JPH02305289A - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＣＲＴ（陰極線管）の消磁回路などの無接点
スイッチに用いる正特性ザーミスタ装置に関するもので
ある。

ＣＲＴには、地磁気や外部着磁によってシャドウマスク
が着磁され、内部を走る電子ビームが不用意に偏光を受
けて色ずれが生じたシ、ホワイｌ〜バランスがくずれた
りすることがあるため、上記シャドウマスクの着磁を取
除ぐ正時１生サーミスタ装置が設けられて−る。

従来の技術 従来、この種の正特性サーミスタ装置は、第４図に示す
ような構成であった。

第４図において、両面に銀の電極３ａ’、３ｂが設けら
れた第１の正特性サーミスタ１と、両面に銀の電極３０
．３（１が設けられ、第１の正特性サーミスタ１よりキ
ュリー温度の高１／−１第２の正特性サーミスタ２とで
銀メツキ黄銅板などの中間端子４を挾持し、両者の正特
性サーミスタ１，２を銀メソキリン青銅板などのバネ端
子５，６で圧着固定し、それらを絶縁性樹脂でできたケ
ースγの内部に挿入している。上記３閣の端子４．ｂ、
６はケース、７のｊ押部からｄ′油通孔通じて外部に突
出している。また、ケース７にはふた８が設けしれ、接
／ａ剤などで固定されでいる。

第５図は第４図の正特性サーミスタ装置に使用される消
磁回路の回路図である。第６図において９は消磁コイル
であり、スイッチＳＷを閉じると電流が正特性サーミス
タ１と消磁コイル９の直列回路に流れ、最明は正特注サ
ーミスタ１の抵抗値が小さいので大きな交番電流が消磁
コイ／Ｌ／９に流れ、同時に正特性サーミスタ１もその
電流で発熱してキュリー温度になると抵抗値が急激に上
昇し、それにつ九て電流も小さくなる。このように交番
電流が徐々に小さくなるため消磁コイ）Ｖ９には大きな
交番磁界から徐々に小さな交番磁界がかかり、それに伴
ないＣＲＴシャドウマスクに着磁した磁界が消去される
。しかし、常にスイッチＳｗを閉じているため、微小な
電流が消磁コイル９に流れ、常に微小な交番磁界がＣＲ
ｆシャドウマスクにかかってＡるので色むらが残ってい
た。

そのために、第１の正４匹サーミスタ１よりもキュリー
温度の高い第２の正特性サーミスタ２を第１の正４匹サ
ーミスタ１と熱的に密着させ、第１の正時ｊ生サーミス
タ１と消磁コイ）Ｖ９の直列回路に１宜圧が印加さルる
と同時に第２の正特性サーミスタ２にもイ圧が印加され
るようにし、第２の正特性サーミスタ２を第１の正特性
サーミスタ１以上の温度に発熱させ、その熱で第１の正
時ｊ生サーミスタ１を加熱し、その抵抗値をさらに増大
させ、第１の正特性サーミスタ１の残電流を極端に減す
ることができるようにしたものである。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような従来の構成では次のような課
題があった。

すなわち、残留電流が微小とはいえ流れてカるだめ、消
磁コイルに微小磁界が生じ、ＣＲＴ画面周辺部に微妙な
色むらを生じさせてし丑い、最近の著しいＣＲＴの高イ
ンチ化、微細化に満足できなくなりつつある。

本発明はこのような課題を解決するもので、残留電流を
零とじ、スイッチング特性が良好な正特性サーミスタ装
置を提供することを目的とするものである。

課題を解決するだめの手段 この課題を解決するために不発ＩＪＩ」ば、両面に′１
ｕ極を有する第１の正特性サーミスタを第１の端子と第
２の端子との間にはさみ圧接固定し、前記第１の正特性
サーミスタよりキュリー温度の高い両面に電極を有する
第２の正特性サーミスタを前記第２の端子と第３の端子
との間にはさみ固定し、前記第３の端子にバイメタルを
固着し、前記バイメタ）ｖが前１把第２の正特性サーミ
スタのキュリー温度未満においては第４の端子と接触し
、前記バイメタルが前記第２の正特性サーミスタのキュ
リー温度以上になると熱変形によりｉｊＪ記第４の端子
と開放状態になるように、前記バイメタルおよび前記第
４の端子を配置し、前記第１〜第４の端子を絶縁性の支
持台に固定したものである。

