JP2605882Y2 - 誘電体共振器を含むフィルタ装置 - Google Patents
誘電体共振器を含むフィルタ装置Info
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- JP2605882Y2 JP2605882Y2 JP1992064376U JP6437692U JP2605882Y2 JP 2605882 Y2 JP2605882 Y2 JP 2605882Y2 JP 1992064376 U JP1992064376 U JP 1992064376U JP 6437692 U JP6437692 U JP 6437692U JP 2605882 Y2 JP2605882 Y2 JP 2605882Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は自動車電話、携帯電話等
の高周波回路装置に使用するための誘電体共振器を含む
フイルタ装置に関する。
の高周波回路装置に使用するための誘電体共振器を含む
フイルタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の同軸型誘電体共振器を組み合せて
バンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ）又はバンドス
トップフィルタ（帯域消去フィルタ）を構成することは
公知である。従来のこの種のフィルタ装置は、複数の誘
電体共振器を相互結合するためのコンデンサ、入力結合
コンデンサ及び出力結合コンデンサを複数の誘電体共振
器と共に支持基板上に配置することによって構成されて
いる。
バンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ）又はバンドス
トップフィルタ（帯域消去フィルタ）を構成することは
公知である。従来のこの種のフィルタ装置は、複数の誘
電体共振器を相互結合するためのコンデンサ、入力結合
コンデンサ及び出力結合コンデンサを複数の誘電体共振
器と共に支持基板上に配置することによって構成されて
いる。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、従来のフィ
ルタ装置の相互結合コンデンサ、入力結合コンデンサ、
及び出力結合コンデンサは、個別のセラミックコンデン
サか、又は誘電体基板上に設けた対の導体層から成る。
しかし、いずれの場合も、複数の誘電体共振器を載置す
る支持基板の主面を使用して各種の結合コンデンサを設
ける必要があると共に、回路のレイアウト設計の自由度
も制約を受けるために、支持基板の面積が必然的に大き
くなり、小型化の障害になった。また、各種のコンデン
サが支持基板上に露出しているので、電磁ノイズの影響
を受ける可能性が大きかった。また、複数の誘電体共振
器の入出力端子の相互間の信号の洩れが問題になる。
ルタ装置の相互結合コンデンサ、入力結合コンデンサ、
及び出力結合コンデンサは、個別のセラミックコンデン
サか、又は誘電体基板上に設けた対の導体層から成る。
しかし、いずれの場合も、複数の誘電体共振器を載置す
る支持基板の主面を使用して各種の結合コンデンサを設
ける必要があると共に、回路のレイアウト設計の自由度
も制約を受けるために、支持基板の面積が必然的に大き
くなり、小型化の障害になった。また、各種のコンデン
サが支持基板上に露出しているので、電磁ノイズの影響
を受ける可能性が大きかった。また、複数の誘電体共振
器の入出力端子の相互間の信号の洩れが問題になる。
【０００４】そこで、本考案の目的は、入出力端子間の
信号の洩れが少なく且つ小型化が可能であると共に耐ノ
イズ性を有するフィルタ装置を提供することにある。
信号の洩れが少なく且つ小型化が可能であると共に耐ノ
イズ性を有するフィルタ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本考案は、誘電体基板と、前記誘電体基板に設けられ
た入力端子導体層及び出力端子導体層と、前記誘電体基
板上に互いに並置された複数の誘電体共振器と、前記複
数の誘電体共振器を相互に結合するための結合コンデン
サとを備え、前記複数の誘電体共振器の内の一つは前記
入力端子導体層に結合され、前記複数の誘電体共振器の
内の別の一つは前記出力端子導体層に結合され、前記複
数の誘電体共振器は、互いに対向する第１及び第２の端
面と側面とを有し且つ前記第１の端面から前記第２の端
面に至る貫通孔を有する柱状誘電体と、前記貫通孔の中
に設けられた内導体と、前記誘電体の前記側面に設けら
れた外導体と、前記内導体と前記外導体とを接続するよ
うに前記第２の端面に設けられた短絡導体と、前記第１
の端面側において前記内導体に接続された端子とをそれ
ぞれ有しているフィルタ装置において、前記複数の誘電
体共振器の内の隣り合せた２つの誘電体共振器の内の一
方の誘電体共振器の前記第１の端面と前記隣り合せた２
つの誘電体共振器の内の他方の誘電体共振器の前記第２
の端面とが隣り合せとなり、前記一方の誘電体共振器の
