JPH07335802A - 半導体用リードフレームの形成方法 - Google Patents

半導体用リードフレームの形成方法

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Publication number
JPH07335802A
JPH07335802A JP14560794A JP14560794A JPH07335802A JP H07335802 A JPH07335802 A JP H07335802A JP 14560794 A JP14560794 A JP 14560794A JP 14560794 A JP14560794 A JP 14560794A JP H07335802 A JPH07335802 A JP H07335802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
zone
coining
pin
coining zone
Prior art date
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Pending
Application number
JP14560794A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Morishita
勝 森下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dantani Plywood Co Ltd
Original Assignee
Dantani Plywood Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dantani Plywood Co Ltd filed Critical Dantani Plywood Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング法により製造された多ピンのリー
ドフレームであっても良好なコイニングゾーンが確保で
きるリードフレームの製造方法を提供すること。 【構成】 リードフレームのコイニングゾーンにメッキ
を施した後、コンイニングゾーンを表裏面より圧締し
て、その面積を扁平拡張すると共に、表面の面粗さを所
望の状態にした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、部分メッキされた半導
体用リードフレームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、リードフレームは打ち抜き法やエ
ッチング法などの方法により所定の形状に形成されたフ
レームのピンのコイニング(ボンディング)ゾーンにA
u、Ag、Pb、Niなどのメッキを施し、ICなどの
半導体と接続するための導線を付着させていた。
【0003】近年、ICはその能力を飛躍的に増大さ
せ、単体のリードフレームは小型になるだけでなく、コ
イニング数も当初の20〜100ピンから現在では20
8〜304ピンへとその数を増大させている。
【0004】そのため、リードフレームの形成に当たっ
ては、非常に精密な加工技術が要求されている。その代
表的な製造方法としては、金型による打ち抜き法と写真
製版技術を利用したエッチング法がある。ところで、金
型による打ち抜き法は精度も高く生産性も良いが、金型
費用が非常に高価なため、よほどの多量生産タイプでな
いと多ピン用としては採用され難った。一方、エッチン
グ法は製造コストが比較対安価な為、複雑な形状の多ピ
ンタイプの生産や少量生産には、多用されていた。
【0005】
【発明が解決すべき課題】ところが、エッチング法はリ
ードフレームの表裏面から金属を腐食させるため、図1
の断面図に示す様に、ピン1は厚さの中央部が表裏面よ
りも広くなり、隣接するピン1との間隔を所定間隔に保
持しようとするとどうしても表面積は狭くなってしまっ
た。また、ピン1の先端部は図2の平面図に示す様に、
他の部分よりも腐食が進み過ぎ、所定の形状よりも面積
は狭くなりがちであり、図3の様なリードフレーム2の
設計段階からそのロスを見込んでおいたり、エッチング
技術に職人的な感を要するなど、ピン数が増えれば増え
るほどその成型には高度なテクニックが必要となり、工
業生産的ではなかった。
【0006】本発明の目的は、エッチング法により製造
された多ピンのリードフレームであっても良好なコイニ
ングゾーンが確保できるリードフレームの製造方法を提
供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、エッチン
グ法により製造されたリードフレームのコイニグゾーン
をフレームの表裏面より圧締して扁平させ、その面積を
拡張させることによって達成される。コイニングゾーン
を表裏面より圧締する工程は、コイニングゾーンにメッ
キを施す前でも良いが、メッキ後の方がメッキ層が変形
し易いのでその面積を容易に扁平拡張することが出来る
