JP2008534963A - 広帯域のウェーハ検査用反射光学システム - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 290
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 57
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 137
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 CaF2 Chemical compound 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0605—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors
- G02B17/061—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/9563—Inspecting patterns on the surface of objects and suppressing pattern images
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/063—Illuminating optical parts
- G01N2201/0636—Reflectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
リッター38によって、照明路および集光路に分離されている。したがって、この光学サブシステムは、照明路および集光路に分離されているアクセス可能な瞳を有するよう構成されている。瞳のこのような分離は、異なる光学部品を、照明路および集光路の瞳に配置できるという増大した変通性をもたらす。例えば、異なる偏光部品を、照明路および集光路の瞳に位置させることができる。別の例では、波長選択フィルタを、照明路の瞳に位置させることができ、かつ、フーリエ・フィルタを、集光路の瞳に設置することができる。さらなる例では、ブロッキング・アパーチャを、照明路および集光路の瞳に位置させることができる。ブロッキング・アパーチャは、各種の明視野および暗視野モードでの検査が行なえるよう、瞳の形状を操作するように構成してよい。光の偏光および(または)位相を変える他の光学部品を、照明瞳および(または)集光瞳に挿入して、ウェーハ欠陥の信号対雑音比を最高にすることができる。多くの他のこのような組合せが可能であり、かつ、すべてのこのような組合せが、ここで述べる実施形態の範囲内に存在している。
Claims (28)
- ウェーハを検査するよう構成されているシステムであって、光学サブシステムを含むシステムにおいて、該光学サブシステムの全ての導光光学部品は、実質的に視準された空間内にしか配置されていない一つまたはそれ以上の回折光学部品を除き、反射光学部品であり、かつ、該光学サブシステムは、20nmより大きい周波帯に亘る該ウェーハの検査用に構成されている、
ことを特徴とするシステム。 - 周波帯は、200nm以下の波長を含むこととする請求項1に記載のシステム。
- 周波帯は、ウェーハの特性に基づいて選択されることとする請求項1に記載のシステム。
- 周波帯は、ウェーハ上の材料が、それにおいて不透明および透明の両方である波長を含むよう選択されることとする請求項1に記載のシステム。
- 周波帯は、ウェーハ上の欠陥に対応する信号対雑音比を増大させるよう選択されることとする請求項1に記載のシステム。
- 周波帯は、約150nmから約450nmまでの範囲内の波長を含むこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、一つまたはそれ以上の光源を含むこととする請求項1に記載のシステム。
- 一つまたはそれ以上の光源は、一つまたはそれ以上のファイバー・レーザーを含むこととする請求項7に記載のシステム。
- 一つまたはそれ以上の光源は、多重高調波の光を生ずるよう構成されているレーザーを含み、かつ、光学サブシステムは、該多重高調波のうちの一つの光をウェーハに、該多重高調波のうちの複数の光を順次ウェーハに、あるいは該多重高調波のうちの複数の光を同時にウェーハに導光するようさらに構成されていることとする請求項7に記載のシステム。
- 一つまたはそれ以上の光源は、カスケード・アークを含むこととする請求項7に記載のシステム。
- 一つまたはそれ以上の光源は、アーク灯、レーザー、多重高調波の光を生ずるよう構成されているレーザー、またはその何らかの組合せを含むこととする請求項7に記載のシステム。
- 反射光学部品は、光学サブシステムによって集光された光の倍率を変更するよう構成されている二つまたはそれ以上の光学部品を含むこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、約50Xから約500Xまでの倍率を有するようさらに構成されていることとする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、低い中心オブスキュレーションを有するようさらに構成されていることとする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、ビームスプリッターによって、照明路および集光路内に分離されたアクセス可能な瞳を有するようさらに構成されていることとする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、フーリエ平面を有するようさらに構成されていることとする請求項1に記載のシステム。
- 一つまたはそれ以上の回折光学部品は、実質的に視準された空間内に配置されている回折ビームスプリッター要素を含み、かつ、該回折ビームスプリッター要素は、フッ化カルシウムで構成されていることとする請求項1に記載のシステム。
- 一つまたはそれ以上の回折光学部品は、実質的に視準された空間内に配置されている回折ビームスプリッター要素を含み、該回折ビームスプリッター要素は、溶融シリカで構成されており、かつ、周波帯は、約190nmより大きい波長を含むこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムの物体側のニューメリカル・アパーチャは、約0.70より大きいこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムの物体側のニューメリカル・アパーチャは、約0.90より大きいか、あるいは、約0.90に等しいこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムの視野は、約0.1mmより大きいこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムの視野は、約0.8mmより大きいか、あるいは、約0.8mmに等しいこととする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、物体空間内で実質的にテレセントリックであることとする請求項1に記載のシステム。
- 光学サブシステムは、ひずみが低いこととする請求項1に記載のシステム。
- ウェーハを検査するよう構成されているシステムであって、広帯域の光学サブシステムを含むシステムにおいて、該広帯域の光学サブシステムの全ての導光光学部品は、実質的に視準された空間内にしか配置されていない一つまたはそれ以上の回折光学部品を除き、反射光学部品であり、かつ、該広帯域の光学サブシステムは、200nmより小さい波長、および、200nmより大きい波長の両方での該ウェーハの検査用に構成されている、
ことを特徴とするシステム。 - ウェーハを検査する方法であって、該方法は、
反射光学部品のみを用いて、光源から該ウェーハに、非視準空間を介して、光を導光する工程において、該光は、20nmより大きい周波帯を有する工程と、
反射光学部品のみを用いて、該ウェーハから検出器に、非視準空間を介して、光を導光する工程と、
該ウェーハ上の欠陥を、該検出器によって生ずる信号を用いて検出する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 光源からの光は、一つまたはそれ以上の離散的な波長を有し、かつ、光源からウェーハに光を導光する工程は、該一つまたはそれ以上の離散的な波長のうちのただ一つを有する光を該ウェーハに導光する工程を含むこととする請求項26に記載の方法。
- 光源からの光は、一つまたはそれ以上の離散的な波長を有し、かつ、光源からウェーハに光を導光する工程は、一つまたはそれ以上の離散的な波長の組合せを有する光を同時に該ウェーハに導光する工程を含むこととする請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/097,526 | 2005-03-31 | ||
US11/097,526 US7351980B2 (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | All-reflective optical systems for broadband wafer inspection |
PCT/US2006/010042 WO2006104748A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-03-21 | All-reflective optical systems for broadband wafer inspection |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008534963A true JP2008534963A (ja) | 2008-08-28 |
JP2008534963A5 JP2008534963A5 (ja) | 2012-08-30 |
JP5249015B2 JP5249015B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=36602393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008504138A Active JP5249015B2 (ja) | 2005-03-31 | 2006-03-21 | 広帯域のウェーハ検査用反射光学システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7351980B2 (ja) |
EP (1) | EP1869435A1 (ja) |
JP (1) | JP5249015B2 (ja) |
IL (1) | IL186168A (ja) |
WO (1) | WO2006104748A1 (ja) |
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JP2639501C (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081212 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081212 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5249015 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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