JPH0746201B2 - ピンボケ画像検出装置および写真焼付装置 - Google Patents

ピンボケ画像検出装置および写真焼付装置

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JPH0746201B2
JPH0746201B2 JP61289865A JP28986586A JPH0746201B2 JP H0746201 B2 JPH0746201 B2 JP H0746201B2 JP 61289865 A JP61289865 A JP 61289865A JP 28986586 A JP28986586 A JP 28986586A JP H0746201 B2 JPH0746201 B2 JP H0746201B2
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/72Controlling or varying light intensity, spectral composition, or exposure time in photographic printing apparatus
    • G03B27/80Controlling or varying light intensity, spectral composition, or exposure time in photographic printing apparatus in dependence upon automatic analysis of the original

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) この発明は、写真フイルム上に記録されている画像がピ
ンボケ画像であるかどうかを検出するピンボケ画像検出
装置およびこれを用いた写真焼付装置に関する。
(発明の技術的背景とその問題点) 写真フイルムの焼付に際しては、撮影時の焦点調節が不
適当であったために画像がボケているいわゆるピンボケ
画像を焼付けないようにする必要がある。ここに、ピン
ボケ画像の検出方法として、従来より種々の方法が提案
されている。その1つとして、画像のフーリエ変換を用
いてそのスペクトル成分が予め定めた周波数領域以下か
否かを調べ、これにより画像のボケを判別する方法があ
る。しかしながら、かかる方法においては、光学的なフ
ーリエ変換を行なう場合には精度が高く、かつ複雑で高
価なシステムが必要になるといった欠点がある。電気的
なフーリエ変換を行なう場合には、通常の写真プリンタ
のプリント速度に合う高速のフーリエ変換素子が存在し
ていない等の問題がある。また、別の検出方法として
は、写真フイルムを線状に走査し、高帯域幅での最大濃
度勾配と、高い空間周波数領域を取り除くことにより不
鮮明にされた画像内容の最大濃度勾配とを求め、これら
2つの最大濃度勾配の商を算出し、この商がスレッショ
ルド値よりも大きいか否かによって画像のボケを検出す
る方法(たとえば特開昭53-70428号)がある。しかし、
この方法は測定点数が多くなり高速処理が困難であるこ
と、濃度勾配の測定が走査方向に依存し、2次元的な濃
度勾配を求めるのが困難であること、また濃度勾配の最
大値を求める回路と、2つの濃度勾配の商を求める回路
とを必要とし、装置が複雑になるといった欠点を有して
いる。
このようなピンボケ画像の検出に当っては、従来第11図
に示すように、ネガ画面200に対して2つの測光系を用
いて走査領域201を同期させ、領域201内に小画素202の
サンプリング位置と同心状の大画素203のサンプリング
位置を設定している。そして、小画素202と大画素203は
いわゆるボケマスクを形成しており、ネガ画面200の同
一サンプリング点を大小2種類のスポットサイズで測光
するようになっている。第12図は一般的な装置構成例を
示しており、光源210から放出された光はコンデンサレ
ンズ211を通り、矢線方向に移動する写真フイルム220に
到達する。この写真フイルム220上には画像が記録され
ており、光源210からの光によって照明される。写真フ
イルム220を透過した光は、ハーフミラー212により透過
光と反射光とに2分割され、ハーフミラー212を透過し
た光はレンズ213,ミラー214,スリット215を経て光電子
増倍管216に入射し、電気信号に変換される。レンズ213
はスリット215の開口を写真フイルム220上に結像させる
ように配置されている。
一方、ハーフミラー212で反射された光はレンズ217及び
