JPH0750306A - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
バイポーラトランジスタの製造方法Info
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- JPH0750306A JPH0750306A JP19478693A JP19478693A JPH0750306A JP H0750306 A JPH0750306 A JP H0750306A JP 19478693 A JP19478693 A JP 19478693A JP 19478693 A JP19478693 A JP 19478693A JP H0750306 A JPH0750306 A JP H0750306A
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- poly
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ボロンとヒ素が注入されたポリＳｉ膜８と酸
化膜６とをマスクにして、外部ベース１５形成のための
イオン注入を行うと共に、上記ポリＳｉ膜よりの熱拡散
により、内部ベース１４及びエミッタ１３を形成する。 【効果】 フォトリソグラフィーの工程回数を減らし、
トランジスタのセル面積を縮小することが可能となる。
化膜６とをマスクにして、外部ベース１５形成のための
イオン注入を行うと共に、上記ポリＳｉ膜よりの熱拡散
により、内部ベース１４及びエミッタ１３を形成する。 【効果】 フォトリソグラフィーの工程回数を減らし、
トランジスタのセル面積を縮小することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバイポーラトランジスタ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５に従い従来技術を説明する。
【０００３】（１） ｐ型Ｓｉ基板２１内に埋め込みコ
レクタ層（ｎ型〜１×１０17／ｃｍ3）２２を形成した
後、エピタキシャル層（ｎ型〜５×１０15／ｃｍ3）２
３を成長させ、続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型
拡散領域（〜１×１０19／ｃｍ3）２４及びコレクタと
の接続用ｎ型拡散領域（〜５×１０1 9／ｃｍ3）２５を
形成した後、全面に酸化膜（２０００Å）２６を成長さ
せる。
レクタ層（ｎ型〜１×１０17／ｃｍ3）２２を形成した
後、エピタキシャル層（ｎ型〜５×１０15／ｃｍ3）２
３を成長させ、続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型
拡散領域（〜１×１０19／ｃｍ3）２４及びコレクタと
の接続用ｎ型拡散領域（〜５×１０1 9／ｃｍ3）２５を
形成した後、全面に酸化膜（２０００Å）２６を成長さ
せる。
【０００４】（２） 続いて、フォトリソグラフィー１
によりベース領域２７上を開口し、レジストおよび酸化
膜をマスクにｐ型不純物を注入する。
によりベース領域２７上を開口し、レジストおよび酸化
膜をマスクにｐ型不純物を注入する。
【０００５】（３） 続いて、フォトリソグラフィー２
によりベースコンタクト部を含む外部ベース領域２８を
開口し、このレジスト２９をマスクとしてｐ型不純物を
注入した後、レジストを除去する。
によりベースコンタクト部を含む外部ベース領域２８を
開口し、このレジスト２９をマスクとしてｐ型不純物を
注入した後、レジストを除去する。
【０００６】（４） 続いて、フォトリソグラフィー３
によりエミッタ部３０を開口し、このレジスト３１をマ
スクとしてｎ型不純物を注入する。
によりエミッタ部３０を開口し、このレジスト３１をマ
スクとしてｎ型不純物を注入する。
【０００７】（５） 続いて、熱処理により不純物の活
性化をはかった後、メタライゼーションにより配線３６
を形成する。３２は内部ベース、３３は外部ベース、３
４はエミッタ、３５は層間酸化膜である。
性化をはかった後、メタライゼーションにより配線３６
を形成する。３２は内部ベース、３３は外部ベース、３
４はエミッタ、３５は層間酸化膜である。
【０００８】次に、図６に従い、エミッタベース間を自
己整合的に形成する目的で発明された、本発明に類似し
