JPH07320208A - 磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録装置Info
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- JPH07320208A JPH07320208A JP6106833A JP10683394A JPH07320208A JP H07320208 A JPH07320208 A JP H07320208A JP 6106833 A JP6106833 A JP 6106833A JP 10683394 A JP10683394 A JP 10683394A JP H07320208 A JPH07320208 A JP H07320208A
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- circuit
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B15/12—Masking of heads; circuits for Selecting or switching of heads between operative and inoperative functions or between different operative functions or for selection between operative heads; Masking of beams, e.g. of light beams
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/661—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】書き込み特性及び読み出し特性の劣化を防止す
るとともに、書き込み時のリンギングの発生を防止する
磁気記録装置を提供する。 【構成】 磁気ヘッドの両端に、一対のダイオードを互
いに反対極性で接続したターミネート回路を設け、書き
込み電流の切り換え時に前記磁気ヘッドの両端の電位差
が急激に変化して前記ダイオードのブレークダウン電圧
以上になると、いずれか一方のダイオードがブレークダ
ウンを起こし、書き込み電流の一部がこのターミネート
回路を介して流出する。したがって、前記急激な変化に
起因したリンギングを除去できる。前記磁気ヘッドの両
端の電位差がダイオードのブレークダウン電圧以下であ
れば、いずれか一方のダイオードが逆バイアスされるの
で、このターミネート回路は高抵抗に保たれる。したが
って、この範囲内であれば、磁気ヘッドに流れる書き込
み電流がターミネート回路に流出することはなく、読み
出し特性及び書き込み特性の劣化を防止することができ
る。
るとともに、書き込み時のリンギングの発生を防止する
磁気記録装置を提供する。 【構成】 磁気ヘッドの両端に、一対のダイオードを互
いに反対極性で接続したターミネート回路を設け、書き
込み電流の切り換え時に前記磁気ヘッドの両端の電位差
が急激に変化して前記ダイオードのブレークダウン電圧
以上になると、いずれか一方のダイオードがブレークダ
ウンを起こし、書き込み電流の一部がこのターミネート
回路を介して流出する。したがって、前記急激な変化に
起因したリンギングを除去できる。前記磁気ヘッドの両
端の電位差がダイオードのブレークダウン電圧以下であ
れば、いずれか一方のダイオードが逆バイアスされるの
で、このターミネート回路は高抵抗に保たれる。したが
って、この範囲内であれば、磁気ヘッドに流れる書き込
み電流がターミネート回路に流出することはなく、読み
出し特性及び書き込み特性の劣化を防止することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フロッピイディスク装
置等に用いられる磁気記録装置の改良に関する。
置等に用いられる磁気記録装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】典型的な従来の技術は、図８に示され
る。磁気ヘッド１の両端の端子２、３には、書き込み電
流を前記磁気ヘッド１に供給するための差動回路４が設
けられる。前記差動回路４は、第１のＮＰＮ型トランジ
スタ５および第２のＮＰＮ型トランジスタ６から構成さ
れ、トランジスタ５、６の各コレクタはそれぞれ前記端
子２、３に接続され、各エミッタには定電流源７が接続
される。トランジスタ５、６の各ベースには、ライトデ
ータ信号を受けるゲート８ａ、８ｂが接続される。一
方、前記端子２、３には、前記磁気ヘッド１を介して記
録信号を読み出す読出回路９が接続される。なお、磁気
ヘッド１には、電源電圧が与えられている。
る。磁気ヘッド１の両端の端子２、３には、書き込み電
流を前記磁気ヘッド１に供給するための差動回路４が設
けられる。前記差動回路４は、第１のＮＰＮ型トランジ
スタ５および第２のＮＰＮ型トランジスタ６から構成さ
れ、トランジスタ５、６の各コレクタはそれぞれ前記端
子２、３に接続され、各エミッタには定電流源７が接続
される。トランジスタ５、６の各ベースには、ライトデ
ータ信号を受けるゲート８ａ、８ｂが接続される。一
方、前記端子２、３には、前記磁気ヘッド１を介して記
録信号を読み出す読出回路９が接続される。なお、磁気
ヘッド１には、電源電圧が与えられている。
【０００３】前記端子２、３間には、後述するリンギン
グを低減するダンピング抵抗１０が設けられる。ここ
で、前記ダンピング抵抗１０の動作について説明する。
図９は、前記ダンピング抵抗１０の動作を説明するため
の波形図である。図９（１）には、前記ゲート８ａを介
して前記トランジスタ５のベースに与えられるライトデ
ータ信号Ａが示される。このライトデータ信号Ａが前記
ゲート８ｂで反転されて図９（２）に示されるライトデ
ータ信号Ｂが得られ、このライトデータ信号Ｂが前記ト
ランジスタ６のベースに与えられる。
グを低減するダンピング抵抗１０が設けられる。ここ
で、前記ダンピング抵抗１０の動作について説明する。
図９は、前記ダンピング抵抗１０の動作を説明するため