し、圧締治具の表面粗さを調整することでメッキ表面の
面粗さを導線と付着し易いユーザーが希望する所望の粗
さにすることが出来て好ましい。更に、コイニングゾー
ンの圧締は、メッキ工程終了後単独の工程で行うことも
出来るが、ICとコイニグゾーンの距離を出来るだけ近
づける為にICを固定する為のアイランド部分を圧締変
形させるダウンセット工程のとき、同時に行うことが工
程を省略出来て好ましい。
【0008】コイニングゾーンを圧締する圧力として
は、メッキされる金属の硬度や厚さにもよるが、通常は
1〜10TON/cm2 、好ましくは3〜5TON/c
2 程度の圧力で圧締すれば良い。
【0009】メッキの厚さは、金や銀メッキの場合3〜
8μm程度あればエッチングによって減少したコイニン
グゾーンの面積を所定の広さに拡張することが出来る。
【0010】なお、圧締することによってピン先端部は
多少丸くなるが、その丸さが不要な場合は、図3に示す
ごとく、ピン1のコイニングゾーン3の先にリードコネ
クション4を付けたままでリードフレームを形成し、ス
ポットメッキした後、コイニングゾーン3を圧締拡張す
る。その後、図4に示す様にコイニングゾーン3の一部
を含む部分からリードコネクション4をキャビティーカ
ットして除去することで先端部の直線性が高いコイニン
グゾーン3を得ることが出来る。
【0011】
【作用】リードフレームのコイニングゾーンをフレーム
の表裏面より圧締して扁平拡張させることによって、コ
イニングゾーンの面積を確保し、導線との付着作業を確
実にすることが出来る。また、コイニングゾーンのメッ
キ表面粗さをユーザーの希望する面粗さとすることによ
って、導線との付着作業を行う機械の作業速度を最大に
まで高めることが出来る。
【0012】
【実施例】本発明の実施例1として、エッチング法によ
り製造されたリードフレームに銀のメッキを施した後、
コイニングゾーンをダウンセット工程で圧締扁平拡張さ
せる例について説明する。
【0013】図5は、鉄ニッケル合金からなる厚さ0.
125mmで208本のピン1を有するリードフレーム
2の平面模式図を示している。まず、リードフレーム2
を溶剤中で洗浄して油分を取り除き、アルカリ溶液中に
浸積したりして電気を加えて脱脂し、水洗後酸溶液に浸
積して錆や酸化膜を取り除き、再び水洗した。次にその
リードフレーム2をメッキ層に導入して銅のストライク
メッキを施した。続いてそのリードフレーム2を水洗
後、続くスポットメッキ装置でアイランド6を含むピン
1のコイニングゾーン3に銀のスポットメッキ7を施し
た。銀メッキ7の厚さは5〜6μmとした。そのリード
フレーム2を更に水洗して表面に付着したメッキ液を除
去した後乾燥した。その後、コイニングゾーン3の周囲
を取り囲む様にテーピング5し、ピン1の変形を防止し
た。ついで、そのリードフレーム2をダウンセット装置
(図示せず)により圧締する時、ピン1の先端部から約
1mm程度の部分までを表面が3μmの間隔で編み目状
に凹凸が形成された圧締治具を用い、約3Ton/cm
2 の圧力で圧締し、ピンの幅を拡張してコイニングゾー
ン3とした。圧締部分を拡大して見ると、図6の部分断
面図の様に、幅は0.09mmから0.15mmに拡張
しており、求める面積と光沢計による光沢度が0.4の
表面粗さが確保されていた。
【0014】本発明の実施例2として、エッチング法に
より製造されたリードコネクションを持つリードフレー
ムに銀メッキを施した後、ピンのコイニングゾーンをダ
ウンセット工程で圧締扁平拡張させた後、リードコネク
ション部をキャビティーカットした例について説明す
る。
【0015】図7は、鉄ニッケル合金からなる厚さ0.
10mmで304本のピン1を有するピン1がリードコ
ネクション4で繋れたリードフレーム2の部分平面模式
図を示している。まず、リードフレーム2を溶剤中で洗
浄して油分を取り除き、アルカリ溶液中に浸積したりし
て電気を加えて脱脂し、水洗後酸溶液に浸積して錆や酸
化膜を取り除き、再び水洗した。次にそのリードフレー
ム2をメッキ層に導入して銅のストライクメッキを施し
た。続いてそのリードフレーム2を水洗後、続くスポッ
トメッキ装置でアイランド6を含むピン2のコイニング
ゾーン3に銀のスポットメッキ7を施した。銀メッキ7
の厚さは4〜5μmとした。そのリードフレーム2を更
に水洗して表面に付着したメッキ液を除去した後乾燥し
た。その後、そのリードフレーム2をダウンセット装置
(図示せず)により圧締する時、コイニングゾーン3の
先端部から約1mm程度の部分までを表面が5μmの間
隔の編み目状に凹凸が形成された圧締治具を用い、約4
Ton/cm2 の圧力で圧締し、コイニングゾーン3先
端部の幅を拡張した。ついで、拡張したコイニグゾーン
3を一部含むリードコネクション4部を直線状にキャビ
ティーカットし、リードフレームコネクション4を除去
した。切断したコイニングゾーン3の先端の圧締部分を
拡大して見ると、図8の部分平面図の様に、幅は0.0
8mmから0.12mmに拡張しており、求める面積と