スリット218を通り、光電子増倍管219に入射する。この
スリット218はスリット215よりもその開口が大きくなっ
ている。例えばスリット215の開口を1mm角、スリット21
8の開口を10mm角とし、レンズ213及び217の倍率を1/10
とすれば、写真フイルム220上での測光面積はそれぞれ
0.1mm角と1mm角となる。
光電子増倍管216及び219の出力信号は、濃度値で演算す
る場合には対数変換回路を経て、また透過率で演算する
場合はそのまま差動増幅器221に送られ、ここで両信号
の差ΔDが算出される。この差動増幅器221の出力信号
は、ある適当な幅ごとに寄せ集めて積算して度数分布を
算出する回路222に入力される。積算回路223は−0.15≦
ΔD≦0.15内にあるものを積算し、積算回路224はΔD
<−0.15及び0.15<ΔDにあるものを積算する。この領
域分割されて積算された累積度数は比較回路225に送ら
れ、ここで例えばその比が算出され、かつその比は一定
値kよりも大きいかどうかについて判定される。そし
て、比が一定値kよりも大きい時は鮮明画像であること
を示す信号が出力され、小さいときにはピンボケ画像で
あることを示す信号が出力される。
以上のように、従来のピンボケ画像検出装置はスリット
開口が異なる2つの測光系を有しているので、大スポッ
ト及び小スポットのサンプリング位置を同期させる必要
があり、装置が複雑かつ大型になってしまう。また、従
来のピンボケ画像検出装置は単能機であり、写真焼付の
ための画像測光や画像コマ位置の検出をするセンサは、
更に別のものを用意していた。
(発明の目的) この発明は上述のような事情からなされたものであり、
この発明の目的は、スリット開口の異なる複数の測光系
を用いることなくピンボケ画像を正確に検出できるピン
ボケ画像検出装置、合せて画像情報の位置検出やコマ画
像の位置検出が可能な写真焼付装置を提供することにあ
る。
(発明の概要) この発明のピンボケ画像検出装置は、 写真フイルムに記録されている画像の透過光又は反射光
を多数の整列画素に分割して受光するイメージセンサ
と、 このイメージセンサの検出データを、複数画素からなる
大画素と、この大画素内に存在する少なくとも1つ以上
の画素数からなる小画素とを単位としてグループ化する
グループ画素形成手段と、 前記各グループ画素の大画素と小画素の画像との画像の
エッジの強さを示す濃度差ΔDのうち最大のものからn
番目(全画素数をm個とした時、nは1〜m/2のうち任
意の数)の濃度差ΔDmax.nと、各グループ画素の大画素
又は小画素に各隣接するそれぞれ大画素又は小画素との
画像のコントラストを示す濃度の総和DBを、それぞれ変
数とした2次元平面上で、ピントの合った画面領域とピ
ンボケ画面領域とから予めピンボケ分布線を求め、ピン
ボケ分布線と所要ネガのΔDmax.nとDBとにより所要ネガ
がピンボケか否かを判断するピンボケ検出手段と、 を具えたものである。
又、上記ピンボケ画像検出装置を備える写真焼付装置
は、 前記グループ画素形成手段で形成された大画素の各濃度
値データにより写真焼付露光量を演算する手段を備えて
いるものである。
(発明の実施例) この発明では第1図に示すように、ネガフイルム2の近
傍に、たとえばCCDで成る面走査式の2次元イメージセ
ンサ11と、ネガフイルム2の測定コマのほぼ中心部を結
像するためのレンズ系12と、駆動回路34,読取装置32,メ
モリ33等がユニット化されたIC等で成る処理回路を具備
した基板13とを有する画像情報検出装置10を配設し、ネ
ガフイルム2の画面全体を多数の整列画素に分割して画
像情報を検出する。すなわち、駆動回路34からイメージ
センサ11に所定の駆動信号を与えることにより、2次元
イメージセンサ11は焼付部に置かれているネガフイルム
2の透過光をレンズ系21を介して受光するので、2次元
イメージセンサ11はたとえば第2図(A)に示すように
ネガフイルム2の全体を整列された多数の小さな画素21
に分割して、走査線SLに従って順番にネガフイルム2の
画面全体を走査することができる。そして、画面全体の
走査終了後にイメージセンサ11の出力レジスタ部から画
像信号を順次出力し、この画像信号を取回路32内のたと
えばサンプルホールド回路でサンプルホールドして、そ
のホールド値をAD変換器でディジタル信号に変換する。
AD変換器からのディジタル信号は対数変換回路で対数変
換されて濃度信号として求められ、この濃度信号が書込
制御回路の制御によって、メモリ33に第2図(B)に示
すような画素21に対応する配列で、かつネガフイルム2
