JPH07321622A - 複数のデバイスを制御する方法及び電気回路 - Google Patents

複数のデバイスを制御する方法及び電気回路

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JPH07321622A
JPH07321622A JP6014051A JP1405194A JPH07321622A JP H07321622 A JPH07321622 A JP H07321622A JP 6014051 A JP6014051 A JP 6014051A JP 1405194 A JP1405194 A JP 1405194A JP H07321622 A JPH07321622 A JP H07321622A
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switch
current
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switches
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Peter J Carlson
ピーター・ジェイ・カールソン
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Siliconix Inc
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    • B60T2270/00Further aspects of brake control systems not otherwise provided for
    • B60T2270/40Failsafe aspects of brake control systems
    • B60T2270/413Plausibility monitoring, cross check, redundancy

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】誘導性デバイスを駆動する半ブリッジ回路を回
路要素で構成する。 【構成】外部の電源に入力可能な第1電源端子及び第2
電源端子と、第1リードと、第2リードとを各々が備
え、第1リードと第2リードの間を通って電流が流れる
ようにスイッチオンされ、または電流の流れが概ね遮断
されるようにスイッチオフされる複数のスイッチトラン
ジスタQ1〜QNと、第1リードと、第2リードとを各
々が備え、対応するスイッチを通して外部の電源が電流
を流すことを制止するように接続された複数のダイオー
ドD1〜DNと、スイッチオフされるマスタスイッチト
ランジスタQOと、マスタスイッチを通して、外部の電
源が電流を流すことを制止するように接続されているマ
スタダイオードDNとをし、任意のソレノイドL1〜L
Nをターンオンする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ソレノイド及びモータ
などの多種類の電子デバイスを駆動する回路に関し、特
に電子デバイスを迅速にターンオン及びターンオフする
手段を提供する回路に関する。
【0002】
【従来の技術】電気的エネルギーを機械的エネルギーに
変換するデバイスは、概ね電気的エネルギーの一部のみ
を利用可能な仕事量に変換する。入力の電気的エネルギ
ーの残りは、他の形に変換される。あるエネルギーは、
電界または磁界内のポテンシャルエネルギーまたは、圧
縮されたばねのポテンシャルエネルギーとして蓄えられ
る。
【0003】ソレノイドは、重要なエネルギーをばねの
圧縮によって及び磁界内に蓄えた機械的なばねによって
迅速なターンオフを提供するように設計されている。こ
れらのソレノイドを制御するソレノイド駆動システム
は、ソレノイドが遮断されたときに、ソレノイドに蓄え
られたエネルギーを処理しなければならない。ある駆動
システムは、このエネルギーを単に熱として消費する。
これらのシステムは、エネルギーを浪費するものであ
り、発生した熱の放散に関する問題の影響を受ける。そ
のようなシステムは、高い熱応力を受容しなければなら
ず、線形動作中に、熱放散器として半導体を非能率的に
使用する。そのようなシステムは、大型のヒートシンク
を必要とし、かつ高い半導体接合温度を原因とする信頼
性の問題を有する。
【0004】相補的ソレノイドドライバの模式図が図1
に示されている。典型的には、ソレノイド101は、イ
ンダクタンスLs及び抵抗Rsを備えた誘導性コイル
と、鉄製のピストンと、ばねとを有する。鉄製のピスト
ンは大きな電流がコイルを通過して流れたときに、コイ
ルによって発生させられた磁界が鉄製のピストンをコイ
ル内に後退させるように配置されている。ばねはピスト
ン及び固定された支持部に接続されており、鉄製のピス
トンがコイル内に後退させられたとき、ばねは伸張する
かまたは圧縮される。ソレノイド101をターンオンさ
せるために、電圧がトランジスタ102のゲートに印加
され、トランジスタ102とソレノイド101に電流が
流れる。ターンオンしている間、エネルギーは磁界内及
び機械的なばねに蓄えられる。
【0005】ソレノイド101に加えられた電力がター
ンオフしたとき、ソレノイドのインダクタンスが、ソレ
ノイド101を流れる電流が急激に0に減少することを
妨げる。ソレノイド101は、電流の変化を妨げるよう
な電圧を発生する。この電圧は、電流の時間的変化率に
インダクタンスの値を掛けたものに等しい。ソレノイド
101が遮断されたとき、蓄えられたエネルギーが電流
を保持するための電力を提供する。
【0006】電流が急激に遮断されるとき、時間変化率
は大きなものとなり、ソレノイド101に発生した電圧
が回路に電流を流すことになる。熱エネルギーは、ター
ンオフの間、抵抗による発熱によって電力用トランジス
