JPH0737684A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH0737684A JPH0737684A JP18372893A JP18372893A JPH0737684A JP H0737684 A JPH0737684 A JP H0737684A JP 18372893 A JP18372893 A JP 18372893A JP 18372893 A JP18372893 A JP 18372893A JP H0737684 A JPH0737684 A JP H0737684A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は高周波加熱装置に関するもので、２
００ｖの配電系統においても利用可能であるとともにス
イッチ損失および電磁雑音を低く抑えることのできる高
周波加熱装置を提供することを目的とした。 【構成】 商用電源などの外部電源の電力を整流する整
流器２と、インバータ回路と、高圧整流回路１１と、マ
イクロ波を加熱室に放射するマグネトロン１２とを備え
るとともに、前記インバータ回路を、昇圧トランス４と
第１の逆導通スイッチ素子１５の直列接続体と、共振コ
ンデンサ５と前記昇圧トランス４の並列接続体と、クラ
ンプコンデンサ８と第２の逆導通スイッチ素子１６の直
列接続体により構成した。
００ｖの配電系統においても利用可能であるとともにス
イッチ損失および電磁雑音を低く抑えることのできる高
周波加熱装置を提供することを目的とした。 【構成】 商用電源などの外部電源の電力を整流する整
流器２と、インバータ回路と、高圧整流回路１１と、マ
イクロ波を加熱室に放射するマグネトロン１２とを備え
るとともに、前記インバータ回路を、昇圧トランス４と
第１の逆導通スイッチ素子１５の直列接続体と、共振コ
ンデンサ５と前記昇圧トランス４の並列接続体と、クラ
ンプコンデンサ８と第２の逆導通スイッチ素子１６の直
列接続体により構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子レンジなどの高周波
加熱装置に関するものである。
加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波加熱装置は、図３のような
構成としたものが平成４年電気学会全国大会講演論文集
［５］５０８（５−６７頁）に発表されている。この高
周波加熱装置は、商用電源１の出力電圧ををダイオード
ブリッジ２で直流に変換し、一対の共振コンデンサ５、
６と昇圧トランス１３とからなる共振回路と一対の半導
体スイッチ素子１１、１２と、これに逆並列に接続され
たダイオード９、１０からなるインバータ回路により高
周波高電圧を発生し、インバータ回路の出力を高圧直流
に整流する高圧整流回路１４と、高圧整流回路１４の出
力によりマグネトロンを駆動する構成としている。この
ような構成でインバータ回路を高周波で動作させること
により、共振コンデンサ５、６や昇圧トランス１３を小
型化し、高周波加熱装置を小型かつ軽量にするととも
に、インバータ回路に半導体スイッチ素子を２つ用いる
ブリッジ構成とすることで、２００ｖの配電系統で高周
波加熱装置を使用した場合でも半導体スイッチ素子の責
務を軽減することを目的としている。
構成としたものが平成４年電気学会全国大会講演論文集
［５］５０８（５−６７頁）に発表されている。この高
周波加熱装置は、商用電源１の出力電圧ををダイオード
ブリッジ２で直流に変換し、一対の共振コンデンサ５、
６と昇圧トランス１３とからなる共振回路と一対の半導
体スイッチ素子１１、１２と、これに逆並列に接続され
たダイオード９、１０からなるインバータ回路により高
周波高電圧を発生し、インバータ回路の出力を高圧直流
に整流する高圧整流回路１４と、高圧整流回路１４の出
力によりマグネトロンを駆動する構成としている。この
ような構成でインバータ回路を高周波で動作させること
により、共振コンデンサ５、６や昇圧トランス１３を小
型化し、高周波加熱装置を小型かつ軽量にするととも
に、インバータ回路に半導体スイッチ素子を２つ用いる
ブリッジ構成とすることで、２００ｖの配電系統で高周
波加熱装置を使用した場合でも半導体スイッチ素子の責
務を軽減することを目的としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では次に挙げるような課題があった。
来の構成では次に挙げるような課題があった。
【０００４】従来の構成のにおいてはインバータ回路の
共振周波数ｆｒをインバータ回路の動作周波数ｆｏより
も大きくとっており、半導体スイッチ素子１１、１２の
電圧電流波形は図７の様になる。これを見るとわかるよ
うに半導体スイッチ素子にかかる電圧波形は矩形波をし
めす。このため半導体スイッチ素子１１、１２にかかる
電圧ＶCE１、ＶCE２のターンオン及びターンオフ時のｄ
ｖ／ｄｔが大きく、ターンオン／オフによって生じる電
磁雑音が大きくなり、この電磁雑音を除去するノイズフ
ィルタが大型化し高価になる。また、半導体スイッチ素
子がターンオフする際に生じるスイッチング損失が大き
くなり、そのため大きな放熱フィンが必要になる。
共振周波数ｆｒをインバータ回路の動作周波数ｆｏより
も大きくとっており、半導体スイッチ素子１１、１２の
電圧電流波形は図７の様になる。これを見るとわかるよ
うに半導体スイッチ素子にかかる電圧波形は矩形波をし