前記第２の端面と前記他方の誘電体共振器の前記第１の
端面とが隣り合せとなるように前記複数の誘電体共振器
が前記誘電体基板上に並置され、前記誘電体基板の一方
の主面にグランド導体層と複数の接続導体層とが設けら
れ、前記誘電体基板の他方の主面にグランド導体層が設
けられ、前記複数の誘電体共振器の前記外導体が前記一
方の主面のグランド導体層にそれぞれ結合され、前記複
数の誘電体共振器の前記端子が前記複数の接続導体層に
それぞれ接続され、前記誘電体基板の中に前記結合コン
デンサを得るための導体層が設けられ、前記結合コンデ
ンサのための導体層は前記誘電体基板の前記一方の主面
のグランド導体層と前記他方の主面のグランド導体層と
に挟まれた領域内に配置されていることを特徴とするフ
ィルタ装置に係わるものである。
の本考案は、誘電体基板と、前記誘電体基板に設けられ
た入力端子導体層及び出力端子導体層と、前記誘電体基
板上に互いに並置された複数の誘電体共振器と、前記複
数の誘電体共振器を相互に結合するための結合コンデン
サとを備え、前記複数の誘電体共振器の内の一つは前記
入力端子導体層に結合され、前記複数の誘電体共振器の
内の別の一つは前記出力端子導体層に結合され、前記複
数の誘電体共振器は、互いに対向する第１及び第２の端
面と側面とを有し且つ前記第１の端面から前記第２の端
面に至る貫通孔を有する柱状誘電体と、前記貫通孔の中
に設けられた内導体と、前記誘電体の前記側面に設けら
れた外導体と、前記内導体と前記外導体とを接続するよ
うに前記第２の端面に設けられた短絡導体と、前記第１
の端面側において前記内導体に接続された端子とをそれ
ぞれ有しているフィルタ装置において、前記複数の誘電
体共振器の内の隣り合せた２つの誘電体共振器の内の一
方の誘電体共振器の前記第１の端面と前記隣り合せた２
つの誘電体共振器の内の他方の誘電体共振器の前記第２
の端面とが隣り合せとなり、前記一方の誘電体共振器の
前記第２の端面と前記他方の誘電体共振器の前記第１の
端面とが隣り合せとなるように前記複数の誘電体共振器
が前記誘電体基板上に並置され、前記誘電体基板の一方
の主面にグランド導体層と複数の接続導体層とが設けら
れ、前記誘電体基板の他方の主面にグランド導体層が設
けられ、前記複数の誘電体共振器の前記外導体が前記一
方の主面のグランド導体層にそれぞれ結合され、前記複
数の誘電体共振器の前記端子が前記複数の接続導体層に
それぞれ接続され、前記誘電体基板の中に前記結合コン
デンサを得るための導体層が設けられ、前記結合コンデ
ンサのための導体層は前記誘電体基板の前記一方の主面
のグランド導体層と前記他方の主面のグランド導体層と
に挟まれた領域内に配置されていることを特徴とするフ
ィルタ装置に係わるものである。
【０００６】
【考案の作用及び効果】本願の考案は次の効果を有す
る。 （イ） 結合コンデンサが誘電体基板の中に配設され且
つ開放端側となる第１の端面側が互いに逆側となるよう
に複数の誘電体共振器が互いに並置されているので、誘
電体基板の横幅即ち複数の誘電体共振器の並置方向の幅
に基づく寸法上の制限が少ない状態で複数の誘電体共振
器の相互間の結合コンデンサのための導体層を配置する
ことができる。この結果、フィルタ装置の小型化が達成
できるのみでなく、結合コンデンサを容易且つ良好に形
成することができる。 （ロ） 複数の誘電体共振器が互いに逆向きに並置され
ているので、複数の誘電体共振器の入出力端子としての
接続導体層の相互間距離が長くなり、小型化したにも拘
らず接続導体層の相互間における信号の洩れが少なくな
る。 （ハ） 一方の主面のグランド導体層と他方の主面のグ
ランド導体層とによって挟まれた領域に結合コンデンサ
を配置したので、結合コンデンサに侵入しようとする電
磁ノイズをグランド導体層で遮蔽することができる。
る。 （イ） 結合コンデンサが誘電体基板の中に配設され且
つ開放端側となる第１の端面側が互いに逆側となるよう
に複数の誘電体共振器が互いに並置されているので、誘
電体基板の横幅即ち複数の誘電体共振器の並置方向の幅
に基づく寸法上の制限が少ない状態で複数の誘電体共振
器の相互間の結合コンデンサのための導体層を配置する
ことができる。この結果、フィルタ装置の小型化が達成
できるのみでなく、結合コンデンサを容易且つ良好に形
成することができる。 （ロ） 複数の誘電体共振器が互いに逆向きに並置され
ているので、複数の誘電体共振器の入出力端子としての
接続導体層の相互間距離が長くなり、小型化したにも拘
らず接続導体層の相互間における信号の洩れが少なくな
る。 （ハ） 一方の主面のグランド導体層と他方の主面のグ
ランド導体層とによって挟まれた領域に結合コンデンサ
を配置したので、結合コンデンサに侵入しようとする電
磁ノイズをグランド導体層で遮蔽することができる。
【０００７】
【第１の実施例】次に、図１〜図８を参照して本考案の
実施例に係わるＴＥＭモード同軸型誘電体共振器を使用
したバンドパスフィルタを説明する。
実施例に係わるＴＥＭモード同軸型誘電体共振器を使用
したバンドパスフィルタを説明する。
【０００８】このバンドパスフィルタは、図１〜図３に
