JPH0746691B2

JPH0746691B2 - 半導体装置の製法

Info

Publication number: JPH0746691B2
Application number: JP61296198A
Authority: JP
Inventors: 敏彦北浦; 彰男中村; 正幸坂本; 浩一高島
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1986-12-11
Filing date: 1986-12-11
Publication date: 1995-05-17
Anticipated expiration: 2010-05-17
Also published as: JPS63148645A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、半導体装置の製法に関するものである。

〔従来の技術〕

トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、セラミツクパ
ツケージもしくはプラスチツクパツケージにより封止さ
れ半導体装置化されている。セラミツクパツケージは構
成材料そのものが耐熱性を有し、耐透湿性にも優れてい
るため温度，湿度に対して強く、しかも中空パツケージ
のため、機械的強度も高く信頼性の高い封止が可能であ
る。しかし、構成材料が比較的高価なものであること
と、量産性に欠ける欠点があるため、最近では、セラミ
ツクパツケージに代えてプラスチツクパツケージを用い
た樹脂封止が主流になつている。この種の樹脂封止に
は、エポキシ樹脂組成物が使用されており、注型，圧縮
成形，射出成形，トランスフアーモールド成形等によつ
て樹脂封止することが行われており、最近では、特に量
産性と作業性に優れたトランスフアーモールド成形によ
る樹脂封止が賞用されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記のようなトランスフアーモールド成
形により、エポキシ樹脂組成物で半導体素子を樹脂封止
する場合、上記成形を連続的に行うと、エポキシ樹脂組
成物中の離型剤により、トランスフアーモールド金型が
汚染され、良好な成形をなしえないという問題が生じて
いる。すなわち、上記成形時には、エポキシ樹脂組成物
中に含まれる離型剤が金型表面に滲出して離型作用を発
揮するのであるが、成形を繰り返すと、上記金型表面に
滲出した離型剤が、金型表面に順次積層し、次第に酸化
劣化して硬い離型剤酸化劣化層（表面は金型のように平
滑ではない）を形成する。そして、この酸化劣化層の表
面で成形材料の成形が行われるようになり、成形品に上
記酸化劣化層の表面の転写がなされ、成形品の表面が肌
荒れしたり、光沢等が出ないという不都合を生じる。ま
た、このような離型剤の酸化劣化層が、一旦、金型表面
に形成されると、その後、エポキシ樹脂組成物を成形す
る際、その組成物から滲み出てくる離型剤が、金型表面
ではなく、上記離型剤の酸化劣化層に作用することとな
り、充分な離型効果を発揮しえなくなる。このような問
題を解決するため、従来は、図面に示すように、成形金
型１の上型２と下型３とでつくられるキヤビテイ４に、
リードフレーム５を備えた半導体素子を位置決めして、
そのリードフレーム５を上記キヤビテイ４に隣接する上
型２と下型３との間に位置決めし、その状態で、メラミ
ン樹脂成形材料を注型した成形硬化させ、上記金型表面
の離型剤酸化劣化層をその成形品と一体化させ、酸化劣
化層が一体化した成形品を金型１から取り出すことによ
り、金型表面を洗浄するということが行われている。こ
の場合、リードフレームを上記キヤビテイ４内に位置決
めして、メラミン樹脂成形材料の注型を行うのは、上型
２と下型３とを閉じた状態において上記キャビティ４に
隣接する上型２と下型３の間の部分にリードフレーム５
用の空隙６ができるため、そこにリードフレーム５を位
置決めしないで、単に、メラミン樹脂成形材料のみをキ
ヤビテイ４内に注型すると、上型２と下型３との間の上
記空隙６からメラミン樹脂成形材料が逃げ成形が充分に
行えなくなるためである。しかしながら、このようにし
て金型表面を洗浄する場合には、上記のように、リード
フレームをいちいち洗浄すべきキヤビテイ４に適正に位
置決めしなければならず、その作業が煩雑であると同時
に、上記メラミン樹脂成形材料の縮合物としてホルマリ
ンが副生し臭気等を生じるため作業環境が悪化し洗浄作
業の作業性の低下の原因となる。また、上記のようなト
ランスフアーモールド成形によつて、半導体素子を樹脂
封止する場合には、上記キヤビテイ４の周囲部分にバリ
が生じ、このバリはエアーノズルから吹き出されるエア
ーによつて、自動的に除去されるようになつているので
あるが、時には、エアーノズルによつて処理しきれない
金型１の部分にバリを生じることがあり、その際には、
人が指等を用いてバリを除去しなければならない状態と
なる。一般に、上記トランスフアーモールド成形は、自
動成形によつて行われているものであり、上記のような
場合には、一旦自動成形を解除し装置を停止させてバリ
取りを行うということが標準作業化されている。しかし
ながら、作業が遅れているような場合には、まれに自動
成形を継続させたまま、型１が開いている僅かの時間内
に指等を上記金型2,3間に挿入して、エアーノズルでは
除去しきれないバリを取るということが行われるのであ
り、極めて危険である。

