JPH10128075A - 逆浸透膜装置および逆浸透膜を用いた処理方法 - Google Patents
逆浸透膜装置および逆浸透膜を用いた処理方法Info
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- JPH10128075A JPH10128075A JP8292271A JP29227196A JPH10128075A JP H10128075 A JPH10128075 A JP H10128075A JP 8292271 A JP8292271 A JP 8292271A JP 29227196 A JP29227196 A JP 29227196A JP H10128075 A JPH10128075 A JP H10128075A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A20/00—Water conservation; Efficient water supply; Efficient water use
- Y02A20/124—Water desalination
- Y02A20/131—Reverse-osmosis
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回収率を低下させることなくスケールの生成
を防止することが可能な逆浸透膜装置および処理方法を
提供することである。 【解決手段】 逆浸透膜装置は、２段の逆浸透膜モジュ
ールを備える。１段目の逆浸透膜モジュール４は、多価
イオンの阻止率が８０％以上でかつ溶存シリカの阻止率
が３０％以下のルーズ逆浸透膜を用い、１価イオンおよ
び溶存シリカを含む透過水を２段目の逆浸透膜モジュー
ル７に供給する。２段目逆浸透膜モジュール７では、要
求水質にあわせた適当な阻止率の逆浸透膜を使用し、要
求水質まで脱塩するとともに溶存シリカの透過を阻止す
る。２段目の逆浸透膜モジュール７の濃縮水側では、多
価イオン濃度が低減されているため、シリカ濃度が溶解
度以上に高くなってもシリカスケールの生成が防止され
る。
を防止することが可能な逆浸透膜装置および処理方法を
提供することである。 【解決手段】 逆浸透膜装置は、２段の逆浸透膜モジュ
ールを備える。１段目の逆浸透膜モジュール４は、多価
イオンの阻止率が８０％以上でかつ溶存シリカの阻止率
が３０％以下のルーズ逆浸透膜を用い、１価イオンおよ
び溶存シリカを含む透過水を２段目の逆浸透膜モジュー
ル７に供給する。２段目逆浸透膜モジュール７では、要
求水質にあわせた適当な阻止率の逆浸透膜を使用し、要
求水質まで脱塩するとともに溶存シリカの透過を阻止す
る。２段目の逆浸透膜モジュール７の濃縮水側では、多
価イオン濃度が低減されているため、シリカ濃度が溶解
度以上に高くなってもシリカスケールの生成が防止され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、逆浸透膜装置およ
び逆浸透膜を用いた処理方法に関する。
び逆浸透膜を用いた処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子産業や医療、食品産業等、種々の産
業分野において、純水や精製水あるいは飲料水の製造に
逆浸透（ＲＯ）法が用いられる。この逆浸透膜法は、水
の脱塩処理においては、電気透析法やイオン交換法に比
べて広く用いられており、特に、純水製造においては必
要不可欠な技術となっている。
業分野において、純水や精製水あるいは飲料水の製造に
逆浸透（ＲＯ）法が用いられる。この逆浸透膜法は、水
の脱塩処理においては、電気透析法やイオン交換法に比
べて広く用いられており、特に、純水製造においては必
要不可欠な技術となっている。
【０００３】ところが、逆浸透膜（ＲＯ膜）を用いた逆
浸透膜装置により、逆浸透法を適用した脱塩処理を行う
場合には、原水（被処理液）の水質によって逆浸透膜の
膜面で不溶性無機成分が析出するスケーリングが生じ、
膜性能を著しく低下させる場合がある。スケール（不溶
性無機成分の析出物）の生成物質としては一般的にカル
シウム塩やシリカ（例えばケイ酸、シリカゲル等）が挙
げられる。
浸透膜装置により、逆浸透法を適用した脱塩処理を行う
場合には、原水（被処理液）の水質によって逆浸透膜の
膜面で不溶性無機成分が析出するスケーリングが生じ、
膜性能を著しく低下させる場合がある。スケール（不溶
性無機成分の析出物）の生成物質としては一般的にカル
シウム塩やシリカ（例えばケイ酸、シリカゲル等）が挙
げられる。
