JPH0733005U - 誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型及び軽量な誘電体フィルタを提供する。 【構成】 基板３の上に誘電体共振器１、２を配置す
る。誘電体共振器１、２を覆うシールドケース４を絶縁
性樹脂本体部２６とメッキによる金属層２７、２８で構
成する。本体部２６の内側金属層２８は誘電体共振器
１、２の入出力端子に対向しない領域に設ける。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はシールドケースを備えた誘電体フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】

誘電体共振器を外部から電磁及び／又は静電シールドするため又は複数の誘電 体共振器を含む場合においてこれ等の相互間の干渉を防ぐために金属製のシール ドケースが使用されている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、誘電体フィルタの小型化及び軽量化が要求されている。シールドケ ースを小型にして誘電体共振器に近接させると、誘電体フィルタの入出力部分に シールドケースが接触する恐れがある。従って、小型化には限界があった。この 種の問題は特に誘電体共振器を接続部材を使用しないで外部接続するために内導 体を誘電体の外周面に延在させ、ここを接続導体とする場合に顕著に生じる。

【０００４】 そこで、本考案の目的は軽量及び小型の誘電体フィルタを提供することにある 。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するための本考案は、誘電体共振器と、前記誘電体共振器を支 持する基板と、前記誘電体共振器を覆うシールドケースとから成る誘電体フィル タにおいて、前記シールドケースが絶縁性樹脂製の本体部と、前記本体部の表面 の少なくとも一部に形成された金属層とから成ることを特徴とする誘電体フィル タに係わるものである。 なお、請求項２に示すように、誘電体共振器を構成する筒状誘電体の外周面に 内導体に接続された接続導体を設け、この接続導体及び外導体を基板上の導体層 に固着する構造とし、シールドケースの本体部の内側表面の誘電体外周面の接続 導体に対向する領域を除いて金属層を設けることが望ましい。

【０００６】

【考案の作用及び効果】

本考案では、シールドケースを金属板で形成せずに、金属よりも比重の小さい 絶縁性樹脂によってケース本体部を形成し、この表面に金属層を形成したので、 シールドケースの軽量化を図ることができる。 また、共振器の入出力部分に対応して金属層を設けないようにシールドケース を構成することができるので、シールドケースと誘電体共振器の入出力部分との 間隙を狭めて小型化を達成することができる。 また、請求項２に示すように、誘電体の外周面に接続導体を設けると、特別な 接続用の端子部材が不要になり、全体として小型化が達成される。更に、この接 続導体に対向するシールドケース本体部の内側表面にはシールド用金属層を設け ないように構成することにより、シールドケースを誘電体共振器に接近又は接触 させても接続導体がグランドに接続されない。従って、シールドケースの小型化 が可能になる。

【０００７】

【実施例】

次に、図１〜図７を参照して本考案の実施例のＴＥＭモード誘電体共振器を含 む誘電体フィルタ（バンドパスフィルタ）を説明する。 この誘電体フィルタは図１に示すようにＴＥＭモード同軸型の第１及び第２の 誘電体共振器１、２と、これ等の支持基板としての多層基板３と図３に示すシー ルドケース４との組み合せによって構成されている。第１及び第２の誘電体共振 器１、２は図１、図２及び図４から明らかなようにそれぞれ円筒状磁器から成る 誘電体５と、この一方の端面６から他方の端面７に至るように形成された貫通孔 ８の中に配置された内導体９と、この内導体９に接続され且つ一方の端面６を通 って誘電体５の外周面１０に至るように形成された接続導体１１と、接続導体１ １との間に分離領域１２を有するように外周面１０に配置された外導体１３と、 内導体９と外導体１３とを接続するように他方の端面７に設けられた短絡導体１ ４とから成る。なお、内導体９、接続導体１１、外導体１３及び短絡導体１４は 、夫々銀ペーストを塗布して焼き付けた導電体膜又は銅メッキ等で構成すること ができる。

【０００８】 この誘電体フィルタ（バンドパスフィルタ）は図７に示す等価回路が得られる ように構成されている。図７において、λ／４型（但し、λは基本波の波長）の 第１及び第２のＴＥＭモード誘電体共振器１、２はキャパシタンスＣとインダク タンスＬの並列回路で夫々示されている。第１及び第２の共振器１、２と入力及 び出力端子Ｔ1 、Ｔ2 との間には入力及び出力結合コンデンサＣ1 、Ｃ3 が接続 され、相互間には相互結合コンデンサＣ2 が接続されている。

【０００９】 図７の回路を形成するために、誘電体から成る基板３の表面１５に図１に示す ようにグランド導体層１６と第１及び第２の接続導体層１７、１８とが設けられ 、基板３の内部には図４に示すようにコンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を得るための 複数の導体層１９が設けられ、基板３の裏面２０には図６に示すようにグランド 導体層２１と入力端子導体層２２と出力端子導体層２３とが設けられ、基板３の 表面１５から裏面２０に至るように複数のヴィアホール２５が形成され、ここに 導体２４が充填されている。なお、基板３には、更に表面１５の第１及び第２の 接続導体層１７、１８と裏面２０の入力及び出力端子導体層２２、２３とを図７ のコンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を介して接続するためのヴィアホール導体（図示 せず）及び配線導体層（図示せず）も設けられている。基板３の表面から裏面に 貫通するグランド接続用ヴィアホール２５は基板３の周縁近くに複数個設けられ 、ここの導体２４によって表面側グランド導体層１６と裏面側グランド導体層２ １が接続されている。なお、導体層１９を含む基板３は、グリーンシート（未焼 成磁器シート）に導電性ペーストを所定パターンに塗布して積層し、焼成するこ とによって形成されている。