タ102内で消費される。
【0007】ソレノイドのパワーオン及びパワーオフが
90Hzの周期をなすこの形式の典型的なソレノイドシ
ステムでは、蓄えられたエネルギーの約60%〜80%
が消費電力として消耗される。従って、ヒートシンクの
寸法及び電力用トランジスタの寸法は、蓄えられたエネ
ルギーを消費する必要性によって主に決定され、トラン
ジスタのエネルギー効率の改善を目的とする技術の進歩
は、デバイスの寸法の対しては寄与しない。
【0008】図2に示された従来技術の半ブリッジ構造
は、蓄えられたエネルギーを電源に戻すパスを提供する
ことによって、電力用トランジスタでのエネルギーの消
費の問題を解決するものである。2つのトランジスタ2
02及び203と、2つのダイオード206及び207
は、ソレノイド201をターンオフまたはターンオンさ
せるために用いられる。
【0009】図3は、ソレノイドがターンオンしている
ときの図2の半ブリッジ回路の動作を示している。図3
では、主な電流が、トランジスタ303、ソレノイド3
01及びトランジスタ302を通して流れている。ソレ
ノイド301は、インダクタンスと抵抗の回路(LR回
路)の電流の指数関数的に増加する特性で、0電流から
定常状態の電流へ駆動される。図4は、一定の電圧が印
加されたときのソレノイド回路の電流の増加特性を示し
ている。
【0010】図5は、ソレノイド501がターンオフし
ている間の同じ半ブリッジ回路の動作を示している。2
つのトランジスタ502及び503がターンオフし、電
流が減少することによって、ソレノイド501に電圧が
発生する。誘導電圧は、ソレノイド501を通して初め
の方向に電流を流し続ける。この電流は図5に示される
ようにダイオード504及び505を通して最も容易に
流れる。トランジスタ502及び503を通るパスは、
トランジスタがオフしたときに遮断される。図5の電流
パスILからわかるように、電流はグランド506か
ら、ダイオード504、ソレノイド501、及びダイオ
ード505を通り、電源のプラス端子507へ流れ込
む。電源の極性はトランジスタがオンしたときから効果
的に反転し、電源は電流を迅速に減少させる。電流は電
源を通って流れ、従って電源にエネルギーが戻されるこ
とになる。
【0011】図6は、LR回路の電流の極性に変化が生
じたときの効果を表している。ダイオードを用いない場
合、極性の反転された電源は、電流を逆転させ、かつ本
来の向きとは逆の等しい定常状態の振幅を有する電流を
流す。
【0012】ダイオード505及び504は、逆バイア
スされたとき(電流が流れていないとき)高インピーダ
ンス状態となるので、図2、図3及び図5の半ブリッジ
回路では電流の向きは逆転しない。ソレノイド501を
流れる電流が停止し、かつソレノイドは反転した電流に
よって再び駆動されることはない。
【0013】ソレノイドを駆動するために用いられたと
きの、従来技術の半ブリッジ構造の欠点は、使用される
回路要素、ダイオード及びトランジスタのためにコスト
高となることである。従来技術の半ブリッジ回路は、1
つのソレノイドに対して最低でも4個の回路要素を必要
とする。N個のソレノイドは4×N個の回路要素を必要
とする。回路要素の少ないシステムほどより廉価なもの
となる。
【0014】電流ソレノイド制御回路に関する他の問題
点は、ソレノイドの設計である。DC回路のソレノイド
の設計は、ソレノイドの巻線抵抗に関する相いれない要
求によって限定される。巻線抵抗は、電流を制御し、か
つソレノイド内の抵抗による熱を最小にするために高い
値でなければならない。電流が定常状態に達したとき、
ソレノイド内で発生する電力はV2/Rとなる。ソレノ
イドの抵抗の値は、予想される最も高い電圧で駆動され
たときにソレノイドが過熱状態とならないよう十分に高
い値でなければならない。しかし、ソレノイドを速く励
磁するためには、比率L/Rは高い値でなければならな
い。インダクタンスの値が固定されている場合、速い励
磁のためには低い抵抗値が必要とされる。図1の構造の
ようなソレノイドドライバでは、2つの目的を調整する
ために折衷案が選択されなければならない。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の半ブリッジ回路で必要とされた回路要素の数よりも少
ない回路要素で構成された半ブリッジ回路を提供し、半
ブリッジ回路を廉価なものとすることである。
【0016】
【課題を解決するための手段】上述された目的は、第1
リードと第2リードとを備えた複数の電子デバイスを含
む電気回路であって、外部の電源に入力可能な第1電源
端子及び第2電源端子と、前記第1電源端子に電気的に
接続された第1リードと、前記複数のデバイスの内の1
対1に対応したデバイスの第2リードに接続された第2
リードとを各々が備え、前記第1リードと前記第2リー
ドの間を通って電流が流れるようにスイッチオンされ、
または電流の流れが概ね遮断されるようにスイッチオフ
される複数のスイッチと、前記第2電源端子に電気的に
接続された第1リードと、前記複数のスイッチの内の1
対1に対応するスイッチの前記第2リードに電気的に接
続された第2リードとを各々が備え、前記対応するスイ
ッチを通して前記外部の電源が電流を流すことを制止す
るように接続された複数のダイオードと、複数のデバイ
スの前記第1リードの全てに接続可能な第1リードと、
前記第2電源端子に電気的に接続された第2リードとを
備え、電流を通過させるようにスイッチオンされ、また
は電流の流れが概ね遮断されるようにスイッチオフされ
るマスタスイッチと、前記マスタスイッチの前記第1リ
ードに接続された第1リードと、前記第1電源端子に接
続された第2リードとを備え、前記マスタスイッチを通
して、前記外部の電源が電流を流すことを制止するよう
に接続されているマスタダイオードとを有することを特
徴とする電気回路を提供することによって達成される。
