JPH07333827A - 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH07333827A JPH07333827A JP14713794A JP14713794A JPH07333827A JP H07333827 A JPH07333827 A JP H07333827A JP 14713794 A JP14713794 A JP 14713794A JP 14713794 A JP14713794 A JP 14713794A JP H07333827 A JPH07333827 A JP H07333827A
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- G—PHYSICS
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- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペリクルを設けた原版のパターン面上の異物
の有無情報を検出する異物検査装置及びそれを用いた半
導体デバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光源からの光束で走査系を利用してペリクル
を設けた原版上の検査面上を走査し、該検査面上から生
じる散乱光を検出手段で検出すると共に該ペリクルの透
過率を透過率測定手段で測定し、該検出手段からの信号
と該透過率測定手段からの信号とを用いて処理系により
該検査面上の異物の有無情報を検出していること。
の有無情報を検出する異物検査装置及びそれを用いた半
導体デバイスの製造方法を得ること。 【構成】 光源からの光束で走査系を利用してペリクル
を設けた原版上の検査面上を走査し、該検査面上から生
じる散乱光を検出手段で検出すると共に該ペリクルの透
過率を透過率測定手段で測定し、該検出手段からの信号
と該透過率測定手段からの信号とを用いて処理系により
該検査面上の異物の有無情報を検出していること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置及びそれを
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に半導体デ
バイスの製造装置で使用される回路パターンが形成され
ているレチクルやフォトマスク等の原版にペリクル保護
膜を装着したときの該原版の回路パターンの形成されて
いるパターン面（検査面）上に、例えば不透過性のゴミ
等の異物が付着していたときに、この異物の有無及びそ
の粒径等の異物の有無情報を精度良く検出する際に好適
なものである。
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に半導体デ
バイスの製造装置で使用される回路パターンが形成され
ているレチクルやフォトマスク等の原版にペリクル保護
膜を装着したときの該原版の回路パターンの形成されて
いるパターン面（検査面）上に、例えば不透過性のゴミ
等の異物が付着していたときに、この異物の有無及びそ
の粒径等の異物の有無情報を精度良く検出する際に好適
なものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはレチクル
又はフォトマスク等の原版上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼付け装置（ステッパー又はマス
クアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。
又はフォトマスク等の原版上に形成されている露光用の
回路パターンを半導体焼付け装置（ステッパー又はマス
クアライナー）によりレジストが塗布されたウエハ面上
に転写して製造している。
【０００３】この際、パターン面上にパターン欠陥やゴ
ミ等の異物が存在すると回路パターンを転写する際、異
物も同時に転写されてしまい、ＩＣ製造の歩留を低下さ
せる原因となってくる。
ミ等の異物が存在すると回路パターンを転写する際、異
物も同時に転写されてしまい、ＩＣ製造の歩留を低下さ
せる原因となってくる。
【０００４】特にレチクルを使用し、ステップ＆リピー
ト方法により繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼
き付ける場合、レチクル面上に有害な１個の異物が存在
していると、該異物がウエハ全面に焼き付けられてしま
い、ＩＣ工程の歩留を大きく低下させる原因となってく
る。その為、ＩＣ製造工程においては基板上の異物の存
在を検出するのが不可欠となっており、従来より種々の
検査方法が提案されている。一般には異物が等方的に光
を散乱する性質を利用する方法が多く用いられている。
ト方法により繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼
き付ける場合、レチクル面上に有害な１個の異物が存在
していると、該異物がウエハ全面に焼き付けられてしま
い、ＩＣ工程の歩留を大きく低下させる原因となってく
る。その為、ＩＣ製造工程においては基板上の異物の存
在を検出するのが不可欠となっており、従来より種々の
検査方法が提案されている。一般には異物が等方的に光
を散乱する性質を利用する方法が多く用いられている。
【０００５】図１２は従来の異物による散乱光を検出す
ることで異物の有無を検査する異物検査装置の要部構成
図である。
ることで異物の有無を検査する異物検査装置の要部構成
図である。
【０００６】同図においてはレーザ光源１５１からのレ
ーザビームは、偏光子１５２、フィルタ１５３、コリメ
ータ系１５４等によって異物検査に最適なレーザビーム
とされ、ミラー１５５を介してポリゴン等のスキャニン
グミラー１５７とｆθレンズ１５８とから成る走査光学
系に導かれる。ｆθレンズ１５８からの走査用のレーザ
ービームは回路パターンが形成されるレチクル等の被検
査面１６０の表面に走査スポット１５９として集光され
る。走査ステージ系１６６によって走査スポット１５９
による走査方向と直交方向に被検査面１６０を相対的に
移動させることにより被検査面１６０の全面を走査して
検査を行っている。
ーザビームは、偏光子１５２、フィルタ１５３、コリメ
ータ系１５４等によって異物検査に最適なレーザビーム
とされ、ミラー１５５を介してポリゴン等のスキャニン
グミラー１５７とｆθレンズ１５８とから成る走査光学
系に導かれる。ｆθレンズ１５８からの走査用のレーザ
ービームは回路パターンが形成されるレチクル等の被検
査面１６０の表面に走査スポット１５９として集光され
る。走査ステージ系１６６によって走査スポット１５９
による走査方向と直交方向に被検査面１６０を相対的に
移動させることにより被検査面１６０の全面を走査して
検査を行っている。
【０００７】このレーザビームの入射方向に対して後方
あるいは側方方向には、レンズ系１６１とアパーチャ１
６３、そして光電検出器１６４により構成される検出系
を配置している。この検出系の配置方向については被検
査面１６０にレーザビームを入射したときに回路パター
ン等から発生する散乱光が特定の回折方向を有するの
で、これを避けて検出しないような方向に設定してい
る。
あるいは側方方向には、レンズ系１６１とアパーチャ１
６３、そして光電検出器１６４により構成される検出系
を配置している。この検出系の配置方向については被検
査面１６０にレーザビームを入射したときに回路パター
ン等から発生する散乱光が特定の回折方向を有するの
で、これを避けて検出しないような方向に設定してい
る。
【０００８】このような構成の装置によって走査スポッ
ト１５９内に異物１７０が存在しない場合には光電検出
器１６４では散乱光は検出されない。もし異物が存在す