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、金
型面の洗浄ならびにバリ取りを簡単かつ能率良く行うこ
とにより、封止樹脂表面が良好な半導体装置を効率よ
く、かつ安全に製造しうる方法の提供をその目的とす
る。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的を達成するため、この発明は、トランスフア
ーモールド成形によつて半導体素子を樹脂封止して半導
体装置を製造する方法において、上記トランスフアーモ
ールド成形に先立つて一対のトランスフアー成形金型の
間に、下記の（Ａ）成分と未加硫ゴムとからなる未加硫
ゴム生地で構成されたクリーニングシートを挟み、加熱
加圧することにより上記一対のトランスフアー成形金型
の型面を上記クリーニングシートで洗浄することをその
要旨とする。（Ａ）ギリコールエーテル類、イミダゾー
ル類およびイミダゾリン類からなる群から選択された少
なくとも一つの化合物からなる除去助剤。

ずなわち、上記のように、一対のトランスフアー成形金
型の間に、未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未
加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを挟んで加熱
加圧することにより、従来のように、成形金型のキヤビ
テイ内にいちいちリードフレームを位置決め配置すると
いう煩雑な作業を要することなく、金型面の洗浄をなし
うるようになる。このとき、従来のようにホルマリン臭
が生じることもない。その結果、金型洗浄の高効率化を
実現することができる。その際、キヤビテイに隣接する
型面の部分に付着するバリも、同時に上記クリーニング
シートに付着して除去されるため、従来のように、トラ
ンスフアーモールド成形型が一定の間隔で開閉する間隙
を縫つて指を差し込んでバリを取るという危険な作業が
全く不要になり、安全にバリ取りを行うことができる。
このようにして封止樹脂の表面が良好に成形されている
半導体装置を効率よく、かつ安全に製造しうるようにな
る。

この発明は、未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された
未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを用いて、
トランスフアー成形型の型面の洗浄を行う。上記未加硫
ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地から
なるクリーニングシートは、例えば未加硫ゴムと除去助
剤とからなる未加硫ゴム生地で構成されている。