示すように第１及び第２の誘電体共振器１、２と、コン
デンサのための導体層及びグランド導体層等を有する誘
電体基板３との組み合せによって構成されている。第１
及び第２の誘電体共振器１、２は、比誘電率が８８の筒
状磁器から成る第１及び第２の誘電体４、５と、各誘電
体４、５の第１の端面６、７から第２の端面８、９に至
る貫通孔１０、１１の壁面に設けられた内導体１２、１
３と、各誘電体４、５の側面１４、１５に設けられた外
導体１６、１７と、各内導体１２、１３と各外導体１
６、１７とを接続するように各第２の端面８、９に設け
られた短絡導体１８、１９と、第１の端面６、７及び側
面１４、１５の一部に設けられた端子としての端子導体
２０、２１とから成る。なお、端子導体２０、２１は内
導体１２、１３には接続されているが、外導体１６、１
７には直接に接続されていない。また、内導体１２、１
３、外導体１６、１７、短絡導体１８、１９、端子導体
２０、２１は銀ペースト（導電性ペースト）を塗布して
焼付けることによって形成した導電膜である。
示すように第１及び第２の誘電体共振器１、２と、コン
デンサのための導体層及びグランド導体層等を有する誘
電体基板３との組み合せによって構成されている。第１
及び第２の誘電体共振器１、２は、比誘電率が８８の筒
状磁器から成る第１及び第２の誘電体４、５と、各誘電
体４、５の第１の端面６、７から第２の端面８、９に至
る貫通孔１０、１１の壁面に設けられた内導体１２、１
３と、各誘電体４、５の側面１４、１５に設けられた外
導体１６、１７と、各内導体１２、１３と各外導体１
６、１７とを接続するように各第２の端面８、９に設け
られた短絡導体１８、１９と、第１の端面６、７及び側
面１４、１５の一部に設けられた端子としての端子導体
２０、２１とから成る。なお、端子導体２０、２１は内
導体１２、１３には接続されているが、外導体１６、１
７には直接に接続されていない。また、内導体１２、１
３、外導体１６、１７、短絡導体１８、１９、端子導体
２０、２１は銀ペースト（導電性ペースト）を塗布して
焼付けることによって形成した導電膜である。
【０００９】第１及び第２の誘電体共振器１、２を支持
している誘電体基板３は多層セラミック基板であり、こ
の表面（一方の主面）２２に図１及び図４に示すように
グランド導体層２３と、第１及び第２の誘電体共振器
１、２の端子導体２０、２１を接続するための第１及び
第２の共振器接続導体層２４、２５とが設けられてい
る。この基板３の裏面（他方の主面）には図７に示すよ
うにグランド導体層２７と、入力端子導体層２８と、出
力端子導体層２９とが設けられている。
している誘電体基板３は多層セラミック基板であり、こ
の表面（一方の主面）２２に図１及び図４に示すように
グランド導体層２３と、第１及び第２の誘電体共振器
１、２の端子導体２０、２１を接続するための第１及び
第２の共振器接続導体層２４、２５とが設けられてい
る。この基板３の裏面（他方の主面）には図７に示すよ
うにグランド導体層２７と、入力端子導体層２８と、出
力端子導体層２９とが設けられている。
【００１０】第１及び第２の誘電体共振器１、２は貫通
孔１０、１１が平行になるように基板３に並置され、こ
れ等の外導体１６、１７が半田３０によってグランド導
体２３にそれぞれ固着され、端子２０、２１が半田３１
によって第１及び第２の接続導体層２４、２５に固着さ
れている。従って、独立の端子部材を伴なわないで内導
体１２、１３が基板３上の接続導体層２４、２５に接続
されている。第１及び第２の誘電体共振器１、２は互い
に逆向きに配置されている。この結果、第１及び第２の
接続導体層２４、２５の相互間距離は第１及び第２の誘
電体共振器１、２を同一方向に配置する場合のそれより
も大幅に大きくなっている。この様に第１及び第２の接
続導体層２４、２５の相互間距離を大きくすれば、フィ
ルタで減衰させなければならない信号成分（周波数成
分）の第１の接続導体層２４から第２の接続導体層への
洩れが少なくなる。
孔１０、１１が平行になるように基板３に並置され、こ
れ等の外導体１６、１７が半田３０によってグランド導
体２３にそれぞれ固着され、端子２０、２１が半田３１
によって第１及び第２の接続導体層２４、２５に固着さ
れている。従って、独立の端子部材を伴なわないで内導
体１２、１３が基板３上の接続導体層２４、２５に接続
されている。第１及び第２の誘電体共振器１、２は互い
に逆向きに配置されている。この結果、第１及び第２の
接続導体層２４、２５の相互間距離は第１及び第２の誘
電体共振器１、２を同一方向に配置する場合のそれより
も大幅に大きくなっている。この様に第１及び第２の接
続導体層２４、２５の相互間距離を大きくすれば、フィ
ルタで減衰させなければならない信号成分（周波数成
分）の第１の接続導体層２４から第２の接続導体層への
洩れが少なくなる。
【００１１】図８は図１〜図７のフィルタの等価回路を
示す。図８の端子２４ａ、２５ａは図１及び図４の接続
導体層２４、２５に対応し、端子２７ａは図２及び図７
のグランド導体層２７に対応し、端子２８ａ、２９ａは
