JPH0746381A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH0746381A JPH0746381A JP5208825A JP20882593A JPH0746381A JP H0746381 A JPH0746381 A JP H0746381A JP 5208825 A JP5208825 A JP 5208825A JP 20882593 A JP20882593 A JP 20882593A JP H0746381 A JPH0746381 A JP H0746381A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 経時変化の影響を受けないシェーディング及
び暗出力の補正を可能にする。 【構成】 密着型イメージセンサ１０は、光源としての
ＬＥＤ８６と、原稿面８４からの反射光８６ｂを受光し
て電気的信号に変換する光電変換素子１２ｃから成るセ
ンサ部１２と、ＬＥＤ８６からの光８６ａを直接受光し
て電気的信号に変換する光電変換素子１４ｃから成るセ
ンサ部１４と、遮光状態を電気的信号に変換する遮光さ
れた光電変換素子１６ｃから成るセンサ部１６と、各セ
ンサ部１２等を平行かつ近接させて一方の面１８ｅ設け
ると共に各センサ部１２等の光電変換素子１２ｃ等の光
電変換層を同時に形成した基板１８とを備えている。
び暗出力の補正を可能にする。 【構成】 密着型イメージセンサ１０は、光源としての
ＬＥＤ８６と、原稿面８４からの反射光８６ｂを受光し
て電気的信号に変換する光電変換素子１２ｃから成るセ
ンサ部１２と、ＬＥＤ８６からの光８６ａを直接受光し
て電気的信号に変換する光電変換素子１４ｃから成るセ
ンサ部１４と、遮光状態を電気的信号に変換する遮光さ
れた光電変換素子１６ｃから成るセンサ部１６と、各セ
ンサ部１２等を平行かつ近接させて一方の面１８ｅ設け
ると共に各センサ部１２等の光電変換素子１２ｃ等の光
電変換層を同時に形成した基板１８とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、小型ファクシミリやイ
メージスキャナ等の読み取り部として用いられる密着型
イメージセンサに係り、詳しくは光源及び光電変換素子
の特性の補正に特徴を有する密着型イメージセンサに関
する。
メージスキャナ等の読み取り部として用いられる密着型
イメージセンサに係り、詳しくは光源及び光電変換素子
の特性の補正に特徴を有する密着型イメージセンサに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の密着型イメージセンサについて、
いわゆる完全密着型のイメージセンサを例として説明す
る。図４は従来の密着型イメージセンサ８０の副走査方
向の断面概略図である。図示するようにガラス基板８２
を挟んで原稿面８４の反対側に光源としてのＬＥＤ８６
を設け、ＬＥＤ８６からの光８６ａがガラス基板８２の
所望の位置に形成した採光窓（図示せず）を透過して原
稿面８４に照射され、反射光８６ｂをセンサ部８８で読
み取る構造になっている。センサ部８８、ＬＥＤ８６
は、共に多数の素子が主走査方向に一列ずつ一次元アレ
イ状に配設されている。
いわゆる完全密着型のイメージセンサを例として説明す
る。図４は従来の密着型イメージセンサ８０の副走査方
向の断面概略図である。図示するようにガラス基板８２
を挟んで原稿面８４の反対側に光源としてのＬＥＤ８６
を設け、ＬＥＤ８６からの光８６ａがガラス基板８２の
所望の位置に形成した採光窓（図示せず）を透過して原
稿面８４に照射され、反射光８６ｂをセンサ部８８で読
み取る構造になっている。センサ部８８、ＬＥＤ８６
は、共に多数の素子が主走査方向に一列ずつ一次元アレ
イ状に配設されている。
【０００３】一般に、一次元アレイ状のＬＥＤ８６にお
いては、原稿面８４での主走査方向の照度のバラツキ
（以下、「シェーディング」という。）が通常±３０％
程度生じる。このため、従来の密着型イメージセンサ８
０ではこれを補正する手段を具備している。
いては、原稿面８４での主走査方向の照度のバラツキ
（以下、「シェーディング」という。）が通常±３０％
程度生じる。このため、従来の密着型イメージセンサ８
０ではこれを補正する手段を具備している。
【０００４】そのシェーディング補正回路の一例のブロ
ック図を図５に示す。以下、図４及び図５に基づき説明
する。まず、ＬＥＤ８６の光を白基準に照射してその反
射光をセンサ部８８で読み取ることによって、ＬＥＤ８
６のシェーディングを検出する。そして、このシェーデ
ィングを補正する補正係数をＲＯＭ又はＲＡＭ（本例で
