JPH0738491B2 - 回路基板の製造方法及び回路基板 - Google Patents
回路基板の製造方法及び回路基板Info
- Publication number
- JPH0738491B2 JPH0738491B2 JP61171914A JP17191486A JPH0738491B2 JP H0738491 B2 JPH0738491 B2 JP H0738491B2 JP 61171914 A JP61171914 A JP 61171914A JP 17191486 A JP17191486 A JP 17191486A JP H0738491 B2 JPH0738491 B2 JP H0738491B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- aln
- conductor layer
- rare earth
- alkaline earth
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は窒化アルミニウム焼結体を絶縁体層として用い
た回路基板の製造方法及び回路基板に係り、特に導体層
が一体焼結されてなる多層配線を有する回路基板の製造
方法及び回路基板に関する。
た回路基板の製造方法及び回路基板に係り、特に導体層
が一体焼結されてなる多層配線を有する回路基板の製造
方法及び回路基板に関する。
(従来の技術) 電子機器の小型化に伴い、回路基板に実装される半導体
素子からの発熱をいかに効率良く放熱するかが重要な問
題となってくる。また電力用半導体素子の実装の場合も
放熱は重要な問題である。
素子からの発熱をいかに効率良く放熱するかが重要な問
題となってくる。また電力用半導体素子の実装の場合も
放熱は重要な問題である。
従来、回路基板用の絶縁材料としてはAl2O3セラミック
が広く用いられている。しかしながら、Al2O3は熱伝導
性が低いため、放熱性に問題があり、電気絶縁性等の絶
縁体としての電気的諸特性に優れ、かつ熱伝導性に優れ
たAlNセラミックの回路基板への応用が検討されている
(特開昭60−178688号)。
が広く用いられている。しかしながら、Al2O3は熱伝導
性が低いため、放熱性に問題があり、電気絶縁性等の絶
縁体としての電気的諸特性に優れ、かつ熱伝導性に優れ
たAlNセラミックの回路基板への応用が検討されている
(特開昭60−178688号)。
ところで電子機器の小型化、高密度化を考慮すると回路
基板の配線にも高密度化が要求され、多層化は必須の技
術となり、AlNセラミックの多層基板も検討されている
(特開昭60−253295号、特開昭60−253294号)。Al2O3
セラミックではグリーンシート積層の一体焼結の技術が
確立されているが、この技術をそのままAlNセラミック
スに応用することは、AlNとAl2O3の基本的物性の違いか
ら、困難である。
基板の配線にも高密度化が要求され、多層化は必須の技
術となり、AlNセラミックの多層基板も検討されている
(特開昭60−253295号、特開昭60−253294号)。Al2O3
セラミックではグリーンシート積層の一体焼結の技術が
確立されているが、この技術をそのままAlNセラミック
スに応用することは、AlNとAl2O3の基本的物性の違いか
ら、困難である。
(発明が解決しようとする問題点) このようにAlNセラミックを用いた多層配線基板への要
求は高まっているが、同時焼成時のそりの発生、導体路
の断線、剥離等が生じ、実用化には至っていないのが現
状である。
求は高まっているが、同時焼成時のそりの発生、導体路
の断線、剥離等が生じ、実用化には至っていないのが現
状である。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、導体層と
絶縁体層との密着性が強固で、そり、断線等の生じ難い
