JP3189617B2 - 消磁回路 - Google Patents
消磁回路Info
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/12—Picture reproducers
- H04N9/16—Picture reproducers using cathode ray tubes
- H04N9/29—Picture reproducers using cathode ray tubes using demagnetisation or compensation of external magnetic fields
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は消磁回路に係り、詳しく
は、その回路構成に関する。
は、その回路構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、カラーテレビジョン受像機な
どを構成するシャドウ・マスク方式のブラウン管に組み
込んで使用される消磁回路のうちには、実公昭５２−２
８１１２号や実公昭５２−２８１１３号で開示されたも
のがあり、これらの消磁回路は図３で簡略化して示すよ
うな回路構成を有している。すなわち、従来例としての
消磁回路は、電源スイッチ１を介して交流電源２に直列
接続される正特性サーミスタ（以下、ＰＴＣという）３
及び消磁コイル４を備え、かつ、ＰＴＣ３の発熱に伴っ
て開閉動作するバイメタルなどのような熱応動型の切換
スイッチ５が消磁コイル４と並列接続されたものであ
る。なお、回路構成の変形例としては、図４で示すよう
に、熱応動型の切換スイッチ５をＰＴＣ３及び消磁コイ
ル４間に直列接続したうえ、消磁コイル４と並列接続さ
れた分流抵抗６を設けたものもある。
どを構成するシャドウ・マスク方式のブラウン管に組み
込んで使用される消磁回路のうちには、実公昭５２−２
８１１２号や実公昭５２−２８１１３号で開示されたも
のがあり、これらの消磁回路は図３で簡略化して示すよ
うな回路構成を有している。すなわち、従来例としての
消磁回路は、電源スイッチ１を介して交流電源２に直列
接続される正特性サーミスタ（以下、ＰＴＣという）３
及び消磁コイル４を備え、かつ、ＰＴＣ３の発熱に伴っ
て開閉動作するバイメタルなどのような熱応動型の切換
スイッチ５が消磁コイル４と並列接続されたものであ
る。なお、回路構成の変形例としては、図４で示すよう
に、熱応動型の切換スイッチ５をＰＴＣ３及び消磁コイ
ル４間に直列接続したうえ、消磁コイル４と並列接続さ
れた分流抵抗６を設けたものもある。
【０００３】そこで、図３で示した従来例の回路構成に
おいて電源スイッチ１が閉じられると、交流電源２から
の電流はＰＴＣ３及び消磁コイル４を通じて流れること
になり、消磁コイル４によってブラウン管のシャドウ・
マスク板に対する消磁動作が行われるとともに、ＰＴＣ
３の発熱が生じることになる。そして、時間経過に伴っ
てＰＴＣ３の有する抵抗値が急激に増大してくると、消
磁コイル４を流れる電流は減少することになり、ＰＴＣ
３の抵抗温度特性に基づく消磁コイル４の電流制御作用
が実行される。また、ＰＴＣ３の発熱は開動作していた
切換スイッチ５へと伝わることになり、ＰＴＣ３でもっ
て加熱された切換スイッチ５が閉動作する結果、交流電
源２からの電流は切換スイッチ５を通じて流れることに
なり、消磁コイル４に対する電流の流れは遮断される。
おいて電源スイッチ１が閉じられると、交流電源２から
の電流はＰＴＣ３及び消磁コイル４を通じて流れること
になり、消磁コイル４によってブラウン管のシャドウ・
マスク板に対する消磁動作が行われるとともに、ＰＴＣ
３の発熱が生じることになる。そして、時間経過に伴っ
てＰＴＣ３の有する抵抗値が急激に増大してくると、消
磁コイル４を流れる電流は減少することになり、ＰＴＣ
３の抵抗温度特性に基づく消磁コイル４の電流制御作用
が実行される。また、ＰＴＣ３の発熱は開動作していた
切換スイッチ５へと伝わることになり、ＰＴＣ３でもっ
て加熱された切換スイッチ５が閉動作する結果、交流電
源２からの電流は切換スイッチ５を通じて流れることに
なり、消磁コイル４に対する電流の流れは遮断される。
【０００４】一方、図８で示した変形例においては、Ｐ
ＴＣ３及び消磁コイル４間に直列接続されて閉動作して
いた切換スイッチ５がＰＴＣ３の発熱に伴って開動作