はＲＯＭ９０Ａ）に記憶しておく。次に、実際の原稿面
８４をセンサ部８８で読み取った場合は、Ａ／Ｄ変換器
９２Ａを介して出力されたセンサ部８８からの信号に積
算器９４Ａが前記補正係数を乗じて出力する。
ック図を図５に示す。以下、図４及び図５に基づき説明
する。まず、ＬＥＤ８６の光を白基準に照射してその反
射光をセンサ部８８で読み取ることによって、ＬＥＤ８
６のシェーディングを検出する。そして、このシェーデ
ィングを補正する補正係数をＲＯＭ又はＲＡＭ（本例で
はＲＯＭ９０Ａ）に記憶しておく。次に、実際の原稿面
８４をセンサ部８８で読み取った場合は、Ａ／Ｄ変換器
９２Ａを介して出力されたセンサ部８８からの信号に積
算器９４Ａが前記補正係数を乗じて出力する。
【０００５】また、一次元アレイ状のセンサ部８８から
出力される出力信号には、暗電流による信号成分（暗出
力）が重畳しており、主走査方向にある程度のバラツキ
（以下、「暗出力バラツキ」という。）が通常１０〜２
０％程度生じるため、これも同時に補正する手段が必要
である。
出力される出力信号には、暗電流による信号成分（暗出
力）が重畳しており、主走査方向にある程度のバラツキ
（以下、「暗出力バラツキ」という。）が通常１０〜２
０％程度生じるため、これも同時に補正する手段が必要
である。
【０００６】その暗出力補正回路のブロック図を図６に
示す。以下、図４及び図６に基づき説明する。まず、Ｌ
ＥＤ８６消灯時の個々の光電変換素子の出力レベル（暗
出力レベル）をセンサ部８８で読み取ることによって、
暗出力バラツキを検出する。この暗出力バラツキをＲＯ
Ｍ又はＲＡＭ（本例ではＲＯＭ９０Ｂ）に記憶してお
く。次に、実際の原稿面８４をセンサ部８８で読み取っ
た場合は、Ａ／Ｄ変換器９２Ｂを介して出力されたセン
サ部８８からの信号から減算器９４Ｂが前記暗出力バラ
ツキを減じて出力する。
示す。以下、図４及び図６に基づき説明する。まず、Ｌ
ＥＤ８６消灯時の個々の光電変換素子の出力レベル（暗
出力レベル）をセンサ部８８で読み取ることによって、
暗出力バラツキを検出する。この暗出力バラツキをＲＯ
Ｍ又はＲＡＭ（本例ではＲＯＭ９０Ｂ）に記憶してお
く。次に、実際の原稿面８４をセンサ部８８で読み取っ
た場合は、Ａ／Ｄ変換器９２Ｂを介して出力されたセン
サ部８８からの信号から減算器９４Ｂが前記暗出力バラ
ツキを減じて出力する。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】従来のシェーディン
グ補正方法では、ＬＥＤアレイの１ライン分の照度バラ
ツキの補正係数を記憶しておくためのメモリを必要と
し、通常、ＲＯＭを使用している。しかし、ＲＯＭを使
用した場合、照度バラツキが経時変化を起こした場合
に、実際のバラツキの値と補正データとの間にズレが発
生し、適正な補正ができなくなるという問題がある。
グ補正方法では、ＬＥＤアレイの１ライン分の照度バラ
ツキの補正係数を記憶しておくためのメモリを必要と
し、通常、ＲＯＭを使用している。しかし、ＲＯＭを使
用した場合、照度バラツキが経時変化を起こした場合
に、実際のバラツキの値と補正データとの間にズレが発
生し、適正な補正ができなくなるという問題がある。
【０００８】また、ＲＡＭを使用してデータの書き換え
を可能とした場合は、データ書き換えの際にセンサ読み
取り面と完全密着しながら白基準を読み取ることから、
連続使用により白基準に汚れが生じやすい。この場合
に、実際のバラツキの値と補正データとの間にズレが発
生し、適正な補正ができなくなるという問題がある。さ
らに、白基準を内蔵するための余分なメカ部分が必要と
なる。
を可能とした場合は、データ書き換えの際にセンサ読み
取り面と完全密着しながら白基準を読み取ることから、
連続使用により白基準に汚れが生じやすい。この場合
に、実際のバラツキの値と補正データとの間にズレが発
生し、適正な補正ができなくなるという問題がある。さ
らに、白基準を内蔵するための余分なメカ部分が必要と
なる。
【０００９】従来の暗出力補正方法においても、上記の
シェーディング補正方法と同様に、暗出力バラツキをＲ
ＯＭに記憶させて補正を行う場合、暗出力バラツキが経
時変化を起こした際に、実際のバラツキの値と補正デー
タとの間にズレが発生し、適正な補正ができなくなると
いう問題がある。
シェーディング補正方法と同様に、暗出力バラツキをＲ
ＯＭに記憶させて補正を行う場合、暗出力バラツキが経
時変化を起こした際に、実際のバラツキの値と補正デー
タとの間にズレが発生し、適正な補正ができなくなると
いう問題がある。
【００１０】また、ＲＡＭを使用した場合、随時暗出力
