JPH05258905A - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 陰極線管（ＣＲＴ）の消磁回路などの無接点
スイッチに使用される正特性サーミスタ装置において、
高温雰囲気中での連続電圧印加における電気導通不良を
なくし、高い信頼性を有する正特性サーミスタ装置を提
供する。 【構成】 中間端子４を挟持する２つの正特性サーミス
タ１，２に設けた電極３ａおよび電極３ｄに当接するば
ね端子１１，１２にばね圧力が６．２〜１３．１ＭＰａ
の範囲内にあるものを用いることにより、長時間の連続
電圧印加後でも適切なばね圧力が保持されるためにばね
端子と正特性サーミスタとの間の導通不良がなくなり、
高い信頼性を有する正特性サーミスタ装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管（以下ＣＲＴ
という）の消磁回路などの無接点スイッチに用いる正特
性サーミスタ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＲＴには地磁気や外部着磁によってシ
ャドウマスクが着磁され、内部を走る電子ビームが不用
意に偏光を受けて色ずれが生じたり、ホワイトバランス
がくずれたりすることがあるため、シャドウマスクの着
磁を取り除く正特性サーミスタ装置が設けられている。

【０００３】従来のこの種のサーミスタ装置は、図３の
断面図に示すような構成であった。図３において、両面
に銀の電極３ａ，３ｂが設けられた正特性サーミスタ１
と、両面に銀の電極３ｃ，３ｄが設けられ、正特性サー
ミスタ１よりキュリー温度が高い正特性サーミスタ２と
で銀メッキ黄銅板などの中間端子４を挟持し、両者の正
特性サーミスタ１，２を銀メッキリン青銅などのばね端
子５，６で圧接固定し、それらを絶縁性樹脂でできたケ
ース７の内部に挿入している。中間端子４およびばね端
子５，６はケース７の底部から貫通孔を通じて外部に突
出しており、ケース７の上部にはふた８が接着剤などで
固定されている。

【０００４】図４は図３の正特性サーミスタ装置を用い
たＣＲＴの消磁回路の回路図である。図４において、９
は消磁コイルであり、スイッチ１０を閉じると電流が正
特性サーミスタ１と消磁コイル９の直列回路に流れ、最
初は正特性サーミスタ１の抵抗値が小さいので大きな交
番電流が消磁コイル９に流れる。それと同時に正特性サ
ーミスタ１もその電流で発熱してキュリー温度になると
抵抗値が急激に増大し、それにつれて電流も小さくな
る。

【０００５】また正特性サーミスタ２はスイッチが閉じ
てから正特性サーミスタ１より高い温度で発熱し、熱結
合されている正特性サーサミスタ１をさらに高温にする
ことにより、動作後の微小に流れる電流値を抑制する働
きをしている。このように交番電流が除々に小さくなる
ため消磁コイル９には大きな交番磁界から除々に小さな
交番磁界がかかり、それに伴いＣＲＴのシャドウマスク
に着磁した磁界が消去される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、正特性サーミスタが高温となるため、連続
的に長時間電圧印加することによりばね端子が劣化し、
正特性サーミスタとの接触圧力（以下ばね圧力と呼ぶ）
が弱くなってしまう。このため、ばね端子と正特性サー
ミスタとの間の接触抵抗が増大し、正特性サーミスタ本
来の抵抗値の３０％以上に大きくなる。さらにこの状態
が進行すると接触部が導通不良によるスパークを起こし
て焼損し、電気導通が閉ざされてしまうという問題があ
った。

【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ばね端子が高熱による劣化を生じてばね圧力が低下
しても、ばね端子と正特性サーミスタとの間の電気導通
が確実に保持することができ、導通不良や焼損の発生が
ない高い信頼性を有する正特性サーミスタ装置を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタ装置は、正特性サーミスタ
の電極に当接するときのばね圧力が６．２〜１３．１Ｍ
Ｐａのばね端子を用いた構成とする。

【０００９】

【作用】この構成により、たとえば１０００時間の連続
電圧印加をしてばね圧力が初期値より１０％低下した場
合でも、ばね圧力が適切であるため、ばね端子と正特性
サーミスタとの間の電気導通を確実に保持できるだけの
ばね圧力を保つことが可能となり、導通不良やスパーク
による焼損の発生がない高い信頼性を有する正特性サー
ミスタ装置を提供することができる。

【００１０】

【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。

【００１１】図１は本発明の一実施例による正特性サー
ミスタ装置の断面図である。ただし、図３における部材
と同一のものは同一符号を付している。図１において、
１は両面に銀の電極３ａ，３ｂが設けられた厚さ１．８
±０．１mmの正特性サーミスタ、２は両面に銀の電極３
ｃ，３ｄが設けられ、正特性サーミスタ１よりキュリー
温度が高い厚さ２．５±０．１mmの正特性サーミスタで
ある。