の波形図である。図９（１）には、前記ゲート８ａを介
して前記トランジスタ５のベースに与えられるライトデ
ータ信号Ａが示される。このライトデータ信号Ａが前記
ゲート８ｂで反転されて図９（２）に示されるライトデ
ータ信号Ｂが得られ、このライトデータ信号Ｂが前記ト
ランジスタ６のベースに与えられる。
【０００４】たとえば時刻ｔ０では、ライトデータ信号
ＡはＨレベルであり、ライトデータ信号ＢはＬレベルで
あるので、第１のトランジスタ５は導通状態に保持され
る一方、第２のトランジスタ６が遮断状態に保持されて
いる。したがって、磁気ヘッド１には、矢印ａ（図９参
照）で示される書き込み電流が流れている。時刻ｔ１に
おいては、ライトデータ信号ＡはＨレベルからＬレベル
になり、ライトデータ信号ＢはＬレベルからＨレベルと
なるので、第１のトランジスタ５は導通状態から遮断状
態に切り替わる一方、第２のトランジスタ６が遮断状態
から導通状態に切り替わる。このとき、磁気ヘッド１に
おいて矢印ａ方向に流れていた電流は、矢印ｂ方向に流
れようとするので、前記端子２の電位は、図９（３）に
示されるように、瞬間的にいわゆる逆起電圧Ｖ１が発生
した後、ほぼ一定電位に保持される。
ＡはＨレベルであり、ライトデータ信号ＢはＬレベルで
あるので、第１のトランジスタ５は導通状態に保持され
る一方、第２のトランジスタ６が遮断状態に保持されて
いる。したがって、磁気ヘッド１には、矢印ａ（図９参
照）で示される書き込み電流が流れている。時刻ｔ１に
おいては、ライトデータ信号ＡはＨレベルからＬレベル
になり、ライトデータ信号ＢはＬレベルからＨレベルと
なるので、第１のトランジスタ５は導通状態から遮断状
態に切り替わる一方、第２のトランジスタ６が遮断状態
から導通状態に切り替わる。このとき、磁気ヘッド１に
おいて矢印ａ方向に流れていた電流は、矢印ｂ方向に流
れようとするので、前記端子２の電位は、図９（３）に
示されるように、瞬間的にいわゆる逆起電圧Ｖ１が発生
した後、ほぼ一定電位に保持される。
【０００５】次に、時刻ｔ２においては、ライトデータ
信号ＡはＬレベルからＨレベルになり、ライトデータ信
号ＢはＨレベルからＬレベルとなるので、第２のトラン
ジスタ６は導通状態から遮断状態に切り替わる一方、第
１のトランジスタ５が遮断状態から導通状態に切り替わ
りる。このとき、磁気ヘッド１において矢印ｂ方向に流
れていた電流は、矢印ａ方向に流れようとするので、前
記端子３の電位は、図９（４）に示されるように、瞬間
的に逆起電圧Ｖ２が発生した後、ほぼ一定電位に保持さ
れる。
信号ＡはＬレベルからＨレベルになり、ライトデータ信
号ＢはＨレベルからＬレベルとなるので、第２のトラン
ジスタ６は導通状態から遮断状態に切り替わる一方、第
１のトランジスタ５が遮断状態から導通状態に切り替わ
りる。このとき、磁気ヘッド１において矢印ｂ方向に流
れていた電流は、矢印ａ方向に流れようとするので、前
記端子３の電位は、図９（４）に示されるように、瞬間
的に逆起電圧Ｖ２が発生した後、ほぼ一定電位に保持さ
れる。
【０００６】一方、磁気ヘッド１には、図９（４）に示
される書き込み電流が供給される。前記差動回路４のス
イッチングのタイミング（時刻ｔ１，ｔ２，・・・）に
おいては、前記逆起電圧の過渡現象のために波形の立ち
上がり部分におこる振動、すなわちリンギング（図９
（３）、（４）においてＲ１，Ｒ２で示す）が生ずる。
このようなリンギングは、図９（５）に示されるよう
に、磁気ヘッド１に流れる書き込み電流の波形に影響を
及ぼし、書き込み時に特性劣化を生じることがある。
される書き込み電流が供給される。前記差動回路４のス
イッチングのタイミング（時刻ｔ１，ｔ２，・・・）に
おいては、前記逆起電圧の過渡現象のために波形の立ち
上がり部分におこる振動、すなわちリンギング（図９
（３）、（４）においてＲ１，Ｒ２で示す）が生ずる。
このようなリンギングは、図９（５）に示されるよう
に、磁気ヘッド１に流れる書き込み電流の波形に影響を
及ぼし、書き込み時に特性劣化を生じることがある。
【０００７】このようなリンギングは、前記ダンピング
抵抗１０によってある程度吸収することができる。すな
わち、前記リンギングが発生したとき、磁気ヘッド１に
流れる書き込み電流の一部が前記ダンピング抵抗１０を
介して差動回路４に流れ、前記リンギングを吸収するこ
とができる。たとえば時刻ｔ２においては、磁気ヘッド
１に矢印ａ方向に流れていた電流が矢印ｂ方向に流れ始
めるが、この矢印ａ方向に流れていた電流の一部は前記
ダンピング抵抗１０を介して前記端子３側へも流れ、こ
の端子３に発生した逆起電圧Ｖ２のリンギングをある程
度吸収することができる。また、前記端子２、３に逆起
電圧が生じた後に一定電圧に保持された状態で、前記端
子２、３間に不所望な電圧が発生しても、前記ダンピン
グ抵抗１０を介してリーク電流が流れるので、これを吸
収することができる。
抵抗１０によってある程度吸収することができる。すな
わち、前記リンギングが発生したとき、磁気ヘッド１に
流れる書き込み電流の一部が前記ダンピング抵抗１０を
介して差動回路４に流れ、前記リンギングを吸収するこ
とができる。たとえば時刻ｔ２においては、磁気ヘッド
１に矢印ａ方向に流れていた電流が矢印ｂ方向に流れ始
めるが、この矢印ａ方向に流れていた電流の一部は前記
ダンピング抵抗１０を介して前記端子３側へも流れ、こ
の端子３に発生した逆起電圧Ｖ２のリンギングをある程
度吸収することができる。また、前記端子２、３に逆起
電圧が生じた後に一定電圧に保持された状態で、前記端
子２、３間に不所望な電圧が発生しても、前記ダンピン
グ抵抗１０を介してリーク電流が流れるので、これを吸
収することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ダンピング抵抗１０は、４Ｋオーム程度の比較的抵抗値
を大きくしていたため、ダンピング抵抗１０に流れるリ
ーク電流が小さくなり、前述したリンギングを十分に吸
収することはできなかった。この問題を解決するため
に、ダンピング抵抗１０の抵抗値を小さくすることも考
えられる。
ダンピング抵抗１０は、４Ｋオーム程度の比較的抵抗値
を大きくしていたため、ダンピング抵抗１０に流れるリ