の濃度ディジタル値(又は対数変換回路を通さない真数
ディジタル値)で格納されることになる。なお、第1図
の写真焼付装置の概要を説明すると、ネガ搬送装置50で
焼付部に送られて来たネガフイルム2は、イエロー
(Y),マゼンタ(M)及びシアン(C)の各3補色フ
ィルタ3を通して光源4で照明され、ネガフイルム2か
らの透過光はレンズ系5及びブラックシャッタ6を経て
写真印画紙7に達するようになっている。写真印画紙7
はフィードローラ7Aに巻回されており、ネガフイルム2
の搬送及び停止と同期してローラ7Bに巻取られるように
なっており、ネガフイルム2のレンズ系5側近傍には、
赤(R),緑(G)及び青(B)の3原色の画像濃度情
報を検出するためのフォトダイオード等の光センサ8が
配設されており、この光センサ8の検出信号によって写
真焼付を行なうようになっている。
上述の如くしてイメージセンサ11の検出画素に対応して
メモリ33に記憶されたデータに対して、この発明では第
3図に示すように、3×3の9画素データの積分平均値
を1グループとして前述の大画素100,110,120……を形
成し、各大画素の中心画素を小画素101,111,121,……と
してピンボケ検出用のボケマスクを形成する。なお、大
画素及び小画素の画素数は共に任意で良く、小画素は必
らずしも大画素の中心でなくても良く、大画素内に存在
していれば十分である。このようにしてイメージセンサ
の検出データを複数画素の大画素と、この大画素内の1
もしくはそれ以上の画素数で成る画素の小画素とにグル
ープ化することにより、第11図で述べたような大画素及
び小画素をスリット開口の異なる2つの測光系を用いる
ことなく形成することができる。大画素又は小画素の濃
度値は、たとえばCPU等を用いてソフト的に、各画素の
アドレス番号から対応したグループ番号をテーブル参照
して濃度値をグループ単位で積分し、その積分値を平均
化することにより求めることによって、簡単に得られ
る。
次に、大画素及び小画素のボケマスクを形成し、濃度値
を求めた後のピンボケ検出例について概略説明する。
第4図(A)〜(D)は鮮明な画像の濃度測定を示すも
のであるが、鮮明な画像のエッジ像は濃度勾配が大きい
から同図(A)のような濃度勾配になっている。このオ
リジナル画像を測定面積の異なる領域で測定すれば、測
定面積の小さい領域の濃度は第4図(B)のようにな
り、大きい領域の濃度は同図(C)のように勾配が緩や
かな曲線となる。
このように、測定面積の異なる領域の濃度の差を求めら
れば、第4図(D)に示すような曲線となる。一般に鮮
明な画像では2つの測定濃度の差が大きいので、曲線の
振幅が大きな値になっている。そして、この濃度差をサ
ンプリングして所望の濃度幅毎に区分した領域に存在し
ている個数を調べ、濃度差を横軸にとって個数を縦軸に
とった度数分布曲線を求めると、第5図の特性曲線Iの
ようになる。
一方、第6図(A)〜(D)は第4図と同じ被写体のピ
ンボケ画像の測定を示すものであるが、ピンボケ画像は
そのエッジ部分で濃度変化が緩やかであるから同図
(A)のようになっている。このエッジ画像を測定面積
の異なる2つの領域で測定すれば、第6図(B),
(C)のようにいずれも緩やかな曲線となるので、その
差は小さく同図(D)のようになる。上述と同様に、こ
の測定濃度の差をサンプリングして度数分布曲線を求め
れば、第5図の特性曲線IIのようになる。この第5図の
特性曲線I,IIから明かなように、鮮明な画像とピンボケ
画像とでは度数分布曲線に顕著な差異があり、従ってこ
の差異が明瞭になる特性値を用いれば、この特性値から
ピンボケ画像を検知できることになる。
ここで第3図に示す小画素(101,111,121…)のi列,j
行の測定濃度をDLijとし、大画素(100,110,120…)の
i列,j行の測定濃度をDLijとし、各画素についてその差
ΔDij ΔDij=|DLij−DSij| ……(1) を求める。そして、全画素(たとえばm個)に対する差
ΔDijのうち最大のものからn番目(nは1〜m/2のうち
の任意の数)の値Dmax・nを第7図の如く縦軸にとる。そ
して、第11図に示される小画素202又は大画素203の各隣
接するサンプリング点(縦,横)の濃度差の絶対値DB
を、次式に従って求める。
又は しかして、上記(2)式又は(3)式で求めた値DBを第
7図に示す如く横軸に目盛ると、濃度差ΔDijとの関係
からピントの合った画面の領域は同図のAFのように分布
し、ピンボケ画面の領域が同図NFのように分布する。こ
れは、値DBが画像の局部的なコントラストの総計を示し
