JPH0739874A - フォトレジスト含有廃液の濃縮方法 - Google Patents
フォトレジスト含有廃液の濃縮方法Info
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- JPH0739874A JPH0739874A JP10954994A JP10954994A JPH0739874A JP H0739874 A JPH0739874 A JP H0739874A JP 10954994 A JP10954994 A JP 10954994A JP 10954994 A JP10954994 A JP 10954994A JP H0739874 A JPH0739874 A JP H0739874A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な設備で透過液の高水質化をはかりつ
つ、効率良くフォトレジスト含有廃液を濃縮する方法を
提供することを目的とする。 【構成】 フォトレジスト含有廃液を逆浸透膜により濃
縮する方法において、フォトレジスト含有廃液をｐＨ１
２．５〜１４で第一逆浸透膜装置に通液し、得られる透
過液を酸で中和後、第二逆浸透膜装置に通液し、第一逆
浸透膜装置から得られる濃縮液の一部又は全部及び第二
逆浸透膜装置から得られる濃縮液を循環して第一逆浸透
膜装置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合して処
理することを特徴とする。
つ、効率良くフォトレジスト含有廃液を濃縮する方法を
提供することを目的とする。 【構成】 フォトレジスト含有廃液を逆浸透膜により濃
縮する方法において、フォトレジスト含有廃液をｐＨ１
２．５〜１４で第一逆浸透膜装置に通液し、得られる透
過液を酸で中和後、第二逆浸透膜装置に通液し、第一逆
浸透膜装置から得られる濃縮液の一部又は全部及び第二
逆浸透膜装置から得られる濃縮液を循環して第一逆浸透
膜装置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合して処
理することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造設備等から排
出されるフォトレジスト含有廃液の濃縮方法に関する。
詳しくは逆浸透膜によるフォトレジスト含有廃液の濃縮
方法の改良に関する。
出されるフォトレジスト含有廃液の濃縮方法に関する。
詳しくは逆浸透膜によるフォトレジスト含有廃液の濃縮
方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジスト含有廃液を逆浸透膜を用
いて濃縮する方法として、廃液を酸で中和後に逆浸透膜
で濃縮する方法（特開昭６０−２８８８１号）、廃液の
ｐＨを９〜１２に調整後、逆浸透膜に供給する方法（特
開昭６０−１１８２８２号）、廃液を逆浸透膜で濃縮
し、濃縮液を限外濾過膜で濾過し、濾液を逆浸透膜処理
前の廃液に混合して行う方法（特開昭６０−１１８２８
３号）、フォトレジスト含有廃液をアルカリ性条件下
で、酸化剤を添加して紫外線照射した後にｐＨ８〜１１
で逆浸透膜に通液して処理する方法（特公平３−１７５
５７号）が知られている。
いて濃縮する方法として、廃液を酸で中和後に逆浸透膜
で濃縮する方法（特開昭６０−２８８８１号）、廃液の
ｐＨを９〜１２に調整後、逆浸透膜に供給する方法（特
開昭６０−１１８２８２号）、廃液を逆浸透膜で濃縮
し、濃縮液を限外濾過膜で濾過し、濾液を逆浸透膜処理
前の廃液に混合して行う方法（特開昭６０−１１８２８
３号）、フォトレジスト含有廃液をアルカリ性条件下
で、酸化剤を添加して紫外線照射した後にｐＨ８〜１１
で逆浸透膜に通液して処理する方法（特公平３−１７５
５７号）が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法は必ずしも分離が十分でなく、また、膜洗浄設備等
を必要とし、設備的にも操作的にも複雑になり、経済的
な方法とは言えない。本発明者は簡易で経済的なフォト
レジスト含有廃液の逆浸透膜による濃縮について鋭意検
討した結果、フォトレジストが析出しない高アルカリ性
で逆浸透膜で濃縮し、濃縮液は循環処理し、得られる透
過液は酸で中和後、更に逆浸透膜で処理することによ