めす。このため半導体スイッチ素子１１、１２にかかる
電圧ＶCE１、ＶCE２のターンオン及びターンオフ時のｄ
ｖ／ｄｔが大きく、ターンオン／オフによって生じる電
磁雑音が大きくなり、この電磁雑音を除去するノイズフ
ィルタが大型化し高価になる。また、半導体スイッチ素
子がターンオフする際に生じるスイッチング損失が大き
くなり、そのため大きな放熱フィンが必要になる。
【０００５】以上のように、従来の高周波加熱装置にお
いてはインバータ回路のスイッチングによって生じる電
磁雑音が大きくなり、これを除去するノイズフィルタが
高価になってしまうという課題、および、スイッチング
損失が大きいため大きな放熱フィンを必要とするという
課題があった。
いてはインバータ回路のスイッチングによって生じる電
磁雑音が大きくなり、これを除去するノイズフィルタが
高価になってしまうという課題、および、スイッチング
損失が大きいため大きな放熱フィンを必要とするという
課題があった。
【０００６】そこで、本発明はこのような課題を回避す
る高周波加熱装置を提供することを目的とするものであ
る。
る高周波加熱装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の高周波加熱装置を下記の構成とした。
に本発明の高周波加熱装置を下記の構成とした。
【０００８】商用電源などの外部電源の電力を整流する
整流器と、前記整流器の出力電力を受け高周波高圧電力
に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電力を直
流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流高圧電
力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネトロンと
を備えるとともに、前記インバータ回路を、前記整流回
路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ素子の
直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記昇圧トラン
スに並列に接続するとともに、クランプコンデンサと第
２の逆導通スイッチ素子の直列接続体を前記昇圧トラン
スに並列に接続する構成とした。
整流器と、前記整流器の出力電力を受け高周波高圧電力
に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電力を直
流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流高圧電
力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネトロンと
を備えるとともに、前記インバータ回路を、前記整流回
路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ素子の
直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記昇圧トラン
スに並列に接続するとともに、クランプコンデンサと第
２の逆導通スイッチ素子の直列接続体を前記昇圧トラン
スに並列に接続する構成とした。
【０００９】また、商用電源などの外部電源の電力を整
流する整流器と、前記整流器の出力電力を受け高周波高
圧電力に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電
力を直流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流
高圧電力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネト
ロンとを備えるとともに、前記インバータ回路を、前記
整流回路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ
素子の直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記第１
の逆導通スイッチ素子に並列に接続するとともに、クラ
ンプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の直列接続
体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成とした。
流する整流器と、前記整流器の出力電力を受け高周波高
圧電力に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電
力を直流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流
高圧電力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネト
ロンとを備えるとともに、前記インバータ回路を、前記
整流回路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ
素子の直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記第１
の逆導通スイッチ素子に並列に接続するとともに、クラ
ンプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の直列接続