たグラフトベースを用いた製造方法を述べる。（特開平
２ー１０７３７） （１） ｐ型Ｓｉ基板４１内に埋め込みコレクタ層４２
を形成した後、エピタキシャル層４３を成長させ、続い
て分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域４４及びコ
レクタとの接続用ｎ型拡散領域４５を形成した後、全面
に酸化膜４６を成長させる。
己整合的に形成する目的で発明された、本発明に類似し
たグラフトベースを用いた製造方法を述べる。（特開平
２ー１０７３７） （１） ｐ型Ｓｉ基板４１内に埋め込みコレクタ層４２
を形成した後、エピタキシャル層４３を成長させ、続い
て分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域４４及びコ
レクタとの接続用ｎ型拡散領域４５を形成した後、全面
に酸化膜４６を成長させる。
【０００９】（２） 続いて、フォトリソグラフィー１
によりグラフトベース（外部ベース）４７と活性ベース
（内部ベース）４８を決定する部分を開口する。 （３） 続いて、ポリＳｉを５０００Å堆積し、フォト
リソグラフィー２により外部ベース上のポリＳｉ膜４９
と内部ベース上のポリＳｉ膜５０とを分離する。
によりグラフトベース（外部ベース）４７と活性ベース
（内部ベース）４８を決定する部分を開口する。 （３） 続いて、ポリＳｉを５０００Å堆積し、フォト
リソグラフィー２により外部ベース上のポリＳｉ膜４９
と内部ベース上のポリＳｉ膜５０とを分離する。
【００１０】（４） 続いて、全面をおよそ２５００Å
酸化する。続いて、フォトリソグラフィー３により内部
ベース領域のみ酸化膜５１を残し、外部ベース領域のポ
リＳｉ膜４９の上の酸化膜を除去する。続いて、レジス
トを除去する。続いて、ｐ型不純物を注入する。この
時、内部ベース上はポリＳｉ膜５０上に酸化膜５１があ
るため、外部ベース上のポリＳｉ膜４９には高濃度の不
純物が注入されるが、内部ベース上ポリＳｉ膜５０は低
濃度となる。
酸化する。続いて、フォトリソグラフィー３により内部
ベース領域のみ酸化膜５１を残し、外部ベース領域のポ
リＳｉ膜４９の上の酸化膜を除去する。続いて、レジス
トを除去する。続いて、ｐ型不純物を注入する。この
時、内部ベース上はポリＳｉ膜５０上に酸化膜５１があ
るため、外部ベース上のポリＳｉ膜４９には高濃度の不
純物が注入されるが、内部ベース上ポリＳｉ膜５０は低
濃度となる。
【００１１】（５） 続いて、酸化性雰囲気で熱処理を
施す。ここで、外部ベース上ポリＳｉ膜４９上に酸化膜
５２を成長させる。
施す。ここで、外部ベース上ポリＳｉ膜４９上に酸化膜
５２を成長させる。
【００１２】（６） 続いて、フォトリソグラフィー４
によりエミッタ領域のポリＳｉ膜上酸化膜５１を除去
し、ｎ型不純物を注入する。続いて、熱処理により不純
物の活性化をはかる。
によりエミッタ領域のポリＳｉ膜上酸化膜５１を除去
し、ｎ型不純物を注入する。続いて、熱処理により不純
物の活性化をはかる。
【００１３】（７） 続いて、層間酸化膜５３を堆積
し、メタライゼーションにより配線５７を形成する。５
４は内部ベース、５５は外部ベース、５６はエミッタで
ある。
し、メタライゼーションにより配線５７を形成する。５
４は内部ベース、５５は外部ベース、５６はエミッタで
ある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上で述べた従来方法で
は、エミッタ、ベース領域を決定するため合計３回のフ
ォトリソグラフィーが必要である。又、エミッタ−外部
ベース間は自己整合的に形成されない。このため、フォ
トリソグラフィーでのマージン確保のためトランジスタ
のセル面積が大きくなる等の欠点がある。
は、エミッタ、ベース領域を決定するため合計３回のフ
ォトリソグラフィーが必要である。又、エミッタ−外部
ベース間は自己整合的に形成されない。このため、フォ
トリソグラフィーでのマージン確保のためトランジスタ
のセル面積が大きくなる等の欠点がある。
【００１５】又、グラフトベースを用いた自己整合的形
成方法では、合計４回フォトリソグラフィーを用い、従
来方法より多くのフォトリソグラフィーが必要である。
成方法では、合計４回フォトリソグラフィーを用い、従
来方法より多くのフォトリソグラフィーが必要である。
【００１６】本発明は、これらの方法の欠点を改良、す