作用 この構成により、第２の端子と第４の端子との間に消磁
コイ）ｖ勿つなき、第１の端子と第３の端子との１間に
電源をつなぐと消磁回路が実現できる。

すなわち、第１の正特性サーミスタと消磁コイルが直列
接続になっており、最初は第１の正時１生サーミスタの
抵抗値が小さｂので大きな交番電流が消磁コイルに流れ
、同時に第１の正特性サーミスタもその電流で発熱し、
キュリー温度になると抵抗値が急激に上昇し、それに伴
ない交４電流が徐々に小さくなるため、消磁コイルには
大きな交番磁界から徐々に小さな交番磁界がかかっ、Ｃ
ＲＴシャドウマスク周辺部に着磁した磁界が消去される
と同時に、第１の正４匹サーミスタよシもキュリー温度
の高い第２の正時１生サーミスタの発熱による熱が第３
の端子を介１７てバイメタルに伝わシ、バイメタルが温
度上昇によシ熱変形し、第４の端子との間が開放状態に
なる。その結果、消磁コイルには交番電流（残電流）が
流れなくなジ、スイッチング特性の憂れた正特性サーミ
スタ装置を提供することができることとなる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の一実施例による正特性ザー
ミスタ装置の断面図である。第１図において、両面に銀
の焼寸により電極１２ａ。

１２ｂが設けられた第１の正特性サーミスタ１０と、電
極１３ａ、１３ｂが設けられた前記第１の正特性サーミ
スタ１ｏよりキュリー温度の高い第２の正特性ザーミス
タ１１を、銀メソキリン青銅板などのバネ性を有する第
１の端子１４と第２の端子１５との間およびその第２の
端子１５と第３の端子１６との間でそれぞれ圧着固定し
てＡる。前記第２の正特性サーミスタ１１と当接してい
る第３の端子１６に、スナノブアクンヨン動作を行うよ
うに加工された薄い板状のバイメタル１８の一端が溶接
などにより固定されている。このバイメタル１８の一端
が第２の正特性ザーミスタ１１の発熱によシ、バイメタ
／Ｌ’１Ｂが第２の正特性サーミスタ１１のキュリー温
度以上になると、熱変形により開放状態になるように銀
メンキリン青銅板などの第４の端子１７が配置されてい
る。前記バイメタ／Ｌ／１Ｂの他端の先端部には銀など
の接点電極１８ａが設けられている。これらの第１〜第
４の端子１４・１５，１６．１７は絶縁性の支持台１９
に固定され、それぞれが起立支持されており、支持台１
９に設けられた貫通孔を通じて外部に突出している。ま
た、第１・第２の正特性サーミスタ１０．１１、バイメ
タル１８および第１〜第４の端子１４．１５．１６．１
７を絶、、＆性のケース２０内に収納封止している。