上記未加硫ゴムとしては、天然ゴム（NR），クロロプレ
ンゴム（CR），ブタジエンゴム（BR），ニトリルゴム
（NBR），セチレンプロピレンターポリマーゴム（EP
T），エチレンプロピレンゴム（EPM），スチレンブタジ
エンゴム（SBR），ポリイソプレンゴム（IR），ブチル
ゴム（IIR），シリコーンゴム（Ｑ），フツ素ゴム（FK
M）等の単独もしくは混合物を主成分とし、さらに加硫
剤が配合され、必要に応じて加硫促進剤，補強剤等が配
合されているもの等が用いられる。この未加硫ゴムは、
金型内において加硫され加硫ゴムとなる。上記の未加硫
ゴムとして好ましいのはEPT,SBR.NBRもしくはこれらの
混合物である。上記EPTは、エチレン，α−オレフイン
および非共役二重結合を有する環状または非環状からな
る共重合物である。これについて詳述すると、EPTはエ
チレン，α−オレフイン（特にプロピレン）および以下
に列挙するポリエンモノマーからなるターポリマーであ
り、上記ポリエンモノマーとしては、ジシクロペンタジ
エン、1,5−シクロオクタジエン、1,1−シクロオクタジ
エン、1,6−シクロドデカジエン、1,7−シクロドデカジ
エン、1,5,9−シクロドデカトリエン、1,4−シクロヘプ
タジエン、1,4−シクロヘキサジエン、ノルボルナジエ
ン、メチレンノルボルネン、２−メチルペンタジエン−
1,4、1,5−ヘキサジエン、1,6−ヘプタジエン、メチル
−テトラヒドロインデン、1,4−ヘキサジエン等であ
る。各モノマーの共重合割合は、好ましくはエチレンが
30〜80モル％、ポリエンが0.1〜20モル％で残りがα−
オレフインとなるような割合である。より好ましいのは
エチレンが30〜60モル％のものである。そして、ムーニ
ー粘度ML₁₊₄（100℃）が20〜70のものがよい。上記EPT
の具体例としては、三井石油化学工業社製、三井EPT402
1,同4045,同4074をあげることができる。また、SBRとし
ては、スチレン含量が15〜30モル％でムーニー粘度ML
₁₊₄（100℃）が20〜80、好ましくは35〜60のものが好適
である。具体例として日本合成ゴム社製、IRS−1502,同
1507,同1778をあげることができる。NBRとしては、アク
リロニトリル含量が20〜60モル％、好ましくは25〜45モ
ル％でムーニー粘度ML₁₊₄（100℃）が20〜85、好ましく
は30〜70のものを用いることが好適である。具体例とし
て日本合成ゴム社製、Ｎ−234L,同230S,同230SHをあげ
ることができる。

また、上記未加硫ゴムとともに用いられる除去助剤は、
グリコールエーテル類，イミダゾール類およびイミダゾ
リン類であり、単独でもしくは併せて使用される。

上記グリコールエーテル類としては、つぎの一般式
（１）で表されるものが好適である。

その具体例としては、エチレングリコールジメチルエー
テル，ジエチレングリコールジメチルエーテル，トリエ
チレングリコールジメチルエーテル，テトラエチレング
リコールジメチルエーテル，ポリエチレングリコールジ
メチルエーテル，ジエチレングリコールモノメチルエー
テル，ジエチレングリコールモノエチルエーテル，ジエ
チレングリコールモノプロピルエーテル，ジエチレング
リコールモノブチルエーテル，ジエチレングリコールジ
エチルエーテル，ジエチレングリコールプロピルエーテ
ル，ジエチレングリコールジブチルエーテル，ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル，エチレングリコール
モノエチルエーテル，エチレングリコールモノプロピル
エーテル，エチレングリコールモノブチルエーテル等を
あげることができる。

上記一般式（１）で表されるグリコールエーテル類の中
でも、ｎ＝１〜２、R₁,R₂のいずれかが水素の場合には
他方が炭素数１〜４のアルキル基であり、また、R₁.,R₂
がともにアルキル基の場合には、炭素数が１〜４のアル
キル基であることが好適である。なお、上記ｎが３以上
の値をとるときには、ゴムとの相溶性が低下するという
事態を招き、またアルキル基の炭素数が５以上の場合に
は、離型剤の酸化劣化層に対する浸透性が悪くなるとい
う傾向がみられるようになる。

上記イミダゾール類としては、下記の一般式（２）で表されるイミダゾール類を用いることが好結果をもた
らす。このようなイミダゾール類の代表例としては、２
−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール,2−フエニルイミダゾール,1−ベンジル−２−メ
チルイミダゾール等や、2,4−ジアミノ−６〔２′−メ
チルイミダゾリル（１）′〕エチル−ｓ−トリアジン、
2,4−ジアミノ−６〔２′−エチル−４′−メチルイミ
ダゾリル−（１）′〕エチル−ｓ−トリアジン等があげ
られる。

また、上記イミダゾリン類としては、下記の一般式
（３）で表されるイミダゾリン類を用いることが好結果をもた
らす。このようなイミダゾリンの代表例としては、２−
メチルイミダゾリン、２−メチル−４−エチルイミダゾ
リン,2−フエニルイミダゾリン,1−ベンジル−２−メチ
ルイミダゾリン、２−フエニル−４−メチル−５−ヒド
ロキシメチルイミダゾリン、2,4−ジアミノ−６〔２′
−メチルイミダゾリリル−（１）′〕エチル−ｓ−トリ
アジン、2,4−ジアミノ−６〔２′−メチル−４′−エ
チルイミダゾリリル−（１）′〕エチル−ｓ−トリア
ジ、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾリン、１−
ジアノエチル−２−メチル−４−エチルイミダゾリン等
があげられる。

