JPH07505087A - ドラフト管バッフルクリスタライザーにおける結晶化方法 - Google Patents

ドラフト管バッフルクリスタライザーにおける結晶化方法

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JPH07505087A
JPH07505087A JP5517426A JP51742693A JPH07505087A JP H07505087 A JPH07505087 A JP H07505087A JP 5517426 A JP5517426 A JP 5517426A JP 51742693 A JP51742693 A JP 51742693A JP H07505087 A JPH07505087 A JP H07505087A
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ホーンバーガー,ロジャー
リリー,ロイ・ジェフリー,ジュニアー
ニーマン,ジェフリー・イー
ロデス,ウィリー・ウッドロー,ジュニアー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、取り出した生成物の粒度分布のサイクリング(cycling)を減 じて、顆粒サイズ(granular 5ize)結晶の生産率を高める、ドラ フト管/く・ンフルクリスタライザーにおける結晶化方法に関する。
2、関連技術の説明 多(の有用な製品が水溶液からの結晶化によって得られている。商業的とプロセ ス上の両方の利益から大きい粒子を製造することが望ましい。このことは例えば 硫酸アンモニウム、塩化カリウム及び硫酸カリウムのような肥料用途に特に該当 する。近代農業の傾向はバルク ブレンド(bulk blend)すなわち個 々の肥料の結晶の混合物を用いることである。顆粒サイズの結晶、すなわち1. 7mmを越える大きい粒子はより均一に施用されることができ、バルク ブレン ドの他の成分の結晶から分離しにくいので、プレミアム価格を意のままにするこ とができる。
クリスタライザーが多量の大きい粒子を生ずる場合には、母液の除去が促進され 、乾燥とふるい分けの操作もより効果的になる。
大きい粒子の製造はドラフト管バッフルグリスタライザー(DBT)の導入によ ってより容易になった。このクリスタライザーの設計は米国特許第3. 873 ゜275号に述べられている。DTBグリスタライザーに付随する問題は、サイ クル傾向、すなわち、結晶サイズ分布の大きな時間依存性変化を示す傾向である 。
DTBクリスタライザーは高いサイクル点(point of cycle)で はl、7mmより大きいサイズの結晶としてのそれらの高い生産率を生ずるが、 低い点ではこの生産率が低い。これらの低い点ではかなりの量の微細な結晶も生 産される。結晶サイズ分布のこれらの広い変化は、プレミアム価格を付けられる 大きい結晶の損失のために好ましくなく、生成物サイズの不均一さは貯蔵lくイ ル中の分離と3、るl、N分けの困難性とによって導入される。
米国特許第4.263.010号は均一な粒度を得るための動的な制御方法と装 置を教示する。光散乱粒度分析計(light scattering par ticle 5ize analyzer)を用いて、クリスタライザーの結晶 群(crystal population)の予め調整した分類サンプルを分 析した。次に、データ分析計が粒子分析計からのシグナルを制御シグナルに転換 して、例えば微粒子除去速度、供給速度(feed rate)、pH調節、混 合速度及び/又は種結晶(seed)添加のような種々のプロセス制御変数を操 作する。
日本特許公開(Japanese Patent Publication)第 150127号はDTBクリスタライザーからの硫酸アンモニウムの大きい結晶 を製造する方法を述べる。この文献(document)はスラリー密度、スタ ークーのモーター電流、分別室(elutriation chamber)内 のバッフル下の結晶床の高さ及び結晶サイズ分布の監視を教示する。クリスタラ イザーからのスラリーの取り出しを交互に増加及び減少させて、粒度分布を上限 (サイクルにおけるフレスト(crest)の開始)と下限(微粒子シャワー( fines shower)の開始)との間に維持する。この方法は効果的にサ イクリングを減じないが;サイクリングに反応して、大きい結晶の総生産を増加 させる。