てコントラストが大きい場合にはその値DBも大きくな
り、濃度差ΔDijが絵柄のエッジの強さを示しているか
らである。したがって、ピントの合った画面領域AFとピ
ンボケ画面領域NFとからピンボケ分布線50を予め求めて
おくことができ、所要ネガのΔDmax.nとDBとによる特性
ポイントPを第7図にあてはめることによって直ちにか
つ容易に、当該ネガがピンボケか否かを判別することが
できる。なお、同一の絵柄についてピンボケ量を増加さ
せると、第7図の特性曲線IIIのようになる。つまり、
点P1ではピントが合っており、点P2でピンボケの境界と
なり、点P3及びP4では完全なピンボケとなっている。
このようなイメージセンサによるピンボケ検出装置300
のブロック構成は第8図のようになる。すなわち、イメ
ージセンサ11は駆動回路34によって駆動され、写真フイ
ルムからの透過光又は反射光を受光して読取回路32を介
して光電的に読取る。読取られた画像データはディジタ
ル化されてメモリ33に第2図(B)の如く記憶される。
メモリ33に記憶された濃度データは読出回路35で読出さ
れると共に、グループ化回路36で前述した大画素及び小
画素202のグループ画素に整理され、大画素及び小画素
の各濃度値データがピンボケ検出回路30に入力される。
ピンボケ検出回路30は前述のような手法でネガフイルム
のピンボケを判定し、判定結果DRを出力する。判定結果
DRはメモリ31に記憶され、写真焼付の時にはその記憶さ
れた情報に基づいて、ピンボケ写真は焼付しないように
する。なお、ここではメモリ33に一旦検出データの全て
を記憶しておき、読出時に小画素101,111,121,…と大画
素100,110,120,…とにグループ化しているが、イメージ
センサ11の検出データを記憶することなく直接グループ
化することも可能である。
ところで、上述した画像情報検出装置10のイメージセン
サ11は、第2図(B)に示すようにネガフイルムのコマ
画像の全体データを検出して、画像分割した状態でメモ
リ33に記憶するので、これらデータを写真焼付のための
露光制御やコマ画像の検出停止の制御にも併せ利用する
ことができる。
写真焼付装置では焼付露光量もしくは補正量を決定する
ためにネガフイルムの濃度を計測しなければならない
が、従来は焼付光学系の光路近辺に配設されたフォトダ
イオード等の光センサ8によって、ネガフイルムの平均
濃度をLATD(Large Area Transmittance Density)測光
するようにしている。このLATDによる画像検出はネガフ
イルムを平均的に測光するものであり、ネガフイルムの
画像濃度を正確にかつ画面全体にわたって測定するもの
ではないため、焼付露光もしくは補正が確実でないとい
った欠点があった。イメージセンサの走査測光によって
メモリ33には、ネガフイルム2の画素毎のディジタル値
あるいは3原色に関する画素毎の濃度値が格納されてい
るので、ネガフイルム2の画素毎にディジタル値をメモ
リ33から読出して利用することができる。したがって、
3原色のRGB毎に第2図(B)に示すような濃度値を求
めて記憶しておけば、記憶値を読出して演算等の処理を
行なうことになり、従来と同様な写真焼付露光量の決定
もしくは補正量として用いることができる。なお、演算
に用いる画像情報は、一般にネガフイルム2上で1mm単
位の比較的粗い分解能の画素データで充分なので、前述
のグループ化回路36でグループ化された大画素の各濃度
値データを使うとよい。この場合、露光量演算回路37で
の演算時間が短縮され、処理が効率化される。
写真焼付においては、ネガ画面を分割して画像情報を
得、得られた各分割画像情報から当該シーンに適当な露
光量を求める。すなわち、画面の平均透過濃度をDa,分
割画面中の最高濃度をDmax,最低濃度をDminとしたと
き、たとえば135Fサイズのフイルムの露光量X1は X1=a1・Da+b1・Dmax+c1・Dmin+d1 ……(4) で表わされ、110サイズのフイルムの露光量X2は X2=a2・Da+b2・Dmax+c2・Dmin+d2 ……(5) で表わされる。このようにして求められた露光量Xに対
してフイルムサイズ毎に、 Xs=Ki+Kj・X ……(6) のような修正式Xsを用意しておけば、サイズに対応して
正しく修正された露光量Xsでネガフイルム2の焼付を行
なうことができる。ここに、係数Ki,Kjはフイルムサイ
ズによって実験等で定められているものである。
第9図は画像コマの検出停止方法の一例を示すフローチ
ャートであり、焼付けるべきネガフイルム2のサイズに