体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成とした。
【００１０】さらにまた、第１および第２の逆導通スイ
ッチ素子をＩＧＢＴと前記ＩＧＢＴにたいして逆並列に
接続されたダイオードによって構成した。
ッチ素子をＩＧＢＴと前記ＩＧＢＴにたいして逆並列に
接続されたダイオードによって構成した。
【００１１】そしてまた、第１および第２の逆導通スイ
ッチ素子をＭＯＳＦＥＴと前記ＭＯＳＦＥＴにたいして
逆並列に接続されたダイオードによって構成した。
ッチ素子をＭＯＳＦＥＴと前記ＭＯＳＦＥＴにたいして
逆並列に接続されたダイオードによって構成した。
【００１２】
【作用】商用電源などの外部電源の電力を整流する整流
回路と、前記整流回路の出力電力を受け高周波高圧電力
に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電力を直
流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流高圧電
力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネトロンと
を備えるとともに、前記インバータ回路を、前記整流回
路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ素子の
直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記昇圧トラン
スに並列に接続するとともに、クランプコンデンサと第
２の逆導通スイッチ素子の直列接続体を前記昇圧トラン
スに並列に接続する構成とする事により、第１および第
２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形を台形化しス
イッチ損失および電磁雑音を低減するという作用を有す
る。
回路と、前記整流回路の出力電力を受け高周波高圧電力
に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電力を直
流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流高圧電
力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネトロンと
を備えるとともに、前記インバータ回路を、前記整流回
路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ素子の
直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記昇圧トラン
スに並列に接続するとともに、クランプコンデンサと第
２の逆導通スイッチ素子の直列接続体を前記昇圧トラン
スに並列に接続する構成とする事により、第１および第
２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形を台形化しス
イッチ損失および電磁雑音を低減するという作用を有す
る。
【００１３】また、商用電源などの外部電源の電力を整
流する整流回路と、前記整流回路の出力電力を受け高周
波高圧電力に変換するインバータ回路と、前記高周波高
圧電力を直流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記
直流高圧電力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグ
ネトロンとを備えるとともに、前記インバータ回路を、
前記整流回路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイ
ッチ素子の直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記
第１の逆導通スイッチ素子に並列に接続するとともに、
クランプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の直列
接続体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成とする
事により第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる
電圧波形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減
するという作用を有する。
流する整流回路と、前記整流回路の出力電力を受け高周
波高圧電力に変換するインバータ回路と、前記高周波高
圧電力を直流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記
直流高圧電力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグ
ネトロンとを備えるとともに、前記インバータ回路を、
前記整流回路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイ
ッチ素子の直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記
第１の逆導通スイッチ素子に並列に接続するとともに、
クランプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の直列
