ構成の最上部の層と最下部の 層とに配置される（ｃｐρ）、そのｒ１ｕ隔は層構成の厚みに一致する。全体の 層構成の代表的な厚さは３ｎｍ乃至４００ｎｍであり、測定接触部の代表的な間 隔は３ｎｍから１ｍｍの範囲にある６図１には示されていない２つの測定接触部 の間には全体の層構成において伝導電子の電流路が形成される。

測定層２はバイアス層６からの静的磁気膜結合のためその磁化Ｍ、の方向におい て縁部がバイアス層６より短く形成されている。この層構成は従って測定層２が 存在しない２つの縁部領域２１及び２５と、測定層２の存在する中央の測定範囲 ２３を備える。ｆＡ定部層のこの短縮は少なくともバイアス層６の磁化Ｍ、の方 向において行われる、また好ましくは全ての方向において行われ、バイアス層６ が測定層２を全周にわたって越えるようにする。中間層４はバイアス層６と同じ 長さム：するのがよい。

縁部領域２１及び２５並びに測定範囲２３との間にはこの実施例ではそれぞれ１ つの移行部２３及び２４が設けられている。この部分では測定層２の厚みｄは内 部に［ｉ＋］かって連続的に増加している。バイアス層６と中間層４とは移行部 ２２皮び２４において縁部領域２１及び２５並びに測定範囲２３における厚みと 少なくともほぼ同し厚みを持っているので、移行部２２及び２４における測定層 ２の厚みｄは縁部％、１１域２１及び２５におけるｄ＝ｏから測定範囲２３にお け一定値ｄ＝　ｄ　Ｍまで一定の開き角で線形に増加している。

図２による簡略化した実施例においては縁部領域２１及び２５と測定範囲２３と の間には移行部が存在せず、それぞれ１つの段部が設けられている。この段部の 高さは本（部領域２１及び２５のない測定層２の厚さに一致する。縁部領域２１ 支び２５の１構造はその場合特に測定＋１２を取り去ることによって生じ、適当 なりソグラフィ法によって作られる０層構成は基板１０の上に配置される。かか る基板は全ての他の実施例においても設けられている。２つの測定接触部１１Ａ 。

１１８がｃｐｐ構成で最上部の層並びに最下部の層に設けられている。その場合 電流はこれらの測定接触部１１Ａ及びＩＩＢの間に中央部で層面に対して垂直に 流れ７．、！定接触部１１Ａ及びＩＩＢはそれぞれ特に同一間隔ａだけ測定範囲 ２３の端から踊れて配置さ机、この両端１５及び１６における反磁場に基づ（測 定信号に対する擾乱縁部効果を回避する。

図３に平面で示す有利な実施例においては層は矩形状の条片に形成され、その長 手方向は測定＠２の基底状態磁化ＭＭＯの方向に対して垂直である。この手段に より測定磁場に対して反対方向に向いた反磁場が明らかに弱められ、それにより センサのざ度が高まりかつ測定特性の変位が回避される。測定層２はこの場合磁 化Ｍ、の方向だけでなく、磁化Ｎ１ｍに対して垂線方向にもその両側がバイアス 層６よりも短く形成されている。測定層２を持つ層構成の測定範囲２３は層面に 関して図示の重置方向の投影では、測定層が存在しない全体の１構成、即ち測定 範囲２３及び縁部領域２１．２５．２６及び２７により形成される矩形の中に完 全に入る矩形の形状をしている。抵抗測定のため２つの測定接触部１１Ａ、１１ Ｂが設けられている。これらの測定接触部１１ＡＳ　ＩＩＢは特に測定範囲２３ の両端１５．Ｑび１６における反磁場による擾乱の影響を回避するために長手方 向に距離ａもしく二よりだけ内側にずれて測定範囲２３に配置されている。好ま しくはこの距離ａ及びｂは同し大きさにされる。測定接触部ｌｌＡ、ＩＩＢは好 ましくは一定Ｉｉ！２に配置されているが、バイアス層６或いは中間層４にも配 置される。

図４の実権例においては少なくとも１つの測定１２が２つの測定層２゛及び２パ ム：よって代替されている。この２つの測定ｌ１１２°及び２゛°の基底状Ｍ磁 化器こ向いており、その大きさは好ましくは等しい、即ちＭ、Ｉａ’　−Ｍ、ｌ ｏ”である。

これにより測定１１１ｉ２°及び２°“の磁束は実質的に測定層２°及び２゛° 自体に限定されずかつ隣接のバイアス層６に干渉しない、バイアス１１６はそれ ぞれ、測基巾輔の方向の変動及びそれから生ずる、基底状態磁化Ｍ、。°及びＭ ９゜°°からの磁化Ｍ、゛及びＭ、Ｉ’”に対する一義的でない回転方向のため 、一般に飽和後測定層２°及び２゛°に、磁場の値が比較的小さいのに磁区が形 成される０図示されてないが、特別の実権例ではごの磁区の形成を回避するため に、両側部層２゛支び２−の基底状態は化凱。°及び汀。°°の方向はバイアス 層６の磁化Ｍ、にり・１して垂線方向に僅かな角変だけそれぞれ異なる回転方向 にずれて設定され、その結果それらは互いに１８０＠よりやや小さい角度で交わ っている。これは■ｕ応に互いに傾斜した梧準輔を相応の測定層２°及び２°゛ に加えることにより達成される。これにより磁場Ｈが加わっているとき陶磁化Ｍ Ｍ°及びＭ、”の各々に対し′ζ飽和状態からの一義的回転方向が与えられる。