図２及び図７の入力及び出力端子導体層２８、２９に対
応している。図８では誘電体共振器１、２の相互間に相
互結合コンデンサＣ2 が接続され、入力端子２８ａと第
１の誘電体共振器１との間に入力結合コンデンサＣ1 が
接続され、出力端子２９ａと第２の誘電体共振器２との
間に出力結合コンデンサＣ3 が接続されている。３つの
コンデンサＣ1、Ｃ2 、Ｃ3 は、図２〜図６に示すよう
に基板３に埋設されている。
示す。図８の端子２４ａ、２５ａは図１及び図４の接続
導体層２４、２５に対応し、端子２７ａは図２及び図７
のグランド導体層２７に対応し、端子２８ａ、２９ａは
図２及び図７の入力及び出力端子導体層２８、２９に対
応している。図８では誘電体共振器１、２の相互間に相
互結合コンデンサＣ2 が接続され、入力端子２８ａと第
１の誘電体共振器１との間に入力結合コンデンサＣ1 が
接続され、出力端子２９ａと第２の誘電体共振器２との
間に出力結合コンデンサＣ3 が接続されている。３つの
コンデンサＣ1、Ｃ2 、Ｃ3 は、図２〜図６に示すよう
に基板３に埋設されている。
【００１２】次に、結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 の
構成を図２〜図６を参照して説明する。図５及び図６は
図２の面におけるＣ−Ｃ断面及びＤ−Ｄ断面における導
体層のパターンを示す。図５には第１、第２及び第３の
結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を構成するための一方
の導体層Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ3a及び接続導体層３２、３３、
３４、３５、３６が設けられている。図６には第１、第
２及び第３の結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を構成す
るための他方の導体層Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3b及び接続導体層
３７、３８、３９、４０、４１が設けられている。ま
た、基板３には図４に示す表面の第１及び第２の接続導
体層２４、２５から図５の接続導体層３２、３５に至る
ヴィアホール４２、４３が設けられ、ここに導体が充填
されて相互の接続が達成されている。また、図４のグラ
ンド導体層２３と図５の接続導体層３３、３６との間に
もヴィアホール４４、４５が設けられ、ここに充填され
た導体によって相互接続が達成されている。また、図６
の接続導体層３７、４０から図７の入力及び出力端子導
体層２８、２９に至るようにヴィアホール４６、４７が
設けられ、ここに充填された導体によって相互の接続が
達成されている。また、図５の接続導体３３、３６から
図６の接続導体３８、４１に至るヴィアホール４８、４
９が設けられ、ここに充填された導体によって相互の接
続が達成されている。更に、図６の接続導体層３８、４
１から図７のグランド導体層２７に至るヴィアホール５
０、５１が設けられ、ここに充填された導体によって相
互の接続が達成されている。従って、表面のグランド導
体層２３と裏面のグランド導体層２７とはヴィアホール
４４、４５、４８、４９、５０、５１を使用して相互に
接続されている。
構成を図２〜図６を参照して説明する。図５及び図６は
図２の面におけるＣ−Ｃ断面及びＤ−Ｄ断面における導
体層のパターンを示す。図５には第１、第２及び第３の
結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を構成するための一方
の導体層Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ3a及び接続導体層３２、３３、
３４、３５、３６が設けられている。図６には第１、第
２及び第３の結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を構成す
るための他方の導体層Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3b及び接続導体層
３７、３８、３９、４０、４１が設けられている。ま
た、基板３には図４に示す表面の第１及び第２の接続導
体層２４、２５から図５の接続導体層３２、３５に至る
ヴィアホール４２、４３が設けられ、ここに導体が充填
されて相互の接続が達成されている。また、図４のグラ
ンド導体層２３と図５の接続導体層３３、３６との間に
もヴィアホール４４、４５が設けられ、ここに充填され
た導体によって相互接続が達成されている。また、図６
の接続導体層３７、４０から図７の入力及び出力端子導
体層２８、２９に至るようにヴィアホール４６、４７が
設けられ、ここに充填された導体によって相互の接続が
達成されている。また、図５の接続導体３３、３６から
図６の接続導体３８、４１に至るヴィアホール４８、４
９が設けられ、ここに充填された導体によって相互の接
続が達成されている。更に、図６の接続導体層３８、４
