JPH0745361A - 高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は高周波加熱装置に関するもので、２
００ｖの配電系統においても利用可能であるとともにス
イッチ損失およびＥＭＩノイズを低く抑えることのでき
る高周波加熱装置を提供することを目的とする。 【構成】 インバータ回路１９を、整流回路２０の出力
に並列に接続された第１および第２の共振コンデンサ
５、６の直列接続体と、整流回路２０の出力に並列に接
続された第１および第２の半導体スイッチ素子の直列接
続体１１、１２と、前記半導体スイッチ素子１１、１２
にそれぞれ並列に接続された第３および第４の共振コン
デンサ７、８と、前記共振コンデンサ５、６の接続点と
前記半導体スイッチ素子１１、１２の接続点の間に昇圧
トランス１３を接続する構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子レンジなどの高周波
加熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の高周波加熱装置は、図９のような
構成としたものが平成４年電気学会全国大会講演論文集
［５］５０８（５−６７頁）に発表されている。この高
周波加熱装置は、商用電源１の出力電圧ををダイオード
ブリッジ２で直流に変換し、一対の共振コンデンサ５、
６と昇圧トランス１３とからなる共振回路と一対の半導
体スイッチ素子１１、１２と、これに逆並列に接続され
たダイオード９、１０からなるインバータ回路により高
周波高電圧を発生し、インバータ回路の出力を高圧直流
に整流する高圧整流回路１４と、高圧整流回路１４の出
力によりマグネトロンを駆動する構成としている。この
ような構成でインバータ回路を高周波で動作させること
により、共振コンデンサ５、６や昇圧トランス１３を小
型化し、高周波加熱装置を小型かつ軽量にするととも
に、インバータ回路に半導体スイッチ素子を２つ用いる
ブリッジ構成とすることで、２００ｖの配電系統で高周
波加熱装置を使用した場合でも半導体スイッチ素子の責
務を軽減している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では次に挙げるような課題があった。

【０００４】従来の構成のにおいてはインバータ回路の
共振周波数ｆｒをインバータ回路の動作周波数ｆｏより
も大きくとっており、半導体スイッチ素子１１、１２の
電圧電流波形は図１０の様になる。図１０より半導体ス
イッチ素子にかかる電圧波形は矩形波状であることがわ
かる。このため半導体スイッチ素子１１、１２にかかる
電圧ＶCE１、ＶCE２のターンオン及びターンオフ時のｄ
ｖ／ｄｔが大きく、ターンオン／オフによって生じる電
磁波障害雑音（以下ＥＭＩノイズと略す）が大きくな
り、このＥＭＩノイズを除去するノイズフィルタが大型
化し高価になる。また、半導体スイッチ素子がターンオ
フする際に生じるスイッチング損失が大きくなり、その
ため大きな放熱フィンが必要になる。

【０００５】以上のように、従来の高周波加熱装置にお
いてはインバータ回路のスイッチングによって生じるＥ
ＭＩノイズが大きくなり、これを除去するノイズフィル
タが高価になってしまうという課題、および、スイッチ
ング損失が大きいため大きな放熱フィンを必要とすると
いう課題があった。

【０００６】そこで、本発明はこのような課題を回避す
る高周波加熱装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の高周波加熱装置を下記の構成とした。

【０００８】すなわち、インバータ回路を整流回路の出
力に並列に接続された第１および第２の共振コンデンサ
の直列接続体と、整流回路の出力に並列に接続された第
１および第２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、第
１および第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接
続された第３および第４の共振コンデンサと、第１およ
び第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ逆並列に接続さ
れた第１および第２のダイオードと、第１および第２の
共振コンデンサの接続点と第１および第２の半導体スイ
ッチ素子の接続点の間に昇圧トランスを接続する構成と
し、昇圧トランスと第１および第２の共振コンデンサに
よって決まる第１の共振周波数をインバータの動作周波
数より低くなるように構成した。

【０００９】また、インバータ回路を、整流回路の出力
に並列に接続された第１および第２の共振コンデンサの
直列接続体と、整流回路の出力に並列に接続された第１
および第２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、第１
および第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接続
された第３および第４の共振コンデンサと、第１および
第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ逆並列に接続され
た第１および第２のダイオードと、第１および第２の共
振コンデンサの接続点と第１および第２の半導体スイッ
チ素子の接続点の間に昇圧トランスを接続し、さらに昇
圧トランスに並列にインダクタを接続する構成とし、昇
圧トランスおよびこれに並列に接続したインダクタと第
１および第２の共振コンデンサによって決まる第１の共
振周波数をインバータの動作周波数よりも低くなるよう
に構成した。