【０００４】そこで、スケーリングを防止するために、
従来より種々の方法が取られている。例えば、カルシウ
ム塩に対しては、原水中に酸を添加すること、原水中に
スケール防止剤を添加すること、陽イオン交換樹脂によ
り軟水化させること、あるいはフラッシング等の間欠的
な物理洗浄により膜面を洗浄すること等が行われてい
る。一方、シリカに対しては、石灰軟水法等が用いられ
ている。
従来より種々の方法が取られている。例えば、カルシウ
ム塩に対しては、原水中に酸を添加すること、原水中に
スケール防止剤を添加すること、陽イオン交換樹脂によ
り軟水化させること、あるいはフラッシング等の間欠的
な物理洗浄により膜面を洗浄すること等が行われてい
る。一方、シリカに対しては、石灰軟水法等が用いられ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このシリカ
に対して石灰軟水法を適用すると、設備費が高くなり、
大型プラント以外の装置ではコストが割高になり現実的
でない。このため、実際にシリカのスケーリングを防止
するためには、低回収率で逆浸透膜装置を運転し、これ
によりスケーリングの発生を抑制している。
に対して石灰軟水法を適用すると、設備費が高くなり、
大型プラント以外の装置ではコストが割高になり現実的
でない。このため、実際にシリカのスケーリングを防止
するためには、低回収率で逆浸透膜装置を運転し、これ
によりスケーリングの発生を抑制している。
【０００６】すなわち、溶存シリカは過飽和の状態にな
ると重合が始まり、コロイドへと成長し、やがて凝集沈
殿する。この現象が逆浸透膜の膜面で生じると、逆浸透
膜の表面にシリカスケールが生成される。通常温度（２
０〜２５℃）においては、シリカの溶解度が約１２０ｍ
ｇ／Ｌ（リットル）であり、逆浸透膜装置では、逆浸透
膜の濃縮側の濃縮液中のシリカ濃度が溶解度を越えない
ように回収率を制御しながら運転が行われている。例え
ば、原水中のシリカ濃度が５０ｍｇ／Ｌであれば、回収
率を５８％とすれば濃縮液中のシリカ濃度が溶解度を越
えないが、安全性を考慮して通常４０〜５０％の回収率
で運転されている。ところが、このような低回収率で運
転すると、捨て水が多くなり、ランニングコストが高く
なる。
ると重合が始まり、コロイドへと成長し、やがて凝集沈
殿する。この現象が逆浸透膜の膜面で生じると、逆浸透
膜の表面にシリカスケールが生成される。通常温度（２
０〜２５℃）においては、シリカの溶解度が約１２０ｍ
ｇ／Ｌ（リットル）であり、逆浸透膜装置では、逆浸透
膜の濃縮側の濃縮液中のシリカ濃度が溶解度を越えない
ように回収率を制御しながら運転が行われている。例え
ば、原水中のシリカ濃度が５０ｍｇ／Ｌであれば、回収
率を５８％とすれば濃縮液中のシリカ濃度が溶解度を越
えないが、安全性を考慮して通常４０〜５０％の回収率
で運転されている。ところが、このような低回収率で運
転すると、捨て水が多くなり、ランニングコストが高く
なる。
【０００７】このように、スケール生成物質の中でも特
にシリカについては有効な防止策がなく、低回収率で運
転することが余儀なくされている。特に、日本国内で
は、九州地区等のように、地下水にシリカを多く含む地
域が多い。したがって、そのような地域において地下水
を原水とする逆浸透膜装置あるいは逆浸透膜プラント等
を運転する場合には、シリカスケールの発生を防止し、
かつ回収率を高めてランニングコストを低減させること
が重要となる。
にシリカについては有効な防止策がなく、低回収率で運
転することが余儀なくされている。特に、日本国内で
は、九州地区等のように、地下水にシリカを多く含む地
域が多い。したがって、そのような地域において地下水
を原水とする逆浸透膜装置あるいは逆浸透膜プラント等
を運転する場合には、シリカスケールの発生を防止し、
かつ回収率を高めてランニングコストを低減させること
が重要となる。
【０００８】本発明の目的は、シリカスケールの発生を
防止し、かつ高回収率の運転が可能な逆浸透膜装置およ
び逆浸透膜を用いた処理方法を提供することである。
防止し、かつ高回収率の運転が可能な逆浸透膜装置およ
び逆浸透膜を用いた処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
者らは、被処理液中の溶存シリカと共存する金属イオン
のうち、特にアルミニウムイオン、鉄イオン、カルシウ
ムイオン等の多価金属イオンに着目し、これらのイオン
濃度を低減させると、シリカの溶存濃度が溶解度以上と
なった場合でも逆浸透膜表面へのシリカスケールの生成
を抑制することができることを実験により確認し、以下
の発明を案出した。