【0017】
【作用】本発明は、誘導性デバイスを制御する回路及び
誘導性デバイスを制御する回路を動作させるための新規
な方法によって実施される。誘導性デバイスは、高いイ
ンダクタンスを有するデバイスである。
【0018】図7に示された本発明の実施例は、N個の
誘導性デバイスを制御するために必要な回路要素の数を
4×Nから2×N+2へ減少させる。回路要素の数がよ
り少なくなれば、回路はより廉価なものとなる。本発明
のこの実施例が、多数の誘導性デバイスを制御するなら
ば、従来技術に比べて大きくコストが節約されることに
なる。
【0019】図7に示された回路の他の利点は、アンチ
スキットブレーキシステム(ABS)のようなシステム
内でその回路が用いられたときに明らかになる。ABS
システムの安全性の要件は、任意のある回路要素故障が
発生したときに、システムが通常のブレーキ動作を行う
ことを禁止されていることを必要とする。任意のソレノ
イドをターンオンまたは保持するためには、回路は2つ
のスイッチを必要とするので、多重化されたマスタスイ
ッチ(Q0)は、停止用安全装置として用いられてい
る。図6は、マイクロプロセッサ901が回路の故障を
検知したときに、マイクロプロセッサ901がマスタス
イッチ919を制御しかつ遮断することのできるより高
いレベルのシステムの構造を表している。
【0020】本発明の他の利点は、短絡または開放され
た半導体スイッチまたは開放されたソレノイドの巻線を
試験することのできる簡単な試験方法である。図9は、
比較的高い値の抵抗(R1、R2は約1kΩ)を通して
VBAT及びグランド909に接続されたソレノイドの共
通ノード902を監視するマイクロプロセッサ901が
示されている。
【0021】本発明の他の利点は、システムの構造が、
マイクロプロセッサ901とスイッチコントローラ90
6との間のシリアルコミュニケーションリンク904を
用いることができ、このコミュニケーションリンクが安
全性を改良するために符号化の冗長度を用いることがで
きるということである。このようにして、故障または暴
走したマイクロプロセッサが、予想に反してソレノイド
をターンオンするために必要なコードを発生することが
なくなる。符号化は、最大距離符号化冗長度(maximal
distance coding redundancy)及びエラー補正を用いる
ことができ、かつノイズまたはマイクロプロセッサの誤
差が生じたときに、ソレノイドをターンオフさせるエラ
ー補正をする傾向がある。
【0022】
【実施例】ここで説明される本発明の実施例は、種々の
誘導性デバイスを制御するために用いられ、かつ大きな
インダクタンスを伴ったデバイスを制御するものであ
る。予想される最も典型的な用途は、ソレノイド駆動回
路としての用途である。以下の説明の大部分では、ソレ
ノイドが本発明の応用例として用いられるが、説明され
る回路の動作を実質的に変更することなしに、ソレノイ
ドは任意の誘導性デバイスに交換できることが説明から
明らかである。
【0023】図7、図8及び図9のようなソレノイド駆
動回路として用いられる本発明の実施例は、概ね以下の
3種類のモードで動作する。1個または複数のソレノイ
ドをターンオンさせるモード。1個または複数のソレノ
イドをターンオフさせるモード。ソレノイドを駆動する
平均電圧のパルス幅変調制御のモード。本発明の重要な
特徴は、多重制御されている複数のソレノイドを別個に
ターンオンまたはターンオフさせることができるという
ことである。
【0024】本発明の好適な実施例では、図8に示す集
積回路として形成されたコントローラ801によって動
作及びモードが制御される。コントローラ801はソレ
ノイドを励磁するスイッチをターンオンまたはターンオ
フさせる命令信号を発生させる。スイッチは、機械的ス
イッチ、トランジスタ及び電流を制御することのできる
他のデバイスを含む。
【0025】図7に示すように、制御されるべき各デバ
イスは、対応するスイッチまたはトランジスタ及び対応
するダイオードを有する。図7は、N個のソレノイドL
1〜LNと、N個のトランジスタQ1〜QNと、N個のダイ
オードD1〜DNを含む実施例の回路図を示している。任
意のソレノイドをターンオンするために、トランジスタ
Q0がターンオンされ、かつソレノイドに対応するトラ
ンジスタがターンオンされる。より多くのソレノイドが
ターンオンされる必要があるならば、マスタトランジス
タQ0がターンオンした状態に保持され、かつ更に適切
なトランジスタがターンオンされる。
【0026】例えば、ソレノイドL3を励磁するために
は、トランジスタQ3とQ0がターンオンされる。これに
よって、電源が、トランジスタQ3、ソレノイドL3及び
トランジスタQ0を通るパスによってソレノイドL3に電
流を流すことが可能になる。こうしてソレノイドL3が
励磁される。その後にソレノイドL2及びソレノイドL4
を駆動するためには、トランジスタQ0をターンオフし
た状態に保ち、トランジスタQ2及びQ4をターンオンさ
せる。
【0027】1つのソレノイドをターンオフさせるため
または複数のソレノイドを同時にターンオンさせるため
には、オン状態に保持されるソレノイドに対応するトラ
ンジスタはオン状態に保持され、かつターンオフされる
べきソレノイドに対応するトランジスタがターンオフさ
れる。マスタトランジスタQ0は短い時間に亘ってター
ンオフされる。以下に説明されるように、その短い時間
は、ターンオフされるソレノイドに流れる電流を遮断す
るために適切であり、かつオン状態に保持されるソレノ
イドの電流をソレノイドがターンオフされるレベルまで
低下させるほど長いものではない。
【0028】図11は、ソレノイド1102がターンオ
フされかつソレノイド1101がオン状態に保たれてい
るときの主な電流のパスを示している。ソレノイド11
02をターンオフさせるために、マスタトランジスタ1