【００１０】そしてまた、第１および第２の半導体スイ
ッチ素子を制御する制御部を設け、前記制御部により第
１および第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフ
するとともに、第１および第２の半導体スイッチ素子に
与えるオン信号の幅を対称に与える構成とした。

【００１１】さらにまた、第１および第２の半導体スイ
ッチ素子を制御する制御部を設け、前記制御部により第
１および第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフ
するとともに、前記第１および第２の半導体スイッチ素
子に与えるオン信号の幅を非対称に与えることによりイ
ンバータの動作周波数一定でＰＷＭ制御する構成とし
た。

【００１２】

【作用】本発明は上記構成により以下の作用を有する。

【００１３】商用電源などの外部電源の電力を整流する
整流回路と、インバータ回路と、高圧整流回路と、前記
高圧整流回路の出力により駆動されるマグネトロンから
なり、前記インバータ回路を、整流回路の出力に並列に
接続された第１および第２の共振コンデンサの直列接続
体と、整流回路の出力に並列に接続された第１および第
２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、第１および第
２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接続された第
３および第４の共振コンデンサと、第１および第２の共
振コンデンサの接続点と第１および第２の半導体スイッ
チ素子の接続点の間に昇圧トランスを接続する構成とす
ることにより、半導体スイッチ素子のオフ時にその両端
にかかる電圧を整流回路の出力電圧までしか上昇しない
ようにするとともに、半導体スイッチ素子のターンオフ
時に第３及び第４の共振コンデンサと昇圧トランスの共
振により半導体スイッチ素子にかかる電圧波形を台形化
しスイッチ損失およびＥＭＩノイズを低減するという作
用を有する。

【００１４】また、商用電源などの外部電源の電力を整
流する整流回路と、インバータ回路と、高圧整流回路
と、前記高圧整流回路の出力により駆動されるマグネト
ロンからなり、前記インバータ回路を、整流回路の出力
に並列に接続された第１および第２の共振コンデンサの
直列接続体と、整流回路の出力に並列に接続された第１
および第２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、第１
および第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接続
された第３および第４の共振コンデンサと、第１および
第２の共振コンデンサの接続点と第１および第２の半導
体スイッチ素子の接続点の間に昇圧トランスを接続し、
さらに昇圧トランスに並列にインダクタを接続する構成
とすることにより、半導体スイッチ素子のオフ時にその
両端にかかる電圧を整流回路の出力電圧までしか上昇し
ないようにするとともに、半導体スイッチ素子のターン
オフ時に第３及び第４の共振コンデンサと昇圧トランス
の共振により半導体スイッチ素子にかかる電圧波形を台
形化しスイッチ損失およびＥＭＩノイズを低減するとと
もに、昇圧トランスに並列に接続されたインダクタンス
によりマグネトロンの負荷インピーダンスが変化した場
合においても昇圧トランスとこのインダクタおよび第
３、第４の共振コンデンサによって決まる第２の共振周
波数の変動が少ない。このため半導体スイッチ素子にか
かる電圧波形のｄｖ／ｄｔの変化が少なく安定にゼロ電
圧スイッチング動作を実現できるため常にスイッチング
損失を小さくできるいう作用を有する。

【００１５】そしてまた、第１および第２の半導体スイ
ッチ素子を制御する制御部を備え、前記制御部により第
１および第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフ
するとともに、第１および第２の半導体スイッチ素子に
与えるオン信号の幅を対称に与える構成とすることによ
り、インバータ回路が出力する高周波高圧電力を連続的
に制御すると共に、半導体スイッチ素子のオフ時にその
両端にかかる電圧を整流回路の出力電圧までしか上昇し
ないようにするとともに、半導体スイッチ素子のターン
オフ時に第３及び第４の共振コンデンサと昇圧トランス
の共振により半導体スイッチ素子にかかる電圧波形を台
形化しＥＭＩノイズとスイッチ損失を低減するととも
に、動作周波数をかえることで容易に出力制御が行える
という作用を有する。