接続体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成とする
事により第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる
電圧波形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減
するという作用を有する。
【００１４】さらにまた、第１および第２の逆導通スイ
ッチ素子をＩＧＢＴと前記ＩＧＢＴにたいして逆並列に
接続されたダイオードによって構成する事により第１お
よび第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形を台形
化しスイッチ損失および電磁雑音を低減するとともに逆
導通スイッチを容易に実現するという作用を有する。
ッチ素子をＩＧＢＴと前記ＩＧＢＴにたいして逆並列に
接続されたダイオードによって構成する事により第１お
よび第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形を台形
化しスイッチ損失および電磁雑音を低減するとともに逆
導通スイッチを容易に実現するという作用を有する。
【００１５】そしてまた、第１および第２の逆導通スイ
ッチ素子をＭＯＳＦＥＴと前記ＭＯＳＦＥＴにたいして
逆並列に接続されたダイオードによって構成する事によ
り第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波
形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減すると
ともに逆導通スイッチを容易に実現するという作用を有
する。
ッチ素子をＭＯＳＦＥＴと前記ＭＯＳＦＥＴにたいして
逆並列に接続されたダイオードによって構成する事によ
り第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波
形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減すると
ともに逆導通スイッチを容易に実現するという作用を有
する。
【００１６】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は高周波加熱装置の回路図であり、図２は高周
波加熱装置の動作波形を示す図である。
る。図１は高周波加熱装置の回路図であり、図２は高周
波加熱装置の動作波形を示す図である。
【００１７】図１において１は商用電源などの外部電源
であり高周波加熱装置に外部から電力を供給する。高周
波加熱装置はこの外部電源１から受けた電力を高周波高
圧電力に変換する電力変換部１４と、電力変換部１４が
出力する高周波高圧電力を直流高電圧に整流する高圧整
流回路１１と、高圧整流回路１１が出力する直流高電圧
によって駆動され加熱室（図示せず）にマイクロ波を放
射するマグネトロン１２と、電力変換部１４が変換する
電力を制御する制御部１３を有している。また電力変換
部１４は、ダイオードブリッジ２と平滑回路３と平滑回
路３の出力にＩＧＢＴ７とこれに逆並列に接続されたダ
イオード６によって構成される第１の逆導通スイッチと
昇圧トランス４の直列接続体を接続し、共振コンデンサ
５を昇圧トランス４に並列に接続するとともに、ＩＧＢ
Ｔ１０とこれに逆並列に接続されたダイオード９によっ
て構成される第２の逆導通スイッチとクランプコンデン
サ８の直列接続体を昇圧トランス４に並列に接続して構
成されたインバータ回路により構成される。
であり高周波加熱装置に外部から電力を供給する。高周
波加熱装置はこの外部電源１から受けた電力を高周波高
圧電力に変換する電力変換部１４と、電力変換部１４が
出力する高周波高圧電力を直流高電圧に整流する高圧整
流回路１１と、高圧整流回路１１が出力する直流高電圧
によって駆動され加熱室（図示せず）にマイクロ波を放
射するマグネトロン１２と、電力変換部１４が変換する
電力を制御する制御部１３を有している。また電力変換
部１４は、ダイオードブリッジ２と平滑回路３と平滑回
路３の出力にＩＧＢＴ７とこれに逆並列に接続されたダ
イオード６によって構成される第１の逆導通スイッチと
昇圧トランス４の直列接続体を接続し、共振コンデンサ
５を昇圧トランス４に並列に接続するとともに、ＩＧＢ
Ｔ１０とこれに逆並列に接続されたダイオード９によっ
て構成される第２の逆導通スイッチとクランプコンデン
サ８の直列接続体を昇圧トランス４に並列に接続して構
成されたインバータ回路により構成される。
【００１８】次に図２を用いて本実施例の高周波加熱装
置の動作を説明する。図２においてＩsw１は第１の逆導
通スイッチを流れる電流であり、Ｖsw２は第１の逆導通
スイッチにかかる電圧であり、Ｉsw２は第２の逆導通ス
イッチを流れる電流であり、Ｖsw２は第１の逆導通スイ
ッチにかかる電圧であり、またＶcpはクランプコンデン
サにかかる電圧である。図２において第１の逆導通スイ
ッチがターンオンした時点から動作の説明を進める。第
１の逆導通スイッチがターンオンするとＩsw１は平滑回
路３の出力電圧と昇圧トランスの１次巻線のインダクタ
ンス値によって定まる傾きで上昇を始める。一定期間の
後第１の逆導通スイッチ素子をオフすると昇圧トランス
４と共振コンデンサ５の共振現象によりＶsw１が上昇を
始める。この時Ｖsw２はある一定の電圧から下降を始め
