JPH07319192A - 電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07319192A JPH07319192A JP10680394A JP10680394A JPH07319192A JP H07319192 A JPH07319192 A JP H07319192A JP 10680394 A JP10680394 A JP 10680394A JP 10680394 A JP10680394 A JP 10680394A JP H07319192 A JPH07319192 A JP H07319192A
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- JP
- Japan
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- melting
- aluminum substrate
- aluminum
- substrate
- electrophotographic photoreceptor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ピンホール欠陥を防止する感光体用アルミニ
ウム基体の製造方法を提供する。 【構成】 表面に感光層を施して電子写真感光体を形成
するアルミニウム基体の溶解鋳造工程において、フィル
ターを用いて溶湯を濾過した後、鋳造することを特徴と
する電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法、又
は、溶解工程において、Ｔｉ，Ｖ又はＢを含む結晶粒微
細化剤を添加しないことを特徴とする電子写真感光体用
アルミニウム基体の製造方法。
ウム基体の製造方法を提供する。 【構成】 表面に感光層を施して電子写真感光体を形成
するアルミニウム基体の溶解鋳造工程において、フィル
ターを用いて溶湯を濾過した後、鋳造することを特徴と
する電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法、又
は、溶解工程において、Ｔｉ，Ｖ又はＢを含む結晶粒微
細化剤を添加しないことを特徴とする電子写真感光体用
アルミニウム基体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真用感光体の基体
として用いるアルミニウム基体の製造方法に関する。
として用いるアルミニウム基体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および解決すべき課題】電子写真感光体用
アルミニウム円筒基体は、一般に、その表面をセンバン
加工、しごき加工あるいは、冷間引抜加工により鏡面に
したものが用いられ、表面の滑らかさが特に重要な要素
となる。Ｒmax ，Ｒa あるいはＲz で表わされる表面全
体の滑らかさは、画像の画質に影響するため重要である
事は言うまでもないが、これとは別に、局部的に生ずる
突起又は穴も、これが、画像欠陥の原因となるため重要
である。また、画像欠陥とは別に、電子写真感光体を複
写機に組み込んで実写した時、感光膜に穴が明き、これ
により電気漏洩が生じて感光体ドラムが破損することが
ある（ピンホールと称する）。本発明は、このピンホー
ル欠陥を防止することを目的とする。
アルミニウム円筒基体は、一般に、その表面をセンバン
加工、しごき加工あるいは、冷間引抜加工により鏡面に
したものが用いられ、表面の滑らかさが特に重要な要素
となる。Ｒmax ，Ｒa あるいはＲz で表わされる表面全
体の滑らかさは、画像の画質に影響するため重要である
事は言うまでもないが、これとは別に、局部的に生ずる
突起又は穴も、これが、画像欠陥の原因となるため重要
である。また、画像欠陥とは別に、電子写真感光体を複
写機に組み込んで実写した時、感光膜に穴が明き、これ
により電気漏洩が生じて感光体ドラムが破損することが
ある（ピンホールと称する）。本発明は、このピンホー
ル欠陥を防止することを目的とする。
【０００３】
【問題を解決するための手段】ピンホール欠陥の発生す
る機構は、次の通りである。即ち、アルミニウム基体表
面に、局部的な突起又は異物が存在し、そのままその上
に感光体が施されるとこのようなドラムを使用した複写
機は、複写工程においてドラム表面に圧力がかかると、
突起又は異物が感光膜を突き破って、感光体ドラムを破
壊する。
る機構は、次の通りである。即ち、アルミニウム基体表
面に、局部的な突起又は異物が存在し、そのままその上
に感光体が施されるとこのようなドラムを使用した複写
機は、複写工程においてドラム表面に圧力がかかると、
突起又は異物が感光膜を突き破って、感光体ドラムを破
壊する。
【０００４】本発明者等はアルミニウム基体表面の突起
は基体表面を鏡面加工する際に、鏡面化されずに残る硬