【００１６】さらにまた、第１および第２の半導体スイ
ッチ素子を制御する制御部を備え、前記制御部により第
１および第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフ
するとともに、前記第１および第２の半導体スイッチ素
子に与えるオン信号の幅を非対称に与え駆動周波数一定
でパルス幅制御する構成とすることにより、インバータ
回路が出力する高周波高圧電力を連続的に制御すると共
に、半導体スイッチ素子のオフ時にその両端にかかる電
圧を整流回路の出力電圧までしか上昇しないようにする
とともに、半導体スイッチ素子のターンオフ時に第３及
び第４の共振コンデンサと昇圧トランスの共振により半
導体スイッチ素子にかかる電圧波形を台形化しＥＭＩノ
イズとスイッチ損失を低減するとともに、半導体スイッ
チ素子に与えるオン信号の幅の比をかえることにより容
易に出力制御が行えるという作用を有する。

【００１７】

【実施例】 （実施例１）以下本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。

【００１８】図１は高周波加熱装置の回路図であり、図
２は高周波加熱装置の動作波形例を示す図である。

【００１９】図１において１は商用電源などの電源であ
り、高周波加熱装置に外部から低い周波数（５０／６０
Ｈｚ）の交流電力を供給する。高周波加熱装置は、この
交流電力を受けて高周波高圧電力に変換する電力変換部
１８と、電力変換部１８が出力する高周波高電圧を直流
高電圧に整流する高圧整流回路１４と、高圧整流回路１
４が出力する直流高電圧により駆動され加熱室（図示せ
ず）にマイクロ波を放射するマグネトロン１５と、電力
変換部１８が変換する電力を制御する制御部１６を有し
ている。また電力変換部１８はダイオードブリッジ２、
平滑コンデンサ４と、昇圧トランス１３、一対の半導体
スイッチ素子１１および１２、半導体スイッチ素子にそ
れぞれ逆並列に接続されたダイオード９および１０、半
導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接続された第三、第
四の共振コンデンサ７および８、第一、第二の共振コン
デンサ対５および６からなるインバータ回路１９により
構成される。

【００２０】次に図２を用いて本実施例の高周波加熱装
置の動作を説明する。図２において（ａ）は半導体スイ
ッチ素子１１およびダイオード９を流れる電流波形であ
り、（ｂ）は半導体スイッチ素子１１の両端にかかる電
圧波形であり、（ｃ）は半導体スイッチ素子１２および
ダイオード１０を流れる電流波形であり、（ｄ）は半導
体スイッチ素子１２の両端にかかる電圧波形であり、
（ｅ）は昇圧トランス１３の一次巻線を流れる電流波形
である。（ａ）において半導体スイッチ素子１１がター
ンオンした（イ）から説明をすすめる。（イ）において
半導体スイッチ素子１１がターンオンし、ある一定期間
の後ターンオフする（ロ）。この期間中半導体スイッチ
素子１１を流れる電流波形は第二の共振コンデンサ対５
および６と昇圧トランス１３の一次巻線のインダクタン
スによって決まる共振周波数ｆｒ１で定まる傾きを持
つ。半導体スイッチ素子１１がターンオフすると第一の
共振コンデンサ対７および８と昇圧トランス１３の一次
巻線のインダクタンスにより決まる共振周波数ｆｒ２で
定まる傾きを持って半導体スイッチ素子１１の両端にか
かる電圧は上昇を始め、一方半導体スイッチ素子１２の
両端にかかっていた電圧は電源電圧から同様の傾きで減
少を始める。さらに半導体スイッチ素子１１の両端にか
かる電圧が上昇を続け電源電圧に達すると半導体スイッ
チ素子１２に逆並列に接続されたダイオード１０が導通
し（図２（ｃ））、半導体スイッチ素子１１の両端にか
かる電圧は電源電圧でクリップされる。この時半導体ス
イッチ素子１２の両端にかかる電圧は図２（ｄ）の様に
ゼロになっている。このダイオード１０を流れる電流が
ゼロになると図２（ｃ）に示すように半導体スイッチ素
子１２がターンオンし（ハ）、ある一定期間の後ターン
オフする（ホ）。またこの電流波形はさきほどと同様に
ｆｒ１で決まる傾きを持っている。半導体スイッチ素子
１２がターンオフする（ホ）とｆｒ２で定まる傾きを持
って半導体スイッチ素子１２の両端にかかる電圧は上昇
を始め、一方半導体スイッチ素子１１の両端にかかって
いた電圧は電源電圧から同様の傾きで減少を始める。さ
らに半導体スイッチ素子１２の両端にかかる電圧が上昇
を続け電源電圧に達する（ヘ）と半導体スイッチ素子１
１に逆並列に接続されたダイオード９が導通する。また
この時半導体スイッチ素子１２の両端にかかる電圧は先
ほどと同様に電源電圧でクリップされる。このような動
作を繰り返すことによって昇圧トランスの１次巻線に図
２（ｅ）の様な高周波電流を流し、これを昇圧する事に
よってインバータ回路１９は高周波高電圧を発生する。