ーク電流が小さくなり、前述したリンギングを十分に吸
収することはできなかった。この問題を解決するため
に、ダンピング抵抗１０の抵抗値を小さくすることも考
えられる。
【０００９】図１０は、前記端子２、３間の電圧（以
下、端子電圧という）とダンピング抵抗１０に流れるリ
ーク電流との関係を示すグラフである。従来の抵抗値が
大きなダンピング抵抗を用いた場合の関係は、図１０の
ラインＬ１に示され、ダンピング抵抗の抵抗値を小さく
した場合（具体的には、従来の半分程度の２Ｋオーム）
の関係は図１０のラインＬ２に示される。図１０から明
らかなように、ダンピング抵抗１０の抵抗値を小さくす
ると、磁気ヘッド１に流れる不所望な電流うち、このダ
ンピング抵抗１０に流れるリーク電流の電流量を多くな
り、リンギングを除去することができる。
下、端子電圧という）とダンピング抵抗１０に流れるリ
ーク電流との関係を示すグラフである。従来の抵抗値が
大きなダンピング抵抗を用いた場合の関係は、図１０の
ラインＬ１に示され、ダンピング抵抗の抵抗値を小さく
した場合（具体的には、従来の半分程度の２Ｋオーム）
の関係は図１０のラインＬ２に示される。図１０から明
らかなように、ダンピング抵抗１０の抵抗値を小さくす
ると、磁気ヘッド１に流れる不所望な電流うち、このダ
ンピング抵抗１０に流れるリーク電流の電流量を多くな
り、リンギングを除去することができる。
【００１０】しかしながら、ダンピング抵抗の抵抗値を
小さくすると、リンギングを除去できるが、書き込み電
流のスイッチング時間が遅くなり、書き込み特性が劣化
するという問題がある。図９（６）、（７）は、抵抗値
の小さなダンピング抵抗を用いた場合の書き込み動作を
説明するための波形図であり、図９（６）には前記端子
３の電位が示され、同図（６）には磁気ヘッド１に流れ
る書き込み電流が示される。
小さくすると、リンギングを除去できるが、書き込み電
流のスイッチング時間が遅くなり、書き込み特性が劣化
するという問題がある。図９（６）、（７）は、抵抗値
の小さなダンピング抵抗を用いた場合の書き込み動作を
説明するための波形図であり、図９（６）には前記端子
３の電位が示され、同図（６）には磁気ヘッド１に流れ
る書き込み電流が示される。
【００１１】この場合、同図（７）に示されるように逆
起電圧のリンギングは除去されるが、逆起電圧の立ち下
がり（立ち上がり）が遅れるとともに、同図（７）に示
されるように書き込み電流の立ち上がり（立ち下がり）
が遅れる。書き込み電流の切り換えが遅れるのは、ダン
ピング抵抗１０の抵抗値が小さいために、本来磁気ヘッ
ド１に流れるべき書き込み電流がダンピング抵抗１０を
介して前記端子２または端子３に流出してしまうからで
ある。
起電圧のリンギングは除去されるが、逆起電圧の立ち下
がり（立ち上がり）が遅れるとともに、同図（７）に示
されるように書き込み電流の立ち上がり（立ち下がり）
が遅れる。書き込み電流の切り換えが遅れるのは、ダン
ピング抵抗１０の抵抗値が小さいために、本来磁気ヘッ
ド１に流れるべき書き込み電流がダンピング抵抗１０を
介して前記端子２または端子３に流出してしまうからで
ある。
【００１２】したがって、ダンピング抵抗１０の抵抗値
が小さいと、リンギングは除去できるが、電流スイッチ
ング速度が遅くなり、書き込み特性が劣化する。また、
この場合、ダンピング抵抗１０の抵抗値が磁気ヘッド１
のインピーダンスに対して無視できなくなり、読み出し
時の再生出力（端子２、３間の電位差）が小さくなる
等、読み出し特性も劣化する。
が小さいと、リンギングは除去できるが、電流スイッチ
ング速度が遅くなり、書き込み特性が劣化する。また、
この場合、ダンピング抵抗１０の抵抗値が磁気ヘッド１
のインピーダンスに対して無視できなくなり、読み出し
時の再生出力（端子２、３間の電位差）が小さくなる
等、読み出し特性も劣化する。
【００１３】一方、ダンピング抵抗１０の抵抗値を大き
くすれば、前述したようにダンピング抵抗１０に流れる
電流が小さくなり、リンギングを十分除去できなかっ
た。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、書き
込み特性及び読み出し特性の劣化を防止するとともに、
書き込み時のリンギングの発生を防止することができる
磁気記録装置を提供することである。
くすれば、前述したようにダンピング抵抗１０に流れる
電流が小さくなり、リンギングを十分除去できなかっ
た。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、書き
込み特性及び読み出し特性の劣化を防止するとともに、
書き込み時のリンギングの発生を防止することができる
磁気記録装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気ヘッドを
有する磁気記録装置において、前記磁気ヘッドの両端
に、一対のＰＮ接合を互いに反対極性で接続したターミ
ネート回路を設け、このターミネート回路を介して前記
磁気ヘッドに書き込み電流を供給する差動回路を備え、
書き込み時に、前記磁気ヘッドの両端の電位差が一定レ
ベル以上になったとき、前記ターミネート回路のＰＮ接
合をブレークダウンさせるようにしたことを特徴とする
磁気記録装置である。
有する磁気記録装置において、前記磁気ヘッドの両端
に、一対のＰＮ接合を互いに反対極性で接続したターミ
ネート回路を設け、このターミネート回路を介して前記
磁気ヘッドに書き込み電流を供給する差動回路を備え、
書き込み時に、前記磁気ヘッドの両端の電位差が一定レ
ベル以上になったとき、前記ターミネート回路のＰＮ接
合をブレークダウンさせるようにしたことを特徴とする
磁気記録装置である。
【００１５】さらにまた、本発明は、磁気ヘッドに接続
され、一対のＰＮ接合を互いに反対極性で接続したター
ミネート回路と、このターミネート回路に接続された差
動回路とを備え、書き込み時にターミネート回路のＰＮ
接合をブレークダウンさせるようにしたことを特徴とす
る磁気記録装置である。又本発明のターミネート回路に
は、ダンピング抵抗を並列に接続した。また、本発明の
ターミネート回路は、前記一対のＰＮ接合を間に抵抗を