る場合は、微小な異物からの散乱光が等方的に発生する
為光電検出器１６４で散乱光が検出されることになる。
このとき得られる検出信号を信号処理系１６５で処理す
ることにより異物の有無の検査を行っている。
ト１５９内に異物１７０が存在しない場合には光電検出
器１６４では散乱光は検出されない。もし異物が存在す
る場合は、微小な異物からの散乱光が等方的に発生する
為光電検出器１６４で散乱光が検出されることになる。
このとき得られる検出信号を信号処理系１６５で処理す
ることにより異物の有無の検査を行っている。
【０００９】一般に異物の大きさと、該異物から生じる
散乱光量は略比例している。このため散乱光量から異物
の大きさを推定することができる。原版の検査の手順
は、まず原版に有害サイズの異物がないことを上記の例
に示す方法等で確認した後に、新たな異物の付着を防止
するために原版にペリクルと呼ばれる保護膜を装着す
る。
散乱光量は略比例している。このため散乱光量から異物
の大きさを推定することができる。原版の検査の手順
は、まず原版に有害サイズの異物がないことを上記の例
に示す方法等で確認した後に、新たな異物の付着を防止
するために原版にペリクルと呼ばれる保護膜を装着す
る。
【００１０】ペリクルは高分子の透明薄膜から成り、ペ
リクル支持枠と呼ばれるスペーサでペリクルをレチクル
面（パターン面）から数ミリの距離において支持し、レ
チクル上の回路パターンを保護している。
リクル支持枠と呼ばれるスペーサでペリクルをレチクル
面（パターン面）から数ミリの距離において支持し、レ
チクル上の回路パターンを保護している。
【００１１】一般にペリクルを原版に装着したら、保護
された原版の回路パターン上には異物は付着することは
ない。ペリクルの表面にはペリクルの装着後から露光ま
での工程の途中で、異物が付着する可能性がある。
された原版の回路パターン上には異物は付着することは
ない。ペリクルの表面にはペリクルの装着後から露光ま
での工程の途中で、異物が付着する可能性がある。
【００１２】しかしながら例えペリクルの表面に異物が
付着しても投影露光時の焦点位置はレチクルの回路パタ
ーン面にあり、ペリクル上の異物とウエハとは光学的共
役関係からはずれ、ディフォーカスとなるため、異物は
ウエハに転写されることなくＩＣの欠陥問題になること
は少ない。
付着しても投影露光時の焦点位置はレチクルの回路パタ
ーン面にあり、ペリクル上の異物とウエハとは光学的共
役関係からはずれ、ディフォーカスとなるため、異物は
ウエハに転写されることなくＩＣの欠陥問題になること
は少ない。
【００１３】ところがペリクル無しの原版の検査後から
ペリクル装着完了までの間で異物が原版の回路パターン
面に付着する可能性がある。このためペリクルを装着し
た時点で原版を再度検査する必要がある。つまり、ペリ
クルを装着した状態でペリクルを通してレチクル面上を
検査する必要がある。
ペリクル装着完了までの間で異物が原版の回路パターン
面に付着する可能性がある。このためペリクルを装着し
た時点で原版を再度検査する必要がある。つまり、ペリ
クルを装着した状態でペリクルを通してレチクル面上を
検査する必要がある。
【００１４】ペリクルを透過する光束はペリクル膜の表
裏面で多重干渉する。ペリクルの透過・反射率は薄膜の
厚みと屈折率に関係している。従来例で示したように、
異物検査装置の光束はＳ／Ｎ比をあげるため原版に斜め
から照射するため、膜厚の変動が透過光量により大きく
変動を及ぼし、原版の検査面に到達する光束の光量が変
動する。異物の大きさと異物からの散乱光量は略比例す
る。
裏面で多重干渉する。ペリクルの透過・反射率は薄膜の
厚みと屈折率に関係している。従来例で示したように、
異物検査装置の光束はＳ／Ｎ比をあげるため原版に斜め
から照射するため、膜厚の変動が透過光量により大きく
変動を及ぼし、原版の検査面に到達する光束の光量が変
動する。異物の大きさと異物からの散乱光量は略比例す
る。
【００１５】このことを利用して散乱光量から異物の大
きさを推定する場合、原版毎に膜厚が違うペリクルを用
いると異物に到達する光束の光量が変動する。この結
果、異物による散乱光の光量も変動してくる。従ってペ
リクルの膜厚変動があると異物の大きさを推定すること
が困難になる。そこで従来よりペリクルの透過率を測定
する装置が種々と提案されている。
きさを推定する場合、原版毎に膜厚が違うペリクルを用
いると異物に到達する光束の光量が変動する。この結
果、異物による散乱光の光量も変動してくる。従ってペ
リクルの膜厚変動があると異物の大きさを推定すること
が困難になる。そこで従来よりペリクルの透過率を測定
する装置が種々と提案されている。
【００１６】図１３は従来のペリクルの透過率の測定方
法の説明図である。図中４は回路パターン７のかかれた
原版、５はペリクル支持枠、６はペリクル膜、９１０は
ＨｅＮｅレーザ等の光源、９１１は半透鏡、９１５は光
束を反射させるクローム蒸着等で制作された反射板、９
１６ａ，９１６ｂはそれぞれ入射レーザの強度モニター
用と反射光の強度測定用の光電変換器である。光束９１
０は半透鏡９１１を透過し、更にペリクル６を透過し、
反射板９１５で反射する。この反射光は半透鏡９１１に
より反射し、光電変換器９１６ｂで受光され、光電変換
される。
法の説明図である。図中４は回路パターン７のかかれた
原版、５はペリクル支持枠、６はペリクル膜、９１０は
ＨｅＮｅレーザ等の光源、９１１は半透鏡、９１５は光
束を反射させるクローム蒸着等で制作された反射板、９
１６ａ，９１６ｂはそれぞれ入射レーザの強度モニター
用と反射光の強度測定用の光電変換器である。光束９１
０は半透鏡９１１を透過し、更にペリクル６を透過し、
反射板９１５で反射する。この反射光は半透鏡９１１に
より反射し、光電変換器９１６ｂで受光され、光電変換
される。
【００１７】このときの反射光強度ＩＲは Ｉｉ×Ｔｉ＊＊２×ＭＲ×０．２５＝ＩＲ と表される。ここで Ｉｉ：入射光強度 ，Ｔｉ：ペリクル６の透
過率 ＭＲ：反射板９１５の透過率 ，ＩＲ：反射光強度 （半透鏡の透過率／反射率は５０％とする） 光源の強度変化に影響しない次の式を用いると良い。
過率 ＭＲ：反射板９１５の透過率 ，ＩＲ：反射光強度 （半透鏡の透過率／反射率は５０％とする） 光源の強度変化に影響しない次の式を用いると良い。
【００１８】
【数１】 ここでＩＲ，Ｉｉは測定値として、ＭＲは反射板の反射
率を別途測定しておくことにより透過率Ｔｉを求めてい
る。
率を別途測定しておくことにより透過率Ｔｉを求めてい
る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】従来のペリクルの透過
率測定装置は以下のような問題点があった。
率測定装置は以下のような問題点があった。
【００２０】（１−１）反射板を利用してペリクルの透
過率を測定する場合、透過率は垂直入射の測定値しか得
られず、この結果、異物検査時の入射角（通常２０°か
ら４０°）に換算する必要がある。
過率を測定する場合、透過率は垂直入射の測定値しか得
られず、この結果、異物検査時の入射角（通常２０°か
ら４０°）に換算する必要がある。
【００２１】（１−２）異物の検査光の波長に換算する
必要がある。異物の検査光はＡｒレーザ（λ：４８８ｎ
ｍ）を用いることが多いが、ペリクルの透過率測定をＨ
ｅＮｅレーザ（λ：６３３ｎｍ）を用いた場合、波長換
算する必要がある。
必要がある。異物の検査光はＡｒレーザ（λ：４８８ｎ
ｍ）を用いることが多いが、ペリクルの透過率測定をＨ
ｅＮｅレーザ（λ：６３３ｎｍ）を用いた場合、波長換
算する必要がある。
【００２２】（１−３）反射板の反射率をペリクルを装
着する前に別途測定するため、手間がかかる。
着する前に別途測定するため、手間がかかる。
【００２３】本発明は、適切に構成した透過率測定装置
を用いることによりペリクルの透過率を高精度に測定