なわち、フォトリソグラフィーの工程回数を減らし、ト
ランジスタのセル面積を縮小する事を可能ならしめるも
のである。
なわち、フォトリソグラフィーの工程回数を減らし、ト
ランジスタのセル面積を縮小する事を可能ならしめるも
のである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のバイポーラトラ
ンジスタの製造方法は、半導体基板上にポリＳｉ膜を堆
積する工程と、上記ポリＳｉ膜中に、互いに拡散係数の
異なるｎ型不純物とｐ型不純物とを導入する工程と、上
記ポリＳｉ膜をパターニングし、エミッタ形成領域上に
のみ上記ポリＳｉ膜を残存させる工程と、該残存ポリＳ
ｉ膜をマスクとして、外部ベース形成領域に不純物注入
を行う工程と、上記残存ポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散
によって、該残存ポリＳｉ膜下にエミッタ及び内部ベー
スを形成する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
ンジスタの製造方法は、半導体基板上にポリＳｉ膜を堆
積する工程と、上記ポリＳｉ膜中に、互いに拡散係数の
異なるｎ型不純物とｐ型不純物とを導入する工程と、上
記ポリＳｉ膜をパターニングし、エミッタ形成領域上に
のみ上記ポリＳｉ膜を残存させる工程と、該残存ポリＳ
ｉ膜をマスクとして、外部ベース形成領域に不純物注入
を行う工程と、上記残存ポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散
によって、該残存ポリＳｉ膜下にエミッタ及び内部ベー
スを形成する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【００１８】また、本発明の製造方法は、半導体基板上
にポリＳｉ膜を堆積する工程と、上記ポリＳｉ膜中に、
互いに拡散係数の異なるｎ型不純物とｐ型不純物とを導
入する工程と、上記ポリＳｉ膜をパターニングし、エミ
ッタ形成領域上にのみ上記ポリＳｉ膜を残存させる工程
と、該残存ポリＳｉ膜の側面にサイドウォールを形成す
る工程と、上記残存ポリＳｉ膜とサイドウォールとをマ
スクとして、外部ベース形成領域に不純物注入を行う工
程と、上記残存ポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散によっ
て、該残存ポリＳｉ膜下にエミッタ及び内部ベースを形
成する工程とを有することを特徴とするものである。
にポリＳｉ膜を堆積する工程と、上記ポリＳｉ膜中に、
互いに拡散係数の異なるｎ型不純物とｐ型不純物とを導
入する工程と、上記ポリＳｉ膜をパターニングし、エミ
ッタ形成領域上にのみ上記ポリＳｉ膜を残存させる工程
と、該残存ポリＳｉ膜の側面にサイドウォールを形成す
る工程と、上記残存ポリＳｉ膜とサイドウォールとをマ
スクとして、外部ベース形成領域に不純物注入を行う工
程と、上記残存ポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散によっ
て、該残存ポリＳｉ膜下にエミッタ及び内部ベースを形
成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１９】更に、本発明の製造方法は、半導体基板上
にポリＳｉ膜を堆積する工程と、上記ポリＳｉ膜中に、
互いに拡散係数の異なるｎ型不純物とｐ型不純物とを導
入する工程と、上記ポリＳｉ膜上に絶縁膜を堆積する工
程と、上記ポリＳｉ膜と絶縁膜との積層膜をパターニン
グし、エミッタ形成領域上にのみ上記積層膜を残存させ
る工程と、該残存積層膜の側面にサイドウォールを形成
する工程と、上記残存積層膜とサイドウォールとをマス
クとして、外部ベース形成領域に不純物注入を行う工程
と、上記残存積層膜中のポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散
によって、該残存積層膜下にエミッタ及び内部ベースを
形成する工程とを有することを特徴とするものである。
にポリＳｉ膜を堆積する工程と、上記ポリＳｉ膜中に、
互いに拡散係数の異なるｎ型不純物とｐ型不純物とを導
入する工程と、上記ポリＳｉ膜上に絶縁膜を堆積する工
程と、上記ポリＳｉ膜と絶縁膜との積層膜をパターニン