測定層に対する磁性材料としては例えばＣｏ、Ｆｅ、ＳｍＣｏ嘆いはＴｂＦｅＣ ｏが、バイアス層に対し°ζはＮ１．。Ｆｅｗ。ｉ戊いはまたＮｉ１ｉＣｏＦｅ が使用さｎ、る、山間層は好ましくは（＋」、Ａｕ、Ａｇ或いはＣ「からなる。

ＦＩＧ　２ ＦＩＧ　３ ＦＩＧ　４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ａ）１つの層構成を備え、この層構成は以下の特徴を有し、即ちａ１）少な くとも１つの方向に可逆的に、加えられる磁場（Ｈ）に関係して層面において磁 化（ＭＭ）された少なくとも１つの測定層（２）が設けられ、しかもこの磁化（ ＭＭ）は磁場（Ｈ）がないときには所定の基底状態磁化（ＭＭｏ）に一致し、 ａ２）測定層（２）の少なくとも１つの面側に磁場（Ｈ）の測定範囲において少 なくともほぼ一定に層面が磁化（Ｍ■）されているバイアス層（６）が設けられ 、このバイアス層は少なくともほぼ測定層（２）から中間層（４）によって交換 脱結合され、 ａ３）測定層（２）はバイアス層（６）の磁化（Ｍ■）に対して少なくとも平行 にバイアス層（６）より短く形成され、ｂ）加えられる磁場（Ｈ）の尺度である 抵抗信号を検出するために層構成に測定接触部（１１Ａ及び１１Ｂ）を備えた磁 気抵抗センサ。 ２．測定層（２）の縁部がバイアス層（６）により占められる面の内部にあるこ とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗センサ。 ３．測定層（２）の厚さが層構成の縁部領域（２１、２５）と測定層（２）の存 在する中央の測定範囲（２３）との間において連続的に増加していることを特徴 とする請求項１又は２記載の磁気抵抗センサ。 ４．測定層（２）の基底状態磁化（ＭＭｏ）及びバイアス層（６）の磁化（Ｍ■ ）の方向が互いに少なくともほぼ垂直であることを特徴とする上記請求項の１つ に記載の磁気抵抗センサ。 ５．測定層（２）の基底状態磁化（ＭＭｏ）及びバイアス層（６）の磁化（Ｍ■ ）の方向が互いに平行であることを特徴とする上記請求項の１つに記載の磁気抵 抗センサ。 ６．バイアス層（６）の磁化（Ｍ■）の大きさが測定層（２）の基底状態磁化（ ＭＭｏ）よりも小さく選ばれていることを特徴とする上記請求項の１つに記載の 磁気抵抗センサ。 ７．測定層（２）とバイアス層（６）とが長手方向に測定層（２）の基底状態磁 化（ＭＭｏ）の方向に対して垂直に延びていることを特徴とする上記請求項１つ に記載の磁気抵抗センサ。 ８．測定接触部（１１Ａ、１１Ｂ）が層構成の縁部から距離をおいて配置されて いることを特徴とする上記請求項の１つに記載の磁気抵抗センサ。 ９．測定接触部が層構成の最上部層及び／又は最下部層に配置されていることを 特徴とする上記請求項の１つに記載の磁気抵抗センサ。 １０．少なくとも１つの測定層（２）が中間層（４）を介して磁気的に交換脱結 合されている２つの測定層（２′、２′′）によって代替されていることを特徴 とする請求項１０記載の磁気抵抗センサ。 １１．２つの測定層（２′、２′′）の基底状態磁化（ＭＭｏ′、ＭＭｏ′′） の方向が、磁場（Ｈ）が加わっていないとき、互いに少なくともほぼ反平行であ ることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗センサ。 １２．２つの測定層（２′、２′′）の基底状態磁化（ＭＭｏ′、ＭＭｏ′′） の方向が、磁場（Ｈ）が加わっていないとき、それぞれ少なくともほぼ同じ角度 だけバイアス層（６）の磁化（Ｍ■）に対する垂線方向に対して傾斜しており、 かつ互いに１８０°より少ない角度で交差していることを特徴とする請求項１０ 記載の磁気抵抗センサ。 １３．各測定層（２、２′、２′′）が磁場（Ｈ）がないとき基準軸の方向に磁 化さ九ていることを特徴とする上記請求項の１つに記載の磁気抵抗センサ。 １４．バイアス層（６）が基準柚に沿って磁化されていることを特徴とする上記 請求項の１つに記載の磁気抵抗センサ。 １５．それぞれ１つの測定層（２）、１つの中間層（４）及び１つのバイアス層 （６）から構成された多数の層構成が重ねて配置されて周期的層構造を形成し、 かつそれぞれ中間層（４）によって互いに隔離されていることを特徴とする上記 請求項の１つに記載の磁気抵抗センサ。