104とソレノイド1102に対応するトランジスタ1
106の両方がターンオフされる。ソレノイド1102
に発生した誘導電圧は、マスタダイオード1109、電
源1103、ダイオード1108及びソレノイド110
2を通るループ内に電流を流す。図11のIL2は、ソレ
ノイド1102が遮断されたときの主な電流のパスを示
している。電源1103の極性は、ソレノイド1102
が励磁されたときから効果的に反転される。従って、1
103は電流IL2が減少する速度を速め、かつ電流を0
にするが、しかし電源電圧はダイオード1109及び1
108が存在するために電流の向きを反転することはで
きない。
【0029】電流は電源の極性に逆らって電源1103
を通って流れるので、ソレノイド1102はエネルギー
を電源1103に戻す。このことは、ドライバをよりエ
ネルギー効率の良いものとし、熱消費に関する問題を軽
減する。
【0030】マスタトランジスタ1104がオフの間、
ソレノイド1101は環流(freewheeling)状態に保た
れる。環流は、電流がソレノイド内で発生した誘導電圧
によって流され、電源が電流を援助することも妨げるこ
ともしないことを意味する。主な電流のパスは、ソレノ
イド1101、対応するトランジスタ1105、及びマ
スタダイオード1109を通る。
【0031】図11の電流パスIL1は、ソレノイド11
01が環流しているときの主な電流のパスを表してい
る。ソレノイド1101の電流IL1は、ソレノイドが環
流している間に減少するが、しかしその電流の減少はソ
レノイドをターンオフさせるほど急激ではない。ターン
オフされるべきソレノイドを消磁するために必要な時間
のみにマスタスイッチ1104をオフ状態に保つことに
よって、ソレノイド1101は励磁された状態に留まる
ための充分な電流を保持した状態に保たれる。
【0032】これまで説明された多重化方法の重要な構
成要素は、全ての誘導性デバイスを消磁するマスタスイ
ッチと、デバイスが消磁される速度を制御するための手
段とである。図7は、この両方の構成要素を含む1つの
回路を示しているが、その他にも多くの回路が存在す
る。多重化方法は、マスタスイッチと消磁の速度を制御
する能力を有する任意の回路に適用することができる。
制御されるべきデバイスはソレノイドに限定される必要
はない。
【0033】図8及び図9は、図7の回路と等しい回路
を含んでいる。図8に示された実施例は8個のソレノイ
ドを制御する。全ての回路図は、マスタスイッチまたは
マスタトランジスタ及びマスタダイオードを含んでい
る。図8及び図9の両方の実施例は、上述された方法を
用いることによってソレノイドをターンオン及びターン
オフさせる。
【0034】図8は、ソレノイドをターンオン及びター
ンオフさせるトランジスタへの信号を発生することので
きる更なるコントローラ801の特徴を表している。図
9は、回路の故障を監視し、かつコントローラ906に
どのソレノイドがターンオンまたはターンオフされるか
を伝えるコントローラへの信号を送る更なるマイクロプ
ロセッサ901の特徴を表している。
【0035】ソレノイドをターンオン及びターンオフさ
せる他にも、本発明はソレノイドに加えられる電力を制
御するために用いることもできる。パルス幅変調(PW
M)が、ソレノイドを流れる平均電流及びソレノイド両
端の電圧を制御するために用いられる。マスタトランジ
スタは、電源電圧が所望の値よりも高い場合または変化
した場合でも、所望の平均値を維持するデューティーサ
イクルでターンオン及びターンオフされる。
【0036】図8の回路図は、コントローラ801が電
源803の電圧を監視する本発明の実施例を表してい
る。ソレノイドの電圧のPWM制御は、測定された電圧
が所望の電圧を超過したとき、マスタトランジスタ80
6のデューティーファクタを減少させることによって実
施される。
【0037】典型的な動作中では、デューティーファク
タは、所望の電圧と測定された電圧との比に等しい。例
えば、もし所望の電圧が12Vで、測定された電圧が2
0Vならば、デューティーファクタは60%である。も
し測定された電圧が12V以下ならばデューティーファ
クタは100%である。
【0038】電圧が非常に高い値に達したとき、コント
ローラ801は全ての出力を遮断することができ、かつ
デバイスは高い電圧によって引き起こされる損傷からデ
バイス自身を保護することができる。
【0039】電流検知が行われた場合、電流を制御する
という制御の目的は、直接達成される。電源は、所望の
電流と検知された電流の比に等しいデューティーファク
タによってパルス幅変調させる。
【0040】本発明は更に、図9を参照することによっ
て最も良く例示されている開放されたまたは短絡された
トランジスタのような回路の故障を検知するための簡単
な方法を含む。様々なシステムの故障は、単一のノード
902の電圧を測定しかつ測定された電圧を期待された
値と比較することによって決定される。
【0041】全てのトランジスタをターンオフさせた状
態では、ノード902の電圧は約1/2VBATである。
任意の実質的な電圧の偏差は、1個または複数のリーク
したまたは短絡したトランジスタが存在することを表し
ている。
【0042】導通させることの可能な各トランジスタ9
11〜918のチェックは、マスタトランジスタ919
をターンオフさせた状態で、各トランジスタ911〜9
18を短い時間に亘って順番に周期的にオンさせること
によって実施される。ノード902の電圧は、トランジ
スタ、ソレノイド及び抵抗910を通して電流を流すた
めに、適切なレベルまで上昇される。もしノードの電圧
が上昇しなければ、マスタトランジスタ919が短絡し
ているかまたは1個または複数のトランジスタ911〜
918が開放されている。
【0043】最終的な試験のために、全てのトランジス
タ911〜918がターンオンされ、かつマスタトラン