【００２１】このように本実施例の高周波加熱装置によ
れば、半導体スイッチ素子１１および１２にかかる電圧
は電源電圧でクリップされるため２００ｖ系の配電系統
で高周波加熱装置を使用しても半導体スイッチ素子にか
かる電圧ストレスが低く保つことができる。例えば実効
値が２００ｖの系統であれば電源電圧の最大値はこの√
２倍であるため半導体スイッチ素子の電圧ストレスは最
大で２８２ｖであり、また実効値が２４０ｖの系統であ
れば３３９ｖとなる。

【００２２】また、半導体スイッチ素子に与えるオン信
号にデッドタイム（半導体スイッチ素子１１、１２が両
方オフしている時間）を設けることにより半導体スイッ
チ素子１１、１２にかかる電圧波形は図２（ｂ）、
（ｃ）のようにターンオフ、ターンオン時に昇圧トラン
スと第３、第４の共振コンデンサによって決まる共振に
よる傾きでゆるやかに変化する。このため電圧波形は台
形波状となりターンオン、ターンオフ時の電圧、電流の
重なりを小さくできるため半導体スイッチ素子で生じる
損失を小さくでき、なおかつ半導体スイッチ素子のオン
／オフによって生じるＥＭＩノイズの発生を低く抑える
ことができるので、高性能冷却体や高価なやノイズフィ
ルタを用いる必要がなくなり回路設計上都合がよい。

【００２３】また、トランスの１次巻線に流れる電流に
注目すると、半導体スイッチ素子１１、１２がオンして
いる期間中も共振現象を利用しているため１次巻線を流
れる電流波形が正弦波状になり、トランスのコアを構成
する磁性材料の偏磁が起こりにくく、またトランスを流
れる電流が直流成分を含まないためトランスのコアを小
型化できトランス設計上都合がよい。

【００２４】（実施例２）本発明の第２の実施例を図
３、４を用いて説明する。

【００２５】図１と同符号のものは相当する構成要素で
あり説明の詳細は省略する。図３において制御部１６は
三角波発生回路２１、比較回路２２と半導体スイッチ素
子１１および１２を駆動する駆動回路２３とからなる制
御回路より構成されている。

【００２６】次に図４を用いて制御部１６が半導体スイ
ッチ素子１１、１２を駆動する方法を説明する。比較回
路２２は三角波発生回路２１で発生された三角波（図４
（ａ）−（イ））と２つの基準電圧（図４（ａ）−
（ロ）、（ハ））を比較し、三角波が一方の基準電圧よ
りも高いときに発生するパルス電圧と、三角波が他方の
基準電圧よりも低いときに発生するパルス電圧を駆動回
路２３にあたえる。駆動回路２３は一方のパルス電圧に
より半導体スイッチ素子１１にオン信号を与え、また、
他方のパルス電圧によって半導体スイッチ素子１２にオ
ン信号を与える構成となっている。

【００２７】このような構成の制御回路を設け、三角波
発生回路２１が発生する三角波の周波数をかえることに
よって半導体スイッチ素子に与えるオン信号の幅を変え
るとともに、半導体スイッチ素子１１、１２に与えるオ
ン信号の幅を対称に保つようにすると、インバータ回路
の動作周波数ｆｏと高周波加熱装置が出力する電力Ｐｏ
の関係は略々図５のようになる。このように動作周波数
を下げることによって出力電力を大きくすることがで
き、連続的に出力の制御が可能である。また、最大出力
時と低出力時の動作波形を図６に示す。図より明らかな
ように最大出力時においても低出力時においても半導体
スイッチ素子にかかる電圧波形は台形波状を示し常にＥ
ＭＩノイズを低く抑え、スイッチ損失を低くすることが
できる。