接続した。さらにまた、本発明のターミネート回路は、
前記一対のＰＮ接合を間を接地した。
され、一対のＰＮ接合を互いに反対極性で接続したター
ミネート回路と、このターミネート回路に接続された差
動回路とを備え、書き込み時にターミネート回路のＰＮ
接合をブレークダウンさせるようにしたことを特徴とす
る磁気記録装置である。又本発明のターミネート回路に
は、ダンピング抵抗を並列に接続した。また、本発明の
ターミネート回路は、前記一対のＰＮ接合を間に抵抗を
接続した。さらにまた、本発明のターミネート回路は、
前記一対のＰＮ接合を間を接地した。
【００１６】前記ＰＮ接合には、たとえばダイオードの
ＰＮ接合またはトランジスタのベース・エミッタ間のＰ
Ｎ接合を用いるとよい。また、回路条件に応じて、前記
ターミネート回路には、ダンピング抵抗を並列に接続し
てもよい。さらに、前記ターミネート回路は、前記一対
のＰＮ接合間に抵抗を接続してもよく、また、前記ター
ミネート回路は、前記一対のＰＮ接合間を接地してもよ
い。
ＰＮ接合またはトランジスタのベース・エミッタ間のＰ
Ｎ接合を用いるとよい。また、回路条件に応じて、前記
ターミネート回路には、ダンピング抵抗を並列に接続し
てもよい。さらに、前記ターミネート回路は、前記一対
のＰＮ接合間に抵抗を接続してもよく、また、前記ター
ミネート回路は、前記一対のＰＮ接合間を接地してもよ
い。
【００１７】
【作用】本発明に従えば、磁気ヘッドの両端に、一対の
ＰＮ接合を互いに反対極性で接続したターミネート回路
を設けたので、前記磁気ヘッドの両端の電位差がＰＮ接
合がブレークダウンをおこす電圧以下であれば、いずれ
か一方のＰＮ接合が逆バイアスされるので、このターミ
ネート回路は高抵抗に保たれる。したがって、この範囲
内であれば、磁気ヘッドに流れる書き込み電流がターミ
ネート回路に流出することはなく、読み出し特性及び書
き込み特性の劣化を防止することができる。
ＰＮ接合を互いに反対極性で接続したターミネート回路
を設けたので、前記磁気ヘッドの両端の電位差がＰＮ接
合がブレークダウンをおこす電圧以下であれば、いずれ
か一方のＰＮ接合が逆バイアスされるので、このターミ
ネート回路は高抵抗に保たれる。したがって、この範囲
内であれば、磁気ヘッドに流れる書き込み電流がターミ
ネート回路に流出することはなく、読み出し特性及び書
き込み特性の劣化を防止することができる。
【００１８】一方、書き込み電流の切り換え時に前記磁
気ヘッドの両端の電位差が急激に変化して前記ＰＮ接合
がブレークダウンをおこす電圧以上になると、いずれか
一方のＰＮ接合がブレークダウンを起こし、書き込み電
流の一部がこのターミネート回路を介して流出する。し
たがって、前記急激な変化に起因したリンギングをも除
去できる。
気ヘッドの両端の電位差が急激に変化して前記ＰＮ接合
がブレークダウンをおこす電圧以上になると、いずれか
一方のＰＮ接合がブレークダウンを起こし、書き込み電
流の一部がこのターミネート回路を介して流出する。し
たがって、前記急激な変化に起因したリンギングをも除
去できる。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の磁気記録装置の
構成を示す回路図である。磁気ヘッド１１の両端の端子
１２、１３には、書き込み電流を前記磁気ヘッドに供給
するための差動回路１４が設けられる。前記差動回路１
４は、第１のＮＰＮ型トランジスタ１５および第２のＮ
ＰＮ型トランジスタ１６から構成され、トランジスタ１
５、１６の各コレクタはそれぞれ前記端子１２、１３に
接続され、各エミッタには定電流源１７が接続される。
トランジスタ１５、１６の各ベースには、ライトデータ
信号を受けるゲート１８ａ、１８ｂが接続される。一
方、前記端子１２、１３には、前記磁気ヘッド１１を介
して記録信号を読み出す読出回路１９が接続される。な
お、磁気ヘッド１１には、電源電圧２１が与えられてい
る。
構成を示す回路図である。磁気ヘッド１１の両端の端子
１２、１３には、書き込み電流を前記磁気ヘッドに供給
するための差動回路１４が設けられる。前記差動回路１
４は、第１のＮＰＮ型トランジスタ１５および第２のＮ
ＰＮ型トランジスタ１６から構成され、トランジスタ１
５、１６の各コレクタはそれぞれ前記端子１２、１３に
接続され、各エミッタには定電流源１７が接続される。
トランジスタ１５、１６の各ベースには、ライトデータ
信号を受けるゲート１８ａ、１８ｂが接続される。一
方、前記端子１２、１３には、前記磁気ヘッド１１を介
して記録信号を読み出す読出回路１９が接続される。な
お、磁気ヘッド１１には、電源電圧２１が与えられてい
る。
【００２０】前記端子１２、１３間には、書き込み電流
のリンキングを低減するダンピング抵抗２２が設けられ
る。ダンピング抵抗２２の抵抗値は、比較的大きく選ば
れ、例えば１０Ｋオーム程度である。このダンピング抵
抗２２には、一対のダイオード２３、２４からなるター
ミネート回路２５が並列に接続されている。前記各ダイ
オード２３、２４は、互いに反対極性で接続される。本
実施例の場合、各ダイオード２３、２４はカソード同士
が接続されているが、アノード同士を接続してもよい。
のリンキングを低減するダンピング抵抗２２が設けられ
る。ダンピング抵抗２２の抵抗値は、比較的大きく選ば
れ、例えば１０Ｋオーム程度である。このダンピング抵
抗２２には、一対のダイオード２３、２４からなるター
ミネート回路２５が並列に接続されている。前記各ダイ
オード２３、２４は、互いに反対極性で接続される。本
実施例の場合、各ダイオード２３、２４はカソード同士
が接続されているが、アノード同士を接続してもよい。
【００２１】本実施例では、ターミネート回路２５は、
ダイオード２３、２４のＰＮ接合をもちいたが、たとえ
ばトランジスタのベース・エミッタ間のＰＮ接合を利用
してもよい。図２は、本発明の一実施例の磁気記録装置
の動作を説明するための波形図である。
ダイオード２３、２４のＰＮ接合をもちいたが、たとえ
ばトランジスタのベース・エミッタ間のＰＮ接合を利用
してもよい。図２は、本発明の一実施例の磁気記録装置
の動作を説明するための波形図である。