ジスタ919が短い時間に亘ってターンオンされる。こ
こで短い時間とはソレノイドを励磁させるほどには長く
ない時間を意味する。ノード902の電圧は、電源電圧
に近くなければならない。あるレベル以上の電圧は、マ
スタトランジスタ919が開放状態であることを示して
いる。
【0044】代わりの最終的な試験では、センスノード
に接続されたダミー負荷として用いられる更なるトラン
ジスタを有している。ダミー負荷は、トランジスタ91
1〜918をターンオンさせる代わりに用いられる。次
に、全電流テストが、ソレノイドが励磁されるというリ
スクなしに、マスタトランジスタ919に実施される。
【0045】上述された任意のテストが故障を表示した
場合、マイクロプロセッサ901はマスタトランジスタ
919及び全てのソレノイドを遮断する。マスタトラン
ジスタ919はまた、他の任意のエラーが発生したとき
に、全てのソレノイドをターンオフさせるために停止用
安全装置として働く。これによって、更なる高電流半導
体スイッチまたはリレイのコストが軽減される。
【0046】図9に示された実施例では、コントローラ
906がターンオンさせるための信号を送りかつマイク
ロプロセッサ901が全てがOKであることを表示する
フェイルセーフ信号を送るとき、マスタトランジスタ9
19がターンオンすることを許可する論理ゲート907
及び908によってマスタスイッチが制御されている。
【0047】本発明の他の安全性の特徴は、コントロー
ラ906とマイクロプロセッサ901との間のコミニュ
ケーションのために用いられる方法である。スイッチを
ターンオンまたはターンオフさせる信号を発生する以外
にも、コントローラ906は、マイクロプロセッサ90
1からのシリアルデータ及びクロック信号を受け入れか
つ出力のシリアルストリング状態に応答する。
【0048】符号化されたシリアルコミニュケーション
は、マイクロプロセッサの暴走及びまたはマイクロプロ
セッサ901とドライブコントローラ906との間のシ
リアルデータリンク904のノイズに対する保証を提供
する。例えば、コントローラに特定のソレノイドをター
ンオンさせることを命令する情報の単一のビットは、3
ビットのデータとして符号化される。コード101及び
010は例えば、“ON”及び“OFF”のための符号
である。何れの符号とも一致しない送られた符号は、A
BSの場合ではより安全な状態として“OFF”として
翻訳され、かつエラーを表示する。これらの3ビットの
符号はこれらの符号の間の最大のコーディング距離を有
する。“0”及び“1”を誤るといった単一のビットエ
ラーは、正しい符号を発生することがない。
【0049】これは、エラー検知及び修正手段のほんの
1つの例であり、他のより複雑なシンボルコーディング
技術を用いることができる。例えば、上述されたコーデ
ィングは、並列に伝達されたとき、符号の値の間の最大
の分離を提供する。シリアルビットストリーム中のデー
タを結果的に1ビットシフトさせるような、ビットの誤
りを検知するための他のコーディング技術を用いること
もできる。そのようなシリアル情報を符号化するための
技術は当業者には公知である。
【0050】図12、図13及び図14は、本発明の可
能な実施例内のコントローラが従う論理を示している。
図12では、ノード1201の開始では、コントローラ
906はマイクロプロセッサ901からの入力を受け取
る。コントローラ106はノード1203で入力をデコ
ードし、入力が有効かどうかを判定する。もし入力が有
効でなければ、コントローラ906は駆動回路1205
を遮断しかつマイクロプロセッサ901にエラーメッセ
ージ1206を送る。もし入力が有効ならば、コントロ
ーラ906はノード1207で、マイクロプロセッサ9
01が回路の試験をリクエストするか、またはソレノイ
ドがターンオンまたはターンオフされるソレノイドの状
態の変化をリクエストするかを決定する。試験するため
または状態を変化させるためには、コントローラは、上
述された方法をたどり、終了した後に、コントローラは
マイクロプロセッサに状態メッセージを送り返す。ソレ
ノイドをターンオン及びターンオフさせるための論理
は、テスト方法を示す図13及び図14に示されてい
る。
【0051】これまで本発明が詳細に説明されたが、こ
の説明は本出願の発明の単なる例示であって、本発明の
限定を意図するものではない。本発明の技術的視点は添
付の請求項によってのみ定義される。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、従来の半ブリッジ回路
で必要とされた回路要素の数よりも少ない回路要素で構
成された半ブリッジ回路を提供し、半ブリッジ回路を廉
価なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術のソレノイド及び駆動回路の回路図。
【図2】従来技術の半ブリッジソレノイド駆動回路の回
路図。
【図3】2個のトランジスタをターンオンさせることに
よってソレノイドが例示されたときの図2と等しい従来
技術の半ブリッジ回路内の主な電流のパスを表す図。
【図4】ソレノイドを流れる電流ILの時間に対する測
定値を表すグラフであり、測定値は、ソレノイドに電圧
が印加された後の電流が指数関数的に定常状態に近づく
ことを表している。
【図5】反ブリッジ回路内の2つのトランジスタをオフ
することによってソレノイドがターンオフされたときの
主な電流のパスを表す、図2及び図3の従来技術の半ブ
リッジソレノイドドライバの回路図。
【図6】LR回路内の電源の極性が反転されたときの電
流の特徴的な指数関数的な減少を表す時間に対する電流
の測定値を表すグラフ。
【図7】N個の誘導性デバイスを制御するために用いら
れた本発明の実施例を表す回路図。
【図8】8個のソレノイドを制御しかつコントローラを
含む本発明の実施例の回路図。
【図9】8個の誘導性デバイスを制御し、かつコントロ