り、透過液の高水質化をはかりつつ効率良くフォトレジ
スト含有廃液を濃縮することができることを見出し、本
発明を完成した。
方法は必ずしも分離が十分でなく、また、膜洗浄設備等
を必要とし、設備的にも操作的にも複雑になり、経済的
な方法とは言えない。本発明者は簡易で経済的なフォト
レジスト含有廃液の逆浸透膜による濃縮について鋭意検
討した結果、フォトレジストが析出しない高アルカリ性
で逆浸透膜で濃縮し、濃縮液は循環処理し、得られる透
過液は酸で中和後、更に逆浸透膜で処理することによ
り、透過液の高水質化をはかりつつ効率良くフォトレジ
スト含有廃液を濃縮することができることを見出し、本
発明を完成した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、フォ
トレジスト含有廃液を逆浸透膜により濃縮する方法にお
いて、フォトレジスト含有廃液をｐＨ１２．５〜１４で
第一逆浸透膜装置に通液し、得られる透過液を酸にて中
和後、第二逆浸透膜装置に通液し、第一逆浸透膜装置か
ら得られる濃縮液の一部又は全部及び第二逆浸透膜装置
から得られる濃縮液を循環して第一逆浸透膜装置に通液
前のフォトレジスト含有廃液と混合して処理することを
特徴とするフォトレジスト含有廃液の濃縮方法である。
トレジスト含有廃液を逆浸透膜により濃縮する方法にお
いて、フォトレジスト含有廃液をｐＨ１２．５〜１４で
第一逆浸透膜装置に通液し、得られる透過液を酸にて中
和後、第二逆浸透膜装置に通液し、第一逆浸透膜装置か
ら得られる濃縮液の一部又は全部及び第二逆浸透膜装置
から得られる濃縮液を循環して第一逆浸透膜装置に通液
前のフォトレジスト含有廃液と混合して処理することを
特徴とするフォトレジスト含有廃液の濃縮方法である。
【０００５】フォトレジスト含有廃液にはメタケイ酸ソ
ーダ、リン酸ソーダ等の無機アルカリ、テトラアルキル
アンモニウムハイドロオキサイド、エタノールアミン、
コリン等のアミン化合物、界面活性剤およびフォトレジ
スト等が含まれる。これらの含有量にもよるが、フォト
レジスト含有廃液のｐＨは１２．５〜１４であり、本願
発明においては、このｐＨのまま逆浸透膜処理する。逆
浸透膜の入口部より出口部の方が濃縮され、ｐＨは上昇
する。本発明においては濃縮液を循環処理するので逆浸
透膜処理前のフォトレジスト含有廃液のｐＨより逆浸透
膜に供給する廃液のｐＨは高くなる。従来の逆浸透膜処
理時の廃液ｐＨ８〜１２では溶解しているフォトレジス
トがしだいに不溶化して逆浸透膜上に固形物が析出して
円滑な処理ができなくなり、固形物を除去するための洗
浄設備を必要とするので好ましくない。
ーダ、リン酸ソーダ等の無機アルカリ、テトラアルキル
アンモニウムハイドロオキサイド、エタノールアミン、
コリン等のアミン化合物、界面活性剤およびフォトレジ
スト等が含まれる。これらの含有量にもよるが、フォト
レジスト含有廃液のｐＨは１２．５〜１４であり、本願
発明においては、このｐＨのまま逆浸透膜処理する。逆
浸透膜の入口部より出口部の方が濃縮され、ｐＨは上昇
する。本発明においては濃縮液を循環処理するので逆浸
透膜処理前のフォトレジスト含有廃液のｐＨより逆浸透
膜に供給する廃液のｐＨは高くなる。従来の逆浸透膜処
理時の廃液ｐＨ８〜１２では溶解しているフォトレジス
トがしだいに不溶化して逆浸透膜上に固形物が析出して
円滑な処理ができなくなり、固形物を除去するための洗
浄設備を必要とするので好ましくない。
【０００６】本発明で用いる逆浸透膜は耐アルカリ性で
界面活性剤が吸着しない膜であれば特に制限されるもの
ではなく、通常、ポリアミド系の逆浸透膜が用いられ、
例えばフィルムテック社のＦＴ−ＳＷ３０膜、日東電工
（株）のＮＴＲ−７１９９膜等が挙げられる。通常、こ
れらの膜はスパイラル・エレメントに成形され、廃液の
処理量や膜エレメント内の濃縮液の流速等を勘案して、
エレメントを直列および／または並列に連結して逆浸透
膜装置を構成する。
界面活性剤が吸着しない膜であれば特に制限されるもの
ではなく、通常、ポリアミド系の逆浸透膜が用いられ、
例えばフィルムテック社のＦＴ−ＳＷ３０膜、日東電工
（株）のＮＴＲ−７１９９膜等が挙げられる。通常、こ
れらの膜はスパイラル・エレメントに成形され、廃液の
処理量や膜エレメント内の濃縮液の流速等を勘案して、