【００２２】図２（１）には、前記ゲート１８ａを介し
て前記トランジスタ１５のベースに与えられるライトデ
ータ信号Ａが示される。このライトデータ信号Ａが前記
ゲート１８ｂで反転されて図２（２）に示されるライト
データ信号Ｂが得られ、このライトデータ信号Ｂが前記
トランジスタ１６のベースに与えられる。たとえば時刻
ｔ０では、ライトデータ信号ＡはＨレベルであり、ライ
トデータ信号ＢはＬレベルであるので、第１のトランジ
スタ１５は導通状態に保持される一方、第２のトランジ
スタ１６が遮断状態に保持されている。したがって、磁
気ヘッド１１には、矢印ａ（図１参照）で示される書き
込み電流が流れている。
て前記トランジスタ１５のベースに与えられるライトデ
ータ信号Ａが示される。このライトデータ信号Ａが前記
ゲート１８ｂで反転されて図２（２）に示されるライト
データ信号Ｂが得られ、このライトデータ信号Ｂが前記
トランジスタ１６のベースに与えられる。たとえば時刻
ｔ０では、ライトデータ信号ＡはＨレベルであり、ライ
トデータ信号ＢはＬレベルであるので、第１のトランジ
スタ１５は導通状態に保持される一方、第２のトランジ
スタ１６が遮断状態に保持されている。したがって、磁
気ヘッド１１には、矢印ａ（図１参照）で示される書き
込み電流が流れている。
【００２３】時刻ｔ１においては、ライトデータ信号Ａ
はＨレベルからＬレベルになり、ライトデータ信号Ｂは
ＬレベルからＨレベルとなるので、第１のトランジスタ
１５は導通状態から遮断状態に切り替わる一方、第２の
トランジスタ１６が遮断状態から導通状態に切り替わり
る。ここで、前記ターミネート回路２５が設けられてい
ない場合には、従来技術の項で述べたように前記端子１
２の電位は、図２（３）に示されるようになる。
はＨレベルからＬレベルになり、ライトデータ信号Ｂは
ＬレベルからＨレベルとなるので、第１のトランジスタ
１５は導通状態から遮断状態に切り替わる一方、第２の
トランジスタ１６が遮断状態から導通状態に切り替わり
る。ここで、前記ターミネート回路２５が設けられてい
ない場合には、従来技術の項で述べたように前記端子１
２の電位は、図２（３）に示されるようになる。
【００２４】すなわち、時刻ｔ１においては磁気ヘッド
１１において矢印ａ方向流れていた電流は、矢印ｂ方向
に流れようとするので、前記端子１２の電位は、図２
（３）に示されるように、瞬間的にいわゆる逆起電圧Ｖ
１が発生した後、ほぼ一定電位に保持される。このと
き、前記逆起電圧Ｖ１の過渡現象のために波形の立ち上
がり部分におこる振動、すなわちリンギングＲ１が生じ
ている。
１１において矢印ａ方向流れていた電流は、矢印ｂ方向
に流れようとするので、前記端子１２の電位は、図２
（３）に示されるように、瞬間的にいわゆる逆起電圧Ｖ
１が発生した後、ほぼ一定電位に保持される。このと
き、前記逆起電圧Ｖ１の過渡現象のために波形の立ち上
がり部分におこる振動、すなわちリンギングＲ１が生じ
ている。
【００２５】次に、時刻ｔ２においては、ライトデータ
信号ＡはＬレベルからＨレベルになり、ライトデータ信
号ＢはＨレベルからＬレベルとなるので、第２のトラン
ジスタ１６は導通状態から遮断状態に切り替わる一方、
第１のトランジスタ１５が遮断状態から導通状態に切り
替わりる。このとき、磁気ヘッド１１において矢印ｂ方
向に流れていた電流は、矢印ａ方向に流れようとするの
で、前記端子１３の電位は、図２（４）に示されるよう
に、前記逆起電圧Ｖ１とは反対向きに瞬間的に逆起電圧
Ｖ２が発生した後、ほぼ一定電位に保持される。ここで
も、前記逆起電圧Ｖ１発生時と同様にリンギングＲ２が
起こる。
信号ＡはＬレベルからＨレベルになり、ライトデータ信
号ＢはＨレベルからＬレベルとなるので、第２のトラン
ジスタ１６は導通状態から遮断状態に切り替わる一方、
第１のトランジスタ１５が遮断状態から導通状態に切り
替わりる。このとき、磁気ヘッド１１において矢印ｂ方
向に流れていた電流は、矢印ａ方向に流れようとするの
で、前記端子１３の電位は、図２（４）に示されるよう
に、前記逆起電圧Ｖ１とは反対向きに瞬間的に逆起電圧
Ｖ２が発生した後、ほぼ一定電位に保持される。ここで
も、前記逆起電圧Ｖ１発生時と同様にリンギングＲ２が
起こる。
【００２６】こうして磁気ヘッド１には、図２（５）に
示されるように、リンギングに影響された書き込み電流
が供給される。次に、ターミネート回路２５を設けた場
合の動作について説明する。図３は、書き込み時に前記
端子１２、１３間に生ずる電圧（以下、端子電圧とい
う）と前記ターミネート回路２５を介して流れるリーク
電流との関係を示すグラフである。
示されるように、リンギングに影響された書き込み電流
が供給される。次に、ターミネート回路２５を設けた場
合の動作について説明する。図３は、書き込み時に前記
端子１２、１３間に生ずる電圧（以下、端子電圧とい
う）と前記ターミネート回路２５を介して流れるリーク
電流との関係を示すグラフである。
【００２７】同図から明らかなように、端子電圧が各ダ
イオード２３、２４のブレークダウン電圧Ｖｂより小さ
いときには、リーク電流はターミネート回路２５には流
れず、抵抗値の小さなダンピング抵抗２２のみを介して
僅かに流れる。一方、端子電圧が各ダイオード２３、２
４のブレークダウン電圧Ｖｂ以上になると、ダイオード
２３、２４の何れか一方がブレークダウンを起こし、ほ
とんどのリーク電流がターミネート回路２５に流れる。
なお、厳密には、ダイオードがブレークダウンを起こし
て、ターミネート回路が動作するのは、前記端子電圧が
前記ブレークダウン電圧Ｖｂより各ダイオード２３、２
４の順方向電圧Ｖｆ分だけ上回ったときである。
イオード２３、２４のブレークダウン電圧Ｖｂより小さ
いときには、リーク電流はターミネート回路２５には流
れず、抵抗値の小さなダンピング抵抗２２のみを介して
僅かに流れる。一方、端子電圧が各ダイオード２３、２
４のブレークダウン電圧Ｖｂ以上になると、ダイオード
２３、２４の何れか一方がブレークダウンを起こし、ほ
とんどのリーク電流がターミネート回路２５に流れる。
なお、厳密には、ダイオードがブレークダウンを起こし
て、ターミネート回路が動作するのは、前記端子電圧が