し、該測定結果と散乱光検出用の検出手段で得られる信
号とを用いることにより検査面（パターン面）上の異物
の有無や異物の粒径等の異物の有無情報を高精度に検出
することのできる異物検査装置及びそれを用いた半導体
デバイスの製造方法の提供を目的としている。
を用いることによりペリクルの透過率を高精度に測定
し、該測定結果と散乱光検出用の検出手段で得られる信
号とを用いることにより検査面（パターン面）上の異物
の有無や異物の粒径等の異物の有無情報を高精度に検出
することのできる異物検査装置及びそれを用いた半導体
デバイスの製造方法の提供を目的としている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明の異物検査装置
は、光源からの光束で走査系を利用してペリクルを設け
た原版上の検査面上を走査し、該検査面上から生じる散
乱光を検出手段で検出すると共に該ペリクルの透過率を
透過率測定手段で測定し、該検出手段からの信号と該透
過率測定手段からの信号とを用いて処理系により該検査
面上の異物を検査することを特徴としている。
は、光源からの光束で走査系を利用してペリクルを設け
た原版上の検査面上を走査し、該検査面上から生じる散
乱光を検出手段で検出すると共に該ペリクルの透過率を
透過率測定手段で測定し、該検出手段からの信号と該透
過率測定手段からの信号とを用いて処理系により該検査
面上の異物を検査することを特徴としている。
【００２５】特に、前記透過率測定手段は前記ペリクル
を原版上に支持しているペリクル支持枠の外側の所定位
置を介した光束と該ペリクル支持枠の内側の所定位置を
介した光束とを比較して該ペリクルの透過率を測定して
いることを特徴としている。
を原版上に支持しているペリクル支持枠の外側の所定位
置を介した光束と該ペリクル支持枠の内側の所定位置を
介した光束とを比較して該ペリクルの透過率を測定して
いることを特徴としている。
【００２６】本発明の半導体デバイスの製造方法は、収
納装置からペリクルを設けた原版を検査装置に搬入し、
該検査装置は光源からの光束で走査系により該原版の検
査面上をペリクルを介して走査し、このとき該検査面上
から生じる散乱光を検出手段で検出すると共に該ペリク
ルの透過率を透過率測定手段で測定し、該検出手段から
の信号と該透過率測定手段からの信号とを用いて処理系
により該検査面上の異物を検査し、該検査装置で該検査
面上に異物がないと又は異物の粒径が所定以下と判断し
たときは該原版を露光装置の露光位置にセットし、異物
が存在すると又は異物の粒径が所定以上と判断したとき
は洗浄装置で洗浄した後に再度該検査装置で検査し、異
物がなくなったと又は異物の粒径が所定以下と判断した
とき該原版を該露光装置の露光位置にセットして、該原
版上のパターンをウエハに露光転写し、該露光転写した
原版を現像処理工程を介して半導体デバイスを製造して
いることを特徴としている。
納装置からペリクルを設けた原版を検査装置に搬入し、
該検査装置は光源からの光束で走査系により該原版の検
査面上をペリクルを介して走査し、このとき該検査面上
から生じる散乱光を検出手段で検出すると共に該ペリク
ルの透過率を透過率測定手段で測定し、該検出手段から
の信号と該透過率測定手段からの信号とを用いて処理系
により該検査面上の異物を検査し、該検査装置で該検査
面上に異物がないと又は異物の粒径が所定以下と判断し
たときは該原版を露光装置の露光位置にセットし、異物
が存在すると又は異物の粒径が所定以上と判断したとき
は洗浄装置で洗浄した後に再度該検査装置で検査し、異
物がなくなったと又は異物の粒径が所定以下と判断した
とき該原版を該露光装置の露光位置にセットして、該原
版上のパターンをウエハに露光転写し、該露光転写した
原版を現像処理工程を介して半導体デバイスを製造して
いることを特徴としている。
【００２７】特に、前記透過率測定手段は前記ペリクル
を原版上に支持しているペリクル支持枠の外側の所定位
置を介した光束と該ペリクル支持枠の内側の所定位置を
介した光束とを比較して該ペリクルの透過率を測定して
いることを特徴としている。
を原版上に支持しているペリクル支持枠の外側の所定位
置を介した光束と該ペリクル支持枠の内側の所定位置を
介した光束とを比較して該ペリクルの透過率を測定して
いることを特徴としている。
【００２８】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部断面図、図２
は図１の要部側面図、図３は図１の一部分の拡大説明図
である。
は図１の要部側面図、図３は図１の一部分の拡大説明図
である。
【００２９】図中１は光源であり、例えばレーザから成
っている。２は走査系であり、光源１からの光束１４を
反射偏向している。
っている。２は走査系であり、光源１からの光束１４を
反射偏向している。
【００３０】本実施例では走査系２としてガルバノミラ
ーの場合を示しているが、ポリゴンミラー等でも良い。
２ａは走査系２を駆動させるアクチュエータである。３
はｆθレンズであり、走査系２で偏向した光束を被検査
用の原版４上の検査面（パターン面）に導光している。
７は原版４の表面に形成された回路パターンである。
ーの場合を示しているが、ポリゴンミラー等でも良い。
２ａは走査系２を駆動させるアクチュエータである。３
はｆθレンズであり、走査系２で偏向した光束を被検査
用の原版４上の検査面（パターン面）に導光している。
７は原版４の表面に形成された回路パターンである。
【００３１】同図では走査系２とｆθレンズ３を介した
光束で原版４面上を図１の紙面と垂直方向（図２の紙面
内方向）に走査している。
光束で原版４面上を図１の紙面と垂直方向（図２の紙面
内方向）に走査している。
【００３２】６はペリクルであり、ペリクル支持枠５を
介して原版４上の回路パターン７に異物が付着しないよ
うに保護している。８（８ａ，８ｂ）は光電変換器であ
り、光束１４（１４ａ，１４ｂ）が原版４の位置１２
（１２ａ，１２ｂ）にあるときの光強度を検出してい
る。９は処理系であり、光電検出器８ａ，８ｂからの出
力を比較して後述する式によりペリクル６の透過率を計
算している。光電変換器８と処理系９は透過率測定手段
の一要素を構成している。１１は光電変換器であり、原
版４上の検査面に存在する異物からの散乱光を検出して
いる。１０は処理系であり、光電変換器１１からの出力
と処理系９からの信号により異物が存在しているとき
は、該異物からの散乱光の強度を補正し、異物の粒径を
算出している。光電変換器１１は検出手段の一要素を構
成している。
介して原版４上の回路パターン７に異物が付着しないよ
うに保護している。８（８ａ，８ｂ）は光電変換器であ
り、光束１４（１４ａ，１４ｂ）が原版４の位置１２
（１２ａ，１２ｂ）にあるときの光強度を検出してい
る。９は処理系であり、光電検出器８ａ，８ｂからの出
力を比較して後述する式によりペリクル６の透過率を計
算している。光電変換器８と処理系９は透過率測定手段
の一要素を構成している。１１は光電変換器であり、原
版４上の検査面に存在する異物からの散乱光を検出して
いる。１０は処理系であり、光電変換器１１からの出力
と処理系９からの信号により異物が存在しているとき
は、該異物からの散乱光の強度を補正し、異物の粒径を
算出している。光電変換器１１は検出手段の一要素を構
成している。
【００３３】図３において１３は走査用の光束１４が原
版４上に描く照射軌跡である。（以下「走査線」と呼
ぶ。）走査線１３は原版４の辺に対し１５°ぐらい傾け
てある。これは回路パターン７が原版４の辺に対し０
°，４５°，９０°でできていることがほとんどである
ので、回路パターン７からの散乱光を避ける為である。
原版４上の位置１２ａはペリクル枠５の外側の原版４上
の位置であり、クローム等が蒸着していない透過性の箇
所である。位置１２ｂはペリクル支持枠５内でやはり原