ーラとマイクロプロセッサとを含む本発明の実施例の回
路図。
【図10】電源が回路から取り除かれ、電流が環流され
ときのLR回路の特徴的な指数関数的な電流の減少を表
す時間に対する電流の測定値のグラフ。
【図11】電流が環流され、かつソレノイドがターンオ
フされたときの主な電流のパスを表す本発明の実施例の
回路図。
【図12】ソレノイドをターンオフ及びターンオンさせ
かつ回路の故障をチェックする本発明の実施例内で用い
られる論理のフローチャート。
【図13】ソレノイドをターンオフ及びターンオンさせ
かつ回路の故障をチェックする本発明の実施例内で用い
られる論理のフローチャート。
【図14】ソレノイドをターンオフ及びターンオンさせ
かつ回路の故障をチェックする本発明の実施例内で用い
られる論理のフローチャート。
【符号の説明】
101 ソレノイド 102 トランジスタ 201 ソレノイド 202、203 トランジスタ 206、207 ダイオード 301 ソレノイド 302 トランジスタ 303 トランジスタ 501 ソレノイド 502、503 トランジスタ 504、505 ダイオード 506 グランド 507 電源のプラス端子 801 コントローラ 806 マスタトランジスタ 901 マイクロプロセッサ 902 共通ノード 904 シリアルコミュニケーションリンク 906 スイッチコントローラ 907、908 論理ゲート 909 グランド 910 抵抗 911〜918 トランジスタ 919 マスタスイッチ 1101、1102 ソレノイド 1103 電源 1104 マスタトランジスタ 1106 トランジスタ 1108、1109 マスタダイオード 1201 ノード 1203 ノード 1205 駆動回路 1206 エラーメッセージ 1207 ノード

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1リードと第2リードとを備えた複
    数の電子デバイスを制御する電気回路であって、 外部の電源に入力可能な第1電源端子及び第2電源端子
    と、 前記第1電源端子に電気的に接続された第1リードと、
    前記複数のデバイスの内の1対1に対応したデバイスの
    第2リードに接続された第2リードとを各々が備え、前
    記第1リードと前記第2リードの間を通って電流が流れ
    るようにスイッチオンされ、または電流の流れが概ね遮
    断されるようにスイッチオフされる複数のスイッチと、 前記第2電源端子に電気的に接続された第1リードと、
    前記複数のスイッチの内の1対1に対応するスイッチの
    前記第2リードに電気的に接続された第2リードとを各
    々が備え、前記対応するスイッチを通して前記外部の電
    源が電流を流すことを制止するように接続された複数の
    ダイオードと、 複数のデバイスの前記第1リードの全てに接続可能な第
    1リードと、前記第2電源端子に電気的に接続された第
    2リードとを備え、電流を通過させるようにスイッチオ
    ンされ、または電流の流れが概ね遮断されるようにスイ
    ッチオフされるマスタスイッチと、 前記マスタスイッチの前記第1リードに接続された第1
    リードと、前記第1電源端子に接続された第2リードと
    を備え、前記マスタスイッチを通して、前記外部の電源
    が電流を流すことを制止するように接続されているマス
    タダイオードとを有することを特徴とする複数のデバイ
    スを制御する電気回路。
  2. 【請求項2】 前記複数のスイッチが複数のトランジ
    スタからなることを特徴とする請求項1に記載の電気回
    路。
  3. 【請求項3】 前記複数の電子デバイスが複数のソレ
    ノイドからなることを特徴とする請求項2に記載の電気
    回路。
  4. 【請求項4】 前記複数のスイッチの各々が更に第3
    リードを有し、前記スイッチの前記第3リードの電気信
    号が、前記スイッチがスイッチオンされるかまたはスイ
    ッチオフされるかを決定し、 前記マスタスイッチが更に第3リードを有し、前記マス
    タスイッチの前記第3リードの電気信号が、前記マスタ
    スイッチがスイッチオンされるかまたはスイッチオフさ
    れるかを決定することを特徴とする請求項1に記載の電
    気回路。
  5. 【請求項5】 前記複数のスイッチの前記第3リード
    に電気的に接続され、かつ前記マスタスイッチの前記第
    3リードに電気的に接続されたコントローラを更に有す
    ることを特徴とする請求項4に記載の電気回路。
  6. 【請求項6】 マイクロプロセッサと、 前記マイクロプロセッサと前記コントローラとを接続す
    るコミュニケーションリンクとを更に有することを特徴
    とする請求項5に記載の電気回路。
  7. 【請求項7】 前記コミュニケーションリンクが1個
    または複数のシリアルリンクからなり、 前記マイクロプロセッサが前記コントローラに符号化さ
    れた形式の情報またはテスト信号を送ることを特徴とす
    る請求項6に記載の電気回路。
  8. 【請求項8】 前記コントローラが、前記マイクロプ
    ロセッサへ前記コミュニケーションリンク上の信号を送
    ることが可能なことを特徴とする請求項7に記載の電気
    回路。
  9. 【請求項9】 前記マスタスイッチに電気的に並列接
    続された抵抗を更に有することを特徴とする請求項1に
    記載の電気回路。
  10. 【請求項10】 前記マスタダイオードに電気的に並
    列接続された抵抗を更に有することを特徴とする請求項
    9に記載の電気回路。
  11. 【請求項11】 複数のデバイスへの電力の流れを制
    御するマスタスイッチを用いて、前記複数のデバイスを
    制御する方法であって、 前記複数のデバイスの一部がその他のデバイスよりも緩