【００１０】 シールドケース４は、絶縁性合成樹脂から成る本体部２６と外側金属層２７と 内側金属層２８とから成る。本体部２６は上面部２９と、第１、第２、第３及び 第４の側面部３０、３１、３２、３３と、仕切部３４とを有する合成樹脂ケース である。仕切部３４は互いに平行な第１及び第２の側面部３０、３１の中間に配 設されている。この結果、図５に示すように上面部２９と４つの側面部３０〜３ ３とで形成された箱の中に２つの共振器収容凹部が生じる。外側金属層２７は本 体部２６の外側表面即ち上面部２９と４つの側面部３０〜３３の外側表面の全部 に形成されているが、内側金属層２８は、上面部２９と第１及び第２の側面部３ １、３２との内側表面の中央領域及び仕切部３４の中央領域のみに設けられてい る。即ち、本体部２６の誘電体共振器１、２の接続導体９に対向する内側表面に は内側金属相２８が設けられていない。なお、外側金属層２７及び内側金属層２ ８は金属メッキ層から成る。

【００１１】 第１及び第２の誘電体共振器１、２は図１から明らかなように互いに逆向きに 並置され、夫々の外導体１３は半田３５、３６によってグランド導体層１６に電 気的及び機械的に結合（固着）されている。また、夫々の接続導体１１は第１及 び第２の接続導体層１７、１８に半田３７、３８によって電気的及び機械的に結 合（固着）されている。

【００１２】 シールドケース４は図３及び図４に示すように第１及び第２の誘電体共振器１ 、２の全部を覆うように基板３上に配置されている。このシールドケース４の小 型化及び低コスト化を図るためにシールドケース４の外側金属層２７及び内側金 属層２８が半田３９によって基板３のシールド導体層１６に固着されている。シ ールドケース４と基板３の裏面２０のシールド導体層２１との電気的接続を良好 に達成するために、シールドケース４の４つの側面部の下端に沿って複数個のヴ ィアホール２５が配設されている。

【００１３】 第１及び第２の誘電体共振器１、２はシールドケース４の本体部２６の仕切り 部３４によって分離されている。図２に示すように第１及び第２の誘電体共振器 １、２を逆向きに並置する場合には、第１の誘電体共振器１の接続導体１１に隣 接して第２の誘電体共振器２の外導体１３が配置される。もし、仕切部３４が無 い状態で第１及び第２の誘電体共振器１、２を接近し過ぎると、相互に接触する 恐れがある。しかし、本実施例では絶縁性樹脂から成る仕切部３４があるので、 両者を確実に分離することができる。また、本体部２６の内側の接続導体１１に 対向する領域には内側金属層２８が設けられていないので、接続導体１１が誤っ てグランドに接続される恐れがない。第１及び第２の誘電体共振器１、２の外導 体１３はグランドに接続される領域であるので、内側金属層２８が接近又は接触 して配置されていても差し支えない。外側金属層２７のみでなく、内側金属層２ ８も設けることによって高いシールド効果が得られる。

【００１４】

【変形例】

本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの である。 （１） シールドケース４の本体部２６の第３及び第４の側面部３２、３３及 びここの金属層を省いた構成にすることができる。即ち、上面２９と一対の側面 部３０、３１と仕切部３４のみの構造にすることができる。 （２） 外側金属層２７によって十分にシールド効果が得られる場合には内側 金属層２８を省くことができる。また、外側金属層２７を全体に設けないで部分 的に設けることができる。 （３） 基板の上に誘電体共振器を１つのみ配置し、これをシールドケースで 覆う場合、又は２個よりも多い誘電体共振器をシールドケースで覆う場合にも本 考案を適用することができる。 （４） 本考案をバンドストップフィルタにも適用可能である。また、コンデ ンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 又はＣ2 の代わりにインダクタンスを接続することができ る。 （５） 短絡導体１４を省いてλ／２型共振器を構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例に係わる誘電体フィルタをシー
ルドケースを省いて示す斜視図である。

【図２】図１の誘電体共振器を示す断面図である。

【図３】図１の誘電体フィルタにシールドケースを覆せ
た状態を示す斜視図である。

【図４】図３の誘電体フィルタのＡ−Ａ線に相当する部
分の拡大断面図である。

【図５】図３のシールドケースを底面側から見た斜視図
である。

【図６】図１の基板の底面図である。

【図７】図１の誘電体フィルタの等価回路図である。

【符号の説明】

１、２ 誘電体共振器 ３ 基板 ４ シールドケース ２６ 絶縁性本体部 ２７、２８ 金属層

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体共振器と、前記誘電体共振器を支
   持する基板と、前記誘電体共振器を覆うシールドケース
   とから成る誘電体フィルタにおいて、 前記シールドケースが絶縁性樹脂製の本体部と、前記本
   体部の表面の少なくとも一部に形成された金属層とから
   成ることを特徴とする誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】 前記誘電体共振器が、一方の端面から他
   方の端面に至る貫通孔を有する筒状誘電体と、前記筒状
   誘電体の貫通孔に設けられた内導体と、前記内導体に接
   続され且つ前記誘電体の前記一方の端面及び外周面の一
   部に形成された接続導体と、前記外周面において前記接
   続導体と電気的に分離された状態に形成された外導体と
   から成り、 前記基板が、この同一表面に前記接続導体を電気的及び
   機械的に結合するための導体層と前記外導体を電気的及
   び機械的に結合するためのグランド導体層とを有するも
   のであり、 前記金属層が前記本体部の外側表面に形成されていると
   共に前記本体部の内側表面における前記誘電体共振器の
   接続導体に対向しない領域に形成されていることを特徴
   とする請求項１記載の誘電体フィルタ。