版４上には回路パターン７が無く、クローム等が蒸着し
ていない、透過性を有する箇所である。
版４上に描く照射軌跡である。（以下「走査線」と呼
ぶ。）走査線１３は原版４の辺に対し１５°ぐらい傾け
てある。これは回路パターン７が原版４の辺に対し０
°，４５°，９０°でできていることがほとんどである
ので、回路パターン７からの散乱光を避ける為である。
原版４上の位置１２ａはペリクル枠５の外側の原版４上
の位置であり、クローム等が蒸着していない透過性の箇
所である。位置１２ｂはペリクル支持枠５内でやはり原
版４上には回路パターン７が無く、クローム等が蒸着し
ていない、透過性を有する箇所である。
【００３４】次に本実施例の光学的作用を説明する。光
源１からの光束１４は走査系２で反射偏向し、ｆθレン
ズ３の瞳を走査する。ｆθレンズ３で光束がｆθレンズ
の光軸に略平行になり走査系２のミラーの角度に連動し
て、原版４上を図３の走査線１３で示すように走査す
る。走査線上にもし異物があると光束１４は異物で散乱
する。このときの散乱光を光電検出器１１で検出し、光
電変換する。原版４を図１の矢印１５で示される方向に
移動させ、これにより原版４の全面を走査している。
源１からの光束１４は走査系２で反射偏向し、ｆθレン
ズ３の瞳を走査する。ｆθレンズ３で光束がｆθレンズ
の光軸に略平行になり走査系２のミラーの角度に連動し
て、原版４上を図３の走査線１３で示すように走査す
る。走査線上にもし異物があると光束１４は異物で散乱
する。このときの散乱光を光電検出器１１で検出し、光
電変換する。原版４を図１の矢印１５で示される方向に
移動させ、これにより原版４の全面を走査している。
【００３５】本実施例では異物からの散乱光の光強度と
異物の粒径の比例関係は予め測定し、求めている。これ
により異物からの散乱光の光強度の大きさを検出するこ
とにより異物の大きさを処理系１０で判断し、それが有
害な大きさの場合は後述するように露光工程に回さず、
再洗浄に回すようにしている。
異物の粒径の比例関係は予め測定し、求めている。これ
により異物からの散乱光の光強度の大きさを検出するこ
とにより異物の大きさを処理系１０で判断し、それが有
害な大きさの場合は後述するように露光工程に回さず、
再洗浄に回すようにしている。
【００３６】このとき、ペリクル６の厚みは製造ロット
毎に違うので、異物に到達する光束１４の実際の光強度
はペリクル６の厚み変動により変動する。このためそれ
によって異物からの散乱光の光強度が変動すると、その
結果、粒径の判別が困難になる場合がある。
毎に違うので、異物に到達する光束１４の実際の光強度
はペリクル６の厚み変動により変動する。このためそれ
によって異物からの散乱光の光強度が変動すると、その
結果、粒径の判別が困難になる場合がある。
【００３７】そこで本実施例ではペリクル６の透過率を
光束１４と光電変換器８（８ａ，８ｂ）を利用して測定
して、該透過率によって散乱光の光強度を補正してい
る。このときのペリクル６の透過率は次のようにして行
っている。
光束１４と光電変換器８（８ａ，８ｂ）を利用して測定
して、該透過率によって散乱光の光強度を補正してい
る。このときのペリクル６の透過率は次のようにして行
っている。
【００３８】図３において走査線１３上のペリクル支持
枠５外で原版４上の透過部となっている所定箇所１２ａ
を透過した光束１４ａの光強度Ｐ１とペリクル６と原版
４の透過部が存在する所定箇所１２ｂを透過した光束１
４ｂの光強度Ｐ２を比較することにより、ペリクル６の
透過率ＴＰを次の（１）式より求めている。
枠５外で原版４上の透過部となっている所定箇所１２ａ
を透過した光束１４ａの光強度Ｐ１とペリクル６と原版
４の透過部が存在する所定箇所１２ｂを透過した光束１
４ｂの光強度Ｐ２を比較することにより、ペリクル６の
透過率ＴＰを次の（１）式より求めている。
【００３９】ＴＰ＝Ｐ２／Ｐ１ ‥‥‥（１） 本実施例では（１）式によりペリクル６の透過率を処理
系９で計算し、その値を処理系１０に送り、ペリクル６
の透過率変動による散乱光の変動の影響を取り除き、異
物の粒径の正確な判別を可能としている。
系９で計算し、その値を処理系１０に送り、ペリクル６
の透過率変動による散乱光の変動の影響を取り除き、異
物の粒径の正確な判別を可能としている。
【００４０】図４は本発明の実施例２の要部断面図、図
５は図４の要部側面図、図６，図７は図４の一部分の拡
大説明図である。
５は図４の要部側面図、図６，図７は図４の一部分の拡
大説明図である。
【００４１】図１の実施例１では原版４上の所定箇所１
２ａ，１２ｂを透過する光束の光強度を利用してペリク
ル６の透過率を測定しているのに対し、本実施例では原
版４上の所定箇所１２ａ，１２ｂに相当する位置に反射
板１５を設けて反射型にして反射光を利用してペリクル
６の透過率を求めている点が実施例１と異なっており、
その他の構成は同じである。
２ａ，１２ｂを透過する光束の光強度を利用してペリク
ル６の透過率を測定しているのに対し、本実施例では原
版４上の所定箇所１２ａ，１２ｂに相当する位置に反射
板１５を設けて反射型にして反射光を利用してペリクル
６の透過率を求めている点が実施例１と異なっており、
その他の構成は同じである。
【００４２】図６において１２ａはペリクル支持枠５の
外側の原版４上の所定箇所であり、その面上にはクロー
ム等、反射性物質１５が蒸着してある。１２ｂはペリク
ル支持枠５内の原版４上の所定箇所であり、その面上に
はクローム等の反射性物質が蒸着している。
外側の原版４上の所定箇所であり、その面上にはクロー
ム等、反射性物質１５が蒸着してある。１２ｂはペリク
ル支持枠５内の原版４上の所定箇所であり、その面上に
はクローム等の反射性物質が蒸着している。
【００４３】次に本実施例の作用を説明するが実施例１
と重なる部分は説明を省略する。図６において走査線１
３上のペリクル支持枠５外で原版４上の反射部となって
いる所定箇所１２ａを反射した光束１４ａの光強度Ｐ１
とペリクル６と原版４の反射部が存在する所定箇所１２
ｂを透過した光束１４ｂの光強度Ｐ２を比較することに
より、ペリクル６の透過率ＴＰを次の計算で算出してい
る。
と重なる部分は説明を省略する。図６において走査線１
３上のペリクル支持枠５外で原版４上の反射部となって
いる所定箇所１２ａを反射した光束１４ａの光強度Ｐ１
とペリクル６と原版４の反射部が存在する所定箇所１２
ｂを透過した光束１４ｂの光強度Ｐ２を比較することに
より、ペリクル６の透過率ＴＰを次の計算で算出してい
る。
【００４４】
【数２】 （２）式によりペリクル６の透過率ＴＰを処理系９で計
算し、その値を処理系１０に送り、ペリクル６の透過率
変動による散乱光の変動の影響を取り除き、異物の粒径
の正確な判別を可能としている。
算し、その値を処理系１０に送り、ペリクル６の透過率
変動による散乱光の変動の影響を取り除き、異物の粒径
の正確な判別を可能としている。
【００４５】尚本実施例において原版４の中心部付近に
反射部を設けることができない場合は、図７に示すよう
にペリクル支持枠５内のペリクル支持枠５付近の所定箇
所１２ｃに反射部を設けても良い。そして該所定箇所１
２ｃからの反射光を所定箇所１２ｃに対向配置した光電
変換器８ｂで検出しても良い。
反射部を設けることができない場合は、図７に示すよう
にペリクル支持枠５内のペリクル支持枠５付近の所定箇
所１２ｃに反射部を設けても良い。そして該所定箇所１
２ｃからの反射光を所定箇所１２ｃに対向配置した光電
変換器８ｂで検出しても良い。
【００４６】図８は本発明の実施例３の要部断面図であ
る。
る。
【００４７】本実施例は図１の実施例１に比べて原版４
上の所定箇所１２ａ，１２ｂを通過した光束１４ａ，１
４ｂを１つの光電変換器８で検出している点が異なって
おり、その他の構成は同じである。
上の所定箇所１２ａ，１２ｂを通過した光束１４ａ，１