グし、エミッタ形成領域上にのみ上記積層膜を残存させ
る工程と、該残存積層膜の側面にサイドウォールを形成
する工程と、上記残存積層膜とサイドウォールとをマス
クとして、外部ベース形成領域に不純物注入を行う工程
と、上記残存積層膜中のポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散
によって、該残存積層膜下にエミッタ及び内部ベースを
形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００２０】
【作用】本発明は、以下の手法により高精度のバイポー
ラトランジスタを提供するものである。
ラトランジスタを提供するものである。
【００２１】 エミッタ、内部ベースの形成にｎ型と
ｐ型の不純物をドープしたポリＳｉを拡散源として用
い、両不純物の拡散係数が異なる事と、両不純物が全く
同じ熱工程を経ることを有効に利用できる。これによ
り、電流増幅率等の電気特性などベース幅に依存する特
性を精度よく制御出来る。例えば、通常用いる不純物活
性化のための熱処理１０５０℃でのＢ（ボロン）とＡｓ
（ひ素）の拡散係数は、各々約５×１０-14ｃｍ2／ｓｅ
ｃ及び５×１０-15ｃｍ2／ｓｅｃで、１時間の熱処理を
施すことによる拡散長さは、各々１３００Å、４００Å
となる。ここで、ポリＳｉへの両不純物のドープ量は、
目的となるトランジスタのエミッタとベースの不純物濃
度に合わせ設定出来る。（ここで、ＢとＡｓの拡散源と
してのポリＳｉを、異なる二つのポリＳｉ層からなる積
層膜とする方法、すなわちＡｓをドープしたポリＳｉ
を、ＢをドープしたポリＳｉの上層に配する事により、
基板中への不純物の拡散がＢに較べＡｓのほうが時間的
に遅れ、Ａｓ／Ｂの接合を形成させる事も可能ではある
が、本発明では拡散係数の違いを有効に利用する。） ポリＳｉに形成するサイドウォールは、所望のエミ
ッタベース間耐圧などの電気特性にあわせて、その幅を
設定することができる。又、ポリＳｉ上の酸化膜は、設
定したいサイドウォールの形状や幅の制御性を考慮し、
採用の有無または厚さを選べば良い。例えば、ポリＳｉ
上酸化膜の厚さ２５００Åに対して、サイドウォール形
成用酸化膜の厚さを２５００Åとすれば、サイドウォー
ル幅２０００Åを得ることが出来る。この時に得られる
エミッタ−ベース間耐圧（ＢＶEBO）は十分に５Ｖを得
られる。
ｐ型の不純物をドープしたポリＳｉを拡散源として用
い、両不純物の拡散係数が異なる事と、両不純物が全く
同じ熱工程を経ることを有効に利用できる。これによ
り、電流増幅率等の電気特性などベース幅に依存する特
性を精度よく制御出来る。例えば、通常用いる不純物活
性化のための熱処理１０５０℃でのＢ（ボロン）とＡｓ
（ひ素）の拡散係数は、各々約５×１０-14ｃｍ2／ｓｅ
ｃ及び５×１０-15ｃｍ2／ｓｅｃで、１時間の熱処理を
施すことによる拡散長さは、各々１３００Å、４００Å
となる。ここで、ポリＳｉへの両不純物のドープ量は、
目的となるトランジスタのエミッタとベースの不純物濃
度に合わせ設定出来る。（ここで、ＢとＡｓの拡散源と
してのポリＳｉを、異なる二つのポリＳｉ層からなる積
層膜とする方法、すなわちＡｓをドープしたポリＳｉ
を、ＢをドープしたポリＳｉの上層に配する事により、
基板中への不純物の拡散がＢに較べＡｓのほうが時間的
に遅れ、Ａｓ／Ｂの接合を形成させる事も可能ではある
が、本発明では拡散係数の違いを有効に利用する。） ポリＳｉに形成するサイドウォールは、所望のエミ
ッタベース間耐圧などの電気特性にあわせて、その幅を
設定することができる。又、ポリＳｉ上の酸化膜は、設
定したいサイドウォールの形状や幅の制御性を考慮し、
採用の有無または厚さを選べば良い。例えば、ポリＳｉ
上酸化膜の厚さ２５００Åに対して、サイドウォール形
成用酸化膜の厚さを２５００Åとすれば、サイドウォー
ル幅２０００Åを得ることが出来る。この時に得られる
エミッタ−ベース間耐圧（ＢＶEBO）は十分に５Ｖを得
られる。
【００２２】
【実施例】本発明の実施例を図１〜図４により説明す
る。
る。
【００２３】＜実施例１：図１＞ （１） ｐ型Ｓｉ基板１内に埋め込みコレクタ層（ｎ型
〜１×１０17／ｃｍ3）２を形成した後、エピタキシャ
ル層（ｎ型〜５×１０15／ｃｍ3）３を１．５μｍ成長
させ、続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域