AlNセラミックスを用いた回路基板の製造方法及び回路
基板、特に同時焼結による多層配線を有する回路基板の
製造方法及び回路基板を提供することを目的とする。
絶縁体層との密着性が強固で、そり、断線等の生じ難い
AlNセラミックスを用いた回路基板の製造方法及び回路
基板、特に同時焼結による多層配線を有する回路基板の
製造方法及び回路基板を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明の製造方法は、主成分であるAlNと、希土類元素
及びアルカリ土類元素の少なくとも一種を混合して絶縁
体層を形成する工程と;導電体と、希土類元素及びアル
カリ土類元素の少なくとも一種及びアルミナの混合物及
び/又は化合物を混合して導体層を形成する工程と;前
記絶縁体層と前記導体層とを同時焼結する工程とを具備
したことを特徴とする回路基板の製造方法である。
及びアルカリ土類元素の少なくとも一種を混合して絶縁
体層を形成する工程と;導電体と、希土類元素及びアル
カリ土類元素の少なくとも一種及びアルミナの混合物及
び/又は化合物を混合して導体層を形成する工程と;前
記絶縁体層と前記導体層とを同時焼結する工程とを具備
したことを特徴とする回路基板の製造方法である。
より具体的には、AlNグリーンシート上に、希土類元素
及びアルカリ土類元素の少なくとも一種及びアルミナの
混合物及び/又は化合物を混合した導体ペーストを用い
て導体パターンを形成し、同時焼結することにより得る
ことができる。
及びアルカリ土類元素の少なくとも一種及びアルミナの
混合物及び/又は化合物を混合した導体ペーストを用い
て導体パターンを形成し、同時焼結することにより得る
ことができる。
また本発明の回路基板は、AlNを主成分とし、希土類元
素及びアルカリ土類元素の少なくとも一種を含有する焼
結体からなる絶縁体層と;W、Mo、TiN及びZrNの少なくと
も一種を含む導電体の他に、希土類元素及びアルカリ土
類元素の少なくとも一種及びアルミナの混合物及び/又
は化合物を含有する導体層とを具備したことを特徴とす
る回路基板である。
素及びアルカリ土類元素の少なくとも一種を含有する焼
結体からなる絶縁体層と;W、Mo、TiN及びZrNの少なくと
も一種を含む導電体の他に、希土類元素及びアルカリ土
類元素の少なくとも一種及びアルミナの混合物及び/又
は化合物を含有する導体層とを具備したことを特徴とす
る回路基板である。
(作用) 本発明においては導体層中にアルカリ土類元素及び希土
類元素の少なくとも一種及びアルミナの混合物及び/又
は化合物を含有せしめることにより、同時焼結時に生じ
る基板のそり、導体層の剥離等を改善できる。
類元素の少なくとも一種及びアルミナの混合物及び/又
は化合物を含有せしめることにより、同時焼結時に生じ
る基板のそり、導体層の剥離等を改善できる。
この導体層中の導電体は特に限定されるものではなく、
AlNセラミックの焼結温度に耐え得るものであれば良い
が、W、Mo、TiN、ZrN等が好ましい。又、アルカリ土類
元素及び希土類元素の少なくとも一種及びアルミナの混
合物及び/又は化合物の導体層中の量は酸化物換算で0.
05〜20重量%が好ましい。余り多いと導体層の導電率が
低下し、少ないと導体層の剥離防止、基板のそり防止等
の効果を得ることができない。さらにアルカリ土類元素
及び希土類元素の少なくとも一種の導体層中の量は酸化
物換算で0.01〜15重量%が好ましい。これも同様な理由
による。アルカリ土類元素及び希土類元素としてはCa、
Ba、Sr、Y、La、Ceが好ましい元素である。
AlNセラミックの焼結温度に耐え得るものであれば良い
が、W、Mo、TiN、ZrN等が好ましい。又、アルカリ土類
元素及び希土類元素の少なくとも一種及びアルミナの混
合物及び/又は化合物の導体層中の量は酸化物換算で0.