４ｂを１つの光電変換器８で検出している点が異なって
おり、その他の構成は同じである。
【００４８】本実施例によれば光電変換器の検出感度の
バラツキがなく、異物の粒径判別をより高精度に行うこ
とができる。
バラツキがなく、異物の粒径判別をより高精度に行うこ
とができる。
【００４９】図９は本発明の実施例４の要部概略図であ
る。
る。
【００５０】本実施例では図１の実施例１に比べて、よ
り微小な異物の有無を検出できる能力のある、ヘテロダ
イン干渉光学系においてペリクル６の透過率を測定して
いる点が異なっており、その他の構成は同じである。
り微小な異物の有無を検出できる能力のある、ヘテロダ
イン干渉光学系においてペリクル６の透過率を測定して
いる点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００５１】尚本実施例では図５に示す反射型の装置に
も同様に適用することができる。
も同様に適用することができる。
【００５２】図９において図１で示した要素と同一要素
には同符番を付している。図９において１は光源であ
り、２周波レーザより成っている。６１，６２は各々走
査光路を変更するミラー、６３は偏向ビームスプリッタ
ーであり、２周波レーザ１からの光束を偏光面で分離
し、参照光Ｒａと原版４への照明光Ｓａを得ている。６
４は回折格子であり、参照光Ｒａを側方へ回折させてい
る。６５はハーフミラーであり、参照光Ｒａと散乱光Ｓ
ｂを合波している。ペリクル６の透過率の測定方法は図
１の実施例１と同じである。
には同符番を付している。図９において１は光源であ
り、２周波レーザより成っている。６１，６２は各々走
査光路を変更するミラー、６３は偏向ビームスプリッタ
ーであり、２周波レーザ１からの光束を偏光面で分離
し、参照光Ｒａと原版４への照明光Ｓａを得ている。６
４は回折格子であり、参照光Ｒａを側方へ回折させてい
る。６５はハーフミラーであり、参照光Ｒａと散乱光Ｓ
ｂを合波している。ペリクル６の透過率の測定方法は図
１の実施例１と同じである。
【００５３】次に本実施例においてヘテロダイン法を利
用した異物の検出方法について説明する。
用した異物の検出方法について説明する。
【００５４】２周波レーザ光源１からのレーザビーム
は、スキャニングミラー２ｃとｆθレンズ３による走査
光学系に導かれて偏光走査され、ミラー６１，６２を経
て偏光ビームスプリッター６３によって照明用のＳ偏光
レーザビーム（シフト周波数ω）Ｓａと参照光としての
Ｐ偏光レーザビームＲａ（シフト周波数ω＋Δω）に分
離される。分離されたＳ偏光レーザビームＳａは検査面
４の表面に入射している。光束内の異物や欠陥或は回路
パターン７による散乱光はＳ偏光レーザビームＳａの入
射方向に対して略９０度側方方向に配置した集光レンズ
６３によって側方散乱光ＳＳａとしてハーフミラー６５
を通して集光される。
は、スキャニングミラー２ｃとｆθレンズ３による走査
光学系に導かれて偏光走査され、ミラー６１，６２を経
て偏光ビームスプリッター６３によって照明用のＳ偏光
レーザビーム（シフト周波数ω）Ｓａと参照光としての
Ｐ偏光レーザビームＲａ（シフト周波数ω＋Δω）に分
離される。分離されたＳ偏光レーザビームＳａは検査面
４の表面に入射している。光束内の異物や欠陥或は回路
パターン７による散乱光はＳ偏光レーザビームＳａの入
射方向に対して略９０度側方方向に配置した集光レンズ
６３によって側方散乱光ＳＳａとしてハーフミラー６５
を通して集光される。
【００５５】一方、Ｐ偏光レーザビームＲａが回折格子
６４上に入射すると回折光を生成し、この内１次回折光
Ｒａ１がハーフミラー６５側に回折されるようになって
いる。ハーフミラー６５においては１次回折光Ｒａ１と
側方散乱光ＳＳａとを合波する。この回折格子６４は入
射光束に対して略９０度側方方向に１次回折光を生成
し、走査光学系によって移動する光束の位置に応じて常
に側方散乱光ＳＳａとハーフミラー６５にて合波される
ように設計されている。
６４上に入射すると回折光を生成し、この内１次回折光
Ｒａ１がハーフミラー６５側に回折されるようになって
いる。ハーフミラー６５においては１次回折光Ｒａ１と
側方散乱光ＳＳａとを合波する。この回折格子６４は入
射光束に対して略９０度側方方向に１次回折光を生成
し、走査光学系によって移動する光束の位置に応じて常
に側方散乱光ＳＳａとハーフミラー６５にて合波される
ように設計されている。
【００５６】ハーフミラー６５で合波された側方散乱光
ＳＳａに含まれるＰ偏光成分（異物や欠陥で偏光解消さ
れたもの）と回折格子６４からの１次回折光（Ｐ偏光成
分）は集光光学系６３を介して光電検出器１１のセンサ
面上に結像して、光ヘテロダイン干渉し、このときの干
渉に基づく信号はビート信号処理系１０で処理される。
ＳＳａに含まれるＰ偏光成分（異物や欠陥で偏光解消さ
れたもの）と回折格子６４からの１次回折光（Ｐ偏光成
分）は集光光学系６３を介して光電検出器１１のセンサ
面上に結像して、光ヘテロダイン干渉し、このときの干
渉に基づく信号はビート信号処理系１０で処理される。
【００５７】このようにヘテロダイン法を用いると共
に、ペリクル６の透過率を補正値として用いて異物の有
無及びその粒径判別等の異物の有無情報の検出を高精度
に行っている。
に、ペリクル６の透過率を補正値として用いて異物の有
無及びその粒径判別等の異物の有無情報の検出を高精度
に行っている。
【００５８】図１０は本発明の実施例５の要部概略図で
ある。
ある。
【００５９】本実施例はレチクルやフォトマスク等の原
版に設けた回路パターンをウエハ上に焼き付けて半導体
デバイスを製造する製造システムに適用した場合を示し
ている。システムは大まかに露光装置、原版の収納装
置、原版の検査装置、コントローラとを有し、これらは
クリーンルームに配置されている。
版に設けた回路パターンをウエハ上に焼き付けて半導体
デバイスを製造する製造システムに適用した場合を示し
ている。システムは大まかに露光装置、原版の収納装
置、原版の検査装置、コントローラとを有し、これらは
クリーンルームに配置されている。
【００６０】図１０において９０１はエキシマレーザの
ような遠紫外光源、９０２はユニット化された照明系で
あり、これらによって露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされた
原版９０３を上部から同時に所定のＮＡ（開口数）で照
明している。９０９は投影レンズであり、原版９０３上
に形成された回路パターンをシリコン基板等のウエハ９
１０上に投影焼付けしている。投影焼付け時にはウエハ
９１０は移動ステージ９１１のステップ送りに従って１
ショット毎ずらしながら露光を繰り返す。９００はアラ
イメント系であり、露光動作に先立って原版９０３とウ
エハ９１０とを位置合わせしている。アライメント系９
００は少なくても１つの原版観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の各部材によって露光装置を構成している。
ような遠紫外光源、９０２はユニット化された照明系で
あり、これらによって露光位置Ｅ．Ｐ．にセットされた
原版９０３を上部から同時に所定のＮＡ（開口数）で照
明している。９０９は投影レンズであり、原版９０３上
に形成された回路パターンをシリコン基板等のウエハ９
１０上に投影焼付けしている。投影焼付け時にはウエハ
９１０は移動ステージ９１１のステップ送りに従って１
ショット毎ずらしながら露光を繰り返す。９００はアラ
イメント系であり、露光動作に先立って原版９０３とウ
エハ９１０とを位置合わせしている。アライメント系９
００は少なくても１つの原版観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の各部材によって露光装置を構成している。
【００６１】９１４は原版の収納装置であり、内部に複
