JPH07297349A - 半導体装置及びその試験方法 - Google Patents
半導体装置及びその試験方法Info
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- JPH07297349A JPH07297349A JP6086698A JP8669894A JPH07297349A JP H07297349 A JPH07297349 A JP H07297349A JP 6086698 A JP6086698 A JP 6086698A JP 8669894 A JP8669894 A JP 8669894A JP H07297349 A JPH07297349 A JP H07297349A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は同ピッチで多数の外部リードを含む
半導体装置およびその試験方法に関し、確実な特性試験
の測定が可能であると共に、外部リードの変形の危険性
を低くすることを目的とする。 【構成】 多数の外部リード１２、１３が半導体装置１
０のパッケージ１１から０．３ｍｍの同じピッチＰ１で
隣合って延出する。この隣合った一方の外部リード１２
の先端１２ａの向きが半導体装置１０の厚さｔの方向に
対し水平方向であり、隣合った他方の外部リード１３の
先端１３ａの向きが上方向である。一方の外部リード１
２のピッチＰ２は、０．３ｍｍの２倍の０．６ｍｍであ
る。同様に、他方の外部リード１３のピッチＰ２も０．
６ｍｍである。
半導体装置およびその試験方法に関し、確実な特性試験
の測定が可能であると共に、外部リードの変形の危険性
を低くすることを目的とする。 【構成】 多数の外部リード１２、１３が半導体装置１
０のパッケージ１１から０．３ｍｍの同じピッチＰ１で
隣合って延出する。この隣合った一方の外部リード１２
の先端１２ａの向きが半導体装置１０の厚さｔの方向に
対し水平方向であり、隣合った他方の外部リード１３の
先端１３ａの向きが上方向である。一方の外部リード１
２のピッチＰ２は、０．３ｍｍの２倍の０．６ｍｍであ
る。同様に、他方の外部リード１３のピッチＰ２も０．
６ｍｍである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同ピッチで多数の外部
リードを含む半導体装置およびこの半導体装置の試験方
法に関する。
リードを含む半導体装置およびこの半導体装置の試験方
法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高集積化より多ピン化
が進むと共に、半導体装置の小型化が要求されている。
これに伴い、半導体装置の外部リードのピッチが微小化
している。このため、半導体装置の試験方法が難しくな
り、確実に特性試験を行うことができる半導体装置およ
び半導体装置の試験方法が待たれている。
が進むと共に、半導体装置の小型化が要求されている。
これに伴い、半導体装置の外部リードのピッチが微小化
している。このため、半導体装置の試験方法が難しくな
り、確実に特性試験を行うことができる半導体装置およ
び半導体装置の試験方法が待たれている。
【０００３】
【従来の技術】図７（Ａ）、（Ｂ）は、従来の半導体装
置および半導体装置の試験方法を説明するための図であ
る。図７（Ａ）は平面断面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。
置および半導体装置の試験方法を説明するための図であ
る。図７（Ａ）は平面断面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。
【０００４】図７において、半導体装置１３０は、いわ
ゆるＱＦＰ（Quad Flat Package)型のもので、リードフ
レーム１３１の中央部分のステージ１３２上に半導体チ
ップ１３３が搭載される。
ゆるＱＦＰ（Quad Flat Package)型のもので、リードフ
レーム１３１の中央部分のステージ１３２上に半導体チ
ップ１３３が搭載される。
【０００５】そして、リードフレーム１３１の内部リー
ド１３４と半導体チップ１３３とがワイヤ１３５により
ボンディングされ、封止樹脂１３６によりモールドさ
れ、パッケージ１３８が形成される。また、リードフレ
ーム１３１の外部リード１３７がＬ型形状に加工されて
いる。
ド１３４と半導体チップ１３３とがワイヤ１３５により
ボンディングされ、封止樹脂１３６によりモールドさ
れ、パッケージ１３８が形成される。また、リードフレ
ーム１３１の外部リード１３７がＬ型形状に加工されて
いる。
【０００６】そして、例えば、外部リード１３７のピッ
チ０．５ｍｍで３００ピンを越える半導体装置や、ピッ
チ０．４ｍｍまたは０．３ｍｍで１００ピンを越える半
導体装置が開発されている。この場合の外部リード１３
７の幅も０．１ｍｍに移行し、外部リード１３７同士の
間隔も０．２ｍｍに移行してきている。
チ０．５ｍｍで３００ピンを越える半導体装置や、ピッ
チ０．４ｍｍまたは０．３ｍｍで１００ピンを越える半
導体装置が開発されている。この場合の外部リード１３
７の幅も０．１ｍｍに移行し、外部リード１３７同士の
間隔も０．２ｍｍに移行してきている。
【０００７】このような半導体装置１３０について、メ