る。Ｖsw１が平滑回路３の出力電圧とＶcpの和に達する
（このときＶsw２は零電圧になる）と第２の逆導通スイ
ッチを構成するダイオード９がターンオンしクランプコ
ンデンサに電流が流れ込みＶcpは図２に示すように増加
する。このときＶsw１はクランプコンデンサ８の働きに
よってクランプされるため図２に示すように緩やかな変
化を示す。Ｉsw２が負の期間（ダイオード９が導通して
いる期間）に第２の逆導通スイッチを構成するＩＢＧＴ
１０にオン信号を与えておくとＩsw２はさらに増加を続
ける。Ｖcpがある一定値に達すると第２の逆導通スイッ
チ素子をターンオフしクランプ期間を終了する。クラン
プ期間が終了すると昇圧トランス４と共振コンデンサ５
の共振現象が再開されＶsw１は減少していく。Ｖsw１が
零電圧に達すると第１の逆導通スイッチを構成するダイ
オード６がターンオンする。このような動作を繰り返す
ことによってインバータ回路は高周波高電圧を発生しマ
グネトロンを駆動する。
置の動作を説明する。図２においてＩsw１は第１の逆導
通スイッチを流れる電流であり、Ｖsw２は第１の逆導通
スイッチにかかる電圧であり、Ｉsw２は第２の逆導通ス
イッチを流れる電流であり、Ｖsw２は第１の逆導通スイ
ッチにかかる電圧であり、またＶcpはクランプコンデン
サにかかる電圧である。図２において第１の逆導通スイ
ッチがターンオンした時点から動作の説明を進める。第
１の逆導通スイッチがターンオンするとＩsw１は平滑回
路３の出力電圧と昇圧トランスの１次巻線のインダクタ
ンス値によって定まる傾きで上昇を始める。一定期間の
後第１の逆導通スイッチ素子をオフすると昇圧トランス
４と共振コンデンサ５の共振現象によりＶsw１が上昇を
始める。この時Ｖsw２はある一定の電圧から下降を始め
る。Ｖsw１が平滑回路３の出力電圧とＶcpの和に達する
（このときＶsw２は零電圧になる）と第２の逆導通スイ
ッチを構成するダイオード９がターンオンしクランプコ
ンデンサに電流が流れ込みＶcpは図２に示すように増加
する。このときＶsw１はクランプコンデンサ８の働きに
よってクランプされるため図２に示すように緩やかな変
化を示す。Ｉsw２が負の期間（ダイオード９が導通して
いる期間）に第２の逆導通スイッチを構成するＩＢＧＴ
１０にオン信号を与えておくとＩsw２はさらに増加を続
ける。Ｖcpがある一定値に達すると第２の逆導通スイッ
チ素子をターンオフしクランプ期間を終了する。クラン
プ期間が終了すると昇圧トランス４と共振コンデンサ５
の共振現象が再開されＶsw１は減少していく。Ｖsw１が
零電圧に達すると第１の逆導通スイッチを構成するダイ
オード６がターンオンする。このような動作を繰り返す
ことによってインバータ回路は高周波高電圧を発生しマ
グネトロンを駆動する。
【００１９】このように本発明の実施例の高周波加熱装
置によれば、クランプコンデンサ８とこれに直列に接続
された第２の逆導通スイッチ（ダイオード９およびＩＧ
ＢＴの並列接続体）からなるクランプ回路の働きによっ
て第１の逆導通スイッチ素子にかかる電圧はある一定の
電圧までしか上昇しないため高周波加熱装置を２００ｖ
の商用電源系統のような高い電圧を有する系統に接続し
て使用することができる。また、第１および第２の逆導
通スイッチ素子にかかる電圧は図２に示すように台形波
状となるためターンオン、ターンオフ時のスイッチング
損失を小さくすることができる。また、第１および第２
の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形は略台形波状で
あるため従来のような矩形波状の電圧に比べターンオ
ン、ターンオフにともなって生じる電磁干渉を小さくで
きる。このため電源系統への電磁雑音を遮断するノイズ
フィルタを安価に構成できるため回路設計上たいへん都
合がよい。また、ターンオフ、ターンオン時の電圧電流
の重なりを小さくできるためダイオード６、９およびＩ
ＧＢＴ７、１０を冷却する冷却体に高性能冷却体や大型
の冷却体を用いる必要がなくなるので電源部を小型かつ
安価に構成できる。
置によれば、クランプコンデンサ８とこれに直列に接続
された第２の逆導通スイッチ（ダイオード９およびＩＧ
ＢＴの並列接続体）からなるクランプ回路の働きによっ
て第１の逆導通スイッチ素子にかかる電圧はある一定の
電圧までしか上昇しないため高周波加熱装置を２００ｖ
の商用電源系統のような高い電圧を有する系統に接続し
て使用することができる。また、第１および第２の逆導
通スイッチ素子にかかる電圧は図２に示すように台形波
状となるためターンオン、ターンオフ時のスイッチング
損失を小さくすることができる。また、第１および第２
の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形は略台形波状で
あるため従来のような矩形波状の電圧に比べターンオ
ン、ターンオフにともなって生じる電磁干渉を小さくで
きる。このため電源系統への電磁雑音を遮断するノイズ
フィルタを安価に構成できるため回路設計上たいへん都
合がよい。また、ターンオフ、ターンオン時の電圧電流
の重なりを小さくできるためダイオード６、９およびＩ
ＧＢＴ７、１０を冷却する冷却体に高性能冷却体や大型
の冷却体を用いる必要がなくなるので電源部を小型かつ
安価に構成できる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明は、商用電源などの
