JPH07311172A - ガス・湿度センサ - Google Patents
ガス・湿度センサInfo
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- JPH07311172A JPH07311172A JP12688994A JP12688994A JPH07311172A JP H07311172 A JPH07311172 A JP H07311172A JP 12688994 A JP12688994 A JP 12688994A JP 12688994 A JP12688994 A JP 12688994A JP H07311172 A JPH07311172 A JP H07311172A
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Abstract
耐久性を増す。 【構成】 ベース16にフレーム4,6,8,10を固
着し、フレーム4に基板2をダイボンドし、基板2をフ
レーム6,8,10にワイヤボンドする。基板2をダイ
ボンドしたフレーム4と他のフレーム6とを枝フレーム
14で結合し、落下や振動等の衝撃でフレーム4が変形
し、リードワイヤ12が断線することを防止する。
Description
等のガス、あるいは電子レンジでの調理過程で発生する
水蒸気、等を検出するためのガス・湿度センサに関す
る。
し、その1つに基板をダイボンドすると共に、基板の電
極パッドをフレームにボンディングワイヤで配線したガ
ス・湿度センサを提案した(特開昭63−159,74
4号公報)。図6に、このようなガス・湿度センサを示
す。図において、2は基板、4,6,8,10はフレー
ムで、図示しないベースを貫通している。フレーム4,
6はベース内で一体となり、ベースの外部に引き出され
るフレームは3本である。また基板2には3つの電極パ
ッドがあり、フレーム6,8,10にワイヤボンディン
グする。
に落下試験を施すとワイヤの断線が頻発することを見い
出した。ワイヤボンディングは図5のように、フレーム
6,8,10側をファーストボンド、基板2側をセカン
ドボンドとし、断線位置はボンディング部で、それ以外
の位置ではリードワイヤ12は断線しなかった。また基
板2側をファーストボンドとしても断線が生じることは
同じであった。断線の頻度はリードワイヤ12のループ
高さに依存し、ループ高さを大きくすると断線頻度が低
下した。また落下試験後にガス・湿度センサのキャップ
を外し内部を検査すると、図6の破線のように基板2が
傾いており、それにつれてフレーム4も捻れていた。こ
こでは落下試験について問題点を示したが、振動試験で
も同様にリードワイヤ12の断線が生じた。
落下や振動等の衝撃に対する耐久性を増し、リードワイ
ヤの断線を防止することにある。
フレームをベースに固着するとともに、ガス・湿度セン
サの基板の電極パッドとフレームをワイヤボンディング
で配線し、かつフレームの1つに前記基板の裏面をダイ
ボンドしたガス・湿度センサにおいて、前記基板をダイ
ボンドしたフレームを、他のフレームの1つに結合する
枝フレームを設けたことを特徴とする。ガス・湿度セン
サの種類は任意で、金属酸化物半導体ガスセンサや金属
酸化物半導体湿度センサ、接触燃焼式ガスセンサ、プロ
トン導電体ガスセンサ、固体電解質ガスセンサ等とす
る。またダイボンドは、ガラスや金属導電層等によって
行う。
レームを他のフレームの1つに結合した枝フレームを設
ける。図6から明らかなように、リードフレームの断線
の主因は、落下時や振動時のG(重力加速度)により基
板に大きな力が加わり、この力でダイボンドしたフレー
ム4が変形することにある。即ち基板にはある程度の重
量があり、落下時や振動時には基板重量に比例した力が
加わる。この力でフレームが捻れ基板が傾くと、リード
ワイヤに無理が加わり、ボンディング部で断線する。ま
たリードワイヤのループ高さが高いほど断線頻度が減少
するのは、ループの変形で基板が傾くことに対応してい
るからである。ここで枝フレームを設けると、枝フレー
ムは一種のかすがい,あるいはフレーム間の梁となり、
基板をダイボンドしたフレームの変形を防止し、リード
ワイヤの断線を防止できる。
形例を示す。図1において、2はアルミナやガラス等の
基板で、耐熱絶縁性のものを用い、4,6,8,10は
各々フレームで、表面金メッキの42合金等の金属フレ
ームを用いる。12はリードワイヤで、ここでは直径3
0μmの金線を用い、14は基板2をダイボンドしたフ
レーム4とフレーム6とを結合する枝フレームである。
16はベースで、フレーム4,6,8,10と一体に成
型し、フレーム4,6,8,10はベース16を貫通し
ている。そしてフレーム4,6はベース16内で結合部
18により一体にしてある。なお結合部18はベース1
6内にあり、フレーム4の変形を防止する作用を持たな
いので、枝フレームとしては考えない。枝フレーム14
の位置は、ベース16よりも基板2寄りであれば良い。
必要なフレームの本数は、基板2の端子数+1で、実施
例では3端子のガス・湿度センサを用いたので、フレー
ムの本数は4本となる。
ッドで、22は膜状のヒータ、24はガス感応体で、こ
こではSnO2の厚膜である。そしてガス感応体24は
水蒸気や可燃性ガスあるいは毒性ガス等により抵抗値が
変化するので、電子レンジ等で調理に伴う水蒸気を検出
する場合には湿度センサとなり、可燃性ガスや毒性ガス
等を検出する場合はガスセンサとなる。
フレーム6,8,10側でファーストボンドし、基板2
側でセカンドボンドした。しかしこの逆に、基板2側で
ファーストボンドし、フレーム6,8,10側でセカン
ドボンドしてもよい。またフレーム4,6,8,10や
枝フレーム14は元々は図示しないタイバーに結合した
リードフレームであり、枝フレーム14は金属の薄板か
らリードフレームをエッチングする際のエッチングパタ
ーンを変えるだけで成型できる。さらにベース16は、