１から図７のグランド導体層２７に至るヴィアホール５
０、５１が設けられ、ここに充填された導体によって相
互の接続が達成されている。従って、表面のグランド導
体層２３と裏面のグランド導体層２７とはヴィアホール
４４、４５、４８、４９、５０、５１を使用して相互に
接続されている。
【００１３】図５のコンデンサ用導体層Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ
3aと図６のコンデンサ用導体層Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3bは基板
３の一部から成る誘電体磁器層を介して対向しているの
で、これ等によって図８に示す３つのコンデンサＣ1 、
Ｃ2 、Ｃ3 を得ることができる。
3aと図６のコンデンサ用導体層Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3bは基板
３の一部から成る誘電体磁器層を介して対向しているの
で、これ等によって図８に示す３つのコンデンサＣ1 、
Ｃ2 、Ｃ3 を得ることができる。
【００１４】図５に示す導体層Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ3a、３２
〜３６、及び図６に示す導体層Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3b、３７
〜４１を含む多層基板３は、複数のグリーンシート（セ
ラミック未焼成シート）にＡｇ−Ｐｄ等の導電性ペース
トを所定パターンに塗布したものを積層し、しかる後焼
成する周知の方法で形成する。なお、表面及び裏面の導
体層２３、２４、２５、２７、２８、２９は積層体の焼
成後に銀ペーストを塗布して焼付けることによって形成
することもできる。
〜３６、及び図６に示す導体層Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3b、３７
〜４１を含む多層基板３は、複数のグリーンシート（セ
ラミック未焼成シート）にＡｇ−Ｐｄ等の導電性ペース
トを所定パターンに塗布したものを積層し、しかる後焼
成する周知の方法で形成する。なお、表面及び裏面の導
体層２３、２４、２５、２７、２８、２９は積層体の焼
成後に銀ペーストを塗布して焼付けることによって形成
することもできる。
【００１５】図３で破線で示すように外導体１６、１７
を覆うように金属製カバー５２を設け、これをグランド
導体層２３に半田等で固着することが望ましい。
を覆うように金属製カバー５２を設け、これをグランド
導体層２３に半田等で固着することが望ましい。
【００１６】上述から明らかなように、本実施例では基
板１の表面上以外に結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を
配置することが可能となるので、基板１の主面のみ結合
コンデンサを設ける必要がなくなると共に、各種導体層
のレイアウト設計の自由度も向上し、その結果、基板１
の表面積を小さくし、フィルタの小型化を達成すること
ができる。また、コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を構成す
るための導体層Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ3a、Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3bが
一対のグランド導体層２４、２７の対向領域内に配置さ
れているので、これ等に対する電磁ノイズの侵入をグラ
ンド導体層２４、２７で阻止することができる。
板１の表面上以外に結合コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を
配置することが可能となるので、基板１の主面のみ結合
コンデンサを設ける必要がなくなると共に、各種導体層
のレイアウト設計の自由度も向上し、その結果、基板１
の表面積を小さくし、フィルタの小型化を達成すること
ができる。また、コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を構成す
るための導体層Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ3a、Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3bが
一対のグランド導体層２４、２７の対向領域内に配置さ
れているので、これ等に対する電磁ノイズの侵入をグラ
ンド導体層２４、２７で阻止することができる。
【００１７】
【第２の実施例】次に、図９〜図１１に示す第２の実施
例のフィルタを説明する。図９のフィルタは４つのＴＥ
Ｍモード同軸型誘電体共振器６１、６２、６３、６４を
並置することによって構成されている。各共振器６１〜
６４は、図１０に示すように角柱状誘電体６５と、この
貫通孔６６に設けられた内導体６７と、側面に設けられ