ーカーの出荷等の特性試験を行う場合は、試験装置にお
けるプローブまたはソケットなどのコンタクタ１４０に
より、当該半導体装置１３０の外部リード１３７の先端
部を接触させて行っている。個々のコンタクタ１４０
は、個々の外部リード１３７に一対一で対応し、一括で
着脱の動作を行っている。また、水平方向に向かう外部
リード１３７の先端１３７ａは、個々のコンタクタ１４
０に対し、水平方向から近づき、コンタクタ１４０との
接触が行なわれている。
ーカーの出荷等の特性試験を行う場合は、試験装置にお
けるプローブまたはソケットなどのコンタクタ１４０に
より、当該半導体装置１３０の外部リード１３７の先端
部を接触させて行っている。個々のコンタクタ１４０
は、個々の外部リード１３７に一対一で対応し、一括で
着脱の動作を行っている。また、水平方向に向かう外部
リード１３７の先端１３７ａは、個々のコンタクタ１４
０に対し、水平方向から近づき、コンタクタ１４０との
接触が行なわれている。
【０００８】このような半導体装置の試験を行った後、
半導体装置１３０の出荷が行われていた。
半導体装置１３０の出荷が行われていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の試験方法にあっては、外部リード１３７の
ピッチが微小化することにより、半導体装置１３０の特
性の測定が不確かなものとなるという課題があった。
半導体装置の試験方法にあっては、外部リード１３７の
ピッチが微小化することにより、半導体装置１３０の特
性の測定が不確かなものとなるという課題があった。
【００１０】詳しくは、半導体装置１３０の外部リード
１３７のピッチの微小化、例えば、０．３ｍｍに対応し
て、半導体装置の試験方法の時における接触の際のコン
タクタ１４０のピッチも微小化しなければならない。す
なわち、個々のコンタクタ１４０のピッチも０．３ｍｍ
にする必要がある。
１３７のピッチの微小化、例えば、０．３ｍｍに対応し
て、半導体装置の試験方法の時における接触の際のコン
タクタ１４０のピッチも微小化しなければならない。す
なわち、個々のコンタクタ１４０のピッチも０．３ｍｍ
にする必要がある。
【００１１】コンタクタ１４０のピッチが微小化する
と、コンタクタ１４０同士の電気的絶縁のため、コンタ
クタ１４０の幅を外部リード１３７のピッチより小さく
し、コンタクタ１４０同士の隙間を確保する必要があ
る。
と、コンタクタ１４０同士の電気的絶縁のため、コンタ
クタ１４０の幅を外部リード１３７のピッチより小さく
し、コンタクタ１４０同士の隙間を確保する必要があ
る。
【００１２】しかし、０．３ｍｍのピッチでコンタクタ
１４０を製造する場合、コンタクタ１４０の幅には誤差
があり、コンタクタ１４０同士の隙間が無い箇所もあっ
た。この結果、コンタクタ１４０同士の電気的絶縁が図
れない箇所が現れ、半導体装置１３０の特性の測定が不
確かなものとなった。
１４０を製造する場合、コンタクタ１４０の幅には誤差
があり、コンタクタ１４０同士の隙間が無い箇所もあっ
た。この結果、コンタクタ１４０同士の電気的絶縁が図
れない箇所が現れ、半導体装置１３０の特性の測定が不
確かなものとなった。
【００１３】また、従来の半導体装置の試験方法は、半
導体装置１３０の外部リード１３７をＬ型形状に加工し
た後、半導体装置１３０の特性の測定を行っていた。こ
のため、測定の際に外部リード１３７を変形させる危険
性が高く、外部リード１３７を変形させた半導体装置１
３０を出荷してしまうという課題もあった。
導体装置１３０の外部リード１３７をＬ型形状に加工し
た後、半導体装置１３０の特性の測定を行っていた。こ
のため、測定の際に外部リード１３７を変形させる危険
性が高く、外部リード１３７を変形させた半導体装置１
３０を出荷してしまうという課題もあった。
【００１４】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、確実な特性試験の測定が可能な半導体装置、お
よび、外部リードの変形の危険性を低くした半導体装置
の試験方法を提供することを目的とする。
もので、確実な特性試験の測定が可能な半導体装置、お
よび、外部リードの変形の危険性を低くした半導体装置
の試験方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の発明
の構成により解決される。
の構成により解決される。
【００１６】請求項１の発明は、パッケージから所定の
ピッチで延出した多数の外部リードを備える半導体装置
において、隣合った外部リードの先端の向きが半導体装
置の厚さ方向に対し互いに異なるように構成された半導
体装置である。この半導体装置は、ＱＦＰ型でも、ＤＩ
Ｐ型でもよい。
ピッチで延出した多数の外部リードを備える半導体装置
において、隣合った外部リードの先端の向きが半導体装
置の厚さ方向に対し互いに異なるように構成された半導
体装置である。この半導体装置は、ＱＦＰ型でも、ＤＩ
Ｐ型でもよい。
【００１７】また、請求項２の発明は、上記隣合った一
方の外部リードの先端の向きが水平方向であり、上記隣
合った他方の外部リードの先端の向きが上方向または下
方向であるように構成された半導体装置である。
方の外部リードの先端の向きが水平方向であり、上記隣
合った他方の外部リードの先端の向きが上方向または下
方向であるように構成された半導体装置である。