（〜１×１０19／ｃｍ3）４及びコレクタとの接続用ｎ
型拡散領域（〜５×１０19／ｃｍ3）５を形成した後、
全面に酸化膜６を２０００Å成長させる。
〜１×１０17／ｃｍ3）２を形成した後、エピタキシャ
ル層（ｎ型〜５×１０15／ｃｍ3）３を１．５μｍ成長
させ、続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域
（〜１×１０19／ｃｍ3）４及びコレクタとの接続用ｎ
型拡散領域（〜５×１０19／ｃｍ3）５を形成した後、
全面に酸化膜６を２０００Å成長させる。
【００２４】（２） 続いて、フォトリソグラフィー１
によりベース領域７上の酸化膜を開口し、レジストを除
去する。
によりベース領域７上の酸化膜を開口し、レジストを除
去する。
【００２５】（３） 続いて、ポリＳｉ膜８を１５００
Å堆積し、全面にｐ型不純物（Ｂ）とｎ型不純物（Ａ
ｓ）を各々１０ＫＶ・４×１０13／ｃｍ2、３０ＫＶ・
８×１０15／ｃｍ2程度注入する。
Å堆積し、全面にｐ型不純物（Ｂ）とｎ型不純物（Ａ
ｓ）を各々１０ＫＶ・４×１０13／ｃｍ2、３０ＫＶ・
８×１０15／ｃｍ2程度注入する。
【００２６】（４） 続いて、フォトリソグラフィー２
によりエミッタ領域１０のみを残すようにポリＳｉ膜を
加工する。
によりエミッタ領域１０のみを残すようにポリＳｉ膜を
加工する。
【００２７】（５） 続いて、ｐ型不純物（Ｂ）を２０
ＫＶ・２×１０15／ｃｍ2程度注入する。続いて、層間
酸化膜（５０００Å）１２を堆積し、熱処理により不純
物の活性化を窒素雰囲気中で１０５０℃・６０分の条件
下で行う。ここで得られるエミッタ（ｎ型）１３、内部
ベース（ｐ型）１４、外部ベース（ｐ型）１５の濃度
は、それぞれ３×１０20／ｃｍ3、１×１０18／ｃｍ3、
１×１０20／ｃｍ3程度である。この時、外部ベース１
５の横方向の拡散長は１４００Å程度であり、エミッタ
１３の幅が０．５μｍ程度以上であれば内部ベース領域
が確保される。
ＫＶ・２×１０15／ｃｍ2程度注入する。続いて、層間
酸化膜（５０００Å）１２を堆積し、熱処理により不純
物の活性化を窒素雰囲気中で１０５０℃・６０分の条件
下で行う。ここで得られるエミッタ（ｎ型）１３、内部
ベース（ｐ型）１４、外部ベース（ｐ型）１５の濃度
は、それぞれ３×１０20／ｃｍ3、１×１０18／ｃｍ3、
１×１０20／ｃｍ3程度である。この時、外部ベース１
５の横方向の拡散長は１４００Å程度であり、エミッタ
１３の幅が０．５μｍ程度以上であれば内部ベース領域
が確保される。
【００２８】（６） 続いて、メタライゼーションによ
り配線１６を形成する。
り配線１６を形成する。
【００２９】＜実施例２：図２＞ （１） ｐ型Ｓｉ基板１内に埋め込みコレクタ層２を形
成した後、エピタキシャル層３を１．５μｍ成長させ、
続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域４及び
コレクタとの接続用ｎ型拡散領域５を形成した後、全面
に酸化膜６を２０００Å成長させる。
成した後、エピタキシャル層３を１．５μｍ成長させ、
続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域４及び
コレクタとの接続用ｎ型拡散領域５を形成した後、全面
に酸化膜６を２０００Å成長させる。
【００３０】（２） 続いて、フォトリソグラフィー１
によりベース領域７上の酸化膜を開口し、レジストを除
去する。
によりベース領域７上の酸化膜を開口し、レジストを除
去する。
【００３１】（３） 続いてポリＳｉ膜８を１５００Å
堆積し、全面にｐ型不純物（Ｂ）とｎ型不純物（Ａｓ）
を各々１０ＫＶ・４×１０13／ｃｍ2、３０ＫＶ・８×
１０15／ｃｍ2程度注入する。
堆積し、全面にｐ型不純物（Ｂ）とｎ型不純物（Ａｓ）
を各々１０ＫＶ・４×１０13／ｃｍ2、３０ＫＶ・８×
１０15／ｃｍ2程度注入する。
【００３２】（４） 続いて、フォトリソグラフィー２
によりエミッタ領域１０のみを残すようにポリＳｉ膜を
加工する。
によりエミッタ領域１０のみを残すようにポリＳｉ膜を
加工する。
【００３３】（５） 続いて、酸化膜２５００Åを堆積
する。続いて、異方性エッチングによりエッチバックを
施し、エミッタ部のポリＳｉ膜回りにサイドウォール１
１を形成する。
