JPH0745552A - 酸化物半導体への電極形成方法 - Google Patents
酸化物半導体への電極形成方法Info
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- JPH0745552A JPH0745552A JP18787393A JP18787393A JPH0745552A JP H0745552 A JPH0745552 A JP H0745552A JP 18787393 A JP18787393 A JP 18787393A JP 18787393 A JP18787393 A JP 18787393A JP H0745552 A JPH0745552 A JP H0745552A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ｎ型酸化物半導体の表面に低抵抗で接触し、し
かも高温で安定な電極を形成する方法を提供する。 【構成】ｎ型酸化物半導体の表面に電極を形成する方法
であって、半導体の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ，Ｍ
ｎ，ＢｉおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種からな
る第１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ばれる少
なくとも１種からなる貴金属層を順次積層するか、ある
いはその後、加熱して前記金属層と貴金属層を合金化す
ることを特徴とするものである。
かも高温で安定な電極を形成する方法を提供する。 【構成】ｎ型酸化物半導体の表面に電極を形成する方法
であって、半導体の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ，Ｍ
ｎ，ＢｉおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種からな
る第１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ばれる少
なくとも１種からなる貴金属層を順次積層するか、ある
いはその後、加熱して前記金属層と貴金属層を合金化す
ることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ｎ型酸化物半導体表面
に界面抵抗の低い電極を形成する方法に関するものであ
る。
に界面抵抗の低い電極を形成する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術】従来より、酸化物半導体の表面に金属電極
を被着形成し、バリスタやガスセンサ等の素子を作るこ
とが行われている。このような素子においては、電気的
特性の再現性と素子自体の安定性が非常に重要であり、
特に室温より高い温度で作動する必要がある素子では、
その電極材料として酸化しにくいＡｕ、Ｐｔなどの貴金
属が多用されている。
を被着形成し、バリスタやガスセンサ等の素子を作るこ
とが行われている。このような素子においては、電気的
特性の再現性と素子自体の安定性が非常に重要であり、
特に室温より高い温度で作動する必要がある素子では、
その電極材料として酸化しにくいＡｕ、Ｐｔなどの貴金
属が多用されている。
【０００３】このような酸化物半導体素子を作製する場
合には、酸化物半導体と金属電極の間のショットキーバ
リヤを利用する素子を除き、酸化物半導体に対して形成
される電極は、実質的には界面に抵抗が存在しないオー
ミック電極であることが必要である。また、素子の電気
的特性を評価する場合にも表面に形成する電極の界面抵
抗を極力低減することが必要である。
合には、酸化物半導体と金属電極の間のショットキーバ
リヤを利用する素子を除き、酸化物半導体に対して形成
される電極は、実質的には界面に抵抗が存在しないオー
ミック電極であることが必要である。また、素子の電気
的特性を評価する場合にも表面に形成する電極の界面抵
抗を極力低減することが必要である。
【０００４】また、酸化物半導体素子ではその使用温度
が必ずしも室温でなく、例えばガスセンサなどでは高温
で作動させるために電極としての耐酸化性に優れたもの
であることも要求される。
が必ずしも室温でなく、例えばガスセンサなどでは高温
で作動させるために電極としての耐酸化性に優れたもの
であることも要求される。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】そこで、Ａｕ、Ｐｔ
などを電極としてｐ型半導体表面に被着形成した場合に
は、界面抵抗が低くオーミックな接触となり、高温での
酸化に対しても耐久性を有するが、ｎ型半導体の場合に
はＡｕ、Ｐｔなどを電極として場合には、ｎ型酸化物半
導体との界面が界面抵抗が高い、いわゆるショットキー
接触になり、低抵抗な接触が得られないという問題があ
った。
などを電極としてｐ型半導体表面に被着形成した場合に
は、界面抵抗が低くオーミックな接触となり、高温での
酸化に対しても耐久性を有するが、ｎ型半導体の場合に
はＡｕ、Ｐｔなどを電極として場合には、ｎ型酸化物半
導体との界面が界面抵抗が高い、いわゆるショットキー
接触になり、低抵抗な接触が得られないという問題があ
った。