質の介在物である事を見出した。硬質の介在物の中で
も、特に結晶粒の微細化剤として添加されるＴｉ，Ｖ，
Ｂ等の化合物が突起として残りやすいことを見出した。
従って、ピンホール欠陥を防ぐための有力な手段は、Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｂ等の化合物が介在物としてアルミニウム基体
中に入り込まれない手段を実施することである。この具
体的方法としては、第１に、アルミニウム基体の溶解鋳
造工程において、溶湯中に浮遊するこれらの介在物を、
セラミックフィルター等のフィルターを使って、濾し取
ることである。
は基体表面を鏡面加工する際に、鏡面化されずに残る硬
質の介在物である事を見出した。硬質の介在物の中で
も、特に結晶粒の微細化剤として添加されるＴｉ，Ｖ，
Ｂ等の化合物が突起として残りやすいことを見出した。
従って、ピンホール欠陥を防ぐための有力な手段は、Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｂ等の化合物が介在物としてアルミニウム基体
中に入り込まれない手段を実施することである。この具
体的方法としては、第１に、アルミニウム基体の溶解鋳
造工程において、溶湯中に浮遊するこれらの介在物を、
セラミックフィルター等のフィルターを使って、濾し取
ることである。
【０００５】さらに第２の方法としては、溶湯中にこれ
らの介在物が混入する元を断つ事である。即ち、溶解工
程においてＴｉ，Ｖ，Ｂ等を含む結晶粒微細化剤を添加
しない事である。又、更に予め炉中にこれらの化合物が
残存しない状態にすることである。即ち、Ｔｉ，Ｖ，Ｂ
等の化合物は、アルミニウム合金溶湯より比重が大きい
ため、炉底に沈降する傾向がある。従って、当該ロット
の直前にＴｉ，Ｖ，Ｂ等を含む結晶粒微細化剤を使用す
ると炉底に沈降して残り、当該ロットをＴｉ，Ｖ，Ｂの
化合物で汚染する原因となることから、好ましくは少く
とも当該ロットの前数ロット、例えば３ロットの溶解工
程において、Ｔｉ，Ｖ，Ｂ等を含む結晶粒微細化剤を添
加しない事が有効である事を見出した。
らの介在物が混入する元を断つ事である。即ち、溶解工
程においてＴｉ，Ｖ，Ｂ等を含む結晶粒微細化剤を添加
しない事である。又、更に予め炉中にこれらの化合物が
残存しない状態にすることである。即ち、Ｔｉ，Ｖ，Ｂ
等の化合物は、アルミニウム合金溶湯より比重が大きい
ため、炉底に沈降する傾向がある。従って、当該ロット
の直前にＴｉ，Ｖ，Ｂ等を含む結晶粒微細化剤を使用す
ると炉底に沈降して残り、当該ロットをＴｉ，Ｖ，Ｂの
化合物で汚染する原因となることから、好ましくは少く
とも当該ロットの前数ロット、例えば３ロットの溶解工
程において、Ｔｉ，Ｖ，Ｂ等を含む結晶粒微細化剤を添
加しない事が有効である事を見出した。
【０００６】以下に本発明を説明する。本発明のアルミ
ニウム基体とはアルミニウム又はアルミニウムとＭｎ，
Ｃｕ，Ｓｉ，Ｍｇなどのアルミニウム合金からなるもの
を意味し、例えばＪＩＳ（日本工業規格）に示される展
伸用アルミニウム及びその合金の１０００系、２０００
系、３０００系、４０００系、５０００系、６０００
系、７０００系が挙げられ、好ましくは１０００系、３
０００系、５０００系、６０００系であり、さらに好ま
しくは１０５０，３００３，６０６３系アルミニウム合
金が良い。
ニウム基体とはアルミニウム又はアルミニウムとＭｎ，
Ｃｕ，Ｓｉ，Ｍｇなどのアルミニウム合金からなるもの
を意味し、例えばＪＩＳ（日本工業規格）に示される展
伸用アルミニウム及びその合金の１０００系、２０００
系、３０００系、４０００系、５０００系、６０００
系、７０００系が挙げられ、好ましくは１０００系、３
０００系、５０００系、６０００系であり、さらに好ま
しくは１０５０，３００３，６０６３系アルミニウム合
金が良い。
【０００７】かかる、アルミニウムは溶解炉にて溶解
後、炉内または炉外の脱水素処理を実施してその後適宜
溶湯を鎮静した後濾過処理を施す溶解鋳造工程をへて製
造された後、切削加工、研削加工、バニシング加工、し
ごき加工、化学研磨、電解研磨等の各種表面処理を施さ
れて電子写真用感光体のアルミニウム基体として用いら
れる。
後、炉内または炉外の脱水素処理を実施してその後適宜
溶湯を鎮静した後濾過処理を施す溶解鋳造工程をへて製
造された後、切削加工、研削加工、バニシング加工、し
ごき加工、化学研磨、電解研磨等の各種表面処理を施さ
れて電子写真用感光体のアルミニウム基体として用いら
れる。
【０００８】本発明では、この溶解鋳造工程において、
セラミックフィルターなどのフィルターを用いて、溶湯
中に混在浮遊するＴｉ，ＶまたはＢを含有する結晶粒微
細化剤を濾過して除去する。又、別の発明としては、溶
解工程において、Ｔｉ，Ｖ又はＢを含む結晶粒微細化剤
を添加しない方法を用いており、好ましくは、当該ロッ
トの前の少なくとも３ロットにおける溶解工程におい