者らは、被処理液中の溶存シリカと共存する金属イオン
のうち、特にアルミニウムイオン、鉄イオン、カルシウ
ムイオン等の多価金属イオンに着目し、これらのイオン
濃度を低減させると、シリカの溶存濃度が溶解度以上と
なった場合でも逆浸透膜表面へのシリカスケールの生成
を抑制することができることを実験により確認し、以下
の発明を案出した。
【００１０】本発明に係る逆浸透膜装置は、第１および
第２の逆浸透膜を含み、被処理液を第１の逆浸透膜を用
いて処理し、その透過液を第２の逆浸透膜を用いて処理
する逆浸透膜装置において、第１の逆浸透膜は、第２の
逆浸透膜よりも多価イオンの阻止率が高くかつ溶存シリ
カの阻止率が低い性能を有するものである。
第２の逆浸透膜を含み、被処理液を第１の逆浸透膜を用
いて処理し、その透過液を第２の逆浸透膜を用いて処理
する逆浸透膜装置において、第１の逆浸透膜は、第２の
逆浸透膜よりも多価イオンの阻止率が高くかつ溶存シリ
カの阻止率が低い性能を有するものである。
【００１１】これにより、第１の逆浸透膜が被処理液中
の多価イオンを濃縮液側に保持し、多価イオンの大部分
が除去された透過液が第２の逆浸透膜に供給される。第
２の逆浸透膜では、第１の逆浸透膜から除去された透過
液を要求される液質まで処理する。第２の逆浸透膜の濃
縮水側では第１の逆浸透膜により既にシリカと共存する
多価イオンの濃度が低減されているため、第２の逆浸透
膜の作用によって濃縮水側のシリカ濃度が溶解度以上に
濃縮されても、第２の逆浸透膜の膜面にシリカスケール
が生じることが防止される。このため、回収率を抑えて
第２の逆浸透膜の濃縮水側のシリカ濃度の上昇を抑制す
る必要がなくなり、高回収率の運転が可能となる。さら
に石灰軟水法等と比べて前処理の必要がなく、設備費が
安価であり、逆浸透膜装置を用いた設備の省スペース化
や運転操作の簡素化を図ることができる。
の多価イオンを濃縮液側に保持し、多価イオンの大部分
が除去された透過液が第２の逆浸透膜に供給される。第
２の逆浸透膜では、第１の逆浸透膜から除去された透過
液を要求される液質まで処理する。第２の逆浸透膜の濃
縮水側では第１の逆浸透膜により既にシリカと共存する
多価イオンの濃度が低減されているため、第２の逆浸透
膜の作用によって濃縮水側のシリカ濃度が溶解度以上に
濃縮されても、第２の逆浸透膜の膜面にシリカスケール
が生じることが防止される。このため、回収率を抑えて
第２の逆浸透膜の濃縮水側のシリカ濃度の上昇を抑制す
る必要がなくなり、高回収率の運転が可能となる。さら
に石灰軟水法等と比べて前処理の必要がなく、設備費が
安価であり、逆浸透膜装置を用いた設備の省スペース化
や運転操作の簡素化を図ることができる。
【００１２】特に、第１の逆浸透膜の多価イオンの阻止
率は好ましくは８０％以上で９５％以上がさらに好まし
く、溶存シリカの阻止率は３０％以下であることが好ま
しく、１０％以下であることがさらに好ましい。また、
第１の逆浸透膜の１価イオンの阻止率は１０〜８０％が
好ましく、４０〜８０％がさらに好ましい。なお、第１
の逆浸透膜としてルーズ逆浸透膜を用いてもよい。
率は好ましくは８０％以上で９５％以上がさらに好まし
く、溶存シリカの阻止率は３０％以下であることが好ま
しく、１０％以下であることがさらに好ましい。また、
第１の逆浸透膜の１価イオンの阻止率は１０〜８０％が
好ましく、４０〜８０％がさらに好ましい。なお、第１
の逆浸透膜としてルーズ逆浸透膜を用いてもよい。
【００１３】さらに、第２の逆浸透膜としては、要求さ
れる液質に応じた阻止性能を有する逆浸透膜が用いら
れ、１価イオンの阻止率は９０％以上で溶存シリカの阻
止率が９０％以上の阻止性能を有するものが好ましい。
れる液質に応じた阻止性能を有する逆浸透膜が用いら
れ、１価イオンの阻止率は９０％以上で溶存シリカの阻
止率が９０％以上の阻止性能を有するものが好ましい。
【００１４】さらに、本発明に係る逆浸透膜を用いた処
理方法は、被処理液を第１の逆浸透膜を用いて処理し、
その透過液を第２の逆浸透膜を用いて処理する処理方法
において、第１の逆浸透膜として第２の逆浸透膜よりも
多価イオンの阻止率が高くかつ溶存シリカの阻止率が低
い逆浸透膜を用いるものである。
理方法は、被処理液を第１の逆浸透膜を用いて処理し、
その透過液を第２の逆浸透膜を用いて処理する処理方法
において、第１の逆浸透膜として第２の逆浸透膜よりも
多価イオンの阻止率が高くかつ溶存シリカの阻止率が低
い逆浸透膜を用いるものである。
【００１５】これにより、第２の逆浸透膜の濃縮液側で
の多価イオン濃度が減少されることにより、溶存シリカ