【０００６】これに対して、電極内の半導体表面付近の
キャリア濃度が大きくなるように他の金属をドープした
り、半導体表面付近のキャリア濃度が増加するような電
極材料を用いる方法などがある。しかしながら、従来よ
り提案されるような電極を薄膜法などにより形成する場
合にその組成の制御などが非常に難しく、界面抵抗の小
さい電極を再現性よく安定して形成することができなか
った。
キャリア濃度が大きくなるように他の金属をドープした
り、半導体表面付近のキャリア濃度が増加するような電
極材料を用いる方法などがある。しかしながら、従来よ
り提案されるような電極を薄膜法などにより形成する場
合にその組成の制御などが非常に難しく、界面抵抗の小
さい電極を再現性よく安定して形成することができなか
った。
【０００７】よって、本発明は、ｎ型酸化物半導体の表
面に低抵抗で接触し、しかも高温で安定な電極を形成す
る方法を提供することを目的とするものである。
面に低抵抗で接触し、しかも高温で安定な電極を形成す
る方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者らによれば、
一般に使用されている貴金属からなる電極とｎ型酸化物
半導体との間に特定の仕事関数の低い金属層を介在させ
るか、あるいは貴金属と仕事関数の低い金属との合金に
より電極を形成することによりｎ型酸化物半導体に低抵
抗な接触の電極を設けることができることを見出した。
一般に使用されている貴金属からなる電極とｎ型酸化物
半導体との間に特定の仕事関数の低い金属層を介在させ
るか、あるいは貴金属と仕事関数の低い金属との合金に
より電極を形成することによりｎ型酸化物半導体に低抵
抗な接触の電極を設けることができることを見出した。
【０００９】即ち、本発明の酸化物半導体への電極形成
方法によれば、ｎ型酸化物半導体の表面に電極を形成す
る方法であって、該半導体の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｂｉ、Ｍｎ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なく
とも１種からなる金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから
選ばれる少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層す
るか、あるいはその後、加熱して前記金属層と貴金属層
を合金化することを特徴とするものである。
方法によれば、ｎ型酸化物半導体の表面に電極を形成す
る方法であって、該半導体の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｂｉ、Ｍｎ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なく
とも１種からなる金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから
選ばれる少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層す
るか、あるいはその後、加熱して前記金属層と貴金属層
を合金化することを特徴とするものである。
【００１０】以下、本発明を詳述する。本発明によれ
ば、ｎ型酸化物半導体としては、薄膜状あるいはバルク
体のいずれでもよいが、具体的には、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 、ＺｎＯ、ＷＯ3 、ＣｄＯなどが挙げられる。
ば、ｎ型酸化物半導体としては、薄膜状あるいはバルク
体のいずれでもよいが、具体的には、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 、ＺｎＯ、ＷＯ3 、ＣｄＯなどが挙げられる。
【００１１】本発明における１つの態様としは、半導体
表面に形成する電極をＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂｉ、
Ｍｎ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種から
なる第１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ばれる
少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層した構造か
ら構成する点にある。これらの電極は、金属粉末を含む
ペーストを塗布し焼き付ける方法や、スパッタ法、抵抗
蒸着法、ビーム蒸着法及びレーザアブレーション等、あ
るいはそれらの組み合わせで形成することができる。第
１金属層と貴金属層の形成する場合には、成膜時の雰囲
気と真空度を制御し元素の酸化を極力避けるように制御
する必要がある。
表面に形成する電極をＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂｉ、
Ｍｎ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種から
なる第１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ばれる