光沢計による光沢度が0.2の表面粗さと直線性が確保
されていた。
【0016】
【発明の効果】本発明によって以下の効果を奏する。 (1)エッチング法により製造されたリードフレームの
ピン数が増大して、コイニングゾーンに対する1本あた
りの導線を付着させる面積が物理的に確保しにくくなっ
ても、コイニングゾーンの面積を機械的に扁平拡張させ
ることによって確保する為、リードフレームの使用合格
率を大幅に向上させることが出来る。 (2)コイニングゾーンを圧締扁平させる時、メッキ部
分の表面状態をユーザーの求める表面粗さに仕上げるこ
とが出来るので、ユーザーが使用する導線を付着する為
の機械の作業速度を最大に迄向上させることが出来、コ
イニング作業効率を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】エッチング法による従来のピンの部分拡大断面
図。
【図2】エッチング法による従来のピンの先端部の部分
拡大平面図。
【図3】ピンにリードコネクションが付いたリードフレ
ームの部分拡大平面図。
【図4】リードコネクションをキャビティーカットする
リードフレームの部分拡大平面図。
【図5】この発明の実施例を示すリードフレームの平面
模式図。
【図6】この発明の実施例を示すリードフレームの部分
拡大断面図。
【図7】この発明の他の実施例を示すリードフレーム部
分拡大平面模式図。
【図8】この発明の他の実施例を示すリードフレーム部
分拡大断面図。
【符号の説明】
1 ピン 2 リードフレーム 3 コイニングゾーン 4 リードコネクション 5 テープ 6 アイランド 7 スポットメッキ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エッチング法により製造されたリードフ
    レームのコイニングゾーンを表裏面より圧締して、その
    面積を扁平拡張することを特徴とした半導体用リードフ
    レームの形成方法。
  2. 【請求項2】 エッチング法により製造されたリードフ
    レームのコイニングゾーンにメッキを施した後、コンイ
    ニングゾーンを表裏面より圧締して、その面積を扁平拡
    張すると共に、表面の面粗さを所望の状態にすることを
    特徴とした半導体用リードフレームの形成方法。
  3. 【請求項3】 エッチング法により製造されたリードコ
    ネクションが付いたリードフレームのコイニングゾーン
    にメッキを施した後、コンイニングゾーンを表裏面より
    圧締して、その面積を扁平拡張すると共に、表面の面粗
    さを所望の状態にした後、コイニングゾーンの一部を含
    む部分からリードコネクションを切断除去することを特
    徴とした半導体用リードフレームの形成方法。
JP14560794A 1994-06-03 1994-06-03 半導体用リードフレームの形成方法 Pending JPH07335802A (ja)

Priority Applications (1)

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JP14560794A JPH07335802A (ja) 1994-06-03 1994-06-03 半導体用リードフレームの形成方法

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JP14560794A JPH07335802A (ja) 1994-06-03 1994-06-03 半導体用リードフレームの形成方法

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JPH07335802A true JPH07335802A (ja) 1995-12-22

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ID=15388958

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JP14560794A Pending JPH07335802A (ja) 1994-06-03 1994-06-03 半導体用リードフレームの形成方法

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JP (1) JPH07335802A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101020832B1 (ko) * 2008-03-17 2011-03-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 쏘잉 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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