【００２８】なお、また本実施例の高周波加熱装置にお
いては動作周波数を固定して半導体スイッチ素子１１に
与えるオン信号の幅と半導体スイッチ素子１２に与える
オン信号の幅を非対称に与える（これをＰＷＭ制御と呼
ぶ）ことによっても高周波加熱装置の出力電力Ｐｏの制
御が可能である。このときは三角波発生回路２１が発生
する三角波の周波数を変えずに比較回路２２の二つの基
準電圧をかえることによりオン信号の幅を変える。この
ようにしたときのオン信号の幅の比Ｄと高周波加熱装置
の出力電力Ｐｏの関係を図７に示す。このように半導体
スイッチ素子に与えるオン信号を非対称にするとオン信
号の幅の比が１のときを最大にしてそこからどちらへず
れても減少している。また図８に最大出力時と低出力時
の動作波形を示す。これを見ると明らかなように最大出
力時においても低出力時においても半導体スイッチ素子
にかかる電圧波形は台形波状を示し、常にＥＭＩノイズ
とスイッチ損失を低く抑えることができる。また、２つ
以上の高周波加熱装置を隣接して使用した場合に、それ
ぞれの高周波加熱装置が異なる出力電力で動作していて
もインバータ回路の動作周波数ｆｏは常に一定であるた
め、その隣接した高周波加熱装置の動作周波数の差によ
って生じる干渉音を生じることがない。

【００２９】（実施例３）本発明の第３の実施例を図９
以下を用いて説明する。

【００３０】図９は高周波加熱装置の回路図を示したも
のであり図１と同符号のものは相当する構成要素である
ため詳細な説明は省略する。図１０は動作波形を示す図
である。（Ａ）は最大出力時であり、（Ｂ）は低出力時
である。

【００３１】昇圧トランスに並列にインダクタがない場
合ではＤを１よりも大きくする、または小さくすること
によって出力電力を最大出力電力の１／２以下に小さく
した場合、ゼロ電圧スイッチング動作が確保できなくな
り半導体スイッチ素子のスイッチング損失が大きくなる
とともに、半導体スイッチ素子に電圧がかかった状態で
ターンオンするためサージ電流が発生し半導体スイッチ
素子の電流責務が大きくなってしまう。これにに比べて
昇圧トランス１３に並列にインダクタ２１を接続すると
図１０のようにＤを小さくし、出力電力を最大出力電力
の１／４から１／５以下にしたときにもゼロ電圧スイッ
チングが実現でき、半導体スイッチ素子１１、１２のス
イッチングロスを小さくできるため非常に都合がよい。

【００３２】また、トランスの結合係数を小さくするこ
とによってトランスの漏れインダクタンスを利用し、イ
ンダクタ２１を省略することもできる。このため回路を
小型化でき回路設計上非常に都合がよい。

【００３３】

【発明の効果】以上示したように本発明の高周波加熱装
置は、以下に述べる効果を有するものである。

【００３４】商用電源などの外部電源の電力を整流する
整流回路と、インバータ回路と、高圧整流回路と、前記
高圧整流回路の出力により駆動されるマグネトロンから
なり、前記インバータ回路を、整流回路の出力に並列に
接続された第１および第２の共振コンデンサの直列接続
体と、整流回路の出力に並列に接続された第１および第
２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、第１および第
２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接続された第
３および第４の共振コンデンサと、第１および第２の共
振コンデンサの接続点と第１および第２の半導体スイッ
チ素子の接続点の間に昇圧トランスを接続する構成とす
ることにより、低損失、低ＥＭＩであるので低コストの
高周波加熱装置を提供することができる。

【００３５】また、商用電源などの外部電源の電力を整
流する整流回路と、インバータ回路と、高圧整流回路
と、前記高圧整流回路の出力により駆動されるマグネト
ロンからなり、前記インバータ回路を、整流回路の出力
に並列に接続された第１および第２の共振コンデンサの
直列接続体と、整流回路の出力に並列に接続された第１
および第２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、第１
および第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接続
された第３および第４の共振コンデンサと、第１および
第２の共振コンデンサの接続点と第１および第２の半導
体スイッチ素子の接続点の間に昇圧トランスを接続し、
さらに昇圧トランスに並列にインダクタを接続する構成
とすることにより、低損失、低ＥＭＩであるので低コス
トの高周波加熱装置を提供することができる。

【００３６】そしてまた、第１および第２の半導体スイ
ッチ素子を制御する制御部を備え、前記制御部により第
１および第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフ
するとともに、第１および第２の半導体スイッチ素子に
与えるオン信号の幅を対称に与える構成とすることによ
り、インバータ回路が出力する高周波高圧電力を動作周
波数をかえることによって簡単かつ連続的に制御するこ
とができると共に、半導体スイッチ素子のオフ時にその
両端にかかる電圧を整流回路の出力電圧までしか上昇し
ないようにしたため２００ｖの配電系統においても利用
可能でかつ高出力をえることができるとともに、低損
失、低ＥＭＩであるので低コストの高周波加熱装置を提
供することができる。