少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層した構造か
ら構成する点にある。これらの電極は、金属粉末を含む
ペーストを塗布し焼き付ける方法や、スパッタ法、抵抗
蒸着法、ビーム蒸着法及びレーザアブレーション等、あ
るいはそれらの組み合わせで形成することができる。第
１金属層と貴金属層の形成する場合には、成膜時の雰囲
気と真空度を制御し元素の酸化を極力避けるように制御
する必要がある。
【００１２】なお、第１金属層の厚みは、成膜の手段に
より膜厚が制御しやすい範囲に抑えてもよいが、均一性
を確保した上で膜厚は５０ｎｍ以下であることが望まし
く、貴金属層の膜厚は格別限定されるものでない。
より膜厚が制御しやすい範囲に抑えてもよいが、均一性
を確保した上で膜厚は５０ｎｍ以下であることが望まし
く、貴金属層の膜厚は格別限定されるものでない。
【００１３】また、本発明の他の態様としては、前記態
様と同様にしてＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｂｉ、
ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種からなる第
１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ばれる少なく
とも１種からなる貴金属層を順次積層した後に、これを
熱処理して第１金属層と貴金属層とを合金化する点にあ
る。合金化にあたっては用いる金属の共融温度以上に加
熱することにより合金化することができる。合金化処理
は、金属の酸化を防止するために、不活性雰囲気中で行
うことが望ましい。
様と同様にしてＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｂｉ、
ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種からなる第
１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ばれる少なく
とも１種からなる貴金属層を順次積層した後に、これを
熱処理して第１金属層と貴金属層とを合金化する点にあ
る。合金化にあたっては用いる金属の共融温度以上に加
熱することにより合金化することができる。合金化処理
は、金属の酸化を防止するために、不活性雰囲気中で行
うことが望ましい。
【００１４】
【作用】本発明の構成によれば、ｎ型酸化物半導体に対
してショットキー接触などの高抵抗接触にならずに、酸
化物半導体に低抵抗で場合によってはオーミック接触の
電極を形成することができる。
してショットキー接触などの高抵抗接触にならずに、酸
化物半導体に低抵抗で場合によってはオーミック接触の
電極を形成することができる。
【００１５】電気伝導性に優れ、しかも高温での耐酸化
性に優れた金属として、ＡｕやＰｔＰｄなどは好適であ
るが、ｎ型半導体との接触においては高抵抗である。本
発明によれば、この貴金属層とｎ型半導体との間に前記
第１金属層を介在させることにより第１金属層がバファ
ー層として作用し界面抵抗を低減することができる。
性に優れた金属として、ＡｕやＰｔＰｄなどは好適であ
るが、ｎ型半導体との接触においては高抵抗である。本
発明によれば、この貴金属層とｎ型半導体との間に前記
第１金属層を介在させることにより第１金属層がバファ
ー層として作用し界面抵抗を低減することができる。
【００１６】これは、第１金属層を構成する金属元素の
仕事関数値が４．０〜５．０ｅＶと低いためにｎ型半導
体の一般的電子親和力４ｅＶに近似していることによ
る。また、上記のような仕事関数が小さい金属は、上記
のように１つの層として存在する以外に貴金属層中に拡
散し合金化していてもよい。
仕事関数値が４．０〜５．０ｅＶと低いためにｎ型半導
体の一般的電子親和力４ｅＶに近似していることによ
る。また、上記のような仕事関数が小さい金属は、上記
のように１つの層として存在する以外に貴金属層中に拡
散し合金化していてもよい。
【００１７】本発明によれば、前述したような構成によ
り、ｎ型酸化物半導体に対して界面抵抗の小さい電極を
形成することができるために、ｎ型酸化物半導体を用い
たセンサなどの素子や電子部品において、界面抵抗の存
在による特性の不安定性を解消することができ、あるい
は各種素子の表面に電極を形成して電気的特性を測定す
る際にその測定精度を高めることができる。
り、ｎ型酸化物半導体に対して界面抵抗の小さい電極を
形成することができるために、ｎ型酸化物半導体を用い
たセンサなどの素子や電子部品において、界面抵抗の存
在による特性の不安定性を解消することができ、あるい
は各種素子の表面に電極を形成して電気的特性を測定す
る際にその測定精度を高めることができる。
【００１８】
実施例１ ＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 のゾルゲル薄膜を例にとって本発明
を説明する。サファイア基板上にゾルゲル法を用いて，
ＴｉＯ2 ：ＳｎＯ2 比が１：１のＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 薄
膜を形成し、それを乾燥した後１５００℃で１分間熱処
理し急冷することにより２００ｎｍの厚みのＴｉＯ2 −