前記ブレークダウン電圧Ｖｂより各ダイオード２３、２
４の順方向電圧Ｖｆ分だけ上回ったときである。
【００２８】そこで、次の第１式で示すように、以下、
前記ブレークダウン電圧Ｖｂと前記順方向電圧Ｖｆの和
を動作電圧ＶＢという。 ＶＢ＝Ｖｂ＋Ｖｆ ・・・（１） ここで、前記動作電圧ＶＢを書き込み時に生ずる逆起電
圧より僅かに下回るレベルに設定すると（同図（３）、
（４）参照）、逆起電圧が発生している間は、ダイオー
ド２３、２４の何れか一方がブレークダウンを起こし、
ほとんどのリーク電流がターミネート回路２５に流れ
る。したがって、ターミネート回路２５を設けた場合に
は、書き込み時の端子１２、１３の電圧波形には、同図
（６）に示すように、前述したリンギングは取り除か
れ、書き込み電流も同図（７）に示すようにリンギング
の影響が除去される。
前記ブレークダウン電圧Ｖｂと前記順方向電圧Ｖｆの和
を動作電圧ＶＢという。 ＶＢ＝Ｖｂ＋Ｖｆ ・・・（１） ここで、前記動作電圧ＶＢを書き込み時に生ずる逆起電
圧より僅かに下回るレベルに設定すると（同図（３）、
（４）参照）、逆起電圧が発生している間は、ダイオー
ド２３、２４の何れか一方がブレークダウンを起こし、
ほとんどのリーク電流がターミネート回路２５に流れ
る。したがって、ターミネート回路２５を設けた場合に
は、書き込み時の端子１２、１３の電圧波形には、同図
（６）に示すように、前述したリンギングは取り除か
れ、書き込み電流も同図（７）に示すようにリンギング
の影響が除去される。
【００２９】逆起電圧は瞬間的に発生するので、前記端
子電圧は直ちに前記動作電圧ＶＢより小さくなってブレ
ークダウンは起こらなくなる。したがって、ターミネー
ト回路２５は再び高抵抗となり、リーク電流は前記ダン
ピング抵抗２２を流れはじめる。したがって、リーク電
流も小さくなり、電流スイッチング速度が遅くなること
はなく、書き込み特性が劣化することはない。
子電圧は直ちに前記動作電圧ＶＢより小さくなってブレ
ークダウンは起こらなくなる。したがって、ターミネー
ト回路２５は再び高抵抗となり、リーク電流は前記ダン
ピング抵抗２２を流れはじめる。したがって、リーク電
流も小さくなり、電流スイッチング速度が遅くなること
はなく、書き込み特性が劣化することはない。
【００３０】このようにダンピング抵抗２０に加えてタ
ーミネート回路２５を設けるようにしたので、前記端子
電圧が前記動作電圧ＶＢより小さいときには、ダンピン
グ抵抗２０によって不所望なリーク電流等を吸収するこ
とができる。この状態では、ダンピング抵抗２０の抵抗
値は比較的大きいので電流スイッチング特性等が劣化す
ることはない。
ーミネート回路２５を設けるようにしたので、前記端子
電圧が前記動作電圧ＶＢより小さいときには、ダンピン
グ抵抗２０によって不所望なリーク電流等を吸収するこ
とができる。この状態では、ダンピング抵抗２０の抵抗
値は比較的大きいので電流スイッチング特性等が劣化す
ることはない。
【００３１】一方、逆起電圧が生じたときには、前記端
子電圧は前記動作電圧ＶＢ以上になり、ターミネート回
路２５にリーク電流が流れ出し、リンギングを除去でき
る。また、前記端子電圧は直ちに前記動作ＶＢより小さ
くなるので、ターミネート回路２５は再び高抵抗とな
り、電流スイッチング速度が遅くなることはなく、書き
込み特性が劣化することはない。
子電圧は前記動作電圧ＶＢ以上になり、ターミネート回
路２５にリーク電流が流れ出し、リンギングを除去でき
る。また、前記端子電圧は直ちに前記動作ＶＢより小さ
くなるので、ターミネート回路２５は再び高抵抗とな
り、電流スイッチング速度が遅くなることはなく、書き
込み特性が劣化することはない。
【００３２】なお、本実施例では、ダンピング抵抗１０
とターミネート回路２５とを並列に設ける構成とした
が、前記ダンピング抵抗１０は設けずに、ターミネート
回路２５のみを設けるようにしてもよい。また、本実施
例では、ターミネート回路２５を２つのダイオード２
３、２４から構成したが、図４に示すように４つのダイ
オード２６、２７、２８、２９から構成し、同一極性に
接続された２つのダイオード２６、２７と、同一極性に
接続された２つのダイオード２８、２９とを相互に反対
極性になるように接続してもよい。さらに、図５に示さ
れるように、相互に反対極性に直列に接続されたダイオ
ード３０、３１の間に相互に反対極性に並列に接続され
たダイオード３２、３３を接続する構成でもよい。
とターミネート回路２５とを並列に設ける構成とした
が、前記ダンピング抵抗１０は設けずに、ターミネート
回路２５のみを設けるようにしてもよい。また、本実施
例では、ターミネート回路２５を２つのダイオード２
３、２４から構成したが、図４に示すように４つのダイ
オード２６、２７、２８、２９から構成し、同一極性に
接続された２つのダイオード２６、２７と、同一極性に
接続された２つのダイオード２８、２９とを相互に反対
極性になるように接続してもよい。さらに、図５に示さ
れるように、相互に反対極性に直列に接続されたダイオ
ード３０、３１の間に相互に反対極性に並列に接続され
たダイオード３２、３３を接続する構成でもよい。
【００３３】また、図６に示されるように、ダイオード
２３、２４の間に抵抗３４を設ける構成としてもよい。
このような抵抗３４を設けると、その抵抗値を任意の値
に設定することによって、前記リーク電流量を調整でき
るため、使用する磁気ヘッドに応じて最適値に設定する
ことができる。前記抵抗３４に代えてコンデンサをもう
けても、同様な効果を得ることができる。
２３、２４の間に抵抗３４を設ける構成としてもよい。
このような抵抗３４を設けると、その抵抗値を任意の値
に設定することによって、前記リーク電流量を調整でき
るため、使用する磁気ヘッドに応じて最適値に設定する
ことができる。前記抵抗３４に代えてコンデンサをもう
けても、同様な効果を得ることができる。
【００３４】さらに、図７に示すように、同一極性とな
るように接続された２つのダイオード３５、３６からな
るダイオード群３７と、同一極性となるように接続され
た２つのダイオード３８、３９からなるダイオード群４
０を設け、前記ダイオード群３７のカソード側を前記端
