JPH0737419Y2

JPH0737419Y2 - 消磁回路素子

Info

Publication number: JPH0737419Y2
Application number: JP1985172022U
Authority: JP
Inventors: 謙治阿部
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1985-11-08
Filing date: 1985-11-08
Publication date: 1995-08-23
Anticipated expiration: 2000-11-08
Also published as: JPS6280486U

Description

【考案の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本考案は、正特性サーミスタを用いた消磁回路素子に関
し、電流制限用となる第１の正特性サーミスタを加熱す
る第２の正特性サーミスタの常温抵抗値を50Ω〜250Ω
の範囲に設定することにより、突入電流を低下させない
で、平衡点電流を低減させ、消磁作用を向上させるよう
にしたものである。

〈従来の技術〉磁化されたカラーテレビのシャドウマスクを消磁するに
は、一般に、消磁コイルに時間とともに減衰する交流電
流を流し、消磁コイルに生じる磁化力を次第に弱めてい
って交流消磁する方法がとられる。そのための消磁回路
素子として、正特性サーミスタを用いたものが公知であ
る。第１図は正特性サーミスタによる消磁回路素子を用
いた消磁回路であり、１は交流電源、２は消磁コイル、
３は消磁回路素子である。消磁回路素子３は交流電源１
及び消磁コイル２を巡る回路ループに直列に入る電流制
限用の第１の正特性サーミスタ31と、この第１の正特性
サーミスタ31に熱結合され、消磁コイル２及び第１の正
特性サーミスタ31の直列回路に対して並列接続される第
２の正特性サーミスタ32とを備えて構成され、第１の正
特性サーミスタ31を第２の正特性サーミスタ32によって
加熱することにより、その内部抵抗を押上げて残留電流
を小さい値に抑えるようになっている。第１の正特性サ
ーミスタ31としては常温抵抗値が30Ω以上のものを使用
し、第２の正特性サーミスタ32としては常温抵抗値が50
0Ω程度のものを使用するのが一般的である。また、第
１の正特性サーミスタ31のキュリー温度は50℃程度と
し、第２の正特性サーミスタ32のキュリー温度は第１の
正特性サーミスタ31のそれより高い110℃程度に選定す
る。４は電源投入スイッチである。

第２図は消磁回路素子の具体的な構造を示す図で、第１
の正特性サーミスタ31及び第２の正特性サーミスタ32の
各一端面を、間に電極端子板33を挾んで重ね合せると共
に、他端面側から弾性電極板34及び35によるバネ圧を加
えて、両者31、32を互いに密着させて熱結合させ、ケー
ス36の内部に収納した構造となっている。

第２の正特性サーミスタ32による加熱作用がなく、正特
性サーミスタ31が単独で動作している場合、第３図の曲
線Ａで示す抵抗温度特性となり、第１の正特性サーミス
タ31は温度TA、抵抗値RAで安定動作する。従って、消磁
コイル２には、第４図の曲線IAで示す平衡点電流が流れ
る。

この第１の正特性サーミスタ31に対して、第３図の曲線
Ｂで示すような抵抗温度特性の第２の正特性サーミスタ
32を熱結合させた場合、第１の正特性サーミスタ31が加
熱され、動作温度が、温度TAより高い温度TBに移行す
る。このため、第１の正特性サーミスタ31の安定動作時
抵抗値が抵抗値RAより高い抵抗値RBになり、消磁コイル
２に流れる平衡点電流が、第４図の曲線IBに示すように
低下する。従って、電流制限用の第１の正特性サーミス
タ31の他に、加熱用の第２の正特性サーミスタ32を備え
ることにより、平衡点電流を低下させることができる。

〈考案が解決しようとする問題点〉ところで、消磁効果を高めるためには、突入電流を大き
くすることと、平衡点電流をできるだけ小さい値に抑え
ること等が重要なポイントとなる。ところが、従来の消
磁回路素子では、特に、定格電圧の低い場合及び電流制
御用サーミスタが低抵抗化した場合、平衡点電流が6mA
以上の大きな値になり、充分な消磁作用が得られないと
いう問題点があった。

〈問題点を解決するための手段〉上述する従来の問題点を解決するため、本考案は、消磁
コイルに直列に接続される第１の正特性サーミスタと、
この第１の正特性サーミスタに熱結合され前記消磁コイ
ル及び前記第１の正特性サーミスタの直列回路に対して
並列接続される第２の正特性サーミスタとを備える消磁
回路素子において、前記第２の正特性サーミスタの常温
抵抗値は50Ω〜250Ωであることを特徴とする。

〈作用〉上述のように、加熱用となる第２の正特性サーミスタの
常温抵抗値を50Ω〜250Ωに設定すると、突入電流を従
来と同様のレベルとしたままで、平衡点電流を5mA以下
に低減させ、消磁作用を向上させることができる。この
場合、電流制限用となる第１の正特性サーミスタの常温
抵抗値を30Ω以下とすることが望ましい。なお、キュリ
ー温度に関しては、従来と同様に、第１の正特性サーミ
スタのキュリー温度より、第２の正特性サーミスタのキ
ュリー温度を高く設定する。