て、Ｔｉ，ＶまたはＢを含有する該結晶粒微細化剤を添
加しない方法を用いることとする。
セラミックフィルターなどのフィルターを用いて、溶湯
中に混在浮遊するＴｉ，ＶまたはＢを含有する結晶粒微
細化剤を濾過して除去する。又、別の発明としては、溶
解工程において、Ｔｉ，Ｖ又はＢを含む結晶粒微細化剤
を添加しない方法を用いており、好ましくは、当該ロッ
トの前の少なくとも３ロットにおける溶解工程におい
て、Ｔｉ，ＶまたはＢを含有する該結晶粒微細化剤を添
加しない方法を用いることとする。
【０００９】以下に、実施例により本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明は以下の実施例により限定される
ものではない。
に説明するが、本発明は以下の実施例により限定される
ものではない。
【００１０】
〔実施例１〕ＪＩＳ６０６３成分のアルミニウム合金を
２０Ｔ溶量の反射炉で溶解した。これに、結晶粒微細化
剤として、Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ合金を添加し、さらに、Ｃｌ
2 ガスを吹き込んで、脱ガス処理を行なった。さらに、
この溶湯を東京高級炉材（株）製「メタロフィルタ」を
使って濾過した後、半連続鋳造法により、１７８ｍｍφ
×６，０００ｍｍＬのビレットを鋳造した。このビレッ
トに熱間押出加工、冷間引抜加工、天然単結晶ダイヤモ
ンドバイトを用いた切削加工を順次施し、外径８０ｍｍ
φ、内径７６ｍｍφ、長さ３４０ｍｍの鏡面管を製造し
た。
２０Ｔ溶量の反射炉で溶解した。これに、結晶粒微細化
剤として、Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ合金を添加し、さらに、Ｃｌ
2 ガスを吹き込んで、脱ガス処理を行なった。さらに、
この溶湯を東京高級炉材（株）製「メタロフィルタ」を
使って濾過した後、半連続鋳造法により、１７８ｍｍφ
×６，０００ｍｍＬのビレットを鋳造した。このビレッ
トに熱間押出加工、冷間引抜加工、天然単結晶ダイヤモ
ンドバイトを用いた切削加工を順次施し、外径８０ｍｍ
φ、内径７６ｍｍφ、長さ３４０ｍｍの鏡面管を製造し
た。
【００１１】次に下記構造を有するビスアゾ化合物１０
部とフェノキシ樹脂（ユニオンカーバイト社製 ＰＫＨ
Ｈ）５部、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業社
製ＢＨ−３）５部に、４−メトキシ−４−メチルペンタ
ノン−２ １００部を加え、サンドグラインドミルにて
粉砕分散処理を行なった。得られた分散液に、前述の鏡
面管を浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が０．４μｍとなる様
電荷発生層を設けた。
部とフェノキシ樹脂（ユニオンカーバイト社製 ＰＫＨ
Ｈ）５部、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業社
製ＢＨ−３）５部に、４−メトキシ−４−メチルペンタ
ノン−２ １００部を加え、サンドグラインドミルにて
粉砕分散処理を行なった。得られた分散液に、前述の鏡
面管を浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が０．４μｍとなる様
電荷発生層を設けた。
【００１２】
【化１】
【００１３】この様にして得られた電荷発生層を持つア
ルミパイプをＮ−メチルカルバゾール−３−アルデヒド
ジフェニルヒドラゾン９０部、ポリカーボネート樹脂１
００部、下記構造のシアノ化合物４．５部を
ルミパイプをＮ−メチルカルバゾール−３−アルデヒド
ジフェニルヒドラゾン９０部、ポリカーボネート樹脂１
００部、下記構造のシアノ化合物４．５部を
【００１４】
【化２】
【００１５】１，４−ジオキサン９００部に溶解した溶
液に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が２０μｍとなる様に電
荷移動層を設けた。 〔実施例２〕結晶粒微細化剤を添加しないロットを３回
溶製した後の１０Ｔ反射炉で、ＪＩＳ１０５０成分のア
ルミニウム合金を溶解した。これにＣｌ2 ガスを吹き込
んで脱ガス処理を行なった後、半連続鋳造法により１７
８ｍｍφ×６，０００ｍｍＬのビレット鋳造した。以下
実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
液に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が２０μｍとなる様に電
荷移動層を設けた。 〔実施例２〕結晶粒微細化剤を添加しないロットを３回
溶製した後の１０Ｔ反射炉で、ＪＩＳ１０５０成分のア
ルミニウム合金を溶解した。これにＣｌ2 ガスを吹き込
んで脱ガス処理を行なった後、半連続鋳造法により１７