    やかに消磁されるように、前記複数のデバイスの消磁の
    速度を制御する過程と、 前記複数のデバイスの全てが消磁されるように、前記マ
    スタスイッチをスイッチオフする過程と、 より緩やかに消磁されるデバイスが所望の性能を損なう
    ほどには消磁されないように充分短く、かつ他のデバイ
    スが消磁されるように充分長い時間の経過した後に、前
    記マスタスイッチをスイッチオンする過程とを有するこ
    とを特徴とする複数のデバイスを制御する方法。
  12. 【請求項12】 各々が第1リードと第2リードとを
    備えた複数の誘導性デバイスを制御する方法であって、 スイッチがターンオンされたときに、電流が前記スイッ
    チを通って前記スイッチの第2リードへ流れ、前記スイ
    ッチがターンオフされたときに、電流が概ね遮断される
    ように前記複数のスイッチの各々の第1リードを電源の
    第1リードに接続する過程と、 前記複数のスイッチと前記複数の誘導性デバイスが1対
    1に対応し、かつ前記複数の誘導性デバイスの各々の前
    記第2リードが前記対応するスイッチの前記第2リード
    に接続されるように、前記複数の誘導性デバイスの前記
    第2リードを前記複数のスイッチの前記第2リードに接
    続する過程と、 複数のダイオードの複数の第1リードを前記電源の第2
    リードに接続する過程と、 前記複数のダイオードと前記複数のスイッチが1対1に
    対応し、かつ前記複数のスイッチの各々の前記第2リー
    ドが、前記対応するダイオードの第2リードに接続され
    るように、前記複数のダイオードの前記第2リードを前
    記複数のスイッチの前記第2リードに接続する過程と、 前記誘導性デバイスの前記第1リードの全てを、マスタ
    スイッチの第1リードに接続する過程と、 前記マスタスイッチの前記第2リードを前記電源の前記
    第2リードに接続する過程と、 マスタダイオードの第1リードを前記マスタスイッチの
    前記第1リードに接続する過程と、 前記マスタダイオードの第2リードを前記電源の前記第
    1リードに接続する過程と、 前記マスタスイッチをスイッチオフまたはスイッチオン
    させる前記マスタスイッチの第3リードへの信号を発生
    する過程とを有することを特徴とする複数の誘導性デバ
    イスを制御する方法。
  13. 【請求項13】 前記マスタスイッチの前記第3リー
    ドへの信号を発生する過程が、 電源の電圧を決定する過程と、 前記決定された電圧と所望の電圧を比較する過程と、 前記決定された電圧が前記所望の電圧より大きいとき、
    前記マスタスイッチをスイッチオンさせる時と前記マス
    タスイッチをスイッチオフさせる時に変化する可変信号
    を前記マスタスイッチの前記第3リードに発生させる過
    程とを有することを特徴とする請求項12に記載の方
    法。
  14. 【請求項14】 可変信号を発生させる前記過程が、
    動作の全体の時間に対する前記可変信号が前記マスタス
    イッチをオン状態に保つ時間の比が、前記決定された電
    圧に対する前記所望の電圧の比に等しくなるように、可
    変信号を発生する過程からなることを特徴とする請求項
    13に記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記マスタスイッチの前記第3リー
    ドに信号を発生させる前記過程が、 前記マスタスイッチを流れる電流を決定する過程と、 前記複数のスイッチの内のどのスイッチがオン状態にな
    るかを決定する過程と、 前記決定された数のスイッチがオン状態のとき、前記マ
    スタスイッチを流れる所望の電流を決定する過程と、 前記決定された電流を前記所望の電流と比較する過程
    と、 前記決定された電流が前記所望の電流より大きいとき、
    前記マスタスイッチがスイッチオンした時と、前記マス
    タスイッチがスイッチオフした時に変化する可変信号を
    前記マスタスイッチの前記第3リードに発生する過程と
    を有することを特徴とする請求項12に記載の方法。
  16. 【請求項16】 可変信号を発生させる前記過程が、 動作の前記全体の時間に対する前記可変信号が前記マス
    タスイッチをオン状態に保つ時間の比が、前記決定され
    た電流に対する前記所望の電流の比に等しくなるように
    前記可変信号を発生する過程からなることを特徴とする
    請求項15に記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記スイッチの各々がスイッチオフ
    またはスイッチオンされるように、前記複数のスイッチ
    の第3リードへの信号を発生させる過程を更に有するこ
    とを特徴とする請求項12に記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記複数の誘導性デバイスから電流
    の流れる1個または複数の誘導性デバイスを決定する過
    程を更に有し、 前記複数のスイッチの前記第3リードへの信号を発生さ
    せる前記過程が、 前記スイッチに対応する前記誘導性デバイスを流れる前
    記電流の時間的な平均値が、前記対応する誘導性デバイ
    スを流れる所望の電流値に等しくなるように、前記1個
    または複数のスイッチがターンオンまたはターンオフさ
    れる信号を、前記電流が決定される前記1個または複数
    の誘導性デバイスに対応する1個または複数のスイッチ
    の第3リードへ発生させる過程からなることを特徴とす
    る請求項17に記載の方法。
  19. 【請求項19】 前記マスタスイッチの前記第3リー