この公開におけるデータは、スクリーンサイズ12 (1,4mm)を越える結 晶の製造が妥当に安定化されるが;サイズ9 (2,00mm)を越えるより望 ましい結晶は約35〜約90%の範囲内であることを示す。この公開はまた、取 り出したスラリーの湿式ふるい分けと、母液と共に微細結晶をクリスタライザー に戻すことをも教示する。取り出し速度は変化するので、これらの微細結晶の添 加が一定ではないことが推断される。
日本特許公開第51970号は、冷却クリスタライザーに所望の形状の硫酸アン モニウムの微細結晶1〜20%(透明な飽和供給溶液を基準にして)を添加して 、所望の形状の大きい結晶を増加させることを教示する。微細結晶とは20メツ シユ(0,85mm)未満の結晶と定義される。種結晶の量を20%未満に維持 することが好ましい、さもなくば結晶サイズが小さすぎることになる。実施例は 、1%種結晶の添加が12メツ/x (1,4mm)を越える結晶を増加させず 、10%種結晶の添加のみが12メンンユを39%から44%に増加させること を示すので、この公開は幾らか混乱している。この公開はまた、種結晶が20メ ツシユ(0,6mm)を越える場合には、結晶が大きいすぎることになると教示 する。
透明な溶液の冷却によって形成される硫酸アンモニウムの全てが種結晶上に沈着 したとしても、サイズは約16メツシユ結晶(1,0mm)サイズにのみ成長す るにすぎないので、このことは理解し難い。
発明の概要 蒸発ドラフト管バッフル(DTB)クリスタライザー装置を用いて結晶生成物を 製造する連続結晶化方法において、 (a)DTBクリスタライザー装置の容器中の溶液中に結晶粒子を含むスラリー 体に、溶解した溶質を含む透明な供給溶液を導入する工程と;(b)前記スラリ ー体中に結晶化を誘導する過飽和を達成するための条件を維持する工程と: (c)前記結晶粒子を懸濁状態に維持するために充分な流量で前記容器に所定流 路において前記スラリー体を循環させる工程と:(d)複数の分別室において前 記スラリー体の一部を分離させる工程と:(e)前記分別室の各々からその上端 部に隣接する出口を通して、所定サイズ未満の結晶粒子とスラリー液体との流れ を取り出し、該流れ中の結晶粒子を溶解によって除去し、その後に該流れを容器 中のスラリー体に戻す工程と(f)DTBクリスタライザー装置から生成物結晶 を連続的に取り出す工程と:(g)DTBクリスタライザー容器の操作温度以下 の温度において、溶液中結晶の懸濁液であって、溶液と、懸濁液の総量を基準に して6〜24容量%の結晶とを含み、結晶の少な(とも35%が14メツシユ( 1,2mm)より大きいサイズである前記結晶懸濁液を、結晶の重量が工程(f )で取り出された生成物の重量の4〜25%に成り、取り出された生成物の粒度 分布のサイクリングが減少し、顆粒サイズ結晶の製造速度が上昇するような量で 、スラリー体に一定速度で供給する工程とを含む前記結晶化方法。
図面の簡単な説明 図1は、本発明の方法を用いるための装置の概略図を示す。
図2は、製造の連続ソフト(shift)のために懸濁液を添加しない循環挙動 を示す。
図3は、製造の連続シフトのために懸濁液を添加する本発明の方法によって得ら れる安定な挙動を示す。
好ましい実施態様の説明 本発明に用いる結晶化装置はベネット特許の米国特許第3.873.275号に 述べられている装置に、設計と操作の両方において類似する。この装置は結晶化 産業においてドラフト管バッフルクリスタライザ−(DTB)として知られてい る。典型的な装置とその通常の操作を以下に説明する。この説明と実施例は硫酸 アンモニウムの結晶化に関して記載するが;同じ種類の装置が塩化カリウム、硫 酸カリウム、塩化ナトリウム及び他の結晶性物質の結晶化に使用可能である。
装置の簡単な線図を図1に示す。
数字1によって一般的に示す結晶化容器はテーパー状底部3とドーム状頂部4と が結合する円筒形部分2から成る。ロート形状バッフル5は図示しない垂直サポ ートによって2個の分別室6aと6bとを画定する。数字7はドラフト管を示す 。シャフトに取り付けたプロペラ8とドライブ9とによって、結晶スラリーの循 環が生ずる。流れはドラフト管を上昇し、その外部に沿って落下し:結晶を該容 器中に結晶を懸濁させるために充分である。