し、交流電源２からの電流が分流抵抗６を通じて流れる
結果、従来例の場合と同様、交流電源２から消磁コイル
４へと流れる電流は遮断されることになる。そして、こ
れら従来例及び変形例の回路構成を有する消磁回路によ
れば、消磁完了後における消磁残留電流を自動的に遮断
することができ、消磁残留電流の影響によるブラウン管
の画面揺れを無くすことが可能であるとともに、交流電
源２から雑音信号（ノイズ）が侵入して発生する画面乱
れを防止することができるという利点が得られる。
ＴＣ３及び消磁コイル４間に直列接続されて閉動作して
いた切換スイッチ５がＰＴＣ３の発熱に伴って開動作
し、交流電源２からの電流が分流抵抗６を通じて流れる
結果、従来例の場合と同様、交流電源２から消磁コイル
４へと流れる電流は遮断されることになる。そして、こ
れら従来例及び変形例の回路構成を有する消磁回路によ
れば、消磁完了後における消磁残留電流を自動的に遮断
することができ、消磁残留電流の影響によるブラウン管
の画面揺れを無くすことが可能であるとともに、交流電
源２から雑音信号（ノイズ）が侵入して発生する画面乱
れを防止することができるという利点が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、ブラウン管で発生する低周波電磁界の抑制を図る
ことがＶＤＴ障害などとの関連で強く要望されるように
なってきており、消磁回路を構成する消磁コイル４が低
周波電磁界発生源の一つであるとされている。しかしな
がら、前記従来例構成とされた消磁回路では、切換スイ
ッチ５の動作後においても交流電源２及び消磁コイル５
の一端同士が互いに接続されているため、低周波電磁界
の発生を抑制することは大変に難しいのが実情であっ
た。
ては、ブラウン管で発生する低周波電磁界の抑制を図る
ことがＶＤＴ障害などとの関連で強く要望されるように
なってきており、消磁回路を構成する消磁コイル４が低
周波電磁界発生源の一つであるとされている。しかしな
がら、前記従来例構成とされた消磁回路では、切換スイ
ッチ５の動作後においても交流電源２及び消磁コイル５
の一端同士が互いに接続されているため、低周波電磁界
の発生を抑制することは大変に難しいのが実情であっ
た。
【０００６】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、低周波電磁界の発生を抑制するこ
とが可能な消磁回路の提供を目的としている。
されたものであって、低周波電磁界の発生を抑制するこ
とが可能な消磁回路の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
消磁回路は、交流電源に直列接続されるＰＣＴ及び消磁
コイルを備えており、この消磁コイルと交流電源との間
は遮断可能とされているとともに、交流電源の両端側に
は半導体スイッチング素子をそれぞれ設けており、交流
電源の両端側間は半導体スイッチング素子のゲート及び
これらゲート間に介装された他の正特性サーミスタを介
したうえで導通可能に接続されているものである。
消磁回路は、交流電源に直列接続されるＰＣＴ及び消磁
コイルを備えており、この消磁コイルと交流電源との間
は遮断可能とされているとともに、交流電源の両端側に
は半導体スイッチング素子をそれぞれ設けており、交流
電源の両端側間は半導体スイッチング素子のゲート及び
これらゲート間に介装された他の正特性サーミスタを介
したうえで導通可能に接続されているものである。
【０００８】また、本発明の請求項２に係る消磁回路
は、交流電源に直列接続される正特性サーミスタ及び消
磁コイルを備えており、この消磁コイルと交流電源との
間は遮断可能とされているとともに、消磁コイルの両端
側には半導体スイッチング素子をそれぞれ設けており、
交流電源の両端側間は半導体スイッチング素子のゲート
及びこれらゲート間に介装された抵抗を介したうえで導
通可能に接続されているものである。
は、交流電源に直列接続される正特性サーミスタ及び消
磁コイルを備えており、この消磁コイルと交流電源との
間は遮断可能とされているとともに、消磁コイルの両端
側には半導体スイッチング素子をそれぞれ設けており、
交流電源の両端側間は半導体スイッチング素子のゲート
及びこれらゲート間に介装された抵抗を介したうえで導
通可能に接続されているものである。
【０００９】さらにまた、本発明の請求項３に係る消磁