た外導体６８と、端面に設けられた短絡導体６９と、内
導体６７に半田７１で結合された端子７０とからそれぞ
れ構成されている。４つの共振器６１、６２、６３、６
４は方向が交互に逆になるように並置され、これ等の外
導体６８が誘電体基板７２上のグランド導体層７３に半
田で固着されている。誘電体基板７２上には複数の接続
導体層７４が設けられ、ここに端子７０が半田７５で結
合されている。誘電体基板７２の裏面には、図７と同様
なグランド導体層、入力及び出力導体層が設けられてい
る。
例のフィルタを説明する。図９のフィルタは４つのＴＥ
Ｍモード同軸型誘電体共振器６１、６２、６３、６４を
並置することによって構成されている。各共振器６１〜
６４は、図１０に示すように角柱状誘電体６５と、この
貫通孔６６に設けられた内導体６７と、側面に設けられ
た外導体６８と、端面に設けられた短絡導体６９と、内
導体６７に半田７１で結合された端子７０とからそれぞ
れ構成されている。４つの共振器６１、６２、６３、６
４は方向が交互に逆になるように並置され、これ等の外
導体６８が誘電体基板７２上のグランド導体層７３に半
田で固着されている。誘電体基板７２上には複数の接続
導体層７４が設けられ、ここに端子７０が半田７５で結
合されている。誘電体基板７２の裏面には、図７と同様
なグランド導体層、入力及び出力導体層が設けられてい
る。
【００１８】４つの共振器６１〜６４は図１１に示す４
つのコンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 、Ｃ4 を伴なってバン
ドパスフィルタを構成する。４つのコンデンサＣ1 、Ｃ
2 、Ｃ3 、Ｃ4 は第１の実施例と同様な方法で誘電体基
板７２に導体層を埋設することによって構成されてい
る。
つのコンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 、Ｃ4 を伴なってバン
ドパスフィルタを構成する。４つのコンデンサＣ1 、Ｃ
2 、Ｃ3 、Ｃ4 は第１の実施例と同様な方法で誘電体基
板７２に導体層を埋設することによって構成されてい
る。
【００１９】図９〜図１１に示すように４段のフィルタ
構成とし、且つ独立の端子７０を使用する構成とする場
合においても第１の実施例と同様な作用効果を得ること
ができる。
構成とし、且つ独立の端子７０を使用する構成とする場
合においても第１の実施例と同様な作用効果を得ること
ができる。
【００２０】
【変形例】本考案は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。（１） バン
ドストップフィルタにも適用可能である。（２） ヴィ
アホールの代りに基板３又は７２の周縁部に溝を形成
し、この溝に導体を充填して基板の表面と裏面との間又
は表面及び裏面と内部との間を電気的に接続することが
できる。（３） コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を基板３
の厚み方向の誘電体を使用して構成せずに、同一平面上
に対の電極用導体層を配置することによって構成するこ
とができる。（４） 図３に示すカバー５２をＥ型に形
成し、２つの共振器１、２の間にカバーの中央の脚部を
挿入し、共振器１、２を分離してもよい。
く、例えば次の変形が可能なものである。（１） バン
ドストップフィルタにも適用可能である。（２） ヴィ
アホールの代りに基板３又は７２の周縁部に溝を形成
し、この溝に導体を充填して基板の表面と裏面との間又
は表面及び裏面と内部との間を電気的に接続することが
できる。（３） コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を基板３
の厚み方向の誘電体を使用して構成せずに、同一平面上
に対の電極用導体層を配置することによって構成するこ
とができる。（４） 図３に示すカバー５２をＥ型に形
成し、２つの共振器１、２の間にカバーの中央の脚部を
挿入し、共振器１、２を分離してもよい。
【図１】第１の実施例のフィルタを示す平面図である。
【図２】図１のフィルタのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１の基板の平面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】図２のＤ−Ｄ線断面図である。
【図７】図１の基板の底面図である。
【図８】図１のフィルタの等価回路図である。
【図９】第２の実施例のフィルタを示す斜視図である。
【図１０】図９の誘電体共振器の断面図である。
【図１１】図９のフィルタの等価回路図である。
１、２ 誘電体共振器 ３ 誘電体基板 ２３、２７ グランド導体層 Ｃ1a、Ｃ2a、Ｃ3a、Ｃ1b、Ｃ2b、Ｃ3b コンデンサ導体
層
層