エレメントを直列および／または並列に連結して逆浸透
膜装置を構成する。
【０００７】本発明において逆浸透膜装置の膜エレメン
ト内出口の濃縮液の流速が約５〜２０cm／秒になるよう
に濃縮液の圧力を制御して調整される。通常、圧力は約
２０〜６０kg／cm2 G で行われる。一般に濃縮液の圧力
を高くすると透過液量が多く、濃縮液量が少なくなり濃
縮倍率が大きくなる。濃縮液の流速が約５cm／秒より小
さいと濃度分極が生じ、透過液の水質が悪化し、透過流
量が減少して好ましくない。約２０cm／秒以上にすると
膜エレメントの構造にもよるが、圧力損失が大きくな
り、運転上好ましくない。濃縮液の流速を大きくすると
ワンパスの濃縮倍率が小さくなるので、第一逆浸透膜装
置から得られる濃縮液の一部又は全部を循環して第一逆
浸透膜装置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合し
て処理し、総濃縮倍率を高くする。
ト内出口の濃縮液の流速が約５〜２０cm／秒になるよう
に濃縮液の圧力を制御して調整される。通常、圧力は約
２０〜６０kg／cm2 G で行われる。一般に濃縮液の圧力
を高くすると透過液量が多く、濃縮液量が少なくなり濃
縮倍率が大きくなる。濃縮液の流速が約５cm／秒より小
さいと濃度分極が生じ、透過液の水質が悪化し、透過流
量が減少して好ましくない。約２０cm／秒以上にすると
膜エレメントの構造にもよるが、圧力損失が大きくな
り、運転上好ましくない。濃縮液の流速を大きくすると
ワンパスの濃縮倍率が小さくなるので、第一逆浸透膜装
置から得られる濃縮液の一部又は全部を循環して第一逆
浸透膜装置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合し
て処理し、総濃縮倍率を高くする。
【０００８】第一逆浸透膜装置では高濃度で高アルカリ
性のフォトレジスト含有廃液を処理するので、透過液の
有機物濃度は高く（ＴＯＣ濃度が数１０〜数１００mg／
ｌ、アミン濃度が数１０〜１０００ｍｇ／ｌ）そのまま
では廃棄できない。活性汚泥処理等のその他の処理が可
能な場合は１段処理でよいが、通常、第一逆浸透膜装置
から得られる透過液は第二逆浸透膜装置に通液し処理す
る。第二逆浸透膜装置においても膜エレメント内の濃縮
液の流速が約５〜２０cm／秒になるように濃縮液の圧力
を制御して調整される。
性のフォトレジスト含有廃液を処理するので、透過液の
有機物濃度は高く（ＴＯＣ濃度が数１０〜数１００mg／
ｌ、アミン濃度が数１０〜１０００ｍｇ／ｌ）そのまま
では廃棄できない。活性汚泥処理等のその他の処理が可
能な場合は１段処理でよいが、通常、第一逆浸透膜装置
から得られる透過液は第二逆浸透膜装置に通液し処理す
る。第二逆浸透膜装置においても膜エレメント内の濃縮
液の流速が約５〜２０cm／秒になるように濃縮液の圧力
を制御して調整される。
【０００９】第一逆浸透膜装置から得られる透過液は
酸、好ましくは硫酸で中和後、第二逆浸透膜装置へ通液
し、第二逆浸透膜装置から得られる透過液のＴＯＣ濃度
を１ｍｇ／ｌ程度とし、そのまま廃棄できる高水質にす
る。また第二逆浸透膜装置の濃縮液はＴＯＣ濃度が数１
００〜２０００mg／ｌであり、循環して第一逆浸透膜装
置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合して処理す
る。第一逆浸透膜装置の濃縮液中のアミン濃度及びＴＯ
Ｃ濃度は数％になり、これは回収又は燃焼処理される。
第一逆浸透膜装置から得られる透過液を中和せずにその
まま第二逆浸透膜装置で処理すると、その透過液のＴＯ
Ｃ濃度が１０ｍｇ／ｌ以上（アミン濃度が２０ｍｇ／ｌ
程度）となることもあり、そのまま廃棄するには必ずし
も充分でない。
酸、好ましくは硫酸で中和後、第二逆浸透膜装置へ通液
し、第二逆浸透膜装置から得られる透過液のＴＯＣ濃度
を１ｍｇ／ｌ程度とし、そのまま廃棄できる高水質にす
る。また第二逆浸透膜装置の濃縮液はＴＯＣ濃度が数１
００〜２０００mg／ｌであり、循環して第一逆浸透膜装
置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合して処理す
る。第一逆浸透膜装置の濃縮液中のアミン濃度及びＴＯ
Ｃ濃度は数％になり、これは回収又は燃焼処理される。