【００１８】また、請求項３の発明は、上記隣合った一
方の外部リードの先端の向きが上方向であり、上記隣合
った他方の外部リードの先端の向きが下方向であるよう
に構成された半導体装置である。
方の外部リードの先端の向きが上方向であり、上記隣合
った他方の外部リードの先端の向きが下方向であるよう
に構成された半導体装置である。
【００１９】また、請求項４の発明は、パッケージから
水平方向に向かって延出し、隣合わせに設けられた多数
の外部リードの先端の向きを半導体装置の厚さ方向に対
し互いに異なるように折り曲げる工程と、この互いに先
端の向きが異なる外部リードにコンタクタを接触させ、
半導体装置の特性を測定する工程と、この測定を終えた
外部リードを回路基板の表面に実装が可能となる形状に
成形する工程と、により構成された半導体装置の試験方
法である。上記コンタクタは、外部リードの先端に接触
し、半導体装置の特性の測定に用いられるものであれば
良い。例えば、プローブまたはソケットが適している。
水平方向に向かって延出し、隣合わせに設けられた多数
の外部リードの先端の向きを半導体装置の厚さ方向に対
し互いに異なるように折り曲げる工程と、この互いに先
端の向きが異なる外部リードにコンタクタを接触させ、
半導体装置の特性を測定する工程と、この測定を終えた
外部リードを回路基板の表面に実装が可能となる形状に
成形する工程と、により構成された半導体装置の試験方
法である。上記コンタクタは、外部リードの先端に接触
し、半導体装置の特性の測定に用いられるものであれば
良い。例えば、プローブまたはソケットが適している。
【００２０】
【作用】上述のように、請求項１の発明に係る半導体装
置にあっては、多数の外部リードがパッケージから所定
のピッチで延出し、隣合った外部リードの先端の向きが
半導体装置の厚さ方向に対し互いに異なる。このため、
隣合った外部リードは、その先端の向きが１個置きに同
じになる。この結果、外部リードの先端の向きが同じも
の同士のピッチは２倍に増加する。このため、試験装置
の個々のコンタクタを、外部リードの先端の向きを同じ
としたものに一対一で対応させると、コンタクタ同士の
ピッチも２倍に増える。このため、外部リードのピッチ
が微小化しても、コンタクタのピッチは外部リードのピ
ッチの２倍まで微小化すればよい。この結果、コンタク
タ同士の電気的絶縁のための隙間が確実に確保される。
また、コンタクタを製造する場合の許容される誤差も大
きくすることができる。したがって、コンタクタ同士の
電気的絶縁が確実に図れ、半導体装置の特性の測定が確
かなものとなる。
置にあっては、多数の外部リードがパッケージから所定
のピッチで延出し、隣合った外部リードの先端の向きが
半導体装置の厚さ方向に対し互いに異なる。このため、
隣合った外部リードは、その先端の向きが１個置きに同
じになる。この結果、外部リードの先端の向きが同じも
の同士のピッチは２倍に増加する。このため、試験装置
の個々のコンタクタを、外部リードの先端の向きを同じ
としたものに一対一で対応させると、コンタクタ同士の
ピッチも２倍に増える。このため、外部リードのピッチ
が微小化しても、コンタクタのピッチは外部リードのピ
ッチの２倍まで微小化すればよい。この結果、コンタク
タ同士の電気的絶縁のための隙間が確実に確保される。
また、コンタクタを製造する場合の許容される誤差も大
きくすることができる。したがって、コンタクタ同士の
電気的絶縁が確実に図れ、半導体装置の特性の測定が確
かなものとなる。
【００２１】また、請求項２の発明に係る半導体装置
は、隣合った一方の外部リードの先端の向きが水平方向
であり、隣合った他方の外部リードの先端の向きが上方
向または下方向である。このため、試験装置の個々のコ
ンタクタは、水平方向に向かう外部リード同士と、上方
向または下方向に向かう外部リード同士とに対応する。
したがって、個々のコンタクタの半分は水平方向に向か
う外部リードに対応するので、個々のコンタクタの半分
は従来と同じ向きで使用することができる。
は、隣合った一方の外部リードの先端の向きが水平方向
であり、隣合った他方の外部リードの先端の向きが上方
向または下方向である。このため、試験装置の個々のコ
ンタクタは、水平方向に向かう外部リード同士と、上方
向または下方向に向かう外部リード同士とに対応する。
したがって、個々のコンタクタの半分は水平方向に向か
う外部リードに対応するので、個々のコンタクタの半分
は従来と同じ向きで使用することができる。
【００２２】また、請求項３の発明に係る半導体装置
は、隣合った一方の外部リードの先端の向きが上方向で
あり、隣合った他方の外部リードの先端の向きが下方向
である。このため、試験装置の個々のコンタクタは、上
方向に向かう外部リード同士と、下方向に向かう外部リ
ード同士とに対応する。この場合の半導体装置を、請求
項２の発明の半導体装置と比較すると、上方向に向かう
外部リードに対応するコンタクタと下方向に対応するコ
ンタクタとの電気的絶縁を図るための上方向に向かう外
部リードと下方向に向かう外部リードとの距離を、外部
リードを上方向に折り曲げることで補うことができる。
このため、下方向に向かう外部リードの折り曲げを少な
くすることができる。この結果、半導体装置の搬送が簡
便である。また、請求項４の発明に係る半導体装置の試
験方法は、半導体装置の外部リードを回路基板の表面に