の濃度が上昇した場合でもスケールの発生を抑制するこ
とができる。
の多価イオン濃度が減少されることにより、溶存シリカ
の濃度が上昇した場合でもスケールの発生を抑制するこ
とができる。
【００１６】特に、第１の逆浸透膜の多価イオンの阻止
率が８０％以上で、溶存シリカの阻止率が３０％以下で
あることが好ましい。また、第１の逆浸透膜としてルー
ズ逆浸透膜を用いてもよい。
率が８０％以上で、溶存シリカの阻止率が３０％以下で
あることが好ましい。また、第１の逆浸透膜としてルー
ズ逆浸透膜を用いてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る逆浸透膜装置
について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明による逆浸透膜装置の一例を示す構成図である。図１
において、逆浸透膜装置は、ポンプ２、プレフィルタ
３、逆浸透膜モジュール４，７および配管１，５，６，
８，９，１０，１１を備えている。なお、図１中には１
つの逆浸透膜モジュール４、７が示されているが、逆浸
透膜モジュール４，７としては複数本の逆浸透膜モジュ
ールを組み合わせて用いてもよい。
について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明による逆浸透膜装置の一例を示す構成図である。図１
において、逆浸透膜装置は、ポンプ２、プレフィルタ
３、逆浸透膜モジュール４，７および配管１，５，６，
８，９，１０，１１を備えている。なお、図１中には１
つの逆浸透膜モジュール４、７が示されているが、逆浸
透膜モジュール４，７としては複数本の逆浸透膜モジュ
ールを組み合わせて用いてもよい。
【００１８】原水（被処理液）は、配管１を通りポンプ
２によりプレフィルタ３へ供給される。プレフィルタ３
は、公称孔径１〜３０μｍのカートリッジフィルタから
なり、下流側に配置される逆浸透膜の流路を閉塞する原
因となる微粒子を除去する。
２によりプレフィルタ３へ供給される。プレフィルタ３
は、公称孔径１〜３０μｍのカートリッジフィルタから
なり、下流側に配置される逆浸透膜の流路を閉塞する原
因となる微粒子を除去する。
【００１９】プレフィルタ３により微粒子が除去された
原水は、１段目の逆浸透膜モジュール４に供給される。
この逆浸透膜モジュール４にはルーズ逆浸透膜が装填さ
れている。ルーズ逆浸透膜は原水中に含まれる１価イオ
ンの大半を透過し、２価以上のイオン（多価イオン）の
透過を阻止する。具体的には、Ｎａ、Ｋ、Ｃｌ、あるい
はＨＣＯ3 といった１価イオンの２０〜８０％が透過さ
れ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃａといった多価金属イオンの８０％
以上の透過が阻止される。また、ルーズ逆浸透膜の溶存
シリカの阻止率は３０％以下である。
原水は、１段目の逆浸透膜モジュール４に供給される。
この逆浸透膜モジュール４にはルーズ逆浸透膜が装填さ
れている。ルーズ逆浸透膜は原水中に含まれる１価イオ
ンの大半を透過し、２価以上のイオン（多価イオン）の
透過を阻止する。具体的には、Ｎａ、Ｋ、Ｃｌ、あるい
はＨＣＯ3 といった１価イオンの２０〜８０％が透過さ
れ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃａといった多価金属イオンの８０％
以上の透過が阻止される。また、ルーズ逆浸透膜の溶存
シリカの阻止率は３０％以下である。
【００２０】このように、ルーズ逆浸透膜は、シリカの
スケーリングを助長する多価金属イオンの大部分を逆浸
透膜モジュール４の濃縮側に保持し、配管５を通して系
外へ排出する。また、透過水は配管６を通り２段目の逆
浸透膜モジュール７へ供給される。
スケーリングを助長する多価金属イオンの大部分を逆浸
透膜モジュール４の濃縮側に保持し、配管５を通して系
外へ排出する。また、透過水は配管６を通り２段目の逆
浸透膜モジュール７へ供給される。
【００２１】２段目の逆浸透膜モジュール７には、供給
される水質に見合った阻止性能を有する逆浸透膜が用い
られている。具体的には、イオン阻止率が９０％以上
で、溶存シリカの阻止率が９０％以上の性能を有する逆
浸透膜が用いられている。この逆浸透膜を透過した透過
水は、大部分のイオンや溶存シリカが除去された精製水
となる。精製水は、配管１０を通り使用場所へ運ばれ
る。また、２段目の逆浸透膜モジュール７の濃縮水は、
その一部が配管８を通ってポンプ２の吸い込み側に戻さ
れ、再度循環供給される。また、残りは配管９を通って
系外へ排水される。