する。続いて、異方性エッチングによりエッチバックを
施し、エミッタ部のポリＳｉ膜回りにサイドウォール１
１を形成する。
【００３４】（６） 続いて、ｐ型不純物（Ｂ）を２０
ＫＶ・２×１０15／ｃｍ2程度注入する。続いて、層間
酸化膜（５０００Å）１２を堆積し、熱処理により不純
物の活性化を窒素雰囲気中で１０５０℃／６０分の条件
下で行う。ここで得られるエミッタ１３、内部ベース１
４、外部ベース１５の濃度は、それぞれ３×１０20／ｃ
ｍ3，１×１０18／ｃｍ3、１×１０20／ｃｍ3程度であ
る。この時、外部ベース１５の横方向の拡散長は１６０
０Å程度である。又、内部ベースの横方向拡散は９００
Å程度であり、ポリＳｉを拡散源とする内部ベースとイ
オン注入による外部ベースの電気的リンクは確保され
る。
ＫＶ・２×１０15／ｃｍ2程度注入する。続いて、層間
酸化膜（５０００Å）１２を堆積し、熱処理により不純
物の活性化を窒素雰囲気中で１０５０℃／６０分の条件
下で行う。ここで得られるエミッタ１３、内部ベース１
４、外部ベース１５の濃度は、それぞれ３×１０20／ｃ
ｍ3，１×１０18／ｃｍ3、１×１０20／ｃｍ3程度であ
る。この時、外部ベース１５の横方向の拡散長は１６０
０Å程度である。又、内部ベースの横方向拡散は９００
Å程度であり、ポリＳｉを拡散源とする内部ベースとイ
オン注入による外部ベースの電気的リンクは確保され
る。
【００３５】（７） 続いて、メタライゼーションによ
り配線１６を形成する。
り配線１６を形成する。
【００３６】＜実施例３：図３＞ （１） ｐ型Ｓｉ基板１内に埋め込みコレクタ層２を形
成した後、エピタキシャル層３を１．５μｍ成長させ、
続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域４及び
コレクタとの接続用ｎ型拡散領域５を形成した後、全面
に酸化膜６を２０００Å成長させる。
成した後、エピタキシャル層３を１．５μｍ成長させ、
続いて分離用拡散領域として高濃度ｐ型拡散領域４及び
コレクタとの接続用ｎ型拡散領域５を形成した後、全面
に酸化膜６を２０００Å成長させる。
【００３７】（２） 続いて、フォトリソグラフィー１
によりベース領域７上の酸化膜を開口し、レジストを除
去する。
によりベース領域７上の酸化膜を開口し、レジストを除
去する。
【００３８】（３） 続いて、ポリＳｉ膜８を１５００
Å堆積し、全面にｐ型不純物（Ｂ）とｎ型不純物（Ａ
ｓ）を各々１０ＫＶ・４×１０13／ｃｍ2、３０ＫＶ・
８×１０15／ｃｍ2程度注入する。
Å堆積し、全面にｐ型不純物（Ｂ）とｎ型不純物（Ａ
ｓ）を各々１０ＫＶ・４×１０13／ｃｍ2、３０ＫＶ・
８×１０15／ｃｍ2程度注入する。
【００３９】（４） 続いて、酸化膜９を２５００Å堆
積する。
積する。
【００４０】（５） 続いて、フォトリソグラフィー２
によりエミッタ領域１０のみを残すように酸化膜／ポリ
Ｓｉ積層膜を加工する。
によりエミッタ領域１０のみを残すように酸化膜／ポリ
Ｓｉ積層膜を加工する。
【００４１】（６） 続いて、酸化膜２５００Åを堆積
する。続いて、異方性エッチングによりエッチバックを
施し、エミッタ部の酸化膜／ポリＳｉ積層膜にサイドウ
ォール１１を形成する。
する。続いて、異方性エッチングによりエッチバックを
施し、エミッタ部の酸化膜／ポリＳｉ積層膜にサイドウ
ォール１１を形成する。
【００４２】（７） 続いて、ｐ型不純物（Ｂ）を２０
ＫＶ・２×１０15／ｃｍ2程度注入する。続いて、層間
酸化膜１２を堆積し、熱処理により不純物の活性化を窒
素雰囲気中で１０５０℃・６０分の条件下で行う。ここ
で得られるエミッタ１３、内部ベース１４、外部ベース
１５の濃度は、それぞれ３×１０20／ｃｍ3、１×１０
18／ｃｍ3、１×１０20／ｃｍ3程度である。この時、外
部ベース１５の横方向の拡散長は１６００Å程度であ
る。又、内部ベースの横方向拡散は９００Å程度であ
り、ポリＳｉを拡散源とする内部ベースとイオン注入に
よる外部ベースの電気的リンクは確保される。
ＫＶ・２×１０15／ｃｍ2程度注入する。続いて、層間
酸化膜１２を堆積し、熱処理により不純物の活性化を窒
素雰囲気中で１０５０℃・６０分の条件下で行う。ここ
で得られるエミッタ１３、内部ベース１４、外部ベース
１５の濃度は、それぞれ３×１０20／ｃｍ3、１×１０
18／ｃｍ3、１×１０20／ｃｍ3程度である。この時、外