数の原版を収納している。９１３は原版上の異物の有無
を検出する検査装置（異物検査装置）であり、先の各実
施例で示した構成を含んでいる。この検査装置９１３は
選択された原版が収納装置９１４から引き出されて露光
位置Ｅ．Ｐ．にセットされる前に原版上の異物検査を行
っている。
数の原版を収納している。９１３は原版上の異物の有無
を検出する検査装置（異物検査装置）であり、先の各実
施例で示した構成を含んでいる。この検査装置９１３は
選択された原版が収納装置９１４から引き出されて露光
位置Ｅ．Ｐ．にセットされる前に原版上の異物検査を行
っている。
【００６２】このときの異物検査の原理及び動作は前述
の各実施例で示したものを利用している。コントローラ
９１８はシステム全体のシーケンスを制御しており、収
納装置９１４、検査装置９１３の動作指令、並びに露光
装置の基本動作であるアライメント・露光・ウエハのス
テップ送り等のシーケンスを制御している。
の各実施例で示したものを利用している。コントローラ
９１８はシステム全体のシーケンスを制御しており、収
納装置９１４、検査装置９１３の動作指令、並びに露光
装置の基本動作であるアライメント・露光・ウエハのス
テップ送り等のシーケンスを制御している。
【００６３】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの製造工程について説明する。
デバイスの製造工程について説明する。
【００６４】まず収納装置９１４から使用する原版９０
３を取り出し、検査装置９１３にセットする。
３を取り出し、検査装置９１３にセットする。
【００６５】次に検査装置９１３で原版９０３上の異物
検査を行う。検査の結果、異物がないことが確認された
ら、この原版を露光装置の露光位置Ｅ．Ｐ．にセットす
る。
検査を行う。検査の結果、異物がないことが確認された
ら、この原版を露光装置の露光位置Ｅ．Ｐ．にセットす
る。
【００６６】次に移動ステージ９１１上に被露光体であ
る半導体ウエハ９１０をセットする。そしてステップ＆
リピート方式によって移動ステージ９１１のステップ送
りに従って、１ショット毎ずらしながら半導体ウエハ９
１０の各領域に原版パターンを縮小投影し、露光する。
この動作を繰り返す。
る半導体ウエハ９１０をセットする。そしてステップ＆
リピート方式によって移動ステージ９１１のステップ送
りに従って、１ショット毎ずらしながら半導体ウエハ９
１０の各領域に原版パターンを縮小投影し、露光する。
この動作を繰り返す。
【００６７】１枚の半導体ウエハ９１０の全面に露光が
済んだら、これを収容して新たな半導体ウエハを供給
し、同様にステップ＆リピート方式で原版パターンの露
光を繰り返す。
済んだら、これを収容して新たな半導体ウエハを供給
し、同様にステップ＆リピート方式で原版パターンの露
光を繰り返す。
【００６８】露光の済んだ露光済みウエハは本システム
とは別に設けられた装置で現像やエッチング等の公知の
所定の処理をしている。この後にダイシング、ワイヤボ
ンディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスを製造している。
とは別に設けられた装置で現像やエッチング等の公知の
所定の処理をしている。この後にダイシング、ワイヤボ
ンディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスを製造している。
【００６９】本実施例によれば、従来は製造が難しかっ
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。
【００７０】図１１は半導体デバイスを製造する為の原
版の洗浄検査システムの実施例を示すブロック図であ
る。システムは大まかに原版の収納装置、洗浄装置、乾
燥装置、検査装置、コントローラを有し、これらはクリ
ーンチャンバ内に配置される。
版の洗浄検査システムの実施例を示すブロック図であ
る。システムは大まかに原版の収納装置、洗浄装置、乾
燥装置、検査装置、コントローラを有し、これらはクリ
ーンチャンバ内に配置される。
【００７１】図１１において、９２０は原版の収納装置
であり、内部に複数の原版を収納し、洗浄すべき原版を
供給する。９２１は洗浄装置であり、純粋によって原版
の洗浄を行う。９２２は乾燥装置であり、洗浄された原
版を乾燥させる。９２３は原版の検査装置であり、先の
実施例の構成を含み、洗浄された原版上の異物検査を行
う。９２４はコントローラでシステム全体のシーケンス
制御を行う。
であり、内部に複数の原版を収納し、洗浄すべき原版を
供給する。９２１は洗浄装置であり、純粋によって原版
の洗浄を行う。９２２は乾燥装置であり、洗浄された原
版を乾燥させる。９２３は原版の検査装置であり、先の
実施例の構成を含み、洗浄された原版上の異物検査を行
う。９２４はコントローラでシステム全体のシーケンス
制御を行う。
【００７２】以下、動作について説明する。まず、原版
の収納装置９２０から洗浄すべき原版を取り出し、これ
を洗浄装置９２１に供給する。洗浄装置９２１で洗浄さ
れた原版は乾燥装置９２２に送られて乾燥させる。乾燥
が済んだら検査装置９２３に送られ、検査装置９２３に
おいては先の実施例の方法を用いて原版上の異物を検査
する。
の収納装置９２０から洗浄すべき原版を取り出し、これ
を洗浄装置９２１に供給する。洗浄装置９２１で洗浄さ
れた原版は乾燥装置９２２に送られて乾燥させる。乾燥
が済んだら検査装置９２３に送られ、検査装置９２３に
おいては先の実施例の方法を用いて原版上の異物を検査
する。
【００７３】検査の結果、異物が確認されなければ原版
を収納装置９２０に戻す。又異物が確認された場合は、
この原版を洗浄装置９２１に戻して洗浄し、乾燥装置９
２２で乾燥動作を行った後に検査装置９２３で再検査を
行い、異物が完全に除去されるまでこれを繰り返す。そ
して完全に洗浄がなされた原版を収納装置９２０に戻
す。
を収納装置９２０に戻す。又異物が確認された場合は、
この原版を洗浄装置９２１に戻して洗浄し、乾燥装置９
２２で乾燥動作を行った後に検査装置９２３で再検査を
行い、異物が完全に除去されるまでこれを繰り返す。そ
して完全に洗浄がなされた原版を収納装置９２０に戻
す。
【００７４】この後にこの洗浄された原版を露光装置に
セットして、半導体ウエハ上に原版の回路パターンを焼
き付けて半導体デバイスを製造している。これによって
従来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有
する高集積度半導体デバイスを製造することができるよ
うにしている。
セットして、半導体ウエハ上に原版の回路パターンを焼
き付けて半導体デバイスを製造している。これによって
従来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有
する高集積度半導体デバイスを製造することができるよ
うにしている。
【００７５】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、適切に構
成した透過率測定装置を用いることによりペリクルの透
過率を高精度に測定し、該測定結果と散乱光検出用の検
出手段で得られる信号とを用いることにより検査面（パ
ターン面）上の異物の有無や異物の粒径等の異物の有無
情報を高精度に検出することのできる異物検査装置及び
それを用いた半導体デバイスの製造方法を達成すること
ができる。
成した透過率測定装置を用いることによりペリクルの透
過率を高精度に測定し、該測定結果と散乱光検出用の検
出手段で得られる信号とを用いることにより検査面（パ
ターン面）上の異物の有無や異物の粒径等の異物の有無
情報を高精度に検出することのできる異物検査装置及び
それを用いた半導体デバイスの製造方法を達成すること
ができる。
【００７６】特に本発明によれば、従来は検出が難しか
