JPH0733004U - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

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JPH0733004U
JPH0733004U JP6810293U JP6810293U JPH0733004U JP H0733004 U JPH0733004 U JP H0733004U JP 6810293 U JP6810293 U JP 6810293U JP 6810293 U JP6810293 U JP 6810293U JP H0733004 U JPH0733004 U JP H0733004U
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JP
Japan
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substrate
dielectric
conductor layer
resonator
conductor
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JP6810293U
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雅夫 五十嵐
真 井上
健二 吉森
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型であると共に製作が容易な誘電体フィル
タを提供する。 【構成】 基板3の上に誘電体共振器1、2を配置する
と共に誘電体共振器1、2を覆うようにシールドケース
4も配置する。シールドケース4を半田39でグランド
導体層16に固着する。基板3の貫通孔25の導体で基
板3の表面と裏面のグランド導体層16、21を接続す
る。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案はシールドケースを備えた誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】
誘電体共振器を外部から電磁及び/又は静電シールドするため又は複数の誘電 体共振器を含む場合においてこれ等の相互間の干渉を防ぐために金属製のシール ドケースが使用されている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、従来の誘電体フィルタのシールドケースは、誘電体共振器とこれを 支持する基板との両方を収容するように形成され、且つ爪状に突出した端子を回 路基板の貫通孔に挿入するように構成されているために、大型になるばかりでな く、組立の作業性が悪かった。
【0004】 そこで、本考案の目的は小型化が可能であり且つ組立が容易な誘電体フィルタ を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本考案は、誘電体共振器と、前記誘電体共振器を支 持する基板と、前記誘電体共振器を覆うシールドケースとから成る誘電体フィル タにおいて、前記誘電体共振器が、一方の端面から他方の端面に至る貫通孔を有 する筒状誘電体と、前記筒状誘電体の貫通孔に設けられた内導体と、前記内導体 の外部回路に対する接続手段と、前記誘電体の外周面に設けられた外導体とを有 し、前記基板の表面にグランド導体層と共振器接続導体層とが設けられており、 前記基板の裏面にグランド導体層と端子導体層とが設けられており、前記基板の 表面側のグランド導体層と裏面側のグランド導体層とが前記基板に形成された貫 通孔に充填された導体で接続されており、前記基板の表面の共振器接続導体層と 前記基板の裏面の端子導体層とが前記基板に形成された貫通孔の導体又はこの導 体と前記基板に埋設された回路素子とを介して接続されており、前記誘電体共振 器の前記外導体が前記基板の表面のグランド導体層に電気的及び機械的に結合さ れており、前記誘電体共振器の接続手段が前記基板の表面の前記共振器接続導体 層に電気的及び機械的に結合されており、前記シールドケースが前記基板の表面 の前記グランド導体層に電気的及び機械的に結合されていることを特徴とする誘 電体フィルタに係わるものである。
【0006】
【考案の作用及び効果】
本考案では、シールドケースを基板のグランド導体層に結合する構造であるの で、半田リフロー等の方法で容易に組み立てることができる。また、シールドケ ースは基板を収容しないで、基板の上に配置されるので小型になる。また、基板 の表面側のグランド導体層と裏面側のグランド導体層とが貫通孔の導体で接続さ れ、基板の裏面に端子導体層が設けられているので表面実装方法で回路基板に装 着できる。
【0007】
【実施例】
次に、図1〜図7を参照して本考案の実施例のTEMモード誘電体共振器を含 む誘電体フィルタ(バンドパスフィルタ)を説明する。 この誘電体フィルタは図1に示すようにTEMモード同軸型の第1及び第2の 誘電体共振器1、2と、これ等の支持基板としての多層基板3と図3に示す金属 製シールドケース4との組み合せによって構成されている。第1及び第2の誘電 体共振器1、2は図1、図2及び図4から明らかなようにそれぞれ円筒状磁器か ら成る誘電体5と、この一方の端面6から他方の端面7に至るように形成された 貫通孔8の中に配置された内導体9と、この内導体9に接続され且つ一方の端面 6を通って誘電体5の外周面10に至るように形成された外部回路接続手段とし ての接続導体11と、接続導体11との間に分離領域12を有するように外周面 10に配置された外導体13と、内導体9と外導体13とを接続するように他方 の端面7に設けられた短絡導体14とから成る。なお、内導体9、接続導体11 、外導体13及び短絡導体14は、夫々銀ペーストを塗布して焼き付けた導電体 膜又は銅メッキ等で構成することができる。
【0008】 この誘電体フィルタ(バンドパスフィルタ)は図7に示す等価回路が得られる ように構成されている。図7において、λ/4型(但し、λは基本波の波長)の 第1及び第2のTEMモード誘電体共振器1、2はキャパシタンスCとインダク タンスLの並列回路で夫々示されている。第1及び第2の共振器1、2と入力及 び出力端子T1 、T2 との間には入力及び出力結合コンデンサC1 、C3 が接続 され、相互間には相互結合コンデンサC2 が接続されている。
【0009】 図7の回路を形成するために、誘電体から成る基板3の表面15に図1に示す ようにグランド導体層16と共振器接続手段としての第1及び第2の接続導体層 17、18とが設けられ、基板3の内部には図4に示すようにコンデンサC1 、 C2 、C3 を得るための複数の導体層19が設けられ、基板3の裏面20には図 6に示すようにグランド導体層21と入力端子導体層22と出力端子導体層23 とが設けられ、基板3の表面15から裏面20に至るように複数の貫通孔(ヴィ アホール)25が形成され、ここに導体24が充填されている。なお、基板3に は、更に表面15の第1及び第2の接続導体層17、18と裏面20の入力及び 出力端子導体層22、23とを図7のコンデンサC1 、C2 、C3 を介して接続 するための貫通孔及び配線導体層(図示せず)も設けられている。接続導体17 、18と端子導体層22、23との間の貫通孔とその導体の断面は図4に示され ていないが、例えば図6で破線26、27で示される位置に設けられる。グラン ド接続用貫通孔25は基板3の周縁近くに複数個設けられ、ここの導体24によ って表面側グランド導体層16と裏面側グランド導体層21が接続されている。 なお、導体層19を含む基板3は、グリーンシート(未焼成磁器シート)に導電 性ペーストを所定パターンに塗布して積層し、焼成することによって形成されて いる。
【0010】 シールドケース4は、上面部29と、第1、第2、第3及び第4の側面部29 、30、31、32と、仕切部33とを有する。仕切部33は互いに平行な第1 及び第2の側面部29、30の中間の中央領域のみに配設され、収容凹部34を 2つに分けている。
【0011】 第1及び第2の誘電体共振器1、2は図1から明らかなように互いに逆向きに 並置され、夫々の外導体13は半田35、36によってグランド導体層16に電 気的及び機械的に結合(固着)されている。また、夫々の接続導体11は第1及 び第2の接続導体層17、18に半田37、38によって電気的及び機械的に結 合(固着)されている。
【0012】 シールドケース4は図3及び図4に示すように第1及び第2の誘電体共振器1 、2の全部を覆うように基板3上に配置され、半田リフロー法に従う半田39に よって基板3のシールド導体層16に固着されている。シールドケース4と基板 3の裏面20のシールド導体層21との電気的接続を良好に達成するために、シ ールドケース4の4つの側面部29〜32の下端に沿って複数個の貫通孔25が 配設されている。
【0013】 第1及び第2の誘電体共振器1、2はシールドケース4の仕切部33によって 分離されている。図2に示すように第1及び第2の誘電体共振器1、2を逆向き に並置する場合には、第1の誘電体共振器1の接続導体11に隣接して第2の誘 電体共振器2の外導体13が配置される。もし、仕切部33が無い状態で第1及 び第2の誘電体共振器1、2を接近し過ぎると、相互に接触する恐れがある。し かし、本実施例では2つの誘電体共振器1、2の外導体13の相互間の仕切部3 3がスペースとして機能するので、両者を確実に分離することができる。
【0014】
【変形例】
本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの である。 (1) シールドケース4の第3及び第4の側面部31、32を省いた構成に することができる。即ち、上面29と一対の側面部29、30と仕切部33のみ の構造にすることができる。 (2) 基板の上に誘電体共振器を1つのみ配置し、これをシールドケースで 覆う場合、又は2個よりも多い誘電体共振器をシールドケースで覆う場合にも本 考案を適用することができる。 (3) 本考案をバンドストップフィルタにも適用可能である。また、コンデ ンサC1 、C2 、C3 又はC2 の代りにインダクタンスを接続することができる 。 (4) 短絡導体14を省いてλ/2型共振器を構成することができる。 (5) 金属のシールドケース4の代りに絶縁性樹脂ケースの表面に金属層を メッキ等で形成したものを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例に係わる誘電体フィルタをシー
ルドケースを省いて示す斜視図である。
【図2】図1の誘電体共振器を示す断面図である。
【図3】図1の誘電体フィルタにシールドケースを覆せ
た状態を示す斜視図である。
【図4】図3の誘電体フィルタのA−A線に相当する部
分の拡大断面図である。
【図5】図3のシールドケースを底面側から見た斜視図
である。
【図6】図1の基板の底面図である。
【図7】図1の誘電体フィルタの等価回路図である。
【符号の説明】
1、2 誘電体共振器 3 基板 4 シールドケース 25 貫通孔