部ベース１５の横方向の拡散長は１６００Å程度であ
る。又、内部ベースの横方向拡散は９００Å程度であ
り、ポリＳｉを拡散源とする内部ベースとイオン注入に
よる外部ベースの電気的リンクは確保される。
【００４３】（８） 続いて、メタライゼーションによ
り配線１６を形成する。
り配線１６を形成する。
【００４４】実施例３ではポリＳｉ上の酸化膜９を導入
した。これは、後で形成するサイドウォール巾の制御性
を向上する目的で導入するものである。実施例１の様に
ポリＳｉ単層膜を加工するとき、レジストの形状を反映
し、図４の如くテーパー形状となってしまうことはよく
経験する。この形状では、後で形成するサイドウォール
の巾の制御性が困難であり、実施例３はいわゆるキャッ
プＳｉＯ2を導入することにより、サイドウォール巾の
制御性を向上させることが出来る。ここで、キャップＳ
ｉＯ2の導入の有無は、ポリＳｉの加工形状やサイドウ
ォール酸化膜のカバレッジ等の形状を考慮して決定すれ
ば良い。
した。これは、後で形成するサイドウォール巾の制御性
を向上する目的で導入するものである。実施例１の様に
ポリＳｉ単層膜を加工するとき、レジストの形状を反映
し、図４の如くテーパー形状となってしまうことはよく
経験する。この形状では、後で形成するサイドウォール
の巾の制御性が困難であり、実施例３はいわゆるキャッ
プＳｉＯ2を導入することにより、サイドウォール巾の
制御性を向上させることが出来る。ここで、キャップＳ
ｉＯ2の導入の有無は、ポリＳｉの加工形状やサイドウ
ォール酸化膜のカバレッジ等の形状を考慮して決定すれ
ば良い。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば以下の効果を奏するもの
である。
である。
【００４６】１． 従来方法では、エミッタ、内部ベー
ス、外部ベースのそれぞれにフォトリソグラフィー工程
が必要である。又、自己整合的グラフトベースを用いる
手法では、合計４回のフォトリソグラフィーが必要であ
るが、本発明によれば、２回に削減出来る。
ス、外部ベースのそれぞれにフォトリソグラフィー工程
が必要である。又、自己整合的グラフトベースを用いる
手法では、合計４回のフォトリソグラフィーが必要であ
るが、本発明によれば、２回に削減出来る。
【００４７】２． 従来方法や自己整合的グラフトベー
スを用いる手法では、内部ベースはイオン注入後２回、
又、エミッタはイオン注入後１回の熱処理を経る。これ
に対して、本発明では、内部ベースとエミッタの不純物
は全く同じ一回の熱処理に削減出来る。
スを用いる手法では、内部ベースはイオン注入後２回、
又、エミッタはイオン注入後１回の熱処理を経る。これ
に対して、本発明では、内部ベースとエミッタの不純物
は全く同じ一回の熱処理に削減出来る。
【図１】本発明（請求項１）の実施例を示す各工程断面
図である。
図である。
【図２】本発明（請求項２）の実施例を示す各工程断面
図である。
図である。
【図３】本発明（請求項３）の実施例を示す各工程断面
図である。
図である。
【図４】請求項３の本発明の説明に供する図である。
【図５】従来方法を示す各工程断面図である。
【図６】他の従来方法を示す各工程断面図である。
１ ｐ型Ｓｉ基板 ２ 埋め込みコレクタ層 ３ エピタキシャル層 ４ 高濃度ｐ型拡散領域 ５ コレクタ接続用ｎ型拡散領域 ６ 酸化膜 ７ ベース領域 ８ ポリＳｉ膜 ９ 酸化膜 １０ エミッタ領域 １１ サイドウォール １２ 層間酸化膜 １３ エミッタ １４ 内部ベース １５ 外部ベース １６ 配線
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上にポリＳｉ膜を堆積する工
程と、 上記ポリＳｉ膜中に、互いに拡散係数の異なるｎ型不純
物とｐ型不純物とを導入する工程と、 上記ポリＳｉ膜をパターニングし、エミッタ形成領域上
にのみ上記ポリＳｉ膜を残存させる工程と、 該残存ポリＳｉ膜をマスクとして、外部ベース形成領域
に不純物注入を行う工程と、 上記残存ポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散によって、該残
存ポリＳｉ膜下にエミッタ及び内部ベースを形成する工
程とを有することを特徴とする、バイポーラトランジス