ＳｎＯ2 の固溶体膜を得た。この固溶体薄膜の上に、ス
パッタ法を用いて１０ｎｍの厚さを有する面積１４ｍｍ
2 の櫛型Ｍｏ金属層を形成し、更に、スパッタ法により
Ｐｔを１００ｎｍの厚さの貴金属層を形成した。
を説明する。サファイア基板上にゾルゲル法を用いて，
ＴｉＯ2 ：ＳｎＯ2 比が１：１のＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 薄
膜を形成し、それを乾燥した後１５００℃で１分間熱処
理し急冷することにより２００ｎｍの厚みのＴｉＯ2 −
ＳｎＯ2 の固溶体膜を得た。この固溶体薄膜の上に、ス
パッタ法を用いて１０ｎｍの厚さを有する面積１４ｍｍ
2 の櫛型Ｍｏ金属層を形成し、更に、スパッタ法により
Ｐｔを１００ｎｍの厚さの貴金属層を形成した。
【００１９】次に、四端子法を用いて素子のＩ−Ｖ特性
を評価したところ、リニアな関係にあり、オーミックで
あることを確認した。また、室温で酸化物半導体膜と電
極間の界面抵抗値は９０．１ｋΩであり、比較としてＭ
ｏ層を形成せずに直接Ｐｔ層を形成した場合に比較して
界面抵抗は１／１０にまで減少した。
を評価したところ、リニアな関係にあり、オーミックで
あることを確認した。また、室温で酸化物半導体膜と電
極間の界面抵抗値は９０．１ｋΩであり、比較としてＭ
ｏ層を形成せずに直接Ｐｔ層を形成した場合に比較して
界面抵抗は１／１０にまで減少した。
【００２０】実施例２ 実施例１と同様にして第１金属層および貴金属層を表１
に示す金属を用いて実施例１と同様な膜厚と電極形状を
形成し、酸化物半導体膜と電極間の界面抵抗値を測定し
た。そして、第１金属層を形成せずに貴金属層を形成し
た場合に比較した抵抗値の低下率（％）（１−（第１金
属、貴金属を積層した時の抵抗／貴金属層のみの抵抗）
×１００を求めた。結果は表１に示した。
に示す金属を用いて実施例１と同様な膜厚と電極形状を
形成し、酸化物半導体膜と電極間の界面抵抗値を測定し
た。そして、第１金属層を形成せずに貴金属層を形成し
た場合に比較した抵抗値の低下率（％）（１−（第１金
属、貴金属を積層した時の抵抗／貴金属層のみの抵抗）
×１００を求めた。結果は表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】また、表１に示した電極構造の素子を４０
０℃、大気中に５００時間保持したところ、表面の酸化
による変色や抵抗変化はほとんどなかったが、第１金属
層のみで貴金属層を形成しなかった場合には、Ａｇを除
きすべて表面酸化を来し抵抗が増大した。
０℃、大気中に５００時間保持したところ、表面の酸化
による変色や抵抗変化はほとんどなかったが、第１金属
層のみで貴金属層を形成しなかった場合には、Ａｇを除
きすべて表面酸化を来し抵抗が増大した。
【００２３】実施例３ 実施例１のＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 固溶体薄膜を９００℃で
１０時間保って、ラメラ構造を有するＴｉＯ2 −ＳｎＯ
2 スピノーダル薄膜を作製した。Ｘ線回折測定によりＴ
ｉリッチとＳｎリッチのピークを確認した。このスピノ
ーダル薄膜上に、スパッタ法を用いて１０ｎｍ以上の厚
さを有するＴｉ層を形成され、更に、Ｐｔスパッタを行
いＴｉ層上に１００ｎｍの厚さを有するＰｔ電極層を形
成した。
１０時間保って、ラメラ構造を有するＴｉＯ2 −ＳｎＯ
2 スピノーダル薄膜を作製した。Ｘ線回折測定によりＴ
ｉリッチとＳｎリッチのピークを確認した。このスピノ
ーダル薄膜上に、スパッタ法を用いて１０ｎｍ以上の厚
さを有するＴｉ層を形成され、更に、Ｐｔスパッタを行
いＴｉ層上に１００ｎｍの厚さを有するＰｔ電極層を形
成した。
【００２４】このように作製した素子を４００℃で１０
分間熱処理してＴｉとＰｔの合金化を行った。四端子法
を用いて素子のＩ−Ｖ特性を評価したところ、リニアな
関係にあり、オーミックな接触状態であることを確認し
た。また、酸化物半導体膜と電極間の界面抵抗値は１２
５．７ｋΩであり、比較としてＴｉ層を形成せずに直接
Ｐｔ層を形成した場合に比較して界面抵抗は１／５にま
で減少した。
分間熱処理してＴｉとＰｔの合金化を行った。四端子法
を用いて素子のＩ−Ｖ特性を評価したところ、リニアな
関係にあり、オーミックな接触状態であることを確認し
た。また、酸化物半導体膜と電極間の界面抵抗値は１２
５．７ｋΩであり、比較としてＴｉ層を形成せずに直接
Ｐｔ層を形成した場合に比較して界面抵抗は１／５にま
で減少した。
【００２５】なお、表１に示した第１金属層と貴金属層
との組み合わせにおいて、３００〜７００℃で熱処理し
合金化した場合においても、界面抵抗についてほとんど
変わりがなく、低い界面抵抗を示した。
との組み合わせにおいて、３００〜７００℃で熱処理し
合金化した場合においても、界面抵抗についてほとんど
変わりがなく、低い界面抵抗を示した。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ｎ型酸化物半導体に対して界面抵抗を小さくすることが
でき、しかもｎ型酸化物半導体を用いたセンサなどの素
子や電子部品において、界面抵抗の存在による特性の不
安定性を解消することができ、あるいは各種素子の表面
に電極を形成して電気的特性を測定する際にその測定精
度を高めることができる。