を検出するには毎回ＬＥＤを消灯して暗出力を読み取ら
なければならない。しかし、その出力が低く、しかも、
光電変換素子が読み取り用の構造になっているのでＬＥ
Ｄの消灯のみでは遮光が不十分である。そのため、外来
光の影響を受けやすく、精度の良い検出ができないとい
う問題が生じる。
を検出するには毎回ＬＥＤを消灯して暗出力を読み取ら
なければならない。しかし、その出力が低く、しかも、
光電変換素子が読み取り用の構造になっているのでＬＥ
Ｄの消灯のみでは遮光が不十分である。そのため、外来
光の影響を受けやすく、精度の良い検出ができないとい
う問題が生じる。
【００１１】
【発明の目的】そこで、この発明の目的は、経時変化の
影響を受けないシェーディング及び暗出力の補正が可能
な密着型イメージセンサを提供することにある。
影響を受けないシェーディング及び暗出力の補正が可能
な密着型イメージセンサを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る密着型イ
メージセンサは、上記目的を達成するためになされたも
のであり、原稿面に光を照射する光源と、前記原稿面か
らの反射光を受光して電気的信号に変換する光電変換素
子が一列に多数設けられて成る第１のセンサ部と、前記
光源からの光を直接受光して電気的信号に変換する光電
変換素子が一列に多数設けられて成る第２のセンサ部
と、遮光状態を電気的信号に変換する遮光された光電変
換素子が一列に多数設けられて成る第３のセンサ部と、
前記各センサ部を平行かつ近接させて一方の面に設ける
と共に前記各センサ部の光電変換素子の少なくとも光電
変換層を同時に形成した基板とを備えたもの等とした。
メージセンサは、上記目的を達成するためになされたも
のであり、原稿面に光を照射する光源と、前記原稿面か
らの反射光を受光して電気的信号に変換する光電変換素
子が一列に多数設けられて成る第１のセンサ部と、前記
光源からの光を直接受光して電気的信号に変換する光電
変換素子が一列に多数設けられて成る第２のセンサ部
と、遮光状態を電気的信号に変換する遮光された光電変
換素子が一列に多数設けられて成る第３のセンサ部と、
前記各センサ部を平行かつ近接させて一方の面に設ける
と共に前記各センサ部の光電変換素子の少なくとも光電
変換層を同時に形成した基板とを備えたもの等とした。
【００１３】これに加え、前記第１及び第３のセンサ部
からの信号の差分を出力する第１の減算回路部と、前記
第２及び第３のセンサ部からの信号の差分を出力する第
２の減算回路部と、前記第１及び第２の減算回路部の出
力信号の比をとって出力する出力回路部とを備えたもの
等とした。
からの信号の差分を出力する第１の減算回路部と、前記
第２及び第３のセンサ部からの信号の差分を出力する第
２の減算回路部と、前記第１及び第２の減算回路部の出
力信号の比をとって出力する出力回路部とを備えたもの
等とした。
【００１４】また、前記基板が透光性を有し、この基板
の他方の面側に前記光源を設けたものとしてもよい。さ
らに、前記基板の一方の面側に前記光源を設けたものと
してもよい。
の他方の面側に前記光源を設けたものとしてもよい。さ
らに、前記基板の一方の面側に前記光源を設けたものと
してもよい。
【００１５】
【作用】光源から照射された光は、原稿面からの反射光
となって第１のセンサ部の光電変換素子に受光されると
共に、その一部が第２のセンサ部の光電変換素子に直接
受光される。一方、第３のセンサ部の光電変換素子は遮
光されているので何も受光しない。したがって、第１の
センサ部からは画信号、第２のセンサ部からはシェーデ
ィング信号、第３のセンサ部からは暗出力信号がそれぞ
れ出力される。
となって第１のセンサ部の光電変換素子に受光されると
共に、その一部が第２のセンサ部の光電変換素子に直接
受光される。一方、第３のセンサ部の光電変換素子は遮
光されているので何も受光しない。したがって、第１の
センサ部からは画信号、第２のセンサ部からはシェーデ
ィング信号、第３のセンサ部からは暗出力信号がそれぞ
れ出力される。
【００１６】また、各センサ部の光電変換素子の少なく
とも光電変換層は、同一基板上に平行かつ近接して同時
に形成されている。したがって、第１のセンサ部の光電
変換素子は、この光電変換素子に近接する第２及び第３
のセンサ部の光電変換素子とほぼ同じ光電特性を有す
る。さらに、第１のセンサ部の光電変換素子とこの光電
変換素子に近接する第２のセンサ部の光電変換素子と
は、ほぼ同じ照度の光源から受光する。
とも光電変換層は、同一基板上に平行かつ近接して同時
に形成されている。したがって、第１のセンサ部の光電
変換素子は、この光電変換素子に近接する第２及び第３