上記グリコールエーテル類，イミダゾール類およびイミ
ダゾリン類は、そのまま、もしくは水ないしはメタノー
ル，エタノール,n−プロパノールのようなアルコール
類、トルエン，キシレンのような有機溶媒と混合して使
用してもよい。有機溶媒と混合するときには、有機溶媒
の量を、通常、グリコールエーテル類，イミダゾール類
およびイミダゾリン類の合計量100重量部（以下「部」
と略す）に対し50部以下にすることが行われ、最も一般
的には20部以下にすることが行われる。また、従来から
使用されているステアリン酸，カルナバワックス，ステ
アリルエチレンジアミド等の離型剤を必要に応じて適量
併用しても差し支えはない。離型剤を併用する場合に
は、その使用量を、未加硫ゴムと、上記グリコールエー
テル類，イミダゾール類およびイミダゾリン類の少なく
とも一つとの合計量100部に対して10部以下にすること
が行われ、最も一般的には２〜５部にすることが行われ
る。

上記グリコールエーテル類，イミダゾール類、イミダゾ
リン類の単独もしくは併用物は、上記未加硫ゴムと混合
することによつて未加硫ゴム生地となりクリーニングシ
ートとなる。この場合、グリコールエーテル類，イミダ
ゾール類、イミダゾリン類の単独もしくは併用物は、未
加硫ゴム100部に対して、通常５〜60部配合される。好
ましいのは15〜25部である。なお、上記グリコールエー
テル類はその沸点が130〜250℃程度であるのが好まし
い。すなわち、金型成形は、通常150〜185℃で行われる
のであり、上記グリコールエーテル類の沸点が130℃未
満であれば、洗浄時の蒸発が著しく、したがつて、洗浄
作業環境の悪化現象を生じる恐れがあり、逆に250℃を
超えると、蒸発が困難となつて加硫ゴム中の残存し、加
硫ゴムの、金型からの取り出しの際の強度が弱くなつて
崩形等するため、金型表面から離型剤の酸化劣化層を充
分剥離することができにくくなり、洗浄作業性を低下さ
せる傾向がみられるからである。

また、上記未加硫ゴム生地からなるクリーニングシート
には、補強剤としてシリカ，アルミナ，炭酸カルシウ
ム，水酸化アルミニウム，酸化チタン等の無機質補強剤
（充填剤）を配合することも可能である。この場合、補
強剤の使用量は、未加硫ゴム100部に対し10〜50部に設
定することが好適である。

なお、未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートは、
塩素イオンとナトリウムイオンの合計含有量が2000ppm
以下であることが好適である。すなわち、上記クリーニ
ングシートによつてトランスフアーモールド成形金型の
金型面を洗浄する際に、クリーニングシート中に含有さ
れる塩素イオンやナトリウムイオンが金型表面に残存
し、半導体装置中にこれらイオン性不純物が入り込む恐
れがあるからであり、これらの半導体装置中に上記イオ
ン性不純物が入り込むと、耐湿信頼性等信頼性の面で大
きな問題を生じるようになるからである。したがつて、
上記未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートの製造
に際しては、使用原料を充分に吟味して、上記のような
イオン性不純分が含まれてないものを使用することが望
まれる。

この発明は、半導体素子をトランスフアー成形による連
続的に樹脂封止して半導体装置を連続的に製造する際、
上記のようなクリーニングシートを用いて成形金型の金
型面を洗浄したのち、さらにトランスフアー成形を連続
形に行い半導体装置を製造する。この際、使用する封止
用の成形材料は特に限定するものではなく、エポキシ樹
脂成形材料等の従来公知の成形材料が用いられ、また成
形条件等も従来法に準じて設定される。