第一逆浸透膜装置から得られる透過液を中和せずにその
まま第二逆浸透膜装置で処理すると、その透過液のＴＯ
Ｃ濃度が１０ｍｇ／ｌ以上（アミン濃度が２０ｍｇ／ｌ
程度）となることもあり、そのまま廃棄するには必ずし
も充分でない。
【００１０】本発明の実施態様の例を図１及び図２に示
す。図１において廃液供給槽１に廃液が廃液供給ライン
８より供給され、第一逆浸透膜装置から得られる濃縮液
の一部及び第二逆浸透膜装置から得られる濃縮液が回収
され混合される。この廃液が保安フィルター２を通り、
第一逆浸透膜装置に供給される。第一逆浸透膜装置から
得られる濃縮液はその一部又は全部は廃液供給槽１に循
環され、残りは濃縮液貯槽７に送られる。この場合、濃
縮液の循環量は、通常、濃縮液の約７５〜１００％であ
り、濃縮状況を確認しながら約０〜２５％が濃縮液貯槽
に送られる。濃縮液は濃縮液排出ライン１０からその後
の処理に供される。
す。図１において廃液供給槽１に廃液が廃液供給ライン
８より供給され、第一逆浸透膜装置から得られる濃縮液
の一部及び第二逆浸透膜装置から得られる濃縮液が回収
され混合される。この廃液が保安フィルター２を通り、
第一逆浸透膜装置に供給される。第一逆浸透膜装置から
得られる濃縮液はその一部又は全部は廃液供給槽１に循
環され、残りは濃縮液貯槽７に送られる。この場合、濃
縮液の循環量は、通常、濃縮液の約７５〜１００％であ
り、濃縮状況を確認しながら約０〜２５％が濃縮液貯槽
に送られる。濃縮液は濃縮液排出ライン１０からその後
の処理に供される。
【００１１】第一逆浸透膜装置からの透過液は受槽４に
受け、酸供給ライン１２からの酸で中和後、第二逆浸透
膜装置に供給される。第二逆浸透膜装置から得られる濃
縮液は廃液供給槽１に循環され、透過液は受槽６に受
け、透過液排出ライン９から排出される。
受け、酸供給ライン１２からの酸で中和後、第二逆浸透
膜装置に供給される。第二逆浸透膜装置から得られる濃
縮液は廃液供給槽１に循環され、透過液は受槽６に受
け、透過液排出ライン９から排出される。
【００１２】図２においては第一及び第二逆浸透膜装置
からの濃縮液は廃液と濃縮液貯槽で混合され、冷却器１
１を経由して循環処理され、第一逆浸透膜装置からの透
過液は酸で中和後、第二逆浸透膜装置に供給される。第
二逆浸透膜装置から得られる透過液は透過液排出ライン
９から、濃縮液は濃縮液排出ライン１０からそれぞれ排
出される。
からの濃縮液は廃液と濃縮液貯槽で混合され、冷却器１
１を経由して循環処理され、第一逆浸透膜装置からの透
過液は酸で中和後、第二逆浸透膜装置に供給される。第
二逆浸透膜装置から得られる透過液は透過液排出ライン
９から、濃縮液は濃縮液排出ライン１０からそれぞれ排
出される。
【００１３】
【発明の効果】本発明の方法は、逆浸透膜の洗浄設備等
が不要であり、簡単な設備で透過液の高水質化をはかり
つつ、効率良くフォトレジスト含有廃液を処理すること
ができる。
が不要であり、簡単な設備で透過液の高水質化をはかり
つつ、効率良くフォトレジスト含有廃液を処理すること
ができる。
【００１４】
【実施例】本発明を実施例で更に詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
【００１５】実験例１ 膜面積が２．１ｍ2 の逆浸透膜スパイラル・エレメント
１本からなる逆浸透膜装置を用いてフォトレジスト含有
廃液の通液実験を行った。逆浸透膜エレメントはフィル
ムテック社のＦＴ−ＳＷ３０−２５４０を用いた。処理
条件および結果を表１に示す。実験番号１、２は第一逆
浸透膜装置における処理に対応する実験、実験番号３、
４、５は実験番号２で得られた透過液を用いた第二逆浸
透膜装置における処理に対応する実験である。酸で中和
後処理することにより、第二逆浸透膜からの透過液の水
質が高まる。
１本からなる逆浸透膜装置を用いてフォトレジスト含有
廃液の通液実験を行った。逆浸透膜エレメントはフィル
ムテック社のＦＴ−ＳＷ３０−２５４０を用いた。処理
条件および結果を表１に示す。実験番号１、２は第一逆
浸透膜装置における処理に対応する実験、実験番号３、
４、５は実験番号２で得られた透過液を用いた第二逆浸
透膜装置における処理に対応する実験である。酸で中和
後処理することにより、第二逆浸透膜からの透過液の水
質が高まる。