ポンプ12によってライン11中に取り出される、ライン10からの濃硫酸アン モニウム供給溶液は熱交換器13中で加熱されて、ラインllaから該容器に入 る。これは該容器内で循環スラリーと混合されて、プロペラ8の運動によってド ラフト管7を通って上昇する。蒸気スペース15内に生ずる真空によって誘導さ れて、液体レベル14の近(で溶媒の水の蒸発が生ずる。水蒸気はうイン16か ら除去される。充分な水の蒸発は硫酸アンモニウムの飽和限界を越えさせる。
この過飽和は、既存結晶上への新たに形成された硫酸アンモニウムの沈着によっ て(これが好ましい)又はしばしば核と呼ばれる、新たな微細硫酸アンモニウム 結晶の形成によって(これは小さいサイズの結晶を生ずるので、好ましくない) 軽減される。
結晶スラリーはライン17を通ってポンプ18の吸引によって取り出され、ライ ン17aによって濃縮器(thickener) 19に放出される。濃縮器は 通常、サイクロン分離器である。濃縮された結晶スラリーは遠心分離機20に放 出され、そこで結晶が母液から分離される。湿った結晶をライン21からドライ ヤー(図示せず)に放出し、次に適当な生成物サイズにふるい分けする。
結晶と飽和溶液とから成る、濃縮器19のオーバーフロー(overflov) をライン22と22aによってクリスタライザーの液体レベル14の近くに戻す 。
核と小さい結晶とを母液と共にクリスタライザーから、バッフル5によって形成 される分別室6aと6bを介して取り出し、ライン24aと24b(簡単化のた めに図示せず)によってライン11に運び、ここでこの微粒子スラリーをライン 10からの新鮮な供給材料と混合し、続いて結晶を熱交換器13によって供給さ れる熱によって溶解する。
本発明に有用な、典型的な大型DTBクリスタライザーは高さ約50ft、、直 径24ft、であり、約100,000ガロンの容積を有する。ドラフト管を上 昇する循環は約100,000ガロン/分である。ポンプ12によって生ずる外 部微粒子溶解回路を通る循環は約10.000ガロン/分である。
本発明は、生成物結晶のサイズ分布のサイクリングが減少し、10タイラー(T ylor)メツシュ(1,70mm)のサイズより大きい結晶の生産は改良され る改良結晶化方法を提供する。この方法は、図1に25で示す外部供給源から本 質的飽和溶液中結晶の懸濁液をクリスタライザー容器に一定速度で加えることか ら成る。流れはフローメーター26によって制御される。図面は懸濁液がライン 27〜ライン22a(濃縮器オーバーフローライン)を通って結晶化装置に入る ことを示す、この流れは液体レベル14の近くで結晶化容器1に入る。懸濁液が 該容器に液体レベル14に近い他の点から直接に入る、又はドラフト管7に適当 な管路を介して底部入口近(で入ることができることを理解すべきである。
我々は、結晶のサイズと量の両方が重要であることを発見した。懸濁液中の結晶 は中サイズ結晶(14〜10メツシユ)とより小さいサイズの結晶(14タイラ 一メツシユ未満)との混合物でなければならないことが判明した。効果的な操作 のためには、結晶の懸濁液は6〜24容量%、好ましくは12〜24容量%の結 晶を含むべきであり、結晶の少なくとも35%、好ましくは35〜85%は14 メツンユ(1,2mm)より大きいサイズであるべきである。さらに、結晶の1 5%以下がIOメッシュ(1,7mm)より大きいことが好ましい。溶液中結晶 の懸濁液を、結晶の重量がDTBクリスタライザーからライン21を介して取り 出される生成物の重量の4〜25%、好ましくは8〜20%になるような量で加 える。供給懸濁液の温度はDTBクリスタライザー容器の操作温度以下であるべ きであり、好ましくはこの操作温度よりも少なくとも10℃低い温度であるべ蒸 発DTBクリスタライザーの典型的な操作では、該容器は直径約24フイート、 高さ約50フイートである。容量は約100,000ガロンである。透明な硫酸 アンモニウム溶液(43%溶液)を80℃で作動するクリスタライザーに供給す る。結晶の製造速度が1310 lb/分であるように水を除去する。該容器内 で循環するスラリー中の結晶の%は30%沈降量(settled volum e) (約17容量%結晶)である。タイラー10メツシユより大きいサイズの 結晶の%は製造の数回の連続シフトに関して図2に記載する。循環挙動を図2に 説明する。