った微小な異物や欠陥そして異物の粒径等を高いＳ／Ｎ
比で検出することができる。
った微小な異物や欠陥そして異物の粒径等を高いＳ／Ｎ
比で検出することができる。
【００７７】又、本発明を半導体製造装置に応用すれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を製造することができる。
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を製造することができる。
【図１】 本発明の異物検査装置の実施例１の要部断
面図
面図
【図２】 図１の要部側面図
【図３】 図１の一部分の拡大説明図
【図４】 本発明の異物検査装置の実施例２の要部断
面図
面図
【図５】 図４の要部側面図
【図６】 図４の一部分の拡大説明図
【図７】 図４の一部分の拡大説明図
【図８】 本発明の異物検査装置の実施例３の要部概
略図
略図
【図９】 本発明の異物検査装置の実施例４の要部概
略図
略図
【図１０】 本発明の半導体デバイスの製造方法の実施
例５の要部概略図
例５の要部概略図
【図１１】 本発明に係る洗浄検査システムの要部ブロ
ック図
ック図
【図１２】 従来の異物検査装置の概略図
【図１３】 従来のペリクルの透過率測定装置の概略図
１ 光源 ２ 走査系 ３ ｆθレンズ ４ 原版 ５ ペリクル支持枠 ６ ペリクル ７ パターン面 ８，１１ 光電変換器 ９．１０ 処理系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５ Ｆ (72)発明者 宮崎 恭一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 竹内 誠二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 辻 俊彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 光源からの光束で走査系を利用してペリ
クルを設けた原版上の検査面上を走査し、該検査面上か
ら生じる散乱光を検出手段で検出すると共に該ペリクル
の透過率を透過率測定手段で測定し、該検出手段からの
信号と該透過率測定手段からの信号とを用いて処理系に
より該検査面上の異物を検査することを特徴とする異物
検査装置。 - 【請求項２】 前記透過率測定手段は前記ペリクルを原
版上に支持しているペリクル支持枠の外側の所定位置を
介した光束と該ペリクル支持枠の内側の所定位置を介し
た光束とを比較して該ペリクルの透過率を測定している
ことを特徴とする請求項１の異物検査装置。 - 【請求項３】 収納装置からペリクルを設けた原版を検
査装置に搬入し、該検査装置は光源からの光束で走査系
により該原版の検査面上をペリクルを介して走査し、こ
のとき該検査面上から生じる散乱光を検出手段で検出す
ると共に該ペリクルの透過率を透過率測定手段で測定
し、該検出手段からの信号と該透過率測定手段からの信
号とを用いて処理系により該検査面上の異物を検査し、
該検査装置で該検査面上に異物がないと又は異物の粒径
が所定以下と判断したときは該原版を露光装置の露光位
置にセットし、異物が存在すると又は異物の粒径が所定
以上と判断したときは洗浄装置で洗浄した後に再度該検
査装置で検査し、異物がなくなったと又は異物の粒径が
所定以下と判断したとき該原版を該露光装置の露光位置
にセットして、該原版上のパターンをウエハに露光転写
し、該露光転写した原版を現像処理工程を介して半導体
デバイスを製造していることを特徴とする半導体デバイ
スの製造方法。 - 【請求項４】 前記透過率測定手段は前記ペリクルを原
版上に支持しているペリクル支持枠の外側の所定位置を
介した光束と該ペリクル支持枠の内側の所定位置を介し
た光束とを比較して該ペリクルの透過率を測定している
ことを特徴とする請求項３の半導体デバイスの製造方
法。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007334212A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Lasertec Corp | フォトマスクの検査方法及び装置 |
| JP2008164497A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Horiba Ltd | 欠陥検査装置 |
| JP2008534963A (ja) * | 2005-03-31 | 2008-08-28 | ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション | 広帯域のウェーハ検査用反射光学システム |
| JP2015225257A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5969820A (en) * | 1996-06-13 | 1999-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting system and exposure apparatus using the same |
| US6594012B2 (en) | 1996-07-05 | 2003-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP4136067B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 検出装置及びそれを用いた露光装置 |
| JP3588228B2 (ja) * | 1997-05-28 | 2004-11-10 | アルプス電気株式会社 | 光学式検出装置及びそれを使用した座標入力装置 |
| US6714300B1 (en) * | 1998-09-28 | 2004-03-30 | Therma-Wave, Inc. | Optical inspection equipment for semiconductor wafers with precleaning |
| US6621571B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-09-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting defects in a patterned specimen |
| US6545829B1 (en) * | 2000-08-21 | 2003-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method and device for improved lithographic critical dimension control |
| KR100389133B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조용 노광장치 및 이의 구동방법 |
| JP3689681B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 測定装置及びそれを有する装置群 |
| US6829035B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-12-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | Advanced mask cleaning and handling |
| JP2005141158A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Canon Inc | 照明光学系及び露光装置 |