される水質に見合った阻止性能を有する逆浸透膜が用い
られている。具体的には、イオン阻止率が９０％以上
で、溶存シリカの阻止率が９０％以上の性能を有する逆
浸透膜が用いられている。この逆浸透膜を透過した透過
水は、大部分のイオンや溶存シリカが除去された精製水
となる。精製水は、配管１０を通り使用場所へ運ばれ
る。また、２段目の逆浸透膜モジュール７の濃縮水は、
その一部が配管８を通ってポンプ２の吸い込み側に戻さ
れ、再度循環供給される。また、残りは配管９を通って
系外へ排水される。
【００２２】この２段目の逆浸透膜モジュール７の濃縮
水側では溶存シリカの濃度が高くなるが、１段目の逆浸
透膜モジュール４により多価金属イオンが除去されてい
る。このために、逆浸透膜の膜面へのシリカのスケーリ
ングが抑制される。
水側では溶存シリカの濃度が高くなるが、１段目の逆浸
透膜モジュール４により多価金属イオンが除去されてい
る。このために、逆浸透膜の膜面へのシリカのスケーリ
ングが抑制される。
【００２３】なお、配管９は、２段目の逆浸透膜モジュ
ール７の濃縮水の濃度が過度に上昇するのを抑制するた
めに設けられている。図２は、本発明による逆浸透膜装
置の他の例を示す構成図である。図２に示すように、こ
の逆浸透膜装置では、２段目の逆浸透膜モジュール７の
みならず１段目の逆浸透膜モジュール４の濃縮水が配管
１１を通してポンプ２の吸い込み側へ戻され、供給再循
環される方式が用いられている。また、図２中には逆浸
透膜モジュール４，７がそれぞれ１本示されているが、
複数本の逆浸透膜モジュールを組み合わせて用いてもよ
い。
ール７の濃縮水の濃度が過度に上昇するのを抑制するた
めに設けられている。図２は、本発明による逆浸透膜装
置の他の例を示す構成図である。図２に示すように、こ
の逆浸透膜装置では、２段目の逆浸透膜モジュール７の
みならず１段目の逆浸透膜モジュール４の濃縮水が配管
１１を通してポンプ２の吸い込み側へ戻され、供給再循
環される方式が用いられている。また、図２中には逆浸
透膜モジュール４，７がそれぞれ１本示されているが、
複数本の逆浸透膜モジュールを組み合わせて用いてもよ
い。
【００２４】図１および図２に示す逆浸透膜装置におい
て、逆浸透膜モジュール４，７として多数本の逆浸透膜
モジュールを用いる場合には図１に示す逆浸透膜装置が
好ましく、比較的少数の逆浸透膜モジュールを用いる場
合には図２に示す逆浸透膜装置が好ましい。
て、逆浸透膜モジュール４，７として多数本の逆浸透膜
モジュールを用いる場合には図１に示す逆浸透膜装置が
好ましく、比較的少数の逆浸透膜モジュールを用いる場
合には図２に示す逆浸透膜装置が好ましい。
【００２５】
【実施例】ここで、本発明の逆浸透膜装置において１段
目の逆浸透膜モジュールに日東電工株式会社製ルーズ逆
浸透膜ＮＴＲ−７２５０を用い、２段目の逆浸透膜モジ
ュールに日東電工株式会社製の高阻止率逆浸透膜ＥＳ１
０を用い、下記の条件において逆浸透処理の試験を行っ
た。
目の逆浸透膜モジュールに日東電工株式会社製ルーズ逆
浸透膜ＮＴＲ−７２５０を用い、２段目の逆浸透膜モジ
ュールに日東電工株式会社製の高阻止率逆浸透膜ＥＳ１
０を用い、下記の条件において逆浸透処理の試験を行っ
た。
【００２６】
【表１】
【００２７】この１段目のルーズ逆浸透膜（ＮＴＲ−７
２５０）は多価イオン（ＭｇＳＯ4）の阻止率が９９％
であり、１価イオン（ＮａＣｌ）の阻止率が６０％であ
り、さらに溶存シリカの阻止率が１０％という性能を有
する。
２５０）は多価イオン（ＭｇＳＯ4）の阻止率が９９％
であり、１価イオン（ＮａＣｌ）の阻止率が６０％であ
り、さらに溶存シリカの阻止率が１０％という性能を有
する。
【００２８】また、比較例として、日東電工株式会社製
逆浸透膜ＥＳ１０を用いて、下記の条件にて１段の逆浸
透膜を用いた逆浸透処理の試験を行った。
逆浸透膜ＥＳ１０を用いて、下記の条件にて１段の逆浸
透膜を用いた逆浸透処理の試験を行った。
【００２９】
【表２】
【００３０】この逆浸透膜（ＥＳ１０）は、多価イオン
（ＭｇＳＯ4 ）の阻止率が９９．６％であり、１価イオ
ン（ＮａＣｌ）の阻止率が９９．６％であり、さらに溶
存シリカの阻止率が９９．６％という性能を有してい
る。
（ＭｇＳＯ4 ）の阻止率が９９．６％であり、１価イオ
ン（ＮａＣｌ）の阻止率が９９．６％であり、さらに溶
存シリカの阻止率が９９．６％という性能を有してい
る。
【００３１】上記の試験結果を図３に示す。実施例およ
び比較例とも回収率８５％で運転した結果、比較例で
は、濃縮水中の溶存シリカ濃度が溶解度の２倍である２
５０〜３００ｍｇ／Ｌとなり、膜面にシリカスケールが