応じた大きさのネガマスク41を焼付部の所定位置に装填
し(ステップS1)、ネガマスク41の開口部のサイズをイ
メージセンサ11で計測する(ステップS2)。なお、この
サイズ計測は目視によって入力しても良い。このサイズ
計測情報に従ってネガフイルム2の搬送量を設定した
り、画素列40の選択抽出を自動的に行ない、更には焼付
露光量やその修正量を制御したりする。
次に、焼付けるべきネガフイルム2をネガフイルム先端
部の空撮りコマがネガマスク41の開口部とほぼ対応する
位置に装填し(ステップS3)、ネガフイルム2の先端部
がネガドライブローラに装填されると、モータを駆動し
てネガフイルム2をコマ間隔Dの半分D/2弱だけ高速搬
送し(ステップS4)、その後に一時停止し(ステップS
5)、その間イメージセンサ11によって画像情報の検出
を行ない、画像毎のデータを得る。ネガフイルム2に撮
影されている画像コマとコマ間の未撮影領域とでは一般
的に濃度値に顕著な差があるので、濃度値が一定以上
で、なおかつ濃度値の横方向に急峻な変化部分で縦方向
(ネガフイルム2の搬送方向と垂直方向)に一定変化範
囲内の領域を、イメージセンサ11の画素列40(第2図
(A)参照)で探すことによって、画像コマとコマ間の
未撮影領域のエッジを検出することができる。第10図は
この様子を示すものであり、ネガフイルム2はネガマス
ク41の焼付部にN方向に搬送され、画像情報検出装置10
の画素列40でコマ間の未撮影領域RBのエッジを検出して
いる。そして、イメージセンサ11の画素列40はネガマス
ク41の中央部に来るようになっている。
かかる画像コマ2Aとコマ間の未撮影領域RBのエッジが検
出された場合には、中央の基準画素列に対して実際に上
記エッジが検出された画素列に対する補正量αを加算
(+α)又は減算(−α)し、上記サイズ計測(ステッ
プS2)で求められたサイズ情報から当該コマを焼付部に
位置決めするまでの距離D/2だけ搬送し(ステップS6,S
7,S8)、その後に停止する(ステップS9)。この場合、
ネガマスク41の中央部に位置している画像コマ2Aとコマ
間の未撮影領域RBのエッジから当該コマの焼付部までの
距離は、コマサイズが分れば計算により予め求めること
ができ、第10図の状態から(D/2+α)又は(D/2−α)
だけ搬送すれば結局焼付部に正確に位置決めされた状態
でネガフイルム2は、トータルの送り量D+α又はD−
αで停止することになる。なお、ネガフイルム2の最初
のコマは空撮りと区別がつきにくい場合も多いので、最
初の1コマを手動で位置決めするようにしても良い。こ
の場合は第9図フローのステップS3の後、ステップS9か
ら開始される。また、画像情報検出装置10の画素列40で
上記エッジが検出されない場合は、例えばコマ間隔Dの
定量送りを行なう(ステップS13)。
このようなネガフイルム2の搬送・停止の後、当該停止
コマが焼付に適するか否かを判断し(ステップS10)、
焼付に適さない場合にはステップS12にスキップし、焼
付に適する場合には当該停止コマの焼付を決定された露
光量及び補正量で行ない(ステップS11)、当該コマの
焼付終了後に次の画像コマを焼付部に搬送して焼付ける
ため、ネガフイルム2がまだ有るか否かを判断して、上
記ステップS2で求められたサイズ情報に従ってネガフイ
ルム2をコマ間隔の1/2だけ高速に搬送する(ステップS
12,S4)。なお、ネガフイルム2の有無の判断(ステッ
プS12)は、ネガフイルム2がネガマスク41上から無く
なれば、開口部の画像情報が全て“0"(又はこれに近い
値)になることで検出することができる。また、停止コ
マが焼付に適するか否かの判断(ステップS10)は、第
2図(B)の画像情報の全てが一定の値以上(極端なオ
ーバー露光ネガに相当)、又は一定の値以下(極端なア
ンダー露光ネガに相当)、あるいは一定の値以内(極端
な低コントラストネガに相当)になることで検出するこ
とができる。さらに、前述のピンボケ検出回路30の判定
結果DRを用いて、ピンボケ写真を焼付しないようにする
ことが可能である。以下、上述した搬送及び停止を繰返
すことにより、順次各画像コマの焼付を自動的に行なう
ことができる。そして、ステップS12でネガフイルム2
が無くなった時、ネガドライブローラの空転を自動停止
して終了する。
なお、2次元イメージセンサの画素列は中央部に限定さ
れるものではない。また、1次元イメージセンサで画像
情報を検出する場合は、副走査をネガ送りと同期させ、
主走査を1次元イメージセンサで行なえば良い。
さらに、画素分解能が十分にある場合、小測光スポット