| DE102004010363B4 (de) * | 2004-03-03 | 2012-11-15 | Qimonda Ag | Verfahren zur Bestimmung einer örtlichen Variation des Reflektions- oder Transmissionsverhaltens über die Oberfläche einer Maske |
| JP4217692B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2009-02-04 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7505136B2 (en) * | 2006-05-16 | 2009-03-17 | The Boeing Company | Testing and tuning electrically dimmable windows |
| JP2008042036A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN113721420A (zh) | 2015-02-03 | 2021-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 掩模组件和相关联的方法 |
| WO2020083731A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus |
| JP7370265B2 (ja) * | 2020-01-30 | 2023-10-27 | 株式会社ディスコ | 加工方法及び加工装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3734626A (en) * | 1972-01-14 | 1973-05-22 | Control Data Corp | Light apparatus for testing surfaces |
| US4795911A (en) * | 1986-02-14 | 1989-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface |
| US4886975A (en) * | 1986-02-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
| JPS6333834A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
| DE3737632A1 (de) * | 1987-11-05 | 1989-05-24 | Sick Optik Elektronik Erwin | Optische oberflaechenwelligkeitsmessvorrichtung |
| JP2546350B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1996-10-23 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置 |
| JP2796316B2 (ja) * | 1988-10-24 | 1998-09-10 | 株式会社日立製作所 | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 |
| JP3101290B2 (ja) * | 1989-03-15 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法 |
| DE4003100A1 (de) * | 1990-02-02 | 1991-08-08 | Zeiss Carl Fa | Verfahren und vorrichtung zur interferometrischen absolutpruefung von planflaechen |
| EP0634702B1 (en) * | 1990-03-27 | 2010-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and apparatus |
| US5200800A (en) * | 1990-05-01 | 1993-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus |
| JP3323537B2 (ja) * | 1991-07-09 | 2002-09-09 | キヤノン株式会社 | 微細構造評価装置及び微細構造評価法 |
| US5168322A (en) * | 1991-08-19 | 1992-12-01 | Diffracto Ltd. | Surface inspection using retro-reflective light field |
| US5344236A (en) * | 1992-01-23 | 1994-09-06 | Fishman Iiya M | Method for evaluation of quality of the interface between layer and substrate |
| JP3008654B2 (ja) * | 1992-02-21 | 2000-02-14 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置 |
-
1994
- 1994-06-06 JP JP14713794A patent/JP3183046B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-06 US US08/467,922 patent/US5652657A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060403B2 (en) | 2002-07-15 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | In-situ pellicle monitor |
| JP2008534963A (ja) * | 2005-03-31 | 2008-08-28 | ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション | 広帯域のウェーハ検査用反射光学システム |
| JP2007334212A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Lasertec Corp | フォトマスクの検査方法及び装置 |
| JP2008164497A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Horiba Ltd | 欠陥検査装置 |
| US7733476B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-06-08 | Horiba, Ltd. | Defect inspection apparatus and method |
| JP4519832B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2010-08-04 | 株式会社堀場製作所 | 欠陥検査装置 |
| JP2015225257A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5652657A (en) | 1997-07-29 |
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