ｎ型酸化物半導体に対して界面抵抗を小さくすることが
でき、しかもｎ型酸化物半導体を用いたセンサなどの素
子や電子部品において、界面抵抗の存在による特性の不
安定性を解消することができ、あるいは各種素子の表面
に電極を形成して電気的特性を測定する際にその測定精
度を高めることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】これに対して、電極内の半導体表面付近の
キャリア濃度が大きくなるように他の金属をドープした
り、半導体表面付近のキャリア濃度が増加するような電
極材料を用いる方法などがある。しかしながら、伝導度
が低い酸化物半導体に従来より提案されるような電極を
薄膜法などにより形成する場合にその組成の制御などが
非常に難しく、界面抵抗の小さい電極を再現性よく安定
して形成することができなかった。
キャリア濃度が大きくなるように他の金属をドープした
り、半導体表面付近のキャリア濃度が増加するような電
極材料を用いる方法などがある。しかしながら、伝導度
が低い酸化物半導体に従来より提案されるような電極を
薄膜法などにより形成する場合にその組成の制御などが
非常に難しく、界面抵抗の小さい電極を再現性よく安定
して形成することができなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明における１つの態様としては、半導
体表面に形成する電極をＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂ
ｉ、Ｍｎ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種
からなる第１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ば
れる少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層した構
造から構成する点にある。これらの電極は、金属粉末を
含むペーストを塗布し焼き付ける方法や、スパッタ法、
抵抗蒸着法、ビーム蒸着法及びレーザアブレーション
等、あるいはそれらの組み合わせで形成することができ
る。第１金属層と貴金属層を形成する場合には、成膜時
の雰囲気と真空度を制御し元素の酸化を極力避けるよう
に制御する必要がある。
体表面に形成する電極をＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂ
ｉ、Ｍｎ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種
からなる第１金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選ば
れる少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層した構
造から構成する点にある。これらの電極は、金属粉末を
含むペーストを塗布し焼き付ける方法や、スパッタ法、
抵抗蒸着法、ビーム蒸着法及びレーザアブレーション
等、あるいはそれらの組み合わせで形成することができ
る。第１金属層と貴金属層を形成する場合には、成膜時
の雰囲気と真空度を制御し元素の酸化を極力避けるよう
に制御する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【実施例】 実施例１ ＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 のゾルゲル薄膜を例にとって本発明
を説明する。サファイア基板上にゾルゲル法を用いて、
ＴｉＯ2 ：ＳｎＯ2 比が１：１のＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 薄
膜を形成し、それを乾燥した後１５００℃で１分間熱処
理し急冷することにより２００ｎｍの厚みのＴｉＯ2 −
ＳｎＯ2 の固溶体膜を得た。この固溶体薄膜の上に、ス
パッタ法を用いて１０ｎｍの厚さを有する面積４×０．
５ｍｍ2のＭｏの金属電極層を形成し、更に、スパッタ
法によりＰｔを１００ｎｍの厚さの貴金属層を形成し
た。
を説明する。サファイア基板上にゾルゲル法を用いて、
ＴｉＯ2 ：ＳｎＯ2 比が１：１のＴｉＯ2 −ＳｎＯ2 薄
膜を形成し、それを乾燥した後１５００℃で１分間熱処
理し急冷することにより２００ｎｍの厚みのＴｉＯ2 −
ＳｎＯ2 の固溶体膜を得た。この固溶体薄膜の上に、ス
パッタ法を用いて１０ｎｍの厚さを有する面積４×０．
５ｍｍ2のＭｏの金属電極層を形成し、更に、スパッタ
法によりＰｔを１００ｎｍの厚さの貴金属層を形成し
た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【表１】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】このように作製した素子を４００℃で１０
分間熱処理してＴｉとＰｔの合金化を行った。四端子法
を用いて素子のＩ−Ｖ特性を評価したところ、リニアな
関係にあり、オーミックな接触状態であることを確認し
た。また、酸化物半導体膜と電極間の界面抵抗値は６
５．２ｋΩであり、比較としてＴｉ層を形成せずに直接
Ｐｔ層を形成した場合に比較して界面抵抗は１／５にま
で減少した。