子１２に接続する一方、アノード側を接地し、前記ダイ
オード群４０のカソード側を前記端子１３に接続する一
方、アノード側を接地するような構成としてもよい。
るように接続された２つのダイオード３５、３６からな
るダイオード群３７と、同一極性となるように接続され
た２つのダイオード３８、３９からなるダイオード群４
０を設け、前記ダイオード群３７のカソード側を前記端
子１２に接続する一方、アノード側を接地し、前記ダイ
オード群４０のカソード側を前記端子１３に接続する一
方、アノード側を接地するような構成としてもよい。
【００３５】上述した実施例では、ターミネート回路２
５を１〜４個のダイオードから構成するようにしたが、
これ以上の数のダイオードから構成してもよい。また、
前記ターミネート回路２５は、ツェナーダイオードによ
って構成してもよい。
５を１〜４個のダイオードから構成するようにしたが、
これ以上の数のダイオードから構成してもよい。また、
前記ターミネート回路２５は、ツェナーダイオードによ
って構成してもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明に従えば、磁気ヘッ
ドの両端の電位差がＰＮ接合がブレークダウンをおこす
電圧以下であれば、このターミネート回路は高抵抗に保
たれるので、読み出し特性及び書き込み特性が劣化を防
止することができる。一方、書き込み電流の切り換え時
に生じた急激な逆起電圧によってＰＮ接合をブレークダ
ウンさせるようにすると、前記ターミネート回路は低抵
抗になるので、前記逆起電圧に起因したリンギングをも
除去できる。
ドの両端の電位差がＰＮ接合がブレークダウンをおこす
電圧以下であれば、このターミネート回路は高抵抗に保
たれるので、読み出し特性及び書き込み特性が劣化を防
止することができる。一方、書き込み電流の切り換え時
に生じた急激な逆起電圧によってＰＮ接合をブレークダ
ウンさせるようにすると、前記ターミネート回路は低抵
抗になるので、前記逆起電圧に起因したリンギングをも
除去できる。
【図１】本発明の一実施例の構成の磁気記録装置を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】本発明の一実施例の構成の磁気記録装置の動作
を説明するための波形図である。
を説明するための波形図である。
【図３】ターミネート回路の動作を説明するためのグラ
フである。
フである。
【図４】本発明の第２の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図６】本発明の第４の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図７】本発明の第５の実施例の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図８】典型的な従来の技術の回路図である。
【図９】従来技術の動作を説明するための波形図であ
る。
る。
【図１０】従来技術のダンピング抵抗に流れるリーク電
流との関係を示すグラフである。
流との関係を示すグラフである。
１１ ・・・磁気ヘッド １２、１３ ・・・端子 １４ ・・・差動回路 ２２ ・・・ダンピング抵抗 ２３，２４・・・ダイオード ２５ ・・・ターミネート回路 ２６〜３３・・・ダイオード ３４ ・・・抵抗 ３５〜３９・・・ダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】磁気ヘッドを有する磁気記録装置におい
て、 前記磁気ヘッドの両端に、一対のＰＮ接合を互いに反対
極性で接続したターミネート回路を設け、このターミネ
ート回路を介して前記磁気ヘッドに書き込み電流を供給
する差動回路を備え、 書き込み時に、前記磁気ヘッドの両端の電位差が一定レ
ベル以上になったとき、前記ターミネート回路のＰＮ接
合をブレークダウンさせるようにしたことを特徴とする
磁気記録装置。 - 【請求項２】磁気ヘッドに接続され、一対のＰＮ接合を
互いに反対極性で接続したターミネート回路と、 このターミネート回路に接続された差動回路とを備え、 書き込み時にターミネート回路のＰＮ接合をブレークダ
ウンさせるようにしたことを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項３】前記ターミネート回路にダンピング抵抗を
並列に接続したことを特徴とする請求項１または２記載
の磁気記録装置。 - 【請求項４】前記ターミネート回路は、前記一対のＰＮ
接合の間に抵抗を接続したことを特徴とする請求項１な
いし３記載の磁気記録装置。 - 【請求項５】前記ターミネート回路は、前記一対のＰＮ
接合の間を接地したことを特徴とする請求項１ないし３
記載の磁気記録装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106833A JPH07320208A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 磁気記録装置 |
| KR1019950012175A KR950034080A (ko) | 1994-05-20 | 1995-05-17 | 자기기록 장치 |
| CN95106376A CN1072379C (zh) | 1994-05-20 | 1995-05-19 | 磁记录装置 |
| TW084104986A TW271479B (ja) | 1994-05-20 | 1995-05-19 | |
| US08/808,807 US5739706A (en) | 1994-05-20 | 1997-02-28 | Magnetically recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106833A JPH07320208A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320208A true JPH07320208A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14443741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6106833A Pending JPH07320208A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 磁気記録装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5739706A (ja) |