フロントページの続き (72)考案者 吉森 健二 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)考案者 五十嵐 雅夫 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)考案者 伊藤 光由 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)考案者 風間 智 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−167701（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−161521（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−48403（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体基板と、前記誘電体基板に設けら
れた入力端子導体層及び出力端子導体層と、前記誘電体
基板上に互いに並置された複数の誘電体共振器と、前記
複数の誘電体共振器を相互に結合するための結合コンデ
ンサとを備え、前記複数の誘電体共振器の内の一つは前
記入力端子導体層に結合され、前記複数の誘電体共振器
の内の別の一つは前記出力端子導体層に結合され、前記
複数の誘電体共振器は、互いに対向する第１及び第２の
端面と側面とを有し且つ前記第１の端面から前記第２の
端面に至る貫通孔を有する柱状誘電体と、前記貫通孔の
中に設けられた内導体と、前記誘電体の前記側面に設け
られた外導体と、前記内導体と前記外導体とを接続する
ように前記第２の端面に設けられた短絡導体と、前記第
１の端面側において前記内導体に接続された端子とをそ
れぞれ有しているフィルタ装置において、前記複数の誘電体共振器の内の隣り合せた２つの誘電体
共振器の内の一方の誘電体共振器の前記第１の端面と前
記隣り合せた２つの誘電体共振器の内の他方の誘電体共
振器の前記第２の端面とが隣り合せとなり、前記一方の
誘電体共振器の前記第２の端面と前記他方の誘電体共振
器の前記第１の端面とが隣り合せとなるように 前記複数
の誘電体共振器が前記誘電体基板上に並置され、 前記誘電体基板の一方の主面にグランド導体層と複数の
接続導体層とが設けられ、前記誘電体基板の他方の主面にグランド導体層が設けら
れ、 前記複数の誘電体共振器の前記外導体が前記一方の主面
のグランド導体層にそれぞれ結合され、 前記複数の誘電体共振器の前記端子が前記複数の接続導
体層にそれぞれ接続され、 前記誘電体基板の中に前記結合コンデンサを得るための
導体層が設けられ、前記結合コンデンサのための導体層は前記誘電体基板の
前記一方の主面のグランド導体層と前記他方の主面のグ
ランド導体層とに挟まれた領域内に配置されて いること
を特徴とするフィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992064376U JP2605882Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 誘電体共振器を含むフィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992064376U JP2605882Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 誘電体共振器を含むフィルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0623302U JPH0623302U (ja) | 1994-03-25 |
| JP2605882Y2 true JP2605882Y2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=13256525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992064376U Expired - Fee Related JP2605882Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 誘電体共振器を含むフィルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605882Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548403U (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | 京セラ株式会社 | 誘電体フィルタ |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP1992064376U patent/JP2605882Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623302U (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980616 |
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