実装が可能となる形状、例えばＬ型形状に成形する前
に、半導体装置の特性の測定を行っている。外部リ−ド
の成形後、半導体装置の出荷が行われるので、出荷時の
外部リードの変形の危険性を低くすることができる。こ
のため、外部リ−ドを変形させた半導体装置を出荷する
ことも少なくなる。
は、隣合った一方の外部リードの先端の向きが上方向で
あり、隣合った他方の外部リードの先端の向きが下方向
である。このため、試験装置の個々のコンタクタは、上
方向に向かう外部リード同士と、下方向に向かう外部リ
ード同士とに対応する。この場合の半導体装置を、請求
項２の発明の半導体装置と比較すると、上方向に向かう
外部リードに対応するコンタクタと下方向に対応するコ
ンタクタとの電気的絶縁を図るための上方向に向かう外
部リードと下方向に向かう外部リードとの距離を、外部
リードを上方向に折り曲げることで補うことができる。
このため、下方向に向かう外部リードの折り曲げを少な
くすることができる。この結果、半導体装置の搬送が簡
便である。また、請求項４の発明に係る半導体装置の試
験方法は、半導体装置の外部リードを回路基板の表面に
実装が可能となる形状、例えばＬ型形状に成形する前
に、半導体装置の特性の測定を行っている。外部リ−ド
の成形後、半導体装置の出荷が行われるので、出荷時の
外部リードの変形の危険性を低くすることができる。こ
のため、外部リ−ドを変形させた半導体装置を出荷する
ことも少なくなる。
【００２３】
【実施例】図１に、本発明の第１の実施例の構成図を示
す。図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）はＡ−Ａ線
断面図である。
す。図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）はＡ−Ａ線
断面図である。
【００２４】図１（Ａ）〜（Ｂ）の半導体装置１０はＱ
ＦＰ構造であり、１００ピンを越えるものを２８ピンに
簡略化したものである。
ＦＰ構造であり、１００ピンを越えるものを２８ピンに
簡略化したものである。
【００２５】この半導体装置１０は、リードフレームの
ステージ上に半導体チップが搭載され、この半導体チッ
プとリードフレームの内部リードとの間でワイヤにより
ボンディングされ、モールド樹脂によりパッケージ１１
が形成され、リードフレームの外部リード１２、１３が
パッケージ１１から０．３ｍｍの同じピッチＰ１で延出
して形成されている。
ステージ上に半導体チップが搭載され、この半導体チッ
プとリードフレームの内部リードとの間でワイヤにより
ボンディングされ、モールド樹脂によりパッケージ１１
が形成され、リードフレームの外部リード１２、１３が
パッケージ１１から０．３ｍｍの同じピッチＰ１で延出
して形成されている。
【００２６】そして、隣合った外部リード１２、１３の
先端１２ａ，１３ａの向きが半導体装置１０の厚さｔの
方向に対し互いに異なっている。詳しくは、隣合った一
方の外部リード１２の先端１２ａが水平方向を向いた状
態である。また、隣合った他方の外部リード１３は、水
平方向に延出する状態から折り曲げられ、その先端１３
ａが下方向を向いている。
先端１２ａ，１３ａの向きが半導体装置１０の厚さｔの
方向に対し互いに異なっている。詳しくは、隣合った一
方の外部リード１２の先端１２ａが水平方向を向いた状
態である。また、隣合った他方の外部リード１３は、水
平方向に延出する状態から折り曲げられ、その先端１３
ａが下方向を向いている。
【００２７】一方の外部リード１２のピッチＰ２は、
０．３ｍｍの２倍の０．６ｍｍである。同様に、他方の
外部リード１３のピッチＰ２も０．６ｍｍである。
０．３ｍｍの２倍の０．６ｍｍである。同様に、他方の
外部リード１３のピッチＰ２も０．６ｍｍである。
【００２８】次に、この半導体装置１０の試験方法を図
２および図４を用いて説明する。図２は、図１の半導体
装置１０の試験方法を説明するための図であり、図４
は、半導体装置の試験方法の工程を示した図である。
２および図４を用いて説明する。図２は、図１の半導体
装置１０の試験方法を説明するための図であり、図４
は、半導体装置の試験方法の工程を示した図である。
【００２９】既に、この半導体装置１０には、図４に示
すダイバ−切断・除去工程（Ｉ）および他方の外部リー
ド１３の折り曲げ工程（ＩＩ）が行われている。
すダイバ−切断・除去工程（Ｉ）および他方の外部リー
ド１３の折り曲げ工程（ＩＩ）が行われている。
【００３０】次に、半導体装置１０の特性の測定工程
（ＩＩＩ）が行われる。この測定は、図２に示すよう
に、一方のコンタクタ１４および他方のコンタクタ１５
を用いて行われる。
（ＩＩＩ）が行われる。この測定は、図２に示すよう
に、一方のコンタクタ１４および他方のコンタクタ１５
を用いて行われる。
【００３１】一方のコンタクタ１４は、その先端１２ａ
が水平方向を向いている一方の外部リード１２と一対一
で着脱することができる。また、他方のコンタクタ１５
は、その先端１３ａが下方向を向いている他方の外部リ
ード１３と一対一で着脱することができる。図示しない
が、個々のコンタクタ１４、１５は測定装置１６に電気
的にそれぞれ接続されている。
が水平方向を向いている一方の外部リード１２と一対一
で着脱することができる。また、他方のコンタクタ１５