タイバー付きのリードフレームの状態で、フレーム4,
6,8,10と一体に成型する。次に基板2は裏面(ガ
ス感応体24と反対側の面)をフレーム4にダイボンド
し、ダイボンドにはガラスや金属導電層等を用いる。ガ
ス・湿度センサにはこれ以外に金網付き等のキャップが
あるが、周知なので図示を省略する。
落下させたり、あるいは強い振動を加えると、基板2の
重量に比例した衝撃が加わる。図6の従来例では、この
衝撃でフレーム4が変形し、これに伴って基板2が破線
の位置へと傾いてしまう。そしてこれに伴ってリードワ
イヤ12が断線する。なお従来例でもフレーム4,6は
ベース16内の結合部18で一体にしてあるが、基板2
からの熱損失を小さくするため、フレーム4は細長く、
ダイボンド部とベース16との間には大きな距離がある
ため、フレーム4の変形の防止には有効ではない。また
仮に結合部18がなくても、フレーム4,6はベース1
6に固着してあり、結合部18はフレーム4の変形の防
止には有効ではない。これに対して実施例では、枝フレ
ーム14が一種のかすがいとなり、フレーム4の変形を
防止できる。そしてこれに伴って、リードワイヤ12の
断線を防止する。
い、比較例として枝フレーム14を設けなかった他は同
一のセンサを用いた。基板2の裏面に金ペースト層を塗
布・焼成し、パラレルギャップ溶接機を用いて溶着電流
を流すことによりフレーム4にダイボンドした。溶接機
のパラレルギャップはフレーム4の裏面に接触させ、溶
着電流を加えると基板2の裏面の金ペースト層がフレー
ム4に溶着される。溶着エネルギーは溶着箇所の1箇所
当たり65Jで、2箇所で溶着した。ワイヤボンディン
グの条件は、フレーム6,8,10側がファーストボン
ド、電極パッド20側がセカンドボンドで、ボンディン
グには超音波熱圧着を用い、ボンディング荷重がファー
ストボンド側で70g,セカンドボンド側で70g,ボ
ンディング時のフレーム6,8,10や基板2の温度が
200℃で,超音波エネルギーがファーストボンド側で
1W,セカンドボンド側で3Wとした。このようなガス
・湿度センサを実施例,従来例とも100個ずつ製造
し、高さ1mからコンクリートの床面上に1回ずつ落下
させて、リードワイヤ12の破損状況を調べた。比較例
では落下試験による破損個数は23個/100個であ
り、実施例では0個/100個であった。
した点以外は、図1の実施例と同様で、図2では斜めの
枝フレーム30を用いた。また図3では一対の枝フレー
ム32,34を用い、フレーム4,6の結合をさらに強
化した。図4は1つのパッド20に2本ずつリードワイ
ヤ12をワイヤボンディングしたもので、一対のリード
ワイヤ12,12のうち一方が破損しても他方が残るこ
とにより、信頼性を向上させようとするものである。
りリードワイヤが断線することを防止し、ガス・湿度セ
ンサの耐久性を増すことができる。
図
部平面図
す要部側面図
Claims (1)
- 【請求項1】 複数のフレームをベースに固着するとと
もに、ガス・湿度センサの基板の電極パッドとフレーム
をワイヤボンディングで配線し、かつフレームの1つに
前記基板の裏面をダイボンドしたガス・湿度センサにお
いて、 前記基板をダイボンドしたフレームを、他のフレームの
1つに結合する枝フレームを設けたことを特徴とする、
ガス・湿度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12688994A JP3531970B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | ガスまたは湿度を検出するセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12688994A JP3531970B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | ガスまたは湿度を検出するセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07311172A true JPH07311172A (ja) | 1995-11-28 |
JP3531970B2 JP3531970B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=14946372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12688994A Expired - Fee Related JP3531970B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | ガスまたは湿度を検出するセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3531970B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040016605A (ko) * | 2002-08-19 | 2004-02-25 | (주)니즈 | 가스센서 감지소자 조립방법 |
US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP12688994A patent/JP3531970B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040016605A (ko) * | 2002-08-19 | 2004-02-25 | (주)니즈 | 가스센서 감지소자 조립방법 |
US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3531970B2 (ja) | 2004-05-31 |
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