    ドに信号発生させる前記過程が、前記マスタスイッチが
    前記マスタスイッチを通して電流を流すように、前記マ
    スタスイッチの前記第3リードに信号を発生させる過程
    からなり、 前記複数のスイッチの前記第3リードに信号を発生させ
    る前記過程が、 電力が前記選択された誘導性デバイスに供給させるよう
    に、前記複数の誘導性デバイスの少なくとも1つを選択
    する過程と、 前記選択された誘導性デバイスに対応するスイッチを選
    択する過程と、 前記選択されたスイッチが電流を流し、それによって前
    記電源が前記選択された誘導性デバイスに電流を流すよ
    うに、前記選択されたスイッチの前記第3リードに電圧
    を発生させる過程を有することを特徴とする請求項17
    に記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記マスタスイッチの前記第3リー
    ドに信号を発生させる前記過程が、前記マスタスイッチ
    が前記マスタスイッチを通る電流を概ね制止するよう
    に、前記マスタスイッチの前記第3リードに信号を発生
    させる過程からなり、 前記複数のスイッチの前記第3リードに信号を発生させ
    る前記過程が、 電源を遮断するべく前記複数の誘導性デバイスの少なく
    とも1つを選択する過程と、 前記選択された誘導性デバイスに対応する前記スイッチ
    を選択する過程と、 前記選択されたスイッチの各々が、前記選択されたスイ
    ッチを通る電流を概ね制止するように、前記選択された
    スイッチの前記第3リードに信号を発生させる過程とを
    有することを特徴とする請求項17に記載の方法。
  21. 【請求項21】 マスタスイッチの前記第3リードに
    信号を発生させる過程が、 前記複数の誘導性デバイスの任意のデバイスが、通過す
    る電流を有し、かつ電源を遮断するために選択されてい
    なければ、前記マスタスイッチが電流を制止する間、前
    記誘導性デバイスを流れる電流が、前記誘導性デバイス
    の前記動作を妨害するほどには充分に変化しないよう
    に、限定された時間に亘って前記マスタスイッチを通る
    電流を概ね遮断する信号を発生させる過程からなること
    を特徴とする請求項20に記載の方法。
  22. 【請求項22】 回路内の故障を検出するための方法
    であって、 前記回路が、 第1電源端子と第2電源端子とを備えた電源と、 各々が第1リードと第2リードとを備えた複数の誘導性
    デバイスと、 前記第1電源端子に電気的に接続された第1リードと、
    前記複数の誘導性デバイスの1対1に対応する誘導性デ
    バイスの第2リードに電気的に接続された第2リードと
    を各々が備え、前記第1リードと前記第2リードとの間
    を電流が流れるようにスイッチオンされるか、または電
    流が概ね遮断されるようにスイッチオフされることが可
    能な複数のスイッチと、 前記第2電源端子に電気的に接続された第1リードと、
    前記複数のスイッチの1対1に対応するスイッチの前記
    第2リードに電気的に接続された第2リードとを各々が
    備え、前記電源が前記対応するスイッチを通して電流を
    流すことを制止するように接続された複数のダイオード
    と、 前記誘導性デバイスの前記第1リードの全てに電気的に
    接続された第2リードと、前記第2電圧端子に電気的に
    接続された第1リードとを備え、電流が流れるようにス
    イッチオンされるかまたは電流を概ね遮断するようにス
    イッチオフされることが可能なマスタスイッチと、 前記マスタスイッチの前記第1リードに接続された第1
    リードと、前記第1電源端子に接続された第2リードと
    を備え、前記外部の電源が前記マスタスイッチを通して
    電流を流すことを制止するように接続されたマスタダイ
    オードと、 前記マスタスイッチに並列接続された第1抵抗とを有
    し、 前記回路内の電圧を測定する過程と、 前記測定された電圧と期待された電圧とを比較する過程
    とを有することを特徴とする回路内の故障を検出する方
    法。
  23. 【請求項23】 前記複数のスイッチの全てを短い時
    間に亘ってスイッチオンさせる過程と、 前記マスタスイッチを、前記複数の誘導性デバイスの全
    てが概ね励磁されないよう十分に短い時間に亘ってスイ
    ッチオンする過程とを更に有することを特徴とする請求
    項22に記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記第1抵抗と等しい抵抗値を有す
    る第2抵抗を前記マスタダイオードと並列接続する過程
    を更に有することを特徴とする請求項22に記載の方
    法。
  25. 【請求項25】 前記マスタスイッチをスイッチオフ
    させる過程と、 前記複数のスイッチの全てをスイッチオフさせる過程と
    を更に有し、 前記回路内の電圧を測定する前記過程が、前記第1抵抗
    の両端の電圧を測定する過程からなり、 前記測定された電圧を期待された電圧と比較する前記過
    程が、前記測定された電圧を前記電源の前記電圧の2分
    の1の値と比較する過程からなり、 任意の実質的な偏差が1個または複数のスイッチがリー
    クしているかまたは短絡していることを表すことを特徴
    とする請求項24に記載の方法。
  26. 【請求項26】 前記マスタスイッチがオフ状態の
    間、前記複数のスイッチの各々を順番にスイッチオンさ
    せる過程を更に有することを特徴とする請求項25に記
    載の方法。
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