は、その先端１３ａが下方向を向いている他方の外部リ
ード１３と一対一で着脱することができる。図示しない
が、個々のコンタクタ１４、１５は測定装置１６に電気
的にそれぞれ接続されている。
【００３２】この測定装置１６により、コンタクタ１
４、１５の着脱作業が一括で行われる。開成した状態の
コンタクタ１４、１５に、半導体装置１０が搬送され
る。この搬送された半導体装置１０の外部リード１２、
１３はコンタクタ１４、１５に一括で装着される。
４、１５の着脱作業が一括で行われる。開成した状態の
コンタクタ１４、１５に、半導体装置１０が搬送され
る。この搬送された半導体装置１０の外部リード１２、
１３はコンタクタ１４、１５に一括で装着される。
【００３３】すなわち、コンタクタ１４、１５に外部リ
ード１２、１３の先端１２ａ，１３ａが接触する。装着
された半導体装置１０の特性の測定は、測定装置１６に
より行われる。
ード１２、１３の先端１２ａ，１３ａが接触する。装着
された半導体装置１０の特性の測定は、測定装置１６に
より行われる。
【００３４】そして、一方のコンタクタ１４は一方の外
部リード１２の先端１２ａに一対一で対応するので、一
方のコンタクタ１４同士のピッチＰ３も０．６ｍｍとな
る。このため、０．３ｍｍのピッチでコンタクタを製造
した場合より、コンタクタ１４の幅を大きくすることが
できる。
部リード１２の先端１２ａに一対一で対応するので、一
方のコンタクタ１４同士のピッチＰ３も０．６ｍｍとな
る。このため、０．３ｍｍのピッチでコンタクタを製造
した場合より、コンタクタ１４の幅を大きくすることが
できる。
【００３５】また、コンタクタ１４同士の電気的絶縁の
ための間隔Ｃも確実に確保することができる。さらに、
コンタクタ１４を製造する場合の許容される誤差も大き
くすることができる。そして、コンタクタ１４同士の電
気的絶縁が確実に図れる。
ための間隔Ｃも確実に確保することができる。さらに、
コンタクタ１４を製造する場合の許容される誤差も大き
くすることができる。そして、コンタクタ１４同士の電
気的絶縁が確実に図れる。
【００３６】同様に、他方のコンタクタ１５同士のピッ
チＰ３も０．６ｍｍとなる。コンタクタ１５の幅を大き
くすることができ、コンタクタ１５同士の電気的絶縁の
ための間隔Ｃも確実に確保することができ、コンタクタ
１５を製造する場合の許容される誤差も大きくすること
ができ、コンタクタ１５同士の電気的絶縁が確実に図れ
る。
チＰ３も０．６ｍｍとなる。コンタクタ１５の幅を大き
くすることができ、コンタクタ１５同士の電気的絶縁の
ための間隔Ｃも確実に確保することができ、コンタクタ
１５を製造する場合の許容される誤差も大きくすること
ができ、コンタクタ１５同士の電気的絶縁が確実に図れ
る。
【００３７】したがって、一方のコンタクタ１４同士お
よび他方のコンタクタ１５同士の電気的絶縁が確実に図
れるので、半導体装置１０の特性の測定が確かなものと
なる。
よび他方のコンタクタ１５同士の電気的絶縁が確実に図
れるので、半導体装置１０の特性の測定が確かなものと
なる。
【００３８】この半導体装置１０の測定後、図４に示す
ように、外部リード１２、１３の成形工程（ＩＶ）が行
われる。この成形は、外部リード１２、１３を、回路基
板の表面に実装可能となるような形状に足曲げ加工し、
正規の成形された外部リード１８となる。
ように、外部リード１２、１３の成形工程（ＩＶ）が行
われる。この成形は、外部リード１２、１３を、回路基
板の表面に実装可能となるような形状に足曲げ加工し、
正規の成形された外部リード１８となる。
【００３９】この成形された外部リード１８は、個々の
ものがそれぞれ同じ形状であり、個々の先端１８ａが同
じ水平方向を向いている。この成形された外部リード１
８を備えた出荷時の半導体装置１７が図３のものであ
る。
ものがそれぞれ同じ形状であり、個々の先端１８ａが同
じ水平方向を向いている。この成形された外部リード１
８を備えた出荷時の半導体装置１７が図３のものであ
る。
【００４０】このような半導体装置の試験方法は、半導
体装置１０の外部リード１２、１３を回路基板の表面に
実装が可能となる形状、例えばＬ型形状に成形し、成形
された外部リード１８を備えた出荷時の半導体装置１７
を完成する前に、半導体装置１０の特性の測定を行って
いる。換言すると、半導体装置１０の特性の測定後、成
形工程（ＩＶ）が行われ、出荷時の半導体装置１７が完
成する。
体装置１０の外部リード１２、１３を回路基板の表面に
実装が可能となる形状、例えばＬ型形状に成形し、成形
された外部リード１８を備えた出荷時の半導体装置１７
を完成する前に、半導体装置１０の特性の測定を行って
いる。換言すると、半導体装置１０の特性の測定後、成
形工程（ＩＶ）が行われ、出荷時の半導体装置１７が完
成する。
【００４１】この出荷時の半導体装置１７の特性の測定
結果は、成形工程（ＩＶ）前の半導体装置１０の測定結
果と同じになるので、出荷時の半導体装置１７の測定を
行う必要がない。この出荷時の半導体装置１７は、測定
を行われず、出荷される。このため、成形した外部リー
ド１８の変形の危険性が低くなる。この結果、成形した
外部リ−ド１８を変形させた半導体装置１７を出荷する
ことも低くなる。
結果は、成形工程（ＩＶ）前の半導体装置１０の測定結
果と同じになるので、出荷時の半導体装置１７の測定を
行う必要がない。この出荷時の半導体装置１７は、測定