タの製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上にポリＳｉ膜を堆積する工
程と、 上記ポリＳｉ膜中に、互いに拡散係数の異なるｎ型不純
物とｐ型不純物とを導入する工程と、 上記ポリＳｉ膜をパターニングし、エミッタ形成領域上
にのみ上記ポリ膜を残存させる工程と、 該残存ポリＳｉ膜の側面にサイドウォールを形成する工
程と、 上記残存ポリＳｉ膜とサイドウォールとをマスクとし
て、外部ベース形成領域に不純物注入を行う工程と、 上記残存ポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散によって、該残
存ポリＳｉ膜下にエミッタ及び内部ベースを形成する工
程とを有することを特徴とする、バイポーラトランジス
タの製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板上にポリＳｉ膜を堆積する工
程と、 上記ポリＳｉ膜中に、互いに拡散係数の異なるｎ型不純
物とｐ型不純物とを導入する工程と、 上記ポリＳｉ膜上に絶縁膜を堆積する工程と、 上記ポリＳｉ膜と絶縁膜との積層膜をパターニングし、
エミッタ形成領域上にのみ上記積層膜を残存させる工程
と、 該残存積層膜の側面にサイドウォールを形成する工程
と、 上記残存積層膜とサイドウォールとをマスクとして、外
部ベース形成領域に不純物注入を行う工程と、 上記残存積層膜中のポリＳｉ膜よりの不純物熱拡散によ
って、該残存積層膜下にエミッタ及び内部ベースを形成
する工程とを有することを特徴とする、バイポーラトラ
ンジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19478693A JPH0750306A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19478693A JPH0750306A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750306A true JPH0750306A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16330242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19478693A Pending JPH0750306A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750306A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801385A (en) * | 1995-10-06 | 1998-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray image pickup device |
| JP2007531292A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | プレマ セミコンダクター ゲーエムベーハー | バイポーラトランジスタおよびバイポーラトランジスタの製造方法 |
-
1993
- 1993-08-05 JP JP19478693A patent/JPH0750306A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801385A (en) * | 1995-10-06 | 1998-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray image pickup device |
| US6118851A (en) * | 1995-10-06 | 2000-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray image pickup device |
| JP2007531292A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | プレマ セミコンダクター ゲーエムベーハー | バイポーラトランジスタおよびバイポーラトランジスタの製造方法 |
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