回路は、請求項１又は２に記載のものにおいて、消磁コ
イルの少なくとも一端側は、コンデンサを介したうえで
基準電位とされているものである。
回路は、請求項１又は２に記載のものにおいて、消磁コ
イルの少なくとも一端側は、コンデンサを介したうえで
基準電位とされているものである。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、消磁動作後における消磁コ
イルの両端側が交流電源から遮断されてしまうことによ
って消磁コイルが交流電源に対して完全に孤立した状態
となるから、この消磁コイルにおいて交流電源に起因す
る低周波電磁界が発生することは起こり得ないこととな
る。また、消磁コイルの一端側がコンデンサを介して基
準電位とされている際には、地磁気や他の電子部品で生
じた磁気などの影響に基づく電流が消磁コイルに発生し
たとしても、発生した電流は速やかに消滅することにな
り、低周波電磁界の発生を招くことが起こらない。
イルの両端側が交流電源から遮断されてしまうことによ
って消磁コイルが交流電源に対して完全に孤立した状態
となるから、この消磁コイルにおいて交流電源に起因す
る低周波電磁界が発生することは起こり得ないこととな
る。また、消磁コイルの一端側がコンデンサを介して基
準電位とされている際には、地磁気や他の電子部品で生
じた磁気などの影響に基づく電流が消磁コイルに発生し
たとしても、発生した電流は速やかに消滅することにな
り、低周波電磁界の発生を招くことが起こらない。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。第１実施例 図１は、本発明の第１実施例に係る消磁回路の回路構成
を示している。
する。第１実施例 図１は、本発明の第１実施例に係る消磁回路の回路構成
を示している。
【００１２】この実施例に係る消磁回路は、図１で示す
ように、電源スイッチ１を介して交流電源２に直列接続
されるＰＴＣ３及び消磁コイル４を備えて構成されたも
のであり、電源スイッチ１を介したうえでの交流電源２
の両端側には半導体スイッチング素子であるところのト
ライアック１８，１９がそれぞれ設けられている。そし
て、トライアック１８，１９それぞれのゲート間には上
記ＰＴＣ３と異なる他のＰＴＣ２０が介装されており、
ゲート同士はＰＴＣ２０を介したうえで導通可能に接続
されている。すなわち、この実施例におけるトライアッ
ク１８，１９それぞれのターミナルは交流電源２及び消
磁コイル４の両端側間を直列接続しており、消磁コイル
４はトライアック１８，１９によって交流電源２から遮
断可能とされているのである。なお、本実施例における
消磁コイル４の一端側も、コンデンサ１２を介したうえ
でシャーシアースされている。
ように、電源スイッチ１を介して交流電源２に直列接続
されるＰＴＣ３及び消磁コイル４を備えて構成されたも
のであり、電源スイッチ１を介したうえでの交流電源２
の両端側には半導体スイッチング素子であるところのト
ライアック１８，１９がそれぞれ設けられている。そし
て、トライアック１８，１９それぞれのゲート間には上
記ＰＴＣ３と異なる他のＰＴＣ２０が介装されており、
ゲート同士はＰＴＣ２０を介したうえで導通可能に接続
されている。すなわち、この実施例におけるトライアッ
ク１８，１９それぞれのターミナルは交流電源２及び消
磁コイル４の両端側間を直列接続しており、消磁コイル
４はトライアック１８，１９によって交流電源２から遮
断可能とされているのである。なお、本実施例における
消磁コイル４の一端側も、コンデンサ１２を介したうえ
でシャーシアースされている。
【００１３】この実施例に係る消磁回路の電源スイッチ
１が閉じられると、交流電源２からの電流はトライアッ
ク１８，１９それぞれの電源側ターミナルからゲートへ
と向かって流れることになり、ゲート電流が流れること
によってトライアック１８，１９それぞれがオンする結
果、これら各々の電源側ターミナル及びコイル側ターミ
ナル間が導通する。そこで、消磁コイル４に対してはＰ
ＴＣ３を介したうえで交流電源２からの電流が流れるこ
とになり、消磁コイル４による消磁動作が行われるとと
もに、ＰＴＣ３が発熱することになる。そして、時間経
過に伴ってＰＴＣ３の有する抵抗値が急激に増大する
と、消磁コイル４を流れる電流は減少することになり、
ＰＴＣ３の抵抗温度特性に基づく消磁コイル４の電流制
御作用が実行される。
１が閉じられると、交流電源２からの電流はトライアッ
ク１８，１９それぞれの電源側ターミナルからゲートへ
と向かって流れることになり、ゲート電流が流れること
によってトライアック１８，１９それぞれがオンする結
果、これら各々の電源側ターミナル及びコイル側ターミ
ナル間が導通する。そこで、消磁コイル４に対してはＰ
ＴＣ３を介したうえで交流電源２からの電流が流れるこ
とになり、消磁コイル４による消磁動作が行われるとと
もに、ＰＴＣ３が発熱することになる。そして、時間経
過に伴ってＰＴＣ３の有する抵抗値が急激に増大する
と、消磁コイル４を流れる電流は減少することになり、
ＰＴＣ３の抵抗温度特性に基づく消磁コイル４の電流制
御作用が実行される。
【００１４】また、この際、ゲート電流が流れ続けてい
るＰＴＣ２０においては発熱が生じることになり、この
ＰＴＣ２０の有する抵抗値が急激に増大するため、トラ
イアック１８，１９のゲート間を流れるゲート電流は急
減に減少することになる。そして、ゲート電流が減少す
ると、トライアック１８，１９それぞれがオフすること
になり、ＰＴＣ３を通じたうえで交流電源２から消磁コ
イル４へと流れていた電流の流れが遮断されてしまう。
その結果、消磁コイル４はトライアック１８，１９の各
々を介したうえで交流電源２から完全に孤立しているこ
とになり、交流電源２から孤立した状態下にある消磁コ
イル４でもって交流電源に起因する低周波電磁界が発生
することは起こり得ない。第２実施例 図２ は、本発明の第２実施例に係る消磁回路を示す回路
構成図である。なお、図２において、図１と互いに同一
となる部品、部分には同一符号を付している。
るＰＴＣ２０においては発熱が生じることになり、この
ＰＴＣ２０の有する抵抗値が急激に増大するため、トラ
イアック１８，１９のゲート間を流れるゲート電流は急
減に減少することになる。そして、ゲート電流が減少す
ると、トライアック１８，１９それぞれがオフすること
になり、ＰＴＣ３を通じたうえで交流電源２から消磁コ
イル４へと流れていた電流の流れが遮断されてしまう。
その結果、消磁コイル４はトライアック１８，１９の各
々を介したうえで交流電源２から完全に孤立しているこ
とになり、交流電源２から孤立した状態下にある消磁コ
イル４でもって交流電源に起因する低周波電磁界が発生
することは起こり得ない。第２実施例 図２ は、本発明の第２実施例に係る消磁回路を示す回路
構成図である。なお、図２において、図１と互いに同一
となる部品、部分には同一符号を付している。
【００１５】この実施例に係る消磁回路は、図２で示す
ように、電源スイッチ１を介して交流電源２に直列接続
されるＰＴＣ３及び消磁コイル４を備えて構成されたも
のであり、消磁コイル４の両端側には半導体スイッチン
グ素子であるところのトライアック１８，１９がそれぞ
れ設けられている。そして、トライアック１８，１９そ
れぞれのゲート間には適度なゲート貫流を設定する抵抗
２１が介装されており、ゲート同士は抵抗２１を通じて
導通可能とされている。すなわち、この実施例における
消磁コイル４は、トライアック１８，１９を介したうえ
で交流電源２から遮断可能とされている。なお、消磁コ
イル４の一端側が、コンデンサ１２を介したうえでシャ
ーシアースされているのは第１実施例と同じである。
ように、電源スイッチ１を介して交流電源２に直列接続
されるＰＴＣ３及び消磁コイル４を備えて構成されたも
のであり、消磁コイル４の両端側には半導体スイッチン
グ素子であるところのトライアック１８，１９がそれぞ
れ設けられている。そして、トライアック１８，１９そ
れぞれのゲート間には適度なゲート貫流を設定する抵抗
２１が介装されており、ゲート同士は抵抗２１を通じて
導通可能とされている。すなわち、この実施例における
消磁コイル４は、トライアック１８，１９を介したうえ
で交流電源２から遮断可能とされている。なお、消磁コ
イル４の一端側が、コンデンサ１２を介したうえでシャ
ーシアースされているのは第１実施例と同じである。
【００１６】本実施例に係る消磁回路の電源スイッチ１
が閉じられると、交流電源２からの電流はＰＴＣ３を介
したうえでトライアック１８，１９それぞれの電源側タ
ーミナルからゲートへと向かって流れることになり、ゲ
ート電流が流れることによってトライアック１８，１９
それぞれがオンする。そこで、消磁コイル４に対しては
トライアック１８，１９を介したうえで交流電源２から
の電流が流れていることになり、消磁コイル４による消
磁動作が行われるとともに、ＰＴＣ３は発熱することに
なる。そして、時間経過に伴ってＰＴＣ３の有する抵抗
値が急激に増大すると、消磁コイル４を流れる電流は減
少することになり、ＰＴＣ３の抵抗温度特性に基づく消
磁コイル４の電流制御作用が実行される。
が閉じられると、交流電源２からの電流はＰＴＣ３を介
したうえでトライアック１８，１９それぞれの電源側タ
ーミナルからゲートへと向かって流れることになり、ゲ
ート電流が流れることによってトライアック１８，１９
それぞれがオンする。そこで、消磁コイル４に対しては
トライアック１８，１９を介したうえで交流電源２から
の電流が流れていることになり、消磁コイル４による消
磁動作が行われるとともに、ＰＴＣ３は発熱することに
なる。そして、時間経過に伴ってＰＴＣ３の有する抵抗
値が急激に増大すると、消磁コイル４を流れる電流は減
少することになり、ＰＴＣ３の抵抗温度特性に基づく消
磁コイル４の電流制御作用が実行される。
【００１７】また、この際においては、消磁回路を流れ
る電流が減少するために、トライアック１８，１９それ
ぞれの電源側ターミナルからゲートへと向かって流れ込
んでいたゲート電流も減少することになる。その結果、
トライアック１８，１９のそれぞれがオフし、ＰＴＣ３
を通じて交流電源２から消磁コイル４へと流れていた電
流の流れが遮断されてしまうことになる。そのため、消
磁コイル４はトライアック１８，１９の各々を介したう
えで交流電源２から完全に孤立していることになり、交
流電源２から孤立した状態下にある消磁コイル４でもっ
て交流電源に起因する低周波電磁界が発生することは起
こり得ないこととなる。
る電流が減少するために、トライアック１８，１９それ
ぞれの電源側ターミナルからゲートへと向かって流れ込
んでいたゲート電流も減少することになる。その結果、
トライアック１８，１９のそれぞれがオフし、ＰＴＣ３
を通じて交流電源２から消磁コイル４へと流れていた電
流の流れが遮断されてしまうことになる。そのため、消
磁コイル４はトライアック１８，１９の各々を介したう
えで交流電源２から完全に孤立していることになり、交
流電源２から孤立した状態下にある消磁コイル４でもっ
て交流電源に起因する低周波電磁界が発生することは起
こり得ないこととなる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る消磁
回路においては、消磁コイル及び交流電源の間が遮断可
能となっており、消磁動作後における消磁コイルの両端
側が交流電源から遮断されることによって消磁コイルが
交流電源に対して完全に孤立した状態となるから、この
消磁コイルにおいて低周波電磁界が発生することは起こ
り得ないこととなる。したがって、本発明によれば、消
磁完了後における消磁残留電流を自動的に遮断するとと
もに、消磁残留電流の影響によるブラウン管の画面揺れ
を無くすことができ、交流電源からノイズが侵入して発
生する画面乱れを防止することが可能であるばかりか、
低周波電磁界の発生をも抑制することができることにな
る。
回路においては、消磁コイル及び交流電源の間が遮断可
能となっており、消磁動作後における消磁コイルの両端
側が交流電源から遮断されることによって消磁コイルが
交流電源に対して完全に孤立した状態となるから、この
消磁コイルにおいて低周波電磁界が発生することは起こ
り得ないこととなる。したがって、本発明によれば、消
磁完了後における消磁残留電流を自動的に遮断するとと
もに、消磁残留電流の影響によるブラウン管の画面揺れ
を無くすことができ、交流電源からノイズが侵入して発
生する画面乱れを防止することが可能であるばかりか、
低周波電磁界の発生をも抑制することができることにな
る。
【００１９】また、消磁コイルの少なくとも一端側がコ
ンデンサを介して基準電位とされているため、地磁気や
他の電子部品で生じた磁気などの影響に基づく電流が交
流電源から遮断後の消磁コイルに発生したとしても、発
生した電流は速やかに消滅することになり、この消磁コ
イルにおいて低周波電磁界の発生を招くことが起こらな
いという効果も得られる。
ンデンサを介して基準電位とされているため、地磁気や
他の電子部品で生じた磁気などの影響に基づく電流が交
流電源から遮断後の消磁コイルに発生したとしても、発
生した電流は速やかに消滅することになり、この消磁コ
イルにおいて低周波電磁界の発生を招くことが起こらな
いという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る消磁回路を示す回路構成図で
ある。
ある。
【図２】第２実施例に係る消磁回路を示す回路構成図で
ある。
ある。
【図３】従来例に係る消磁回路を示す回路構成図であ
る。
る。
【図４】従来例の変形例に係る消磁回路を示す回路構成
図である。
図である。
２ 交流電源 ３ ＰＴＣ（正特性サーミスタ） ４ 消磁コイル １２ コンデンサ１８ 半導体スイッチング素子 １９ 半導体スイッチング素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−294193（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−62994（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−78316（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−64282（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 9/29
Claims (3)
- 【請求項１】 交流電源（２）に直列接続される正特性
サーミスタ（３）及び消磁コイル（４）を備えており、
この消磁コイル（４）と交流電源（２）との間は遮断可
能とされているとともに、 交流電源（２）の両端側には半導体スイッチング素子
（１８，１９）をそれぞれ設けており、交流電源（２）
の両端側間は半導体スイッチング素子（１８，１９）の
ゲート及びこれらゲート間に介装された他の正特性サー
ミスタ（２０）を介したうえで導通可能に接続されてい
る ことを特徴とする消磁回路。 - 【請求項２】 交流電源（２）に直列接続される正特性
サーミスタ（３）及び消磁コイル（４）を備えており、
この消磁コイル（４）と交流電源（２）との間は遮断可
能とされているとともに、 消磁コイル（４）の両端側には半導体スイッチング素子
（１８，１９）をそれぞれ設けており、交流電源（２）
の両端側間は半導体スイッチング素子（１８，１９）の
ゲート及びこれらゲート間に介装された抵抗（２１）を
介したうえで導通可能に接続されていることを特徴とす
る 消磁回路。 - 【請求項３】 消磁コイル（４）の少なくとも一端側は
コンデンサ（１２）を介したうえで基準電位とされてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか
に記載の消磁回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09511795A JP3189617B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 消磁回路 |
| TW091205786U TWM249390U (en) | 1995-04-20 | 1996-04-17 | Demagnetizing circuit |
| US08/635,267 US5870269A (en) | 1995-04-20 | 1996-04-19 | Demagnetizing circuit |
| KR1019960012092A KR100209923B1 (ko) | 1995-04-20 | 1996-04-20 | 탈자화 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09511795A JP3189617B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 消磁回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08294134A JPH08294134A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3189617B2 true JP3189617B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=14128904
Family Applications (1)
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