も大測光スポットと同様に、イメージセンサで検出され
た画像情報信号(画素信号を合成処理してセル化した画
素を形成してもよい。
(発明の効果) 以上のようにこの発明のピンボケ画像検出装置によれ
ば、1つの測光系によって写真フイルムのピンボケを正
確に検出できると共に、露光制御やコマ画像の検出停止
をも併せて制御することができる。したがって、装置が
簡易,低コスト化を図れると共に、より正確な検出,制
御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のイメージセンサによる画像情報検出
装置の取付例を示す構成図、第2図(A)はイメージセ
ンサの走査を説明するための図、同図(B)はメモリの
データ格納例を示す図、第3図はこの発明の原理を説明
するための図、第4図〜第7図のピンボケ検出の原理を
説明するための図、第8図はこの発明の一実施例を示す
ブロック構成図、第9図はコマ画像の検出停止の制御例
を示すフローチャート、第10図はその動作を説明するた
めの図、第11図はピンボケ検出の原理を説明するための
図、第12図は従来のピンボケ検出装置の一例を示すブロ
ック構成図である。 2……ネガフイルム、3……調光フィルタ、7……写真
印画紙、10……画像情報検出装置、11……2次元イメー
ジセンサ、30……ピンボケ検出回路、31,33……メモ
リ、32……読取回路。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】写真フイルムに記録されている画像の透過
    光又は反射光を多数の整列画素に分割して受光するイメ
    ージセンサと、 このイメージセンサの検出データを、複数画素からなる
    大画素と、この大画素内に存在する少なくとも1つ以上
    の画素数からなる小画素とを単位としてグループ化する
    グループ画素形成手段と、 前記各グループ画素の大画素と小画素の画像との画像の
    エッジの強さを示す濃度差ΔDのうち最大のものからn
    番目(全画素数をm個とした時、nは1〜m/2のうち任
    意の数)の濃度差ΔDmax.nと、各グループ画素の大画素
    又は小画素に各隣接するそれぞれ大画素又は小画素との
    画像のコントラストを示す濃度差の総和DBを、それぞれ
    変数とした2次元平面上で、ピントの合った画面領域と
    ピンボケ画面領域とから予めピンボケ分布線を求め、ピ
    ンボケ分布線と所要ネガのΔDmax.nとDBとにより所要ネ
    ガがピンボケか否かを判断するピンボケ検出手段と、 を備えたことを特徴とするピンボケ画像検出装置。
  2. 【請求項2】前記イメージセンサが、写真フイルム焼付
    のための露光量測定のセンサを兼用している特許請求の
    範囲第1項に記載のピンボケ画像検出装置。
  3. 【請求項3】前記イメージセンサが、写真フイルム焼付
    のための画像コマの検出停止用センサを兼用している特
    許請求の範囲第1項に記載のピンボケ画像検出装置。
  4. 【請求項4】前記イメージセンサが2次元イメージセン
    サである特許請求の範囲第1項から第3項のいずれかに
    記載のピンボケ画像検出装置。
  5. 【請求項5】写真フイルムに記録されている画像の透過
    光又は反射光を多数の整列画素に分割して受光するイメ
    ージセンサと、 このイメージセンサの検出データを、複数画素からなる
    大画素と、この大画素内に存在する少なくとも1つ以上
    の画素数からなる小画素とを単位としてグループ化する
    グループ画素形成手段と、 前記各グループ画素の大画素と小画素の画像との画像の
    エッジの強さを示す濃度差ΔDのうち最大のものからn
    番目(全画素数をm個とした時、nは1〜m/2のうち任
    意の数)の濃度差ΔDmax.nと、各グループ画素の大画素
    又は小画素に各隣接するそれぞれ大画素又は小画素との
    画像のコントラストを示す濃度差の総和DBを、それぞれ
    変数とした2次元平面上で、ピントの合った画面領域と
    ピンボケ画面領域とから予めピンボケ分布線を求め、ピ
    ンボケ分布線と所要ネガのΔDmax.nとDBとにより所要ネ
    ガがピンボケか否かを判断するピンボケ検出手段と、 前記グループ画素形成手段で形成された大画素の各濃度
    値データにより写真焼付露光量を演算する手段と、 を備えたことを特徴とする写真焼付装置。
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