を行われず、出荷される。このため、成形した外部リー
ド１８の変形の危険性が低くなる。この結果、成形した
外部リ−ド１８を変形させた半導体装置１７を出荷する
ことも低くなる。
【００４２】次に、本発明の第２実施例に係る半導体装
置を図５を用いて説明する。図５は、半導体装置２０の
断面図である。この半導体装置２０は、上記半導体装置
１０と同様に、リードフレームと半導体チップとワイヤ
とモールド樹脂とパッケージ２１とこのパッケージ２１
から同じピッチで延出して形成されたリードフレームの
外部リード２２、２３とで構成される。
置を図５を用いて説明する。図５は、半導体装置２０の
断面図である。この半導体装置２０は、上記半導体装置
１０と同様に、リードフレームと半導体チップとワイヤ
とモールド樹脂とパッケージ２１とこのパッケージ２１
から同じピッチで延出して形成されたリードフレームの
外部リード２２、２３とで構成される。
【００４３】そして、隣合った一方の外部リード２２
は、水平方向に延出する状態から折り曲げられ、先端２
２ａが斜め上方向を向いている。また、隣合った他方の
外部リード２３は、水平方向に延出する状態から折り曲
げられ、先端２３ａが斜め下方向を向いている。
は、水平方向に延出する状態から折り曲げられ、先端２
２ａが斜め上方向を向いている。また、隣合った他方の
外部リード２３は、水平方向に延出する状態から折り曲
げられ、先端２３ａが斜め下方向を向いている。
【００４４】次に、この半導体装置２０の試験方法を図
５を用いて説明する。図５は、図４の半導体装置２０の
試験方法を説明するための図である。
５を用いて説明する。図５は、図４の半導体装置２０の
試験方法を説明するための図である。
【００４５】この半導体装置２０の試験方法は、一方の
コンタクタ２４および他方のコンタクタ２５を用いて行
われる。一方のコンタクタ２４は、その先端２２ａが上
方向を向いている一方の外部リード２２を一対一で着脱
し、他方のコンタクタ２５は、その先端２３ａが下方向
を向いている他方の外部リード１３を一対一で着脱す
る。各コンタクタ２４、２５は測定装置１６に電気的に
それぞれ接続されている。
コンタクタ２４および他方のコンタクタ２５を用いて行
われる。一方のコンタクタ２４は、その先端２２ａが上
方向を向いている一方の外部リード２２を一対一で着脱
し、他方のコンタクタ２５は、その先端２３ａが下方向
を向いている他方の外部リード１３を一対一で着脱す
る。各コンタクタ２４、２５は測定装置１６に電気的に
それぞれ接続されている。
【００４６】この測定装置１６により、コンタクタ２
４、２５の着脱作業が一括で行われる。開成した状態の
コンタクタ２４、２５に、半導体装置２０が搬送され
る。この搬送された半導体装置２０の外部リード２２、
２３はコンタクタ２４、２５に一括で装着される。装着
された半導体装置２０の特性の測定は、測定装置１６に
より行われる。
４、２５の着脱作業が一括で行われる。開成した状態の
コンタクタ２４、２５に、半導体装置２０が搬送され
る。この搬送された半導体装置２０の外部リード２２、
２３はコンタクタ２４、２５に一括で装着される。装着
された半導体装置２０の特性の測定は、測定装置１６に
より行われる。
【００４７】そして、一方のコンタクタ２４は一方の外
部リード２２に一対一で対応するので、一方のコンタク
タ１４同士のピッチも外部リード２２同士のピッチと同
じである。このため、コンタクタ２４の幅を大きくする
ことができ、コンタクタ２４同士の電気的絶縁のための
間隔も確実に確保することができ、コンタクタ２４を製
造する場合の許容される誤差も大きくすることができ、
コンタクタ２４同士の電気的絶縁が確実に図れる。
部リード２２に一対一で対応するので、一方のコンタク
タ１４同士のピッチも外部リード２２同士のピッチと同
じである。このため、コンタクタ２４の幅を大きくする
ことができ、コンタクタ２４同士の電気的絶縁のための
間隔も確実に確保することができ、コンタクタ２４を製
造する場合の許容される誤差も大きくすることができ、
コンタクタ２４同士の電気的絶縁が確実に図れる。
【００４８】同様に、他方のコンタクタ２５の幅を大き
くすることができ、コンタクタ２５同士の電気的絶縁の
ための間隔も確実に確保することができ、コンタクタ２
５を製造する場合の許容される誤差も大きくすることが
でき、コンタクタ２５同士の電気的絶縁が確実に図れ
る。
くすることができ、コンタクタ２５同士の電気的絶縁の
ための間隔も確実に確保することができ、コンタクタ２
５を製造する場合の許容される誤差も大きくすることが
でき、コンタクタ２５同士の電気的絶縁が確実に図れ
る。
【００４９】したがって、一方のコンタクタ２４同士お
よび他方のコンタクタ２５同士の電気的絶縁が確実に図
れるので、半導体装置２０の特性の測定が確かなものと
なる。
よび他方のコンタクタ２５同士の電気的絶縁が確実に図
れるので、半導体装置２０の特性の測定が確かなものと
なる。
【００５０】この図６で説明した半導体装置の試験方法
は、図２で説明したものより、外部リード２３の折り曲
げが少ないので、半導体装置２０の搬送が簡便である。
これは、コンタクタ２４とコンタクタ２５との電気的絶
縁を図るための距離を確保しなければならないが、この
距離を外部リード２２も上方向に折り曲げることで補っ
ているからである。