外部電源の電力を整流する整流器と、前記整流器の出力
電力を受け高周波高圧電力に変換するインバータ回路
と、前記高周波高圧電力を直流高圧電力に変換する高圧
整流回路と、前記直流高圧電力を受けマイクロ波を加熱
室に放射するマグネトロンとを備えるとともに、前記イ
ンバータ回路を、前記整流回路の出力に昇圧トランスと
第１の逆導通スイッチ素子の直列接続体を接続し、共振
コンデンサを前記昇圧トランスに並列に接続するととも
に、クランプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の
直列接続体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成と
する事により、第１および第２の逆導通スイッチ素子に
かかる電圧波形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音
を低減するため、逆導通スイッチ素子を冷却する冷却体
および電源系統への電磁雑音を遮断するノイズフィルタ
を安価に構成できるため安価に高周波加熱装置を提供で
きるという効果を有する。
外部電源の電力を整流する整流器と、前記整流器の出力
電力を受け高周波高圧電力に変換するインバータ回路
と、前記高周波高圧電力を直流高圧電力に変換する高圧
整流回路と、前記直流高圧電力を受けマイクロ波を加熱
室に放射するマグネトロンとを備えるとともに、前記イ
ンバータ回路を、前記整流回路の出力に昇圧トランスと
第１の逆導通スイッチ素子の直列接続体を接続し、共振
コンデンサを前記昇圧トランスに並列に接続するととも
に、クランプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の
直列接続体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成と
する事により、第１および第２の逆導通スイッチ素子に
かかる電圧波形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音
を低減するため、逆導通スイッチ素子を冷却する冷却体
および電源系統への電磁雑音を遮断するノイズフィルタ
を安価に構成できるため安価に高周波加熱装置を提供で
きるという効果を有する。
【００２１】また、商用電源などの外部電源の電力を整
流する整流器と、前記整流器の出力電力を受け高周波高
圧電力に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電
力を直流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流
高圧電力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネト
ロンとを備えるとともに、前記インバータ回路を、前記
整流回路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ
素子の直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記第１
の逆導通スイッチ素子に並列に接続するとともに、クラ
ンプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の直列接続
体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成とする事に
より第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧
波形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減する
ため、逆導通スイッチ素子を冷却する冷却体および電源
系統への電磁雑音を遮断するノイズフィルタを安価に構
成できるため安価に高周波加熱装置を提供できるという
効果を有する。
流する整流器と、前記整流器の出力電力を受け高周波高
圧電力に変換するインバータ回路と、前記高周波高圧電
力を直流高圧電力に変換する高圧整流回路と、前記直流
高圧電力を受けマイクロ波を加熱室に放射するマグネト
ロンとを備えるとともに、前記インバータ回路を、前記
整流回路の出力に昇圧トランスと第１の逆導通スイッチ
素子の直列接続体を接続し、共振コンデンサを前記第１
の逆導通スイッチ素子に並列に接続するとともに、クラ
ンプコンデンサと第２の逆導通スイッチ素子の直列接続
体を前記昇圧トランスに並列に接続する構成とする事に
より第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧
波形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減する
ため、逆導通スイッチ素子を冷却する冷却体および電源
系統への電磁雑音を遮断するノイズフィルタを安価に構
成できるため安価に高周波加熱装置を提供できるという
効果を有する。
【００２２】さらにまた、第１および第２の逆導通スイ
ッチ素子をＩＧＢＴと前記ＩＧＢＴにたいして逆並列に
接続されたダイオードによって構成する事により第１お
よび第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形を台形
化しスイッチ損失および電磁雑音を低減するとともに逆
導通スイッチを容易に実現できるため安価に高周波加熱
装置を提供できるという効果を有する。