【００３７】さらにまた、第１および第２の半導体スイ
ッチ素子を制御する制御部を備え、前記制御部により第
１および第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフ
するとともに、前記第１および第２の半導体スイッチ素
子に与えるオン信号の幅を非対称に与えることにより、
ＰＷＭ制御する構成とすることにより、インバータ回路
が出力する高周波高圧電力を半導体スイッチ素子に与え
るオン信号に幅の比をかえることによって簡単かつ連続
的に制御することができると共に、低損失、低ＥＭＩで
あるので低コストの高周波加熱装置を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例における高周波加熱装置の回
路図

【図２】同高周波加熱装置の動作波形例を示す図

【図３】本発明の他の実施例における高周波加熱装置の
回路図

【図４】同高周波加熱装置の制御回路の動作波形例を示
す図

【図５】同高周波加熱装置の動作周波数と出力電力の関
係を示す図

【図６】（Ａ）同高周波加熱装置を周波数可変制御した
ときの出力電力大のときの半導体スイッチ素子の電圧電
流波形図 （Ｂ）同高周波加熱装置を周波数可変制御したときの出
力電力小のときの半導体スイッチ素子の電圧電流波形図

【図７】同高周波加熱装置の半導体スイッチ素子に与え
るオン信号幅の比と出力電力の関係を示す図

【図８】（Ａ）同高周波加熱装置を周波数一定制御した
ときの出力電力大のときの半導体スイッチ素子の電圧電
流波形図 （Ｂ）同高周波加熱装置を周波数一定制御したときの出
力電力小のときの半導体スイッチ素子の電圧電流波形図

【図９】本発明の第３実施例における高周波加熱装置の
回路図

【図１０】（Ａ）同高周波加熱装置の最大出力時の動作
波形例を示す図 （Ｂ）同高周波加熱装置の低出力時の動作波形例を示す
図

【図１１】従来の高周波加熱装置の回路図

【図１２】同高周波加熱装置の動作波形例を示す図

【符号の説明】

１ 電源 ５ 第一の共振コンデンサ ６ 第二の共振コンデンサ ７ 第三の共振コンデンサ ８ 第四の共振コンデンサ ９ 第二のダイオード １０ 第二のダイオード １１ 第一の半導体スイッチ素子 １２ 第二の半導体スイッチ素子 １３ 昇圧トランス １４ 高圧整流回路 １５ マグネトロン １６ 制御部 １９ インバータ回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電源の電力を整流する整流回路と、前記整
   流回路の出力電力を受け高周波高圧電力に変換するイン
   バータ回路と、前記高周波高圧電力を直流高圧電力に変
   換する高圧整流回路と、前記直流高圧電力を受けマイク
   ロ波を加熱室に放射するマグネトロンとを備えるととも
   に、前記インバータ回路を、前記整流回路の出力に並列
   に接続された第１および第２の共振コンデンサの直列接
   続体と、前記整流回路の出力に並列に接続された第１お
   よび第２の半導体スイッチ素子の直列接続体と、前記第
   １および第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ並列に接
   続された第３および第４の共振コンデンサと、前記第１
   および第２の半導体スイッチ素子にそれぞれ逆並列に接
   続された第１および第２のダイオードと、前記第１およ
   び第２の共振コンデンサの接続点と前記第１および第２
   の半導体スイッチ素子の接続点の間に昇圧トランスを接
   続する構成とした高周波加熱装置。
2. 【請求項２】１次巻線にインダクタを並列接続する構成
   とした請求項１記載の高周波加熱装置。
3. 【請求項３】第１および第２の半導体スイッチ素子を制
   御する制御部を備え、前記制御部により前記第１および
   第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフするとと
   もに、前記第１および第２の半導体スイッチ素子に与え
   るオン信号の幅を対称に与える構成とした請求項１また
   は請求項２記載の高周波加熱装置。
4. 【請求項４】第１および第２の半導体スイッチ素子を制
   御する制御部を備え、前記制御部により前記第１および
   第２の半導体スイッチ素子を交互にオン／オフするとと
   もに、前記第１および第２の半導体スイッチ素子に与え
   るオン信号の幅を非対称に与えることにより、パルス幅
   制御する構成とした請求項１または請求項２記載の高周
   波加熱装置。