は、図２で説明したものより、外部リード２３の折り曲
げが少ないので、半導体装置２０の搬送が簡便である。
これは、コンタクタ２４とコンタクタ２５との電気的絶
縁を図るための距離を確保しなければならないが、この
距離を外部リード２２も上方向に折り曲げることで補っ
ているからである。
【００５１】この半導体装置２０の測定後、外部リード
２２、２３を、回路基板の表面に実装可能となるような
同様の形状に足曲げ加工し、成形された外部リードと
し、出荷が行われる。
２２、２３を、回路基板の表面に実装可能となるような
同様の形状に足曲げ加工し、成形された外部リードと
し、出荷が行われる。
【００５２】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
多数の外部リードがパッケージから所定のピッチで延出
し、隣合った外部リードの先端の向きが半導体装置の厚
さ方向に対し互いに異なるため、隣合った外部リード
は、その先端の向きを１個置きに同じにすることができ
る。外部リードの先端の向きが同じもの同士のピッチを
２倍に増加させることができる。試験装置の個々のコン
タクタを、外部リードの先端の向きを同じとしたものに
一対一で対応させると、コンタクタ同士のピッチを２倍
に増やすことができる。外部リードのピッチが微小化し
ても、コンタクタのピッチは外部リードのピッチの２倍
まで微小化すればよい。コンタクタ同士の電気的絶縁の
ための隙間を確実に確保することができる。コンタクタ
を製造する場合の許容される誤差を大きくすることがで
きる。コンタクタ同士の電気的絶縁を確実に図ることが
でき、半導体装置の特性の測定を確かなものとすること
ができる。
多数の外部リードがパッケージから所定のピッチで延出
し、隣合った外部リードの先端の向きが半導体装置の厚
さ方向に対し互いに異なるため、隣合った外部リード
は、その先端の向きを１個置きに同じにすることができ
る。外部リードの先端の向きが同じもの同士のピッチを
２倍に増加させることができる。試験装置の個々のコン
タクタを、外部リードの先端の向きを同じとしたものに
一対一で対応させると、コンタクタ同士のピッチを２倍
に増やすことができる。外部リードのピッチが微小化し
ても、コンタクタのピッチは外部リードのピッチの２倍
まで微小化すればよい。コンタクタ同士の電気的絶縁の
ための隙間を確実に確保することができる。コンタクタ
を製造する場合の許容される誤差を大きくすることがで
きる。コンタクタ同士の電気的絶縁を確実に図ることが
でき、半導体装置の特性の測定を確かなものとすること
ができる。
【００５３】また、請求項２の発明によれば、隣合った
一方の外部リードの先端の向きが水平方向であり、隣合
った他方の外部リードの先端の向きが上方向または下方
向であるため、試験装置の個々のコンタクタを、水平方
向に向かう外部リード同士と、上方向または下方向に向
かう外部リード同士とに対応させることができ、個々の
コンタクタの半分は水平方向に向かう外部リードに対応
するので、個々のコンタクタの半分は従来と同じ向きで
使用することができる。
一方の外部リードの先端の向きが水平方向であり、隣合
った他方の外部リードの先端の向きが上方向または下方
向であるため、試験装置の個々のコンタクタを、水平方
向に向かう外部リード同士と、上方向または下方向に向
かう外部リード同士とに対応させることができ、個々の
コンタクタの半分は水平方向に向かう外部リードに対応
するので、個々のコンタクタの半分は従来と同じ向きで
使用することができる。
【００５４】また、請求項３の発明によれば、隣合った
一方の外部リードの先端の向きが上方向であり、隣合っ
た他方の外部リードの先端の向きが下方向であるため、
試験装置の個々のコンタクタを、上方向に向かう外部リ
ード同士と、下方向に向かう外部リード同士とに対応さ
せることができ、この場合の半導体装置を、請求項２の
発明の半導体装置と比較すると、上方向に向かう外部リ
ードに対応するコンタクタと下方向に対応するコンタク
タとの電気的絶縁を図るための上方向に向かう外部リー
ドと下方向に向かう外部リードとの距離を、外部リード
を上方向に折り曲げることで補うことができ、下方向に
向かう外部リードの折り曲げを少なくすることができ、
半導体装置の搬送が簡便である。
一方の外部リードの先端の向きが上方向であり、隣合っ
た他方の外部リードの先端の向きが下方向であるため、
試験装置の個々のコンタクタを、上方向に向かう外部リ
ード同士と、下方向に向かう外部リード同士とに対応さ
せることができ、この場合の半導体装置を、請求項２の
発明の半導体装置と比較すると、上方向に向かう外部リ
ードに対応するコンタクタと下方向に対応するコンタク
タとの電気的絶縁を図るための上方向に向かう外部リー
ドと下方向に向かう外部リードとの距離を、外部リード
を上方向に折り曲げることで補うことができ、下方向に
向かう外部リードの折り曲げを少なくすることができ、
半導体装置の搬送が簡便である。
【００５５】また、請求項４の発明によれば、半導体装
置の外部リードを回路基板の表面に実装が可能となる形
状に成形する前に、半導体装置の特性の測定を行ってい
る。外部リ−ドの成形後、半導体装置の出荷が行われる
ので、出荷時の外部リードの変形の危険性を低くするこ
とができ、外部リ−ドを変形させた半導体装置を出荷す
ることも少なくすることができる。