加熱用の第２の正特性サーミスタのキュリー温度を同一
値に保ちながら、常温抵抗値R2を小さくしてゆくと、第
３図に示す如く、抵抗−温度特性が曲線L1、L2、L3及び
L4のように平行移動し、動作時の安定抵抗値がRa、Rb、
Rc及びRdのように低くなってゆく。このため、動作時の
安定温度がTa、Tb、Tc及びTdのように高温側に移動する
ようになる。第２の正特性サーミスタは、動作時安定温
度が高温側に移行する程、発熱量が増大するから、結果
的に、電流制御用の第１の正特性サーミスタへの熱移動
が盛んになり、第１の正特性サーミスタの動作領域を高
温側に押上げ、平衡点電流を減少させる。

一方、第２の正特性サーミスタは、第１の正特性サーミ
スタ及び消磁コイルの直列回路に対して並列に接続され
ているので、第２の正特性サーミスタの抵抗値を小さく
してゆくと、第２の正特性サーミスタに流れ込む電流が
増大し、第１の正特性サーミスタを通って消磁コイルに
流れる電流が減少する。このため、突入電流が減少して
しまうという問題点を生じる。

或いは、突入電流が小さくならないまでも、消磁作用に
は無関係な、突入電流とほぼ同じ波高値の無効減衰電流
が流れ続けることもある。

本考案によれば、第２の正特性サーミスタの常温抵抗値
を50Ω〜250Ωの範囲に設定したことにより、突入電流
の減少や無効減衰電流の増大等の弊害を招くことなく、
平衡点電流だけを減少させることができる。

〈実施例〉第１の正特性サーミスタ31として、直径13.3mm、厚み2.
2mmの円板状であって、キュリー温度が50℃、常温抵抗
値が５Ω前後のものを使用すると共に、第２の正特性サ
ーミスタ32として、直径12.5mm、厚み2.0mmの円板状
で、キュリー温度が130℃、常温抵抗値30Ω〜250Ωの範
囲にあるものを使用し、これを組合せて、第２図に示す
構造の消磁回路素子を組立てた。これを試料１〜32とす
る。そして、これらの消磁回路素子を使用して第１図に
示す消磁回路を構成し、消磁コイル２に流れる消磁電流
を測定すると共に、その電流波形を、オシロスコープで
観測した。第１図における交流電源１としては100Vのも
のを使用した。

〈比較例〉上記実施例との比較のため、第１の正特性サーミスタ31
として実施例とほぼ同じ形状、特性のものを使用し、こ
の第１の正特性サーミスタ31に対して、上記実施例と同
じく直径12.5mm、厚み2.0mmの円板状で、キュリー温度1
30℃であるが、常温抵抗値310Ω、655Ωの２種類の第２
の正特性サーミスタ32を組合せて、比較例１及び比較例
２の２つのサンプルを組立て、実施例と同様の特性測定
を行なった。

上記各実施例及び比較例の試験データを表１に示すと共
に、第６図にグラフ化して示し、更に試料９、21、26、
29と比較例１、２のオシロスコープ観測波形を第７図〜
第12図に示した。表１及び第６図のグラフにおける平衡
点電流は電源投入から60秒経過した時点の電流値であ
る。また第７図から第12図のτｂは（Io/2）msecとして
求めたものである。ここで、Ioは突入電流のピーク値で
ある。

これらの試験データから明らかなように、比較例１、２
で6mA以上になっている平衡点電流が、本考案の実施例
たる試料１〜32では5mA未満に低減されている。また、
平衡点電流値が第２の正特性サーミスタ32の常温抵抗値
R2の低下と共に減少して行く傾向が確認できる。

しかも、各試料１〜43では比較例１、２とほぼ同じ突入
電流が得られている。第２の正特性サーミスタ32の常温
抵抗値R2を小さくすると突入電流が減少することは前述
した通りであるけれども、常温抵抗値R2を30Ω以上の値
に選定すると、突入電流低下の悪影響をそれ程受けない
ことを意味するものである。

〈考案の効果〉以上述べたように、本考案に係る消磁回路素子は、電流
制限用となる第１の正特性サーミスタを加熱する第２の
正特性サーミスタの常温抵抗値を50Ω〜250Ωの範囲に
設定したから、突入電流を低下させないで、平衡点電流
を低減させ、消磁作用を向上させるようにした消磁回路
素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は正特性サーミスタによる消磁回路素子を用いた
消磁回路、第２図は消磁回路素子の具体的な構造を示す
断面図、第３図は第１図の消磁回路の動作を説明するた
めの抵抗温度特性図、第４図は同じく電流減衰特性図、
第５図は本考案に係る消磁回路素子の動作を説明する抵
抗温度特性図、第６図は第２の正特性サーミスタの抵抗
値R2と平衡点電流との関係をグラフ化して示す図、第７
図〜第10図は本考案に係る消磁回路素子を用いた消磁回
路の消磁電流波形図、第11図及び第12図は従来の消磁回
路素子を用いた消磁回路の消磁電流波形図である。２……消磁コイル 31……第１の正特性サーミスタ 32……第２の正特性サーミスタ

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】消磁コイルに直列に接続される第１の正特
性サーミスタと、この第１の正特性サーミスタに熱結合
され前記消磁コイル及び前記第１の正特性サーミスタの
直列回路に対して並列接続される第２の正特性サーミス
タとを備える消磁回路素子において、前記第２の正特性
サーミスタの常温抵抗値は50Ω〜250Ωであることを特
徴とする消磁回路素子。
【請求項２】前記第１の正特性サーミスタの常温抵抗値
は30Ω以下であることを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第１項に記載の消磁回路素子。