のセンサ部の光電変換素子とほぼ同じ光電特性を有す
る。さらに、第１のセンサ部の光電変換素子とこの光電
変換素子に近接する第２のセンサ部の光電変換素子と
は、ほぼ同じ照度の光源から受光する。
【００１７】第１の減算回路部は、第１のセンサ部の光
電変換素子の画信号から、この光電変換素子に対応する
第３のセンサ部の光電変換素子の暗出力信号を減ずる。
第２の減算回路部は、第２のセンサ部の光電変換素子の
シェーディング信号からこの光電変換素子に対応する第
３のセンサ部の光電変換素子の暗出力信号を減ずる。こ
のようにして、それぞれの信号の暗出力補正をする。次
に、出力回路部は、暗出力補正がされた、第１のセンサ
部の光電変換素子の画信号と、この光電変換素子に対応
する第３のセンサ部の光電変換素子のシェーディング信
号との比をとることにより、シェーディング補正をす
る。このようにして、暗出力補正及びシェーディング補
正がされた画信号が得られる。
電変換素子の画信号から、この光電変換素子に対応する
第３のセンサ部の光電変換素子の暗出力信号を減ずる。
第２の減算回路部は、第２のセンサ部の光電変換素子の
シェーディング信号からこの光電変換素子に対応する第
３のセンサ部の光電変換素子の暗出力信号を減ずる。こ
のようにして、それぞれの信号の暗出力補正をする。次
に、出力回路部は、暗出力補正がされた、第１のセンサ
部の光電変換素子の画信号と、この光電変換素子に対応
する第３のセンサ部の光電変換素子のシェーディング信
号との比をとることにより、シェーディング補正をす
る。このようにして、暗出力補正及びシェーディング補
正がされた画信号が得られる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明に係る密着型イメージセンサの
一実施例を、いわゆる完全密着型のイメージセンサを例
として、図面を参照して説明する。図１は本発明の密着
型イメージセンサの副走査方向断面概略図及びブロック
図であり、図２は図１における平面図及びブロック図、
図３は図１における要部拡大断面図である。なお、図示
の都合上、図１及び図３では横方向に対して縦方向を拡
大して示すと共に、光電変換素子１２ｃ，１４ｃ，１６
ｃ等に被着された透明保護膜等を省略して示している。
一実施例を、いわゆる完全密着型のイメージセンサを例
として、図面を参照して説明する。図１は本発明の密着
型イメージセンサの副走査方向断面概略図及びブロック
図であり、図２は図１における平面図及びブロック図、
図３は図１における要部拡大断面図である。なお、図示
の都合上、図１及び図３では横方向に対して縦方向を拡
大して示すと共に、光電変換素子１２ｃ，１４ｃ，１６
ｃ等に被着された透明保護膜等を省略して示している。
【００１９】密着型イメージセンサ１０は、原稿面８４
に光８６ａを照射する光源としてのＬＥＤ８６と、原稿
面８４からの反射光８６ｂを受光して電気的信号に変換
する光電変換素子１２ｃが一列に多数設けられて成るセ
ンサ部１２と、ＬＥＤ８６からの光８６ａを直接受光し
て電気的信号に変換する光電変換素子１４ｃが一列に多
数設けられて成るセンサ部１４と、遮光状態を電気的信
号に変換する遮光された光電変換素子１６ｃが一列に多
数設けられて成るセンサ部１６と、各センサ部１２，１
４，１６を平行かつ近接させて一方の面１８ｅ設けると
共に各センサ部１２，１４，１６の光電変換素子１２
ｃ，１４ｃ，１６ｃの光電変換層としてのアモルファス
シリコン１２ｄ，１４ｄ，１６ｄを同時に形成した基板
１８とを備えている。これに加え、センサ部１２，１６
からの信号の差分を出力する減算回路部２０ｇと、セン
サ部１４，１６からの信号の差分を出力する減算回路部
２０ｈと、減算回路部２０ｇ，２０ｈの出力信号の比を
とって出力する出力回路部２２とを備えている。
に光８６ａを照射する光源としてのＬＥＤ８６と、原稿
面８４からの反射光８６ｂを受光して電気的信号に変換
する光電変換素子１２ｃが一列に多数設けられて成るセ
ンサ部１２と、ＬＥＤ８６からの光８６ａを直接受光し
て電気的信号に変換する光電変換素子１４ｃが一列に多
数設けられて成るセンサ部１４と、遮光状態を電気的信
号に変換する遮光された光電変換素子１６ｃが一列に多
数設けられて成るセンサ部１６と、各センサ部１２，１
４，１６を平行かつ近接させて一方の面１８ｅ設けると
共に各センサ部１２，１４，１６の光電変換素子１２
ｃ，１４ｃ，１６ｃの光電変換層としてのアモルファス
シリコン１２ｄ，１４ｄ，１６ｄを同時に形成した基板
１８とを備えている。これに加え、センサ部１２，１６
からの信号の差分を出力する減算回路部２０ｇと、セン