| JP (1) | JPH07320208A (ja) |
| KR (1) | KR950034080A (ja) |
| CN (1) | CN1072379C (ja) |
| TW (1) | TW271479B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215607B1 (en) * | 1996-06-13 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Write driver using continuous damping network to reduce overshoot, undershoot and settling time for magnetic inductive recording head |
| US5986832A (en) * | 1996-06-13 | 1999-11-16 | Vtc Inc. | Write driver with Schottky diodes to improve switching rate and reliability |
| US6297919B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-10-02 | Stmicroelectronics, Inc. | Write head with switchable impedance and method for operating same |
| US6362674B1 (en) * | 1999-01-25 | 2002-03-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Method and apparatus for providing noise immunity for a binary signal path on a chip |
| US6754022B1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-06-22 | Imation Corp. | High-speed current driver |
| JP2008159205A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 記憶装置、記憶装置用ヘッドの異常検出方法、異常検出プログラム |
| CN109216835B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种移相器、天馈系统以及通信设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3365617A (en) * | 1964-03-25 | 1968-01-23 | Texas Instruments Inc | Protective means for electrical circuits |
| US3573774A (en) * | 1967-05-08 | 1971-04-06 | Foxboro Co | Two-wire transmission system for remote indication |
| US3763383A (en) * | 1972-08-21 | 1973-10-02 | Ibm | Drive circuit for inductive device |
| FR2410907A1 (fr) * | 1977-12-02 | 1979-06-29 | Thomson Csf | Correcteur de distorsions pour tubes hyperfrequences |
| US5426537A (en) * | 1993-06-30 | 1995-06-20 | Ampex Corporation | Method and apparatus for automatically adjusting the overshoot of a record head in response to the record head gap depth |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP6106833A patent/JPH07320208A/ja active Pending
-
1995
- 1995-05-17 KR KR1019950012175A patent/KR950034080A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-05-19 TW TW084104986A patent/TW271479B/zh active
- 1995-05-19 CN CN95106376A patent/CN1072379C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-28 US US08/808,807 patent/US5739706A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1072379C (zh) | 2001-10-03 |
| KR950034080A (ko) | 1995-12-26 |
| US5739706A (en) | 1998-04-14 |
| CN1149740A (zh) | 1997-05-14 |
| TW271479B (ja) | 1996-03-01 |
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