05〜20重量%が好ましい。余り多いと導体層の導電率が
低下し、少ないと導体層の剥離防止、基板のそり防止等
の効果を得ることができない。さらにアルカリ土類元素
及び希土類元素の少なくとも一種の導体層中の量は酸化
物換算で0.01〜15重量%が好ましい。これも同様な理由
による。アルカリ土類元素及び希土類元素としてはCa、
Ba、Sr、Y、La、Ceが好ましい元素である。
以下に本発明の回路基板の製造方法について述べる。
まずAlNグリーンシートを作成する。このグリーンシー
トはAlN粉末と焼結助剤、バインダー等を溶媒とともに
十分混合し、例えばドクターブレード法等により得るこ
とができる。用いるAlN粉は平均粒径5μm以下、さら
に4μm以下とすることが焼結性等を考慮した場合好ま
しく、実用上は0.5〜2μmのものを用いる。AlN粉中の
酸素濃度は重要であり、酸素の多量含有は熱伝導率を低
下せしめる。従ってAlN粉中の酸素は5重量%以下、さ
らには3重量%以下のものが好ましく、実用上は0.1〜
3重量%のものを用いる。
トはAlN粉末と焼結助剤、バインダー等を溶媒とともに
十分混合し、例えばドクターブレード法等により得るこ
とができる。用いるAlN粉は平均粒径5μm以下、さら
に4μm以下とすることが焼結性等を考慮した場合好ま
しく、実用上は0.5〜2μmのものを用いる。AlN粉中の
酸素濃度は重要であり、酸素の多量含有は熱伝導率を低
下せしめる。従ってAlN粉中の酸素は5重量%以下、さ
らには3重量%以下のものが好ましく、実用上は0.1〜
3重量%のものを用いる。
また添加する焼結助剤はAlNを常圧焼結するために必須
であり、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、C
a、Sr、Mg等の希土類元素及びアルカリ土類元素はAlNセ
ラミックの緻密化に寄与するとともに、AlN粉中の酸素
を粒界の副構成相にトラップし、高熱伝導化に大きく貢
献する。このような効果の大きい元素としてY、La、C
e、Ca、Sr、Baが挙げられ特に好ましい元素である。こ
のような焼結助剤は、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲ
ン化物、アセチリド化合物、炭化物、弗化物、水素化
物、窒化物等の形で添加される。これらの希土類元素及
びアルカリ土類元素は酸化物換算で0.01〜15重量%であ
ることが望ましい。
であり、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、C
a、Sr、Mg等の希土類元素及びアルカリ土類元素はAlNセ
ラミックの緻密化に寄与するとともに、AlN粉中の酸素
を粒界の副構成相にトラップし、高熱伝導化に大きく貢
献する。このような効果の大きい元素としてY、La、C
e、Ca、Sr、Baが挙げられ特に好ましい元素である。こ
のような焼結助剤は、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲ
ン化物、アセチリド化合物、炭化物、弗化物、水素化
物、窒化物等の形で添加される。これらの希土類元素及
びアルカリ土類元素は酸化物換算で0.01〜15重量%であ
ることが望ましい。
このような希土類元素及びアルカリ土類元素を含有する
AlNセラミックを絶縁体として用いた場合、前述の問題
点である、基板のそり、導体路の断線などの問題が顕著
となる。この問題を解決するのが前述の如くの導体層で
あり、希土類元素、アルカリ土類元素含有のAlNセラミ
ックを用いた場合の利点を十分に生かした形での多層配
線セラミック回路基板を得ることができる。
AlNセラミックを絶縁体として用いた場合、前述の問題
点である、基板のそり、導体路の断線などの問題が顕著
となる。この問題を解決するのが前述の如くの導体層で
あり、希土類元素、アルカリ土類元素含有のAlNセラミ
ックを用いた場合の利点を十分に生かした形での多層配
線セラミック回路基板を得ることができる。
前述のようにして作成したAlNグリーンシート上に焼結
により導体層となる導電ペーストを用い、所望のパター
ンで印刷を行なう。この時グリーンシートにはビアホー
ルを形成しておきグリーンシートをはさむ上下導体層間
の電気的接続を行なう。導電ペースト中の導電体は同時
焼結の際に導電性を維持できるものであれば良く、W、
Mo、TiN、ZrN等が挙げられる。この導体ペーストには希
土類元素及びアルカリ土類元素の少なくとも一種及びア
ルミナの混合物及び/又は化合物を添加する。このよう
な添加物は同時焼結時にアルミネート液相を形成する。
またAlNセラミックは液相焼結であり、絶縁体層中にも
焼結時にアルミネート液相が生じる。導体層中にアルミ
ネート液相が生じることにより、絶縁体層に生じる液相
の導体層による吸い上げが防止され、このような吸い上