このようにして製造された半導体装置は、良好な洗浄装
置になつている成形金側で成形されているため、封止樹
脂の表面状態が極めて良好である。

〔発明の効果〕この発明は、トランスフアー成形に先立
ち未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム
生地からなるクリーニングシートを用いて金型表面に形
成された離型剤の酸化劣化層を除去するとともに、バリ
取りを行うため、金型洗浄を極めて容易に行うことがで
き、その際、臭気等を生じない。また、バリ取りも安全
に行うことができる。その結果、封止樹脂の表面状態の
極めて良好な半導体装置を、高効率で連続的に、かつ安
全に製造することができる。

つぎに、実施例について比較例と併せて詳しく説明す
る。

〔実施例１〕エチレンプロピレンターポリマーゴム（EPT,三井石油化
学工業社製，三井EPT4045）100部，シリカパウダー20
部，酸化チタン５部，有機過酸化物４部，ステアリン酸
１部，ジエチレングリコールジブチルエーテル20部を混
練ロールで混練したのち、圧延ロールを用いて厚み7mm
のシートに形成し未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成さ
れた未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得
た。

〔実施例２〕ジエチレングリコールジブチルエーテルに代えて、エチ
レングリコールモノエチルエーテルを用いた。それ以外
は実施例１と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で
構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシート
を得た。

〔実施例３〕スチレンブタジエンゴム（SBR,日本合成ゴム社製,JSR−
1502）100部，シリカパウダー20部，水酸化アルミニウ
ム15部，有機過酸化物４部，ステアリン酸亜鉛１部，ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル15部を用い、実
施例１と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成
された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得
た。

〔実施例４〕ニトリルゴム（NBR,日本合成ゴム社製,N−230SH）100
部，シリカパウダー20部，酸化チタン５部，有機過酸化
物４部，ステアリン酸１部，エチレングリコールモノエ
チルエーテル15部を用い、実施例１と同様にして未加硫
ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地から
なるクリーニングシートを得た。

〔実施例５〕エチレングリコールモノエチルエーテルの使用割合を12
部に減少した。それ以外は実施例４と同様にして未加硫
ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地から
なるクリーニングシートを得た。

〔実施例６〕エチレングリコールモノエチルエーテルの使用量を55部
に増加した。それ以外は実施例４と同様にして未加硫ゴ
ムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地からな
るクリーニングシートを得た。

〔実施例７〕 EPTを単独で用いるのではなく、実施例３で用いたSBRと
併用（50:50）した。それ以外は実施例１と同様にして
未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生
地からなるクリーニングシートを得た。

〔実施例８〕エチレンプロピレンターポリマーゴム（EPT,三井石油化
学工業社製，三井EPT4045）100部，シリカパウダー20
部，酸化チタン５部，有機過酸化物４部，ステアリン酸
１部,2−エチル−４−メチルイミダゾール３部を混練ロ
ールで混練したのち、圧延ロールを用いて厚み7mmのシ
ートに形成し、目的とする、未加硫ゴムと特定の除去助
剤で構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシ
ートを得た。

〔実施例9,10〕２−エチル−４−メチルイミダゾールの量をそれぞれ20
部および50部に代えた。それ以外は実施例１と同様にし
て目的とする、未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成され
た未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。

〔実施例11,12〕２−エチル−４−メチルイミダゾールに代えて、2,4−
ジアミノ−６〔２′−メチルイミダゾリル−（１）′〕
エチル−ｓ−トリアジン（以下「2MZ−AZINE」と略す）
をそれぞれ３部及び20部用いた。それ以外は実施例１と
同様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未
加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。

〔実施例13〕２−エチル−４−メチルイミダゾールに代えて、2MZ−A
ZINE10部と１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール
10部を併用した。それ以外は実施例１と同様にして未加
硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地か
らなるクリーニングシートを得た。

〔実施例14,15〕エチレンプロピレンターポリマーゴムに代えてスチレン
ブタジエンゴム（SBR,日本合成ゴム社製,JSR−1502）10
0部を用い、２−エチル−４−メチルイミダゾールに代
えて２−メチルイミダゾリンをそれぞれ５部および20部
用いた。それ以外は実施例１と同様にして未加硫ゴムと
特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地からなるク
リーニングシートを得た。