８ｍｍφ×６，０００ｍｍＬのビレット鋳造した。以下
実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。
【００１６】〔比較例１〕実施例１において「メタロフ
ィルタ」による濾過を実施しない事以外は実施例１と同
様にして電子写真感光体を作成した。 〔比較例２〕実施例２において、当該ロットの直前の３
ロットに結晶粒微細化剤を添加した事及び、当該ロット
に結晶粒微細化剤を添加した事以外は実施例２と同様に
して電子写真感光体を作成した。
ィルタ」による濾過を実施しない事以外は実施例１と同
様にして電子写真感光体を作成した。 〔比較例２〕実施例２において、当該ロットの直前の３
ロットに結晶粒微細化剤を添加した事及び、当該ロット
に結晶粒微細化剤を添加した事以外は実施例２と同様に
して電子写真感光体を作成した。
【００１７】実施例１，２、比較例１，２で作成した電
子写真感光体各々１００本を、市販の複写機に組み込ん
で、複写し、ピンホール欠陥発生を比較した。結果は下
記の通りとなった。
子写真感光体各々１００本を、市販の複写機に組み込ん
で、複写し、ピンホール欠陥発生を比較した。結果は下
記の通りとなった。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明の製造方法によるアルミニウム基
体を用いた電子写真用感光体は、ピンホール欠陥が大幅
に低減する。従って、製造の生産性が向上し、工業的に
多大な利益をもたらすものである。
体を用いた電子写真用感光体は、ピンホール欠陥が大幅
に低減する。従って、製造の生産性が向上し、工業的に
多大な利益をもたらすものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に感光層を施して電子写真感光体を
形成するアルミニウム基体の溶解鋳造工程において、溶
湯からＴｉ，ＶまたはＢを含有する結晶粒微細化剤を除
去した後、鋳造することを特徴とする電子写真感光体用
アルミニウム基体の製造方法。 - 【請求項２】 表面に感光層を施して電子写真感光体を
形成するアルミニウム基体の溶解工程において、Ｔｉ，
Ｖ又はＢを含む結晶粒微細化剤を添加しないことを特徴
とする電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法。 - 【請求項３】 該溶解鋳造工程において、少なくとも該
当するロットの前の３ロットの溶解工程において、Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｂを含む結晶粒微細化剤を添加しない事を特徴
とする請求項２記載の電子写真感光体用アルミニウム基
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10680394A JPH07319192A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10680394A JPH07319192A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07319192A true JPH07319192A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14443028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10680394A Pending JPH07319192A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 電子写真感光体用アルミニウム基体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07319192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016125129A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 三菱レイヨン株式会社 | モールド製造用アルミニウム原型、モールドとその製造方法、および成形体 |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP10680394A patent/JPH07319192A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016125129A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 三菱レイヨン株式会社 | モールド製造用アルミニウム原型、モールドとその製造方法、および成形体 |
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