げによる絶縁体層中の組成の不均一を防止し、もって基
板のそりを防ぐことができる。なお導体層への添加形態
としては前述の焼結助剤としての化合物とアルミナの混
合でも良いし、あらかじめアルミネートを形成して添加
しても良い。混合物として添加する場合はアルミネート
を形成するような比率で混合することが好ましい。従っ
てアルミナの量はアルミネートを形成できるように0.03
〜10重量%であることが好ましい。また添加元素はAlN
セラミックの焼結助剤と同種のものを用いることが好ま
しく、その量についてもAlNセラミックの焼結助剤と同
等であることが好ましい。また添加元素とアルミナの合
計量は0.05〜20重量%であることが好ましい。
により導体層となる導電ペーストを用い、所望のパター
ンで印刷を行なう。この時グリーンシートにはビアホー
ルを形成しておきグリーンシートをはさむ上下導体層間
の電気的接続を行なう。導電ペースト中の導電体は同時
焼結の際に導電性を維持できるものであれば良く、W、
Mo、TiN、ZrN等が挙げられる。この導体ペーストには希
土類元素及びアルカリ土類元素の少なくとも一種及びア
ルミナの混合物及び/又は化合物を添加する。このよう
な添加物は同時焼結時にアルミネート液相を形成する。
またAlNセラミックは液相焼結であり、絶縁体層中にも
焼結時にアルミネート液相が生じる。導体層中にアルミ
ネート液相が生じることにより、絶縁体層に生じる液相
の導体層による吸い上げが防止され、このような吸い上
げによる絶縁体層中の組成の不均一を防止し、もって基
板のそりを防ぐことができる。なお導体層への添加形態
としては前述の焼結助剤としての化合物とアルミナの混
合でも良いし、あらかじめアルミネートを形成して添加
しても良い。混合物として添加する場合はアルミネート
を形成するような比率で混合することが好ましい。従っ
てアルミナの量はアルミネートを形成できるように0.03
〜10重量%であることが好ましい。また添加元素はAlN
セラミックの焼結助剤と同種のものを用いることが好ま
しく、その量についてもAlNセラミックの焼結助剤と同
等であることが好ましい。また添加元素とアルミナの合
計量は0.05〜20重量%であることが好ましい。
このように導電ペーストを塗布したグリーンシートを同
時焼結することにより、配線を有するAlNセラミック回
路基板を得ることができる。
時焼結することにより、配線を有するAlNセラミック回
路基板を得ることができる。
導体層中の添加物の存在は導体層の密着性を高め、又、
製造時には基板のそりを防止することができる。
製造時には基板のそりを防止することができる。
(実施例) 以下に本発明の実施例を説明する。
実施例1 不純物としての酸素を1.4重量%含有し、平均粒径が1.5
μmのAlN粉末に、焼結助剤として平均粒径1.2μmのY2
O3を3重量%添加し、ボールミルを用いて24hr湿式混合
を行ない原料を調整した。ついで、この原料に有機バイ
ンダーを有機溶媒とともに分散し、スラリーを作成す
る。このスラリーをドクターブレード法により、100〜4
00μm程度の均一なグリーンシートを作成する。次に、
このシートを約130×130mmの大きさに切断し、各層間の
電気回路の接続になるビアホールをドリルで300μmφ
の太さにあける。
μmのAlN粉末に、焼結助剤として平均粒径1.2μmのY2
O3を3重量%添加し、ボールミルを用いて24hr湿式混合
を行ない原料を調整した。ついで、この原料に有機バイ
ンダーを有機溶媒とともに分散し、スラリーを作成す
る。このスラリーをドクターブレード法により、100〜4
00μm程度の均一なグリーンシートを作成する。次に、
このシートを約130×130mmの大きさに切断し、各層間の
電気回路の接続になるビアホールをドリルで300μmφ
の太さにあける。
一方、平均粒径1.2μmのタングステン97.0重量%と平
均粒径1μmのAl2O31.288重量%および平均粒径1.2μ
mのY2O31.712重量%を有機溶媒とともに混合、分散
し、フィラー添加の導体ペーストを作成する。
均粒径1μmのAl2O31.288重量%および平均粒径1.2μ
mのY2O31.712重量%を有機溶媒とともに混合、分散
し、フィラー添加の導体ペーストを作成する。
ビアホールの形成されたグリーンシート上に、この無機
質フィラー添加のタングステンペーストをスクリーン印
刷し、複数枚を加熱プレスすることに積層過程を終え
る。次に、N2雰囲気中で、脱バインダーを行なう。その
後、N2雰囲気中、1800℃で1時間常圧焼結し、多層セラ
ミック基板を得た。
質フィラー添加のタングステンペーストをスクリーン印
刷し、複数枚を加熱プレスすることに積層過程を終え
る。次に、N2雰囲気中で、脱バインダーを行なう。その
後、N2雰囲気中、1800℃で1時間常圧焼結し、多層セラ
ミック基板を得た。