【００１６】
【表１】 ＴＯＣ ：全有機炭素 ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド 液 温 ：３０℃ 実験番号３は硫酸にて中和 実験番号４は塩酸にて中和 ＊：塩の場合はＴＭＡＨ換算濃度
ド 液 温 ：３０℃ 実験番号３は硫酸にて中和 実験番号４は塩酸にて中和 ＊：塩の場合はＴＭＡＨ換算濃度
【００１７】実験例２ 実験例１と同じ装置で出口流量を変えて行い、膜エレメ
ント内出口流速の影響を調べた。結果を表２に示す。流
速が４ｃｍ／sec 以下になると透過液量が急激に減少
し、ＴＯＣ阻止率が低下してくる。
ント内出口流速の影響を調べた。結果を表２に示す。流
速が４ｃｍ／sec 以下になると透過液量が急激に減少
し、ＴＯＣ阻止率が低下してくる。
【００１８】
【表２】
【００１９】実験例３ 実験例１と同じ装置で長時間の通液実験を行い、ｐＨの
影響を調べた。実験番号１１および１３はそれぞれ実験
例１の実験番号１および２と同じ被処理液を通液し、実
験番号１２および１４は同じ液を硫酸でいずれもｐＨ１
１．５にして通液した。結果を表３に示す。ｐＨ１２．
８および１３．８では変化がみられないのに対して、ｐ
Ｈ１１．５ではしだいにフォトレジストが析出して膜面
に付着していって、透過流量が急減し、長期運転が不可
能になる。
影響を調べた。実験番号１１および１３はそれぞれ実験
例１の実験番号１および２と同じ被処理液を通液し、実
験番号１２および１４は同じ液を硫酸でいずれもｐＨ１
１．５にして通液した。結果を表３に示す。ｐＨ１２．
８および１３．８では変化がみられないのに対して、ｐ
Ｈ１１．５ではしだいにフォトレジストが析出して膜面
に付着していって、透過流量が急減し、長期運転が不可
能になる。
【００２０】
【表３】
【００２１】実施例１ 図２に示す装置でフォトレジスト含有廃液をフィルムテ
ック社の逆浸透膜ＦＴ−ＳＷ３０を用いて処理した。結
果を表４に示す。フォトレジスト含有廃液を廃液供給ラ
イン８から濃縮液貯槽７に受入れ、これを逆浸透膜装置
から循環してくる濃縮液と混合し、冷却器１１で冷却
し、保安フィルター２を通した後、第一逆浸透膜装置３
に通液した。濃縮液は全量、濃縮液貯槽に循環し、透過
液は受槽４に受けた後、酸供給ライン１２からの硫酸で
中和後、第二逆浸透膜装置５に通液した。濃縮液は全
量、濃縮液貯槽に循環し、透過液は受槽６に受けた後、
排出した。増加してくる濃縮液は濃縮液排出ライン１０
から排出した。なお第一逆浸透膜装置および第二逆浸透
膜装置の膜面積はそれぞれ４９．０ｍ2 、８．４ｍ2 で
ある。
ック社の逆浸透膜ＦＴ−ＳＷ３０を用いて処理した。結
果を表４に示す。フォトレジスト含有廃液を廃液供給ラ
イン８から濃縮液貯槽７に受入れ、これを逆浸透膜装置
から循環してくる濃縮液と混合し、冷却器１１で冷却
し、保安フィルター２を通した後、第一逆浸透膜装置３
に通液した。濃縮液は全量、濃縮液貯槽に循環し、透過
液は受槽４に受けた後、酸供給ライン１２からの硫酸で
中和後、第二逆浸透膜装置５に通液した。濃縮液は全
量、濃縮液貯槽に循環し、透過液は受槽６に受けた後、
排出した。増加してくる濃縮液は濃縮液排出ライン１０
から排出した。なお第一逆浸透膜装置および第二逆浸透
膜装置の膜面積はそれぞれ４９．０ｍ2 、８．４ｍ2 で
ある。
【００２２】
【表４】 液 温：３０℃ ＊：ＴＭＡＨ濃度もしくはＴＭＡＨ換算濃度
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施態様の例を示す図である。
【図２】本発明の実施態様の他の例を示す図である。
【符号の説明】 １ 廃液供給槽 ２ 保安フィルター ３ 第一逆浸透膜装置 ４ 受槽 ５ 第二逆浸透膜装置 ６ 受槽 ７ 濃縮液貯槽 ８ 廃液供給ライン ９ 透過液排出ライン １０ 濃縮液排出ライン １１ 冷却器 １２ 酸供給ライン
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトレジスト含有廃液を逆浸透膜によ
り濃縮する方法において、フォトレジスト含有廃液をｐ
Ｈ１２．５〜１４で第一逆浸透膜装置に通液し、得られ
る透過液を酸にて中和後、第二逆浸透膜装置に通液し、
第一逆浸透膜装置から得られる濃縮液の一部又は全部及