サ部１４，１６からの信号の差分を出力する減算回路部
２０ｈと、減算回路部２０ｇ，２０ｈの出力信号の比を
とって出力する出力回路部２２とを備えている。
【００２０】基板１８は透光性を有するガラス基板であ
り、基板１８の他方の面１８ｆ側にＬＥＤ８６が設けら
れている。また、図２にのみ図示するが、各センサ部１
２，１４，１６には、信号増幅用のアンプ１２ｉ，１４
ｉ，１６ｉがそれぞれ接続されている。なお、特に図示
しないが、センサ部１２近傍に原稿面８４が搬送される
構造になっている。
り、基板１８の他方の面１８ｆ側にＬＥＤ８６が設けら
れている。また、図２にのみ図示するが、各センサ部１
２，１４，１６には、信号増幅用のアンプ１２ｉ，１４
ｉ，１６ｉがそれぞれ接続されている。なお、特に図示
しないが、センサ部１２近傍に原稿面８４が搬送される
構造になっている。
【００２１】次に、光電変換素子１２ｃ，１４ｃ，１６
ｃについて図３に基づき説明する。光電変換素子１２
ｃ，・・は、例えば、Ｃｒ１２ｊ，１４ｊ，１６ｊ、ア
モルファスシリコン１２ｄ，１４ｄ，１６ｄ、ＩＴＯ
(Indium Tin Oxide) １２ｋ，１４ｋ，１６ｋの三層の
薄膜から成るものである。ここでＣｒ１２ｊ，・・とＩ
ＴＯ１２ｋ，・・は電極として用いられる。ＩＴＯ１２
ｋ，・・は光に対して透明であり、光入射部として機能
する。また、ＩＴＯ１２ｋ，・・とアモルファスシリコ
ン１２ｄ，・・とのショットキー接合により、ホトダイ
オードタイプのアモルファスシリコン光電変換素子を構
成している。
ｃについて図３に基づき説明する。光電変換素子１２
ｃ，・・は、例えば、Ｃｒ１２ｊ，１４ｊ，１６ｊ、ア
モルファスシリコン１２ｄ，１４ｄ，１６ｄ、ＩＴＯ
(Indium Tin Oxide) １２ｋ，１４ｋ，１６ｋの三層の
薄膜から成るものである。ここでＣｒ１２ｊ，・・とＩ
ＴＯ１２ｋ，・・は電極として用いられる。ＩＴＯ１２
ｋ，・・は光に対して透明であり、光入射部として機能
する。また、ＩＴＯ１２ｋ，・・とアモルファスシリコ
ン１２ｄ，・・とのショットキー接合により、ホトダイ
オードタイプのアモルファスシリコン光電変換素子を構
成している。
【００２２】続いて、光電変換素子１２ｃ，１４ｃ，１
６ｃの製造方法について簡単に説明する。成膜は基板１
８上に次の順に行われる。ＩＴＯ１４ｋＣｒ１２
ｊ，１６ｊアモルファスシリコン１２ｄ，１４ｄ，１
６ｄＩＴＯ１２ｋ，１６ｋＣｒ１４ｊ，１６ｍ。例
えば、ＩＴＯはスパッタリング、アモルファスシリコン
はプラズマＣＶＤ、Ｃｒは蒸着により成膜し、それぞれ
ホトリソグラフィとエッチングとにより所望の形状に加
工している。膜厚は、例えば、ＩＴＯが150nm 、Ｃｒが
300nm 、アモルファスシリコンが１μｍである。アモル
ファスシリコン１２ｄ，・・は、光電変換層としての大
きさが例えば50×50μｍ程度でそれぞれの間隔が例えば
10μｍ程度であり、上記のように同時に形成される。し
たがって、アモルファスシリコン１２ｄ，・・は、膜
厚、不純物濃度、成膜温度等がほぼ等しくなり、ほぼ同
じ光電特性になる。
６ｃの製造方法について簡単に説明する。成膜は基板１
８上に次の順に行われる。ＩＴＯ１４ｋＣｒ１２
ｊ，１６ｊアモルファスシリコン１２ｄ，１４ｄ，１
６ｄＩＴＯ１２ｋ，１６ｋＣｒ１４ｊ，１６ｍ。例
えば、ＩＴＯはスパッタリング、アモルファスシリコン
はプラズマＣＶＤ、Ｃｒは蒸着により成膜し、それぞれ
ホトリソグラフィとエッチングとにより所望の形状に加
工している。膜厚は、例えば、ＩＴＯが150nm 、Ｃｒが
300nm 、アモルファスシリコンが１μｍである。アモル
ファスシリコン１２ｄ，・・は、光電変換層としての大
きさが例えば50×50μｍ程度でそれぞれの間隔が例えば
10μｍ程度であり、上記のように同時に形成される。し
たがって、アモルファスシリコン１２ｄ，・・は、膜
厚、不純物濃度、成膜温度等がほぼ等しくなり、ほぼ同
じ光電特性になる。
【００２３】光電変換素子１２ｃ，１４ｃにおいてＩＴ
Ｏ１２ｋ，１４ｋ側が光の入射する方向になるように構
成している。また、光電変換素子１６ｃにおいて、ＩＴ
Ｏ１６ｋの上層にＣｒ１６ｍを蒸着することにより、原
稿面８４からの反射光８６ｂを遮光し、暗出力信号のみ
を出力する構造になっている。
Ｏ１２ｋ，１４ｋ側が光の入射する方向になるように構
成している。また、光電変換素子１６ｃにおいて、ＩＴ
Ｏ１６ｋの上層にＣｒ１６ｍを蒸着することにより、原
稿面８４からの反射光８６ｂを遮光し、暗出力信号のみ
を出力する構造になっている。
【００２４】また、三列のセンサ部１２，１４，１６の
間隔を例えば10μｍ程度の近傍の位置とすることによっ