得られた基板の導体部のない部分から円板(直径10mm、
厚さ2.5mm)を切り出し、これを試験片としてレーザー
フラッシュ法により熱伝導率を測定した。
厚さ2.5mm)を切り出し、これを試験片としてレーザー
フラッシュ法により熱伝導率を測定した。
また、基板のそりの有無を表わす表裏平行度は、焼結体
多層基板の対角線を基準にして中央部と周縁部との反り
の最大値を測定することにより求めた。
多層基板の対角線を基準にして中央部と周縁部との反り
の最大値を測定することにより求めた。
次に、導体層の面積抵抗を(金属メッキ等を行なわず
に)測定し、無機質フィラーの添加の効果を見た。
に)測定し、無機質フィラーの添加の効果を見た。
さらに、得られた基板の2mm□の導体部分にNiメッキを
した後、ワイヤーをはんだづけし、引張強度試験を行な
い、AlN基板と導体層間の接着強度を測定した。これら
の結果を第1表と第2表に示した。
した後、ワイヤーをはんだづけし、引張強度試験を行な
い、AlN基板と導体層間の接着強度を測定した。これら
の結果を第1表と第2表に示した。
AlN粉末の種類並びに、AlN基板の焼結助剤粉末の種類、
焼結助剤フィラーの種類、量、導電体を種々に変えて、
上記実施例1と同様にして、AlN多層セラミック基板を
作成しそれぞれについて、同じく熱伝導率引張強度、表
裏平行度および面積抵抗を測定した。結果を第1表と第
2表に示した。
焼結助剤フィラーの種類、量、導電体を種々に変えて、
上記実施例1と同様にして、AlN多層セラミック基板を
作成しそれぞれについて、同じく熱伝導率引張強度、表
裏平行度および面積抵抗を測定した。結果を第1表と第
2表に示した。
第2表から明らかなように本発明実施例では、導体層の
密着強度が向上することがわかる。
密着強度が向上することがわかる。
すなわち実施例1では引張強度が6.8kg/2mm□であるの
に対し比較例1では3.5kg/2mm□と密着強度が不十分で
ある。
に対し比較例1では3.5kg/2mm□と密着強度が不十分で
ある。
又、本発明からなる同時焼結体は表裏平行度で表わした
ソリが少なく、さらに添加物を含んでいるにもかかわら
ずその比抵抗、無添加に比べて何ら上昇しないことがわ
かる。
ソリが少なく、さらに添加物を含んでいるにもかかわら
ずその比抵抗、無添加に比べて何ら上昇しないことがわ
かる。
〔発明の効果〕 以上述べた如く、本発明から成るセラミック基板は絶縁
体が高熱伝導性を有し、導体層の密着性が強固でかつ焼
結過程における基板の変形が少なく、更に、表面抵抗、
引張強度は充分に実用可能な特性値を示すなど種々の優
れた性質を有するものであり、その工業的価値は極めて
大きいものである。
体が高熱伝導性を有し、導体層の密着性が強固でかつ焼
結過程における基板の変形が少なく、更に、表面抵抗、
引張強度は充分に実用可能な特性値を示すなど種々の優
れた性質を有するものであり、その工業的価値は極めて
大きいものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠崎 和夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−178688(JP,A) 特開 昭53−102310(JP,A) 特開 昭61−281089(JP,A)
Claims (4)
- 【請求項1】主成分であるAlNと、希土類元素及びアル
カリ土類元素の少なくとも一種を混合して絶縁体層を形
成する工程と; 導電体と、希土類元素及びアルカリ土類元素の少なくと
も一種及びアルミナの混合物及び/又は化合物を混合し
て導体層を形成する工程と; 前記絶縁体層と前記導体層とを同時焼結する工程とを具
備したことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項2】AlNを主成分とし、希土類元素及びアルカ
リ土類元素の少なくとも一種を含有する焼結体からなる
絶縁体層と; W、Mo、TiN及びZrNの少なくとも一種を含む導電体の他
に、希土類元素及びアルカリ土類元素の少なくとも一種
及びアルミナの混合物及び/又は化合物を含有する導体
層とを具備したことを特徴とする回路基板。 - 【請求項3】導体層中の希土類元素及びアルカリ土類元
素の少なくとも一種及びアルミナの含有量は酸化物換算
で0.05〜20重量%であることを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の回路基板。 - 【請求項4】導体層中の希土類元素及びアルカリ土類元
素の含有量は酸化物換算で0.01〜15重量%であることを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載の回路基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61171914A JPH0738491B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