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体共振器と、前記誘電体共振器を支
    持する基板と、前記誘電体共振器を覆うシールドケース
    とから成る誘電体フィルタにおいて、 前記誘電体共振器が、一方の端面から他方の端面に至る
    貫通孔を有する筒状誘電体と、前記筒状誘電体の貫通孔
    に設けられた内導体と、前記内導体の外部回路に対する
    接続手段と、前記誘電体の外周面に設けられた外導体と
    を有し、 前記基板の表面にグランド導体層と共振器接続導体層と
    が設けられており、 前記基板の裏面にグランド導体層と端子導体層とが設け
    られており、 前記基板の表面側のグランド導体層と裏面側のグランド
    導体層とが前記基板に形成された貫通孔に充填された導
    体で接続されており、 前記基板の表面の共振器接続導体層と前記基板の裏面の
    端子導体層とが前記基板に形成された貫通孔の導体又は
    この導体と前記基板に埋設された回路素子とを介して接
    続されており、 前記誘電体共振器の前記外導体が前記基板の表面のグラ
    ンド導体層に電気的及び機械的に結合されており、 前記誘電体共振器の接続手段が前記基板の表面の前記共
    振器接続導体層に電気的及び機械的に結合されており、 前記シールドケースが前記基板の表面の前記グランド導
    体層に電気的及び機械的に結合されていることを特徴と
    する誘電体フィルタ。
JP6810293U 1993-11-26 1993-11-26 誘電体フィルタ Withdrawn JPH0733004U (ja)

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Effective date: 19980305