実施例2 実施例1の装置を用いるが、この場合には46.6%硫酸アンモニウム溶液77 .8部中の硫酸アンモニウム結晶22.2部の懸濁液588 lb、7分を80 ℃で作動するDTBクリスタライザーの液体レベルに60℃において連続的に供 給する。懸濁液中の結晶のサイズ分布は1% 8x10タイラーメツシユ(2゜ 36x1.70mm)、35% 10x14タイラーメツシユ(1,70xl。
40mm)及び64% 16メツシユ(1,40mm)未満である。硫酸アンモ ニウム 1380 lb/分がクリスタライザーから取り出されるように、透明 な43%溶液の流れを減する。タイラー10メツシユより大きい結晶の%を数回 の連続シフトに関して図3に示す。図3と図2を比較すると、本発明のプロセス から取り出される生成物の粒度分布のサイクリングの明白な減少が実証される。
補正書の翻訳文提出書 (特許法第184条の8) 平成 6年 9月27鐙

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.蒸発ドラフト管バッフル(DTB)クリスタライザー装置を用いて結晶生成 物を製造する連続結晶化方法において、(a)DTBクリスタライザー装置の容 器内の溶液中に結晶粒子を含むスラリー体に、溶解した溶質を含む透明な供給溶 液を導入する工程と;(b)前記スラリー体中に結晶化を誘導する過飽和を達成 するための条件を維持する工程と; (c)前記結晶粒子を懸濁状態に維持するために充分な流量で前記容器に所定流 路において前記スラリー体を循環させる工程と;(d)複数の分別室において前 記スラリー体の一部を分離させる工程と;(e)前記分別室の各々からその上端 部に隣接する出口を通して、所定サイズ未満の結晶粒子とスラリー液体との流れ を取り出し、該流れ中の結晶粒子を溶解によって除去し、その後に該流れを容器 中のスラリー体に戻す工程と(f)DTBクリスタライザー装置から生成物結晶 を連続的に取り出す工程と;(g)DTBクリスタライザー容器の操作温度以下 の温度において、溶液中結晶の懸濁液であって、溶液と、懸濁液の総量を基準に して6〜24容量%の結晶とを含み、結晶の少なくとも35%が14メッシュ( 1.2mm)より大きいサイズである前記結晶懸濁液を、結晶の重量が工程(f )で取り出された生成物の重量の4〜25%に成り、取り出された生成物の粒度 分布のサイクリングが減少し、顆粒サイズ結晶の製造速度が上昇するような量で 、スラリー体に一定速度で供給する工程とを含む前記結晶化方法。
  2. 2.前記結晶懸濁液が12〜24容量%の結晶を含む請求項1記載の方法。
  3. 3.前記懸濁液が14メッシュ(1.2mm)より大きいサイズの結晶35〜8 5重量%と、10メッシュ(1.7mm)より大きいサイズの結晶15%以下と を有する結晶を含む請求項1記載の方法。
  4. 4.前記結晶懸濁液が12〜24容量%の結晶を含む請求項3記載の方法。
  5. 5.溶液中結晶の前記懸濁液を、結晶の重量が工程(f)で取り出された生成物 の重量の8〜20%に成るような量で供給する請求項1〜3のいずれかに記載の 方法。
  6. 6.溶液中結晶の前記懸濁液を、結晶の重量が工程(f)で取り出された生成物 の重量の8〜20%に成るような量で供給する請求項4記載の方法。
  7. 7.結晶懸濁液を工程(g)のスラリー体にDTBクリスタライザー容器中の液 体レベルの箇所において又はこの液体レベルに隣接した箇所において供給する請 求項6記載の方法。
  8. 8.硫酸アンモニウムの連続結晶化を含む請求項1〜7のいずれかに記載の方法 。
  9. 9.工程(g)の結晶懸濁液が該容器の操作温度よりも少なくとも10℃低い温 度である請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
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