〔実施例16,17〕エチレンプロピレンターポリマーゴムの半量を上記スチ
レンブタジエンゴムに代え、かつ２−エチル−４−メチ
ルイミダゾールに代えて２−フエニルイミダゾリンをそ
れぞれ５部および20部用いた。それ以外は実施例１と同
様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加
硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。

〔実施例18〕エチレンプロピレンターポリマーに代えて上記スチレン
ブタジエンゴム50部とニトリルゴム（NBR,日本合成ゴム
社製,N−230SH）50部とを用い、かつ２−エチル−４−
メチルイミダゾールに代えて１−シアノエチル−２−メ
チルイミダゾール10部と１−シアノエチル−２−メチル
−４−エチルイミダゾリン10部を用いた。それ以外は実
施例１と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成
された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得
た。

〔比較例１〕ジエチレングリコールジブチルエーテルに代えて、２−
アミノ−２−メチル−１−プロパノールを用いた。それ
以外は実施例１と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助
剤で構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシ
ートを得た。

〔比較例２〕エチレングリコールモノエチルエーテルに代えて、トル
エンを用いた。それ以外は実施例２と同様にして未加硫
ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地から
なるクリーニングシートを得た。

〔比較例３〕ジエチレングリコールモノメチルエーテルに代えて、ジ
イソプロピルケトンを用いた。それ以外は実施例３と同
様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加
硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。

〔比較例４〕エチレングリコールモノメチルエーテルに代えて、エタ
ノールを用いた。それ以外は実施例４と同様にして未加
硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地か
らなるクリーニングシートを得た。

以上の実施例および比較例で得られたクリーニングシー
トを、離型剤の酸化劣化層が形成された熱硬化性樹脂成
形用金型に挟み、175℃で４分間加硫し、加硫後ただち
に金型を開いて成形された加硫ゴムを取り出した。この
場合における金型表面の洗浄性および臭気に起因する作
業環境の悪化等を調べた。また、洗浄後の金型を用い、
半導体素子を通常の条件でトランスフアーモールド成形
して半導体装置化し、得られた装置の封止樹脂の表面状
態を目視観察し、その結果を、上記の試験結果ととも
に、後記の表にまとめて示した。

上記の表から明らかなように、実施例によれば、熱硬化
性樹脂成形用金型から取り出した加硫ゴムの表面に、金
型表面の離型剤酸化劣化層が転写され付着しており、そ
れによつて金型のキヤビテイ面が充分に洗浄されてい
た。また、この洗浄作業の際に、臭気の発生もなく、し
たがつて、洗浄作業性は全く問題はなかつた。これに対
して、比較例は、金型洗浄性もしくは臭気のいずれかに
問題があり、良好な結果が得られなかった。その結果、
上記金型を用いて得られた半導体装置の封止樹脂は、そ
の表面の状態において、実施例のものが平滑で光沢もあ
つたのに対し、比較例、特に比較例２〜４のものは微妙
に凹凸になつており光沢がなかつた。

【図面の簡単な説明】

図面は従来例の説明図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者坂本正幸佐賀県神埼郡三田川町大字吉田2307番地の２九州日東電工株式会社内 (72)発明者高島浩一佐賀県神埼郡三田川町大字吉田2307番地の２九州日東電工株式会社内 (56)参考文献特開昭55−137914（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−36960（ＪＰ，Ａ) 特公昭60−6207（ＪＰ，Ｂ２)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トランスフアーモールド成形によつて半導
体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する方法におい
て、上記トランスフアーモールド成形に先立つて、一対
のトランスフアー成形金型の間に、下記の（Ａ）成分と
未加硫ゴムとからなる未加硫ゴム生地で構成されたクリ
ーニングシートを挟み加熱加圧することにより上記一対
のトランスフアー成形金型の型面を上記クリーニングシ
ートで洗浄することを特徴とする半導体装置の製法。（Ａ）グリコールエーテル類、イミダゾール類およびイ
ミダゾリン類からなる群から選択された少なくとも一つ
の化合物からなる除去助剤。
【請求項２】未加硫ゴム生地が、塩素イオンとナトリウ
ムイオンの合計含有量が2000ppm以下に抑制されている
ものである特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の
製法。