分間熱処理してＴｉとＰｔの合金化を行った。四端子法
を用いて素子のＩ−Ｖ特性を評価したところ、リニアな
関係にあり、オーミックな接触状態であることを確認し
た。また、酸化物半導体膜と電極間の界面抵抗値は６
５．２ｋΩであり、比較としてＴｉ層を形成せずに直接
Ｐｔ層を形成した場合に比較して界面抵抗は１／５にま
で減少した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】なお、表１に示した第１金属層と貴金属層
との組み合わせにおいて、３００〜５００℃で熱処理し
合金化した場合においても、界面抵抗についてほとんど
変わりがなく、低い界面抵抗を示した。
との組み合わせにおいて、３００〜５００℃で熱処理し
合金化した場合においても、界面抵抗についてほとんど
変わりがなく、低い界面抵抗を示した。
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ型酸化物半導体の表面に電極を形成する
方法であって、該半導体の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｂｉ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくと
も１種からなる金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選
ばれる少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層する
ことを特徴とする酸化物半導体への電極形成方法。 - 【請求項２】ｎ型酸化物半導体の表面に電極を形成する
方法であって、該半導体の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｂｉ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくと
も１種からなる金属層と、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄから選
ばれる少なくとも１種からなる貴金属層を順次積層した
後に加熱して、前記金属層と貴金属層を合金化すること
を特徴とする酸化物半導体への電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18787393A JPH0745552A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 酸化物半導体への電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18787393A JPH0745552A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 酸化物半導体への電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745552A true JPH0745552A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16213710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18787393A Pending JPH0745552A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 酸化物半導体への電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068730A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Showa Denko Kk | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード |
| JP2007158146A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP2012151382A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、およびそれらの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18787393A patent/JPH0745552A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068730A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Showa Denko Kk | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード |
| JP2007158146A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP2012151382A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、およびそれらの製造方法 |
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