び第二逆浸透膜装置から得られる濃縮液を循環して第一
逆浸透膜装置に通液前のフォトレジスト含有廃液と混合
して処理することを特徴とするフォトレジスト含有廃液
の濃縮方法。 - 【請求項２】 逆浸透膜装置の膜エレメント内出口の濃
縮液の流速が５〜２０cm／秒で通液する請求項１記載の
フォトレジスト含有廃液の濃縮方法。 - 【請求項３】 第一逆浸透膜装置から得られる濃縮液の
７５〜１００％を循環して処理する請求項１記載のフォ
トレジスト含有廃液の濃縮方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10954994A JP3622227B2 (ja) | 1993-05-26 | 1994-05-24 | フォトレジスト含有廃液の濃縮方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-123967 | 1993-05-26 | ||
| JP12396793 | 1993-05-26 | ||
| JP10954994A JP3622227B2 (ja) | 1993-05-26 | 1994-05-24 | フォトレジスト含有廃液の濃縮方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0739874A true JPH0739874A (ja) | 1995-02-10 |
| JP3622227B2 JP3622227B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=26449285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10954994A Expired - Fee Related JP3622227B2 (ja) | 1993-05-26 | 1994-05-24 | フォトレジスト含有廃液の濃縮方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3622227B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1089799A1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-11 | Phoenankh Corp. | Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers |
| JP2007083152A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Kurita Water Ind Ltd | 高ｔｏｃ含有ｃｍｐ排水からの水回収方法及び水回収装置 |
| KR100758461B1 (ko) * | 2001-12-19 | 2007-09-14 | 주식회사 포스코 | 가용성양극을 갖는 연속전기도금공정에서 발생되는전기도금폐수 재활용방법 |
| JP2008229408A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Ngk Insulators Ltd | 液体分離方法及び液体分離システム |
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| JP2010036094A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Kurita Water Ind Ltd | アミノ基を有する水溶性有機溶媒の回収方法及び装置 |
| JP2010044022A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Kurita Water Ind Ltd | 検水の連続モニタリング方法および装置 |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10954994A patent/JP3622227B2/ja not_active Expired - Fee Related
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