生成し、このために運転開始後数時間から２００時間経
過時にわたって流束（Ｆｌｕｘ）保持率が急激に低下し
た。
び比較例とも回収率８５％で運転した結果、比較例で
は、濃縮水中の溶存シリカ濃度が溶解度の２倍である２
５０〜３００ｍｇ／Ｌとなり、膜面にシリカスケールが
生成し、このために運転開始後数時間から２００時間経
過時にわたって流束（Ｆｌｕｘ）保持率が急激に低下し
た。
【００３２】これに対し、実施例では、２段目の逆浸透
膜モジュールへの供給水中の溶存シリカの濃度が溶解度
の２倍である２５０〜３００ｍｇ／Ｌまで上昇したにも
かかわらず、シリカスケールの生成がほとんど見られ
ず、そのため流束保持率がほとんど低下しなかった。
膜モジュールへの供給水中の溶存シリカの濃度が溶解度
の２倍である２５０〜３００ｍｇ／Ｌまで上昇したにも
かかわらず、シリカスケールの生成がほとんど見られ
ず、そのため流束保持率がほとんど低下しなかった。
【００３３】以上の試験結果より、１段目の逆浸透膜に
より原水中の多価イオン濃度を低下させることにより２
段目の逆浸透膜の濃縮水側で溶存シリカの濃度が高めら
れた場合でも逆浸透膜の膜面にシリカスケールが発生す
ることを抑制することができることが判明した。
より原水中の多価イオン濃度を低下させることにより２
段目の逆浸透膜の濃縮水側で溶存シリカの濃度が高めら
れた場合でも逆浸透膜の膜面にシリカスケールが発生す
ることを抑制することができることが判明した。
【図１】本発明による逆浸透膜装置の一例を示す構成図
である。
である。
【図２】本発明による逆浸透膜装置の他の例を示す構成
図である。
図である。
【図３】本発明および比較例による逆浸透膜装置の流束
性能の経時変化を示す図である。
性能の経時変化を示す図である。
３ プレフィルタ ４ １段目の逆浸透膜モジュール ７ ２段目の逆浸透膜モジュール
Claims (6)
- 【請求項１】 第１および第２の逆浸透膜を含み、被処
理液を前記第１の逆浸透膜を用いて処理し、その透過液
を前記第２の逆浸透膜を用いて処理する逆浸透膜装置に
おいて、 前記第１の逆浸透膜は、前記第２の逆浸透膜よりも多価
イオンの阻止率が高くかつ溶存シリカの阻止率が低い性
能を有することを特徴とする逆浸透膜装置。 - 【請求項２】 前記第１の逆浸透膜の多価イオンの阻止
率が８０％以上でかつ溶存シリカの阻止率が３０％以下
であることを特徴とする請求項１記載の逆浸透膜装置。 - 【請求項３】 前記第１の逆浸透膜がルーズ逆浸透膜か
らなることを特徴とする請求項１または２記載の逆浸透
膜装置。 - 【請求項４】 被処理液を第１の逆浸透膜を用いて処理
し、その透過液を第２の逆浸透膜を用いて処理する処理
方法において、 前記第１の逆浸透膜として前記第２の逆浸透膜よりも多
価イオンの阻止率が高くかつ溶存シリカの阻止率が低い
性能を有する逆浸透膜を用いることを特徴とする逆浸透
膜を用いた処理方法。 - 【請求項５】 前記第１の逆浸透膜の多価イオンの阻止
率が８０％以上でかつ溶存シリカの阻止率が３０％以下
であることを特徴とする請求項４記載の逆浸透膜を用い
た処理方法。 - 【請求項６】 前記第１の逆浸透膜としてルーズ逆浸透
膜を用いることを特徴とする請求項４または５記載の逆
浸透膜を用いた処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292271A JPH10128075A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 逆浸透膜装置および逆浸透膜を用いた処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292271A JPH10128075A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 逆浸透膜装置および逆浸透膜を用いた処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10128075A true JPH10128075A (ja) | 1998-05-19 |
Family
ID=17779601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8292271A Pending JPH10128075A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 逆浸透膜装置および逆浸透膜を用いた処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10128075A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100658423B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-12-15 | 주식회사 새 한 | 역삼투 분리막에 의한 다단 분리시스템 |