ッチ素子をＩＧＢＴと前記ＩＧＢＴにたいして逆並列に
接続されたダイオードによって構成する事により第１お
よび第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波形を台形
化しスイッチ損失および電磁雑音を低減するとともに逆
導通スイッチを容易に実現できるため安価に高周波加熱
装置を提供できるという効果を有する。
【００２３】そしてまた、第１および第２の逆導通スイ
ッチ素子をＭＯＳＦＥＴと前記ＭＯＳＦＥＴにたいして
逆並列に接続されたダイオードによって構成する事によ
り第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波
形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減すると
ともに逆導通スイッチを容易に実現できるため安価に高
周波加熱装置を提供できるという効果を有する。
ッチ素子をＭＯＳＦＥＴと前記ＭＯＳＦＥＴにたいして
逆並列に接続されたダイオードによって構成する事によ
り第１および第２の逆導通スイッチ素子にかかる電圧波
形を台形化しスイッチ損失および電磁雑音を低減すると
ともに逆導通スイッチを容易に実現できるため安価に高
周波加熱装置を提供できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の高周波加熱装置の回路図
【図２】同高周波加熱装置の動作波形例を示す図
【図３】従来の高周波加熱装置の回路図
【図４】同高周波加熱装置の動作波形例を示す図
１ 外部電源 ２ 整流器 ４ 昇圧トランス ５ 共振コンデンサ ８ クランプコンデンサ １１ 高圧整流回路 １２ マグネトロン １５ 第１の逆導通スイッチ １６ 第２の逆導通スイッチ
Claims (4)
- 【請求項１】電源の電力を整流する整流器と、前記整流
器の出力電力を受け高周波高圧電力に変換するインバー
タ回路と、前記高周波高圧電力を直流高圧電力に変換す
る高圧整流回路と、前記直流高圧電力を受けマイクロ波
を加熱室に放射するマグネトロンとを備えるとともに、
前記インバータ回路を、前記整流回路の出力に昇圧トラ
ンスと第１の逆導通スイッチ素子の直列接続体を接続
し、共振コンデンサを前記昇圧トランスに並列に接続す
るとともに、クランプコンデンサと第２の逆導通スイッ
チ素子の直列接続体を前記昇圧トランスに並列に接続す
る構成とした高周波加熱装置。 - 【請求項２】外部電源の電力を整流する整流器と、前記
整流器の出力電力を受け高周波高圧電力に変換するイン
バータ回路と、前記高周波高圧電力を直流高圧電力に変
換する高圧整流回路と、前記直流高圧電力を受けマイク
ロ波を加熱室に放射するマグネトロンとを備えるととも
に、前記インバータ回路を、前記整流回路の出力に昇圧
トランスと第１の逆導通スイッチ素子の直列接続体を接
続し、共振コンデンサを前記第１の逆導通スイッチ素子
に並列に接続するとともに、クランプコンデンサと第２
の逆導通スイッチ素子の直列接続体を前記昇圧トランス
に並列に接続する構成とした高周波加熱装置。 - 【請求項３】第１および第２の逆導通スイッチ素子を絶
縁ゲートバイポーラトランジスタ（以下ＩＧＢＴと略
す）と、前記ＩＧＢＴに対して逆並列に接続されたダイ
オードによって構成した請求項１または請求項２記載の
高周波加熱装置。 - 【請求項４】第１および第２の逆導通スイッチ素子を金
属−酸化物−半導体形電界効果トランジスタ（以下ＭＯ
ＳＦＥＴと略す）と、前記ＭＯＳＦＥＴに対して逆並列
に接続されたダイオードによって構成した請求項１また
は請求項２記載の高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18372893A JPH0737684A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18372893A JPH0737684A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737684A true JPH0737684A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16140931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18372893A Pending JPH0737684A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452997B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-10-15 | 엘지전자 주식회사 | 인버터전자레인지의 인버터회로 |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP18372893A patent/JPH0737684A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452997B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-10-15 | 엘지전자 주식회사 | 인버터전자레인지의 인버터회로 |
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