EP87102344A EP0235682B2 (en) | 1986-02-20 | 1987-02-19 | Aluminium nitride sintered body having conductive metallized layer |
US07/016,557 US4770953A (en) | 1986-02-20 | 1987-02-19 | Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer |
DE3789628T DE3789628T3 (de) | 1986-02-20 | 1987-02-19 | Gesinterter Körper aus Aluminiumnitrid mit leitender metallisierter Schicht. |
KR1019870001437A KR900006122B1 (ko) | 1986-02-20 | 1987-02-20 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61171914A JPH0738491B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6329991A JPS6329991A (ja) | 1988-02-08 |
JPH0738491B2 true JPH0738491B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15932174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61171914A Expired - Lifetime JPH0738491B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-07-23 | 回路基板の製造方法及び回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0738491B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63195183A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | 住友電気工業株式会社 | メタライズ面を有するAlN焼結体の製造方法 |
JP2685806B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 多層配線回路基板 |
JP4161423B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-10-08 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体及びそのメタライズ基板 |
JP2008270834A (ja) * | 2008-06-23 | 2008-11-06 | Denso Corp | 厚膜回路基板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56140085A (en) * | 1980-03-31 | 1981-11-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | Manufacture of highly electroconductive metallized ceramics |
JPS6070799A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-22 | 株式会社日立製作所 | ガラスセラミックス多層配線基板のスルホ−ル導体用組成物 |
JPS60178688A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板 |
JPH0649613B2 (ja) * | 1984-11-08 | 1994-06-29 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS62197372A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61171914A patent/JPH0738491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6329991A (ja) | 1988-02-08 |
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