| JP2008080309A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Miura Co Ltd | 水処理システム |
| JP2011189298A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Miura Co Ltd | 純水製造システム |
| JP6142937B1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-06-07 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
| WO2018163468A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
| JP2018144033A (ja) * | 2018-03-06 | 2018-09-20 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP8292271A patent/JPH10128075A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100658423B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-12-15 | 주식회사 새 한 | 역삼투 분리막에 의한 다단 분리시스템 |
| JP2008080309A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Miura Co Ltd | 水処理システム |
| JP2011189298A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Miura Co Ltd | 純水製造システム |
| JP6142937B1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-06-07 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
| WO2017158887A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
| JP2017170273A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
| CN108698859A (zh) * | 2016-03-18 | 2018-10-23 | 栗田工业株式会社 | 反渗透膜装置的运转管理方法及反渗透膜处理系统 |
| KR20180122325A (ko) * | 2016-03-18 | 2018-11-12 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 역침투막 장치의 운전 관리 방법 및 역침투막 처리 시스템 |
| WO2018163468A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
| KR20190118573A (ko) | 2017-03-07 | 2019-10-18 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 역침투막 장치의 운전 관리 방법 및 역침투막 처리 시스템 |
| CN110382089A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-10-25 | 栗田工业株式会社 | 逆渗透膜装置的运转管理方法以及逆渗透膜处理系统 |
| JP2018144033A (ja) * | 2018-03-06 | 2018-09-20 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜装置の運転管理方法および逆浸透膜処理システム |
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