て、原稿面８４での照度のバラツキと、シェーディング
補正用のセンサ部１４で読み取ったＬＥＤ８６の照度の
バラツキとはほぼ同じとすることができる。さらに、三
列のセンサ部１２，１４，１６の暗出力成分のバラツキ
もほぼ同じにすることができる。
間隔を例えば10μｍ程度の近傍の位置とすることによっ
て、原稿面８４での照度のバラツキと、シェーディング
補正用のセンサ部１４で読み取ったＬＥＤ８６の照度の
バラツキとはほぼ同じとすることができる。さらに、三
列のセンサ部１２，１４，１６の暗出力成分のバラツキ
もほぼ同じにすることができる。
【００２５】次に、密着型イメージセンサ１０の動作を
説明する。
説明する。
【００２６】ＬＥＤ８６から照射された光８６ａは、原
稿面８４からの反射光８６ｂとなってセンサ部１２の光
電変換素子１２ｃに受光されると共に、一部の光８６ａ
がセンサ部１４の光電変換素子１４ｃに直接受光され
る。一方、センサ部１６の光電変換素子１６ｃは遮光さ
れているので何も受光しない。したがって、センサ部１
２からは画信号１２ｓ、センサ部１４からはシェーディ
ング信号１４ｓ、センサ部１６からは暗出力信号１６ｓ
がそれぞれ出力される。
稿面８４からの反射光８６ｂとなってセンサ部１２の光
電変換素子１２ｃに受光されると共に、一部の光８６ａ
がセンサ部１４の光電変換素子１４ｃに直接受光され
る。一方、センサ部１６の光電変換素子１６ｃは遮光さ
れているので何も受光しない。したがって、センサ部１
２からは画信号１２ｓ、センサ部１４からはシェーディ
ング信号１４ｓ、センサ部１６からは暗出力信号１６ｓ
がそれぞれ出力される。
【００２７】減算回路部２０ｇは、センサ部１２の光電
変換素子１２ｃの画信号１２ｓから、光電変換素子１２
ｃに対応するセンサ部１６の光電変換素子１６ｃの暗出
力信号１６ｓを減ずる。減算回路部２０ｈは、センサ部
１４の光電変換素子１４ｃのシェーディング信号１４ｓ
から光電変換素子１４ｃに対応するセンサ部１６の光電
変換素子１６ｃの暗出力信号１６ｓを減ずる。このよう
にして、それぞれの信号の暗出力補正をする。次に、出
力回路部２２は、暗出力補正がされた、光電変換素子１
２ｃの画信号１２ｔと、光電変換素子１２ｃに対応する
光電変換素子１４ｃのシェーディング信号１４ｓとの比
をとることにより、シェーディング補正をする。このよ
うに、暗出力補正及びシェーディング補正がされた画信
号１２ｕが得られ、画信号の読み取りと同時に暗出力補
正及びシェーディング補正を実現できる。
変換素子１２ｃの画信号１２ｓから、光電変換素子１２
ｃに対応するセンサ部１６の光電変換素子１６ｃの暗出
力信号１６ｓを減ずる。減算回路部２０ｈは、センサ部
１４の光電変換素子１４ｃのシェーディング信号１４ｓ
から光電変換素子１４ｃに対応するセンサ部１６の光電
変換素子１６ｃの暗出力信号１６ｓを減ずる。このよう
にして、それぞれの信号の暗出力補正をする。次に、出
力回路部２２は、暗出力補正がされた、光電変換素子１
２ｃの画信号１２ｔと、光電変換素子１２ｃに対応する
光電変換素子１４ｃのシェーディング信号１４ｓとの比
をとることにより、シェーディング補正をする。このよ
うに、暗出力補正及びシェーディング補正がされた画信
号１２ｕが得られ、画信号の読み取りと同時に暗出力補
正及びシェーディング補正を実現できる。
【００２８】なお、基板１８の一方の面１８ｅ側に光源
を設けた構成にしてもよい。この場合、基板１８はセラ
ミックス等の透光性のない素材でもよい。また、光源
は、ＬＥＤに限定するものではなく、冷陰極管等にして
もよい。光電変換素子１２ｃ，・・は、光導電型等の動
作原理を用いたものとしてもよく、くし形電極等を用い
た形状としてもよい。
を設けた構成にしてもよい。この場合、基板１８はセラ
ミックス等の透光性のない素材でもよい。また、光源
は、ＬＥＤに限定するものではなく、冷陰極管等にして
もよい。光電変換素子１２ｃ，・・は、光導電型等の動
作原理を用いたものとしてもよく、くし形電極等を用い
た形状としてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る密
着型イメージセンサによれば、次の効果を奏する。
着型イメージセンサによれば、次の効果を奏する。
【００３０】(1) シェーディング補正について 第１のセンサ部に近接して設けられると共に第１のセン
サ部とほぼ同じ光電特性を有する第２のセンサ部に、光
源からの光が常に照射するようにしたので、シェーディ
ングの経時変化及び環境温度による変化にも自動的に追
従して補正することができ、正確な画信号を何の手間も
要せずに得ることができる。また、いままで使用できな