【００１２】正特性サーミスタ１，２は銀メッキ黄銅板
などの中間端子４を挟持し、さらに正特性サーミスタ
１，２は銀メッキリン青銅板のばね端子１１，１２で圧
着固定されている。そしてそれらは絶縁性樹脂でできた
ケース７の内部（幅寸法１０±０．１mm）に挿入されて
いる。さらに、中間端子４およびばね端子１１，１２は
ケース７の底部から貫通孔を通じて外部に突出してお
り、ケース７の上部にはふた８が接着剤などで固定され
ている。

【００１３】上記ばね端子１１，１２は、図２（ａ）の
正面図および同図（ｂ）の側面図に示す形状で、図２
（ｂ）に示すばね端子自由長Ｈが４．８±０．２mmの寸
法を有する。また、ケース７に収納された状態でそれぞ
れのばね端子と正特性サーミスタとの間のばね圧力は、
６．２〜１３．１ＭＰａの範囲にあった。なお、ばね端
子１１，１２は、次に示すその形状寸法とばね圧力との
関係式（数１）に基づいてあらかじめ形状寸法を定め、
作製した。

【００１４】

【数１】

【００１５】ただし（数１）において、この場合はばね
定数αを３．７Ｎ／mm、ばね端子１１，１２と正特性サ
ーミスタ１，２の電極３ａ，３ｄとのそれぞれの接触面
積Ｓを０．７５mmとした。

【００１６】これらのばね圧力を種々変えた本実施例の
正特性サーミスタ装置の試料（試料番号１〜４）につい
て、電極不良の発生率および連続最大定格電圧印加１０
００時間後の抵抗異常の発生率を調べた。また、比較の
ためばね圧力が高い比較列の試料（試料番号５，６）お
よび従来例の試料（試料番号７，８）についても本実施
例の場合と同様に上記電極不良の発生率および抵抗異常
の発生率を調べた。ただし電極不良とは、組立時にばね
端子を電極に接触させた際に電極の銀が削られる状態を
言い、また抵抗異常とは、連続電圧印加１０００時間後
の抵抗値が電圧印加前の抵抗値よりも３０％以上大きく
なった場合をいう。さらにこれらの発生率は、調査試料
数２０個に対する電極不良や抵抗異常が発生した試料数
の割合をそれぞれ％で表したものである。試料番号１〜
８の試料における上記調査結果を（表１）に示す。な
お、試料番号６の試料はほとんどが電極不良品となり、
抵抗異常の発生率を調べるための試料が作製できなかっ
た。

【００１７】

【表１】

【００１８】（表１）から明らかなように、ばね圧力が
６．２ＭＰａよりも小さい場合（試料番号７，８）は、
抵抗異常の発生率が９５％以上と極めて悪く、逆にばね
圧力が１３．１ＭＰａを超える（試料番号５，６）と、
電極不良の発生率が６５％以上となる。一方、ばね圧力
が６．２〜１３．１ＭＰａの場合（試料番号１〜４）
は、電極不良も抵抗異常も全く発生せず、極めて信頼性
に優れた正特性サーミスタ装置が得られる。

【００１９】なお本実施例では、ばね端子１１，１２の
材質としてリン青銅を用いたが、ベリリウム銅やばね用
洋白を用いても良い。

【００２０】

【発明の効果】以上のように本発明は、ばね圧力が６．
２〜１３．１ＭＰａの範囲にある材質および形状のばね
端子を用いることにより、高温雰囲気中で長時間連続的
に最大定格電圧を印加してもばね端子と正特性サーミス
タとの間の電気的導通を確実に保持することができ、導
通不良や焼損の発生がない高い信頼性を有する正特性サ
ーミスタ装置を実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における正特性サーミスタ装
置の断面図

【図２】（ａ）は図１の正特性サーミスタ装置に組込ま
れたばね端子の正面図 （ｂ）は同側面図

【図３】従来の正特性サーミスタ装置の断面図

【図４】正特性サーミスタ装置を用いた消磁回路の回路
図

【符号の説明】

１，２ 正特性サーミスタ ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ 電極 ４ 中間端子 ７ ケース １１，１２ ばね端子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】両面に電極を有する２つの正特性サーミス
   タの各々の一方の電極間にて金属性の中間端子を挟み、
   各々の他方の電極に金属性のばね端子をそれぞれ１つ当
   接させ、これらを絶縁性のケース内に収納した構造の正
   特性サーミスタ装置において、前記電極に当接するとき
   のばね圧力が６．２〜１３．１ＭＰａの範囲にあるばね
   端子を用いた正特性サーミスタ装置。