以上のように構成された正特性サーミスタ装置について
、以下その動作を説明する。第２図は本実施例の正特性
ザーミスタ装置を用いだ消磁回路の回路図であり、第３
図は同正特性サーミスタ装置の電流減衰特性の説明図で
ある。第２図（（おいて、スイッチＳＷを閉じて第１の
正特性サーミスタ１０が通電されると、第１の正特性サ
ーミスタ１ｏと消磁コイ／ｌ／２１が直列接続になって
いるため、最初は第１の正特性サーミスタ１ｏの抵抗値
が小さいので大きな交番電流が流れ、同時に第１の正特
性サーミスタ１０もその電流で発熱し、キュリー温度に
なると抵抗百が急激に上昇し、それに伴ない交番電流が
徐々に小さくなるだめ、消磁コイ）ｖ２１には大きな交
番磁界が最初かかつていたのが徐々に減衰し、ＣＲＴシ
ャドウマスク周辺部に着磁した磁界が消去される。まだ
、これと同時に第１の正特性サーミスタ１０と消磁コイ
ル２１の直列回路に並列に接続された第２の正時１生ザ
ーミスタ１１にも電流が流れ、発熱し、この熱が第３の
端子１６を介してバイメタル１８に伝わシ、このバイメ
タ）ｖ１８が第２の正特性サーミスタ１２のキュリー温
、を以上になると熱変形し、第４の端子１７との間が開
放状態になる。その結果、消磁コイ／ｌ／２１に流れて
いた交番電流（残電流）は流れなくなり、消磁コイル２
１には磁界が全く生じなくなり、ＣＲＴシャドウマスク
の周辺部の色むらを完全に除去することができる。第３
図は以上の説明による電流減衰特性である。

なお、スイッチＳＷを開き第２の正特性サーミスタ１１
の通電を止めると、第３の端子１６およびバイメタル１
８の温度が下かっ、バイメタル１０　、　。

１８は最初の形状に復帰し、第３の端子１６と第４の端
子１Ｔは短絡される。

発明の効果 以上のように本発明によれば、両面に電極を有する第１
の正特性サーミスタを第１の端子と第２の端子との間に
はさみ圧接固定し、前記第１の正特性ザーミスタよりキ
ュリー温度の高い両面に電極を有する第２の正特性サー
ミスタを前記第２の端子と第３の端子との間にはさみ固
定し、前記第３の端子にバイメタルを固着し、前記バイ
メタルが前記第２の正特注サーミスタのキュリー温度未
満においては第４の端子と接触し、前記バイメタルが前
記第２の正特性サーミスタのキュリー温度以上になると
熱変形により前記第４の端子と開放状態になるように、
前記バイメタルおよび前記第４の端子を配置し、前記第
１〜第４の端子を絶縁性の支持台に固定することによシ
、消磁コイルに流れる残電流を完全に零にすることがで
き、スイッチング特性が非常に優れ、ＣＲＴ画面の色む
らが皆無となる高性能な正特性サーミスク装竹を実１１
　、 現することができ、その実用効果は犬なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による正特性ザーミスタ装置
を示す断面図、第２図は同実施例による正特性サーミス
タ装置を月いた消磁回路を示す回路図、第３図は同実施
例による正特性サーミスタ装置の電流減衰特性の説明図
、第４図は従来の正特性サーミスタ装置を示す断面図、
第５図は同従来の正特性サーミスタ装置を用いた消磁回
路を示す回路図である。 １ｏ・・・・第１の正特性サーミスタ、１１・・・・・
・第２の正特注サーミスタ、１２ａ、１２ｂ、１３’ａ
。 １３ｂ・・・・・・電極、１４−・・・・第１の端子、
１５・・・第２の端子、１６・・・・・・第３の端子、
１７・・・・・第４の端子、１８・・・・・・バイメタ
ル、１９　・・・支持台、２０・・・ケース。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名０〜
２′＃（＼トｔ５ｓ　Ｃｙ−０ −一ζ〜〜へ−〜〜８ 憾

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 両面に電極を有する第１の正特性サーミスタが第１の端
   子と第２の端子との間にはさまれて圧接固定され、前記
   第１の正特性サーミスタよりキュリー温度の高い両面に
   電極を有する第２の正特性サーミスタが前記第２の端子
   と第３の端子との間にはさまれて圧接固定され、前記第
   ３の端子にバイメタルが固着され、前記バイメタルが前
   記第２の正特性サーミスタのキュリー温度未満において
   は第４の端子と接触し、前記バイメタルが前記第２の正
   特性サーミスタのキュリー温度以上になると熱変形によ
   り前記第４の端子と開放状態になるように、前記バイメ
   タルおよび前記第４の端子が配置され、前記第１〜第４
   の端子が絶縁性の支持台に固定された正特性サーミスタ
   装置。