かったシェーディングの変化の大きい光源も使用するこ
とができ、製造コストを低減できる。さらに、照度バラ
ツキを検出するための白基準、及び白基準を読み取るた
めの複雑なメカ部分を不要にできると共に、白基準の経
時汚れによるシェーディング補正の乱れも解決できる。
このような効果は、以下の暗出力補正を併用することに
より、より一層高めることができる。
サ部とほぼ同じ光電特性を有する第２のセンサ部に、光
源からの光が常に照射するようにしたので、シェーディ
ングの経時変化及び環境温度による変化にも自動的に追
従して補正することができ、正確な画信号を何の手間も
要せずに得ることができる。また、いままで使用できな
かったシェーディングの変化の大きい光源も使用するこ
とができ、製造コストを低減できる。さらに、照度バラ
ツキを検出するための白基準、及び白基準を読み取るた
めの複雑なメカ部分を不要にできると共に、白基準の経
時汚れによるシェーディング補正の乱れも解決できる。
このような効果は、以下の暗出力補正を併用することに
より、より一層高めることができる。
【００３１】(2) 暗出力補正について 第１のセンサ部に近接して設けられると共に第１のセン
サ部とほぼ同じ光電特性を有する第３のセンサ部を、常
に遮光するようにしたので、暗出力の経時変化及び環境
温度による変化にも自動的に追従して補正することがで
き、正確な画信号を何の手間も要せずに得ることができ
る。また、光電変換素子を完全に遮光して暗出力を検出
する構造にしたので、外来光の影響を受けず、正確な暗
出力補正ができる。さらに、上記のシェーディング補正
と併用することにより、シェーディング補正をより一層
正確にできる。
サ部とほぼ同じ光電特性を有する第３のセンサ部を、常
に遮光するようにしたので、暗出力の経時変化及び環境
温度による変化にも自動的に追従して補正することがで
き、正確な画信号を何の手間も要せずに得ることができ
る。また、光電変換素子を完全に遮光して暗出力を検出
する構造にしたので、外来光の影響を受けず、正確な暗
出力補正ができる。さらに、上記のシェーディング補正
と併用することにより、シェーディング補正をより一層
正確にできる。
【図１】本発明の一実施例の断面概略図及びブロック図
である。
である。
【図２】図１の平面図及びブロック図である。
【図３】図１の要部拡大断面図である。
【図４】従来例の断面概略図である。
【図５】従来例のブロック図である。
【図６】従来例のブロック図である。
１０ 密着型イメージセンサ １２ 第１のセンサ部 １４ 第２のセンサ部 １６ 第３のセンサ部 １２ｃ，１４ｃ，１６ｃ 光電変換素子 １２ｄ，１４ｄ，１６ｄ アモルファスシリコン（光電
変換層） １８ 基板 ２０ｇ 第１の減算回路部 ２０ｈ 第２の減算回路部 ２２ 出力回路部 ８４ 原稿面 ８６ ＬＥＤ（光源）
変換層） １８ 基板 ２０ｇ 第１の減算回路部 ２０ｈ 第２の減算回路部 ２２ 出力回路部 ８４ 原稿面 ８６ ＬＥＤ（光源）
Claims (5)
- 【請求項１】 原稿面に光を照射する光源と、前記原稿
面からの反射光を受光して電気的信号に変換する光電変
換素子が一列に多数設けられて成る第１のセンサ部と、
前記光源からの光を直接受光して電気的信号に変換する
光電変換素子が一列に多数設けられて成る第２のセンサ
部と、前記各センサ部を平行かつ近接させて一方の面に
設けると共に前記各センサ部の光電変換素子の少なくと
も光電変換層を同時に形成した基板と、 前記第１及び第２のセンサ部の出力信号の比をとって出
力する出力回路部とを備えたことを特徴とする密着型イ
メージセンサ。 - 【請求項２】 原稿面に光を照射する光源と、前記原稿
面からの反射光を受光して電気的信号に変換する光電変
換素子が一列に多数設けられて成る第１のセンサ部と、
遮光状態を電気的信号に変換する遮光された光電変換素
子が一列に多数設けられて成る第３のセンサ部と、前記
各センサ部を平行かつ近接させて一方の面に設けると共
に前記各センサ部の光電変換素子の少なくとも光電変換
層を同時に形成した基板と、 前記第１及び第３のセンサ部からの信号の差分を出力す
る第１の減算回路部とを備えたことを特徴とする密着型
イメージセンサ。 - 【請求項３】 原稿面に光を照射する光源と、前記原稿
面からの反射光を受光して電気的信号に変換する光電変
換素子が一列に多数設けられて成る第１のセンサ部と、
前記光源からの光を直接受光して電気的信号に変換する
光電変換素子が一列に多数設けられて成る第２のセンサ
部と、遮光状態を電気的信号に変換する遮光された光電
変換素子が一列に多数設けられて成る第３のセンサ部
と、前記各センサ部を平行かつ近接させて一方の面に設
けると共に前記各センサ部の光電変換素子の少なくとも
光電変換層を同時に形成した基板と、 前記第１及び第３のセンサ部からの信号の差分を出力す
る第１の減算回路部と、前記第２及び第３のセンサ部か
らの信号の差分を出力する第２の減算回路部と、前記第
１及び第２の減算回路部の出力信号の比をとって出力す
る出力回路部とを備えたことを特徴とする密着型イメー
ジセンサ。 - 【請求項４】 前記基板が透光性を有し、この基板の他
方の面側に前記光源を設けたことを特徴とする請求項
１，２又は３記載の密着型イメージセンサ。 - 【請求項５】 前記光源を前記基板の一方の面側に設け
たことを特徴とする特許請求範囲１，２又は３記載の密
着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208825A JPH0746381A (ja) | 1993-07-31 | 1993-07-31 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208825A JPH0746381A (ja) | 1993-07-31 | 1993-07-31 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0746381A true JPH0746381A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16562740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5208825A Pending JPH0746381A (ja) | 1993-07-31 | 1993-07-31 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002516045A (ja) * | 1996-11-08 | 2002-05-28 | ナショナル・コンピューター・システムズ・インコーポレーテッド | 較正画素出力を伴う光走査 |
| JP2006303729A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
| JP2007124144A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | デジタル撮像装置，画像読み取り装置および画像形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03139957A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPH04154259A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Nec Corp | 完全密着型イメージセンサ |
-
1993
- 1993-07-31 JP JP5208825A patent/JPH0746381A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03139957A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPH04154259A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Nec Corp | 完全密着型イメージセンサ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002516045A (ja) * | 1996-11-08 | 2002-05-28 | ナショナル・コンピューター・システムズ・インコーポレーテッド | 較正画素出力を伴う光走査 |
| JP2006303729A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
| JP2007124144A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Ricoh Co Ltd | デジタル撮像装置，画像読み取り装置および画像形成装置 |
| JP4656648B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2011-03-23 | 株式会社リコー | デジタル撮像装置，画像読み取り装置および画像形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970415 |