置の外部リードを回路基板の表面に実装が可能となる形
状に成形する前に、半導体装置の特性の測定を行ってい
る。外部リ−ドの成形後、半導体装置の出荷が行われる
ので、出荷時の外部リードの変形の危険性を低くするこ
とができ、外部リ−ドを変形させた半導体装置を出荷す
ることも少なくすることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の構成図である。
【図２】図１の半導体装置の試験方法を説明するための
図である。
図である。
【図３】本発明による特性試験を説明するための図であ
る。
る。
【図４】図１のリード形状の変形例の構成断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２実施例の構成図である。
【図６】図５の半導体装置の試験方法を説明するための
図である。
図である。
【図７】従来の半導体装置および半導体装置の試験方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
１０ 半導体装置 １１ パッケージ １２ 一方の外部リード １２ａ 先端 １３ 他方の外部リード １３ａ 先端 １４ 一方のコンタクタ １５ 他方のコンタクタ １６ 測定装置 １７ 出荷時の半導体装置 １８ 成形された外部リード ２０ 半導体装置 ２１ パッケージ ２２ 一方の外部リード ２２ａ 先端 ２３ 他方の外部リード ２３ａ 先端 ２４ 一方のコンタクタ ２５ 他方のコンタクタ Ｐ１ ピッチ Ｐ２ ピッチ Ｐ３ ピッチ ｔ 厚さ Ｃ 隙間 Ｉ ダイバ−切断・除去工程 ＩＩ 折り曲げ工程 ＩＩＩ 測定工程 ＩＶ 外部リードの成形工程
Claims (4)
- 【請求項１】 パッケージ（１１、２１）から所定のピ
ッチ（Ｐ１）で延出した多数の外部リード（１２、１
３、２２、２３）を備える半導体装置（１０、２０）に
おいて、 隣合った外部リード（１２、１３、２２、２３）の先端
（１２ａ，１３ａ，２２ａ，２３ａ）の向きが半導体装
置（１０、２０）の厚さ（ｔ）方向に対し互いに異なる
ように構成されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記隣合った一方の外部リード（１２）
の先端（１２ａ）の向きが水平方向であり、 上記隣合った他方の外部リード（１３）の先端（１３
ａ）の向きが上方向または下方向であるように構成され
たことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記隣合った一方の外部リード（２２）
の先端（２２ａ）の向きが上方向であり、 上記隣合った他方の外部リード（２３）の先端（２３
ａ）の向きが下方向であるように構成されたことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 パッケージ（１１、２１）から水平方向
に向かって延出し、隣合わせに設けられた多数の外部リ
ードの先端の向きを半導体装置（１０）の厚さ（ｔ）方
向に対し互いに異なるように折り曲げる工程（Ｉ，Ｉ
Ｉ）と、 この互いに先端（１２ａ，１３ａ，２２ａ，２３ａ）の
向きが異なる外部リード（１２、１３、２２、２３）に
コンタクタ（１４、１５、２４、２５）を接触させ、半
導体装置（１０、２０）の特性を測定する工程（ＩＩ
Ｉ）と、 この測定を終えた外部リード（１２、１３、２２、２
３）を回路基板の表面に実装が可能となる形状に成形す
る工程（ＩＶ）と、 により構成されたことを特徴とする半導体装置の試験方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6086698A JPH07297349A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 半導体装置及びその試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6086698A JPH07297349A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 半導体装置及びその試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297349A true JPH07297349A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13894172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6086698A Withdrawn JPH07297349A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 半導体装置及びその試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297349A (ja) |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP6086698A patent/JPH07297349A/ja not_active Withdrawn
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |