JP2007288007A - 半導体レーザ装置製造用リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体レーザ装置を製造する際に、切断工程を減少させ得るとともに、リードフレームの剛性を高め得る半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子11を搭載するダイパッド部1及び外部機器との接続用のリード3を有するリード形成部2からなる支持領域部4が複数連結されたリードフレーム5のダイパッド部にレーザ素子を搭載する前に、各リードをフレーム側に連結するための固定部材9を非導電性樹脂により形成する工程と、半導体レーザ素子の電極と各リードとを電気的に接続した後で、リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバー10を切断する工程とを具備するとともに、支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
【選択図】図6
【解決手段】半導体レーザ素子11を搭載するダイパッド部1及び外部機器との接続用のリード3を有するリード形成部2からなる支持領域部4が複数連結されたリードフレーム5のダイパッド部にレーザ素子を搭載する前に、各リードをフレーム側に連結するための固定部材9を非導電性樹脂により形成する工程と、半導体レーザ素子の電極と各リードとを電気的に接続した後で、リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバー10を切断する工程とを具備するとともに、支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
【選択図】図6
Description
本発明は半導体レーザ装置製造用リードフレームおよびこのリードフレームを用いた半導体レーザ装置の製造方法に関する。
近年、半導体を用いた携帯電話やモバイル式パソコン等の小型軽量化および低価格化の要求に伴って、半導体レーザ装置の小型化および低価格化が図られている。特に、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置は、これらの要求が強く、従来の丸型キャンパッケージに替わって、リードフレームに樹脂モールドが施されてなるパッケージを用いた半導体レーザ装置が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
以下、従来の半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
この半導体レーザ装置の製造方法には、少なくとも、半導体レーザ素子を搭載するダイパッド部が複数のリード(所謂、リード端子である)を有するリード形成部に一体に形成されてなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する第1の工程と、搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を樹脂封止により形成する第2の工程と、リードフレームのダイパッド部に半導体レーザ素子が配置されたサブ基板を搭載する第3の工程と、半導体レーザ素子の表面電極とリードフレームのインナーリードとを金属細線で電気的に接続する第4の工程と、各リードをフレームに連結するタイバーおよびアウターリードの一部を切断する第5の工程と、リードフレーム単位でスクリーニングボードのソケットに挿入して高温槽の中で半導体レーザ素子を発光させながら特性変動を検査する第6の工程と、同じくリードフレームごとに各半導体レーザ装置の特性検査を行う第7の工程と、各支持領域部ごとにリードフレームを切断して複数個の半導体レーザ装置を得る第8の工程とが具備されている。
この半導体レーザ装置の製造方法には、少なくとも、半導体レーザ素子を搭載するダイパッド部が複数のリード(所謂、リード端子である)を有するリード形成部に一体に形成されてなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する第1の工程と、搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を樹脂封止により形成する第2の工程と、リードフレームのダイパッド部に半導体レーザ素子が配置されたサブ基板を搭載する第3の工程と、半導体レーザ素子の表面電極とリードフレームのインナーリードとを金属細線で電気的に接続する第4の工程と、各リードをフレームに連結するタイバーおよびアウターリードの一部を切断する第5の工程と、リードフレーム単位でスクリーニングボードのソケットに挿入して高温槽の中で半導体レーザ素子を発光させながら特性変動を検査する第6の工程と、同じくリードフレームごとに各半導体レーザ装置の特性検査を行う第7の工程と、各支持領域部ごとにリードフレームを切断して複数個の半導体レーザ装置を得る第8の工程とが具備されている。
ここで、上述した半導体レーザ装置の製造方法を、図面を用いて、より具体的に説明する。
まず、第1の工程において、図10および図11に示すように、ダイパッド部51が複数のリード53を有するリード形成部52に一体に設けられて半導体レーザ装置の構成単位となる支持領域部54が一列に複数配置されたリードフレーム55を準備する。このリードフレーム55の長辺方向の片側部には、後工程でのリードフレーム55の搬送用の送り穴56および位置決め用の位置決め穴57がそれぞれ所定のピッチで形成されている。
まず、第1の工程において、図10および図11に示すように、ダイパッド部51が複数のリード53を有するリード形成部52に一体に設けられて半導体レーザ装置の構成単位となる支持領域部54が一列に複数配置されたリードフレーム55を準備する。このリードフレーム55の長辺方向の片側部には、後工程でのリードフレーム55の搬送用の送り穴56および位置決め用の位置決め穴57がそれぞれ所定のピッチで形成されている。
次に、第2の工程において、図12〜図14に示すように、半導体レーザ素子を保護するための保護枠58がモールド装置(図示せず)により各支持領域部54に一括で樹脂成型により形成される。
次に、第3の工程において、図15に示すように、各支持領域部54のダイパッド部51に予め半導体レーザ素子59が配置されたサブ基板60が搭載される。
次に、第4の工程において、図16に示すように、半導体レーザ素子59の表面電極59aとインナーリード53aとが、金属細線61を介して電気的に接続される。
次に、第4の工程において、図16に示すように、半導体レーザ素子59の表面電極59aとインナーリード53aとが、金属細線61を介して電気的に接続される。
次に、第5の工程において、図17のリードフレーム55における3本のリード53をフレーム側に連結するタイバー62およびリード形成部52における3本のアウターリード53bの内の2本のリード53b,53bをパンチ金型(図示せず)にて切断する。なお、図18に切断後の状態を示す。このように、中央の1本のアウターリード53bだけをフレーム側に連結された状態にすることで、フレームから残りの2本のアウターリード53bを電気的に独立させて後工程での半導体レーザ装置ごとにおける特性変動などの検査を可能にする。
次に、第6の工程において、図19に示すスクリーニング検査用のスクリーニングボード71に搭載されているソケット72にリードフレーム55を挿入する。
そして、図20に示すように、ソケット72には受光装置73が配置されており、リードフレーム55の前方向へ発光したレーザ光を受光しスクリーニング検査が行われる。
そして、図20に示すように、ソケット72には受光装置73が配置されており、リードフレーム55の前方向へ発光したレーザ光を受光しスクリーニング検査が行われる。
図21に、リードフレーム55をソケット72に挿入する直前の状態を示す。
図21に示すように、リードフレーム55の片側部に位置決め穴57が形成されており、ソケット72側の位置決めピン74に嵌合することで、半導体レーザ素子59と受光装置73との正確な位置合わせが行われるとともにリード形成部52の各リード53とソケット72側のコンタクト75とが正しい位置で接触される。
図21に示すように、リードフレーム55の片側部に位置決め穴57が形成されており、ソケット72側の位置決めピン74に嵌合することで、半導体レーザ素子59と受光装置73との正確な位置合わせが行われるとともにリード形成部52の各リード53とソケット72側のコンタクト75とが正しい位置で接触される。
リードフレーム55が挿入された上記スクリーニングボード71を恒温槽(図示せず)に装着することで、ボード端子部76がテスター(図示せず)に接続されて、高温または低温における特性変動について、リードフレーム55に形成された各半導体レーザ装置77ごとに検査が行われる。
次に、第7の工程において、同様に、リードフレーム55に搭載された状態で、半導体レーザ装置77ごとにその特性が検査される。
すなわち、図22に示すように、リードフレーム55の前方に測定用の受光装置78が配置してあり、さまざまな特性について、1個ずつコンタクト用端子79を介して各リード53に電流を流しながら検査が行われる。
すなわち、図22に示すように、リードフレーム55の前方に測定用の受光装置78が配置してあり、さまざまな特性について、1個ずつコンタクト用端子79を介して各リード53に電流を流しながら検査が行われる。
次に、第8の工程において、リード形成部52の中央のインナーリード53aをパンチ金型により切断して個片化する。リード53が3つ(所謂、3端子)の場合には、両側の2つ(2端子)については第5の工程で切断されているが、残りの中央の1つ(1端子)については、支持領域部52をフレーム側に連結するためにリードフレーム55に繋がった状態にされている。この第8の工程においては、図23に示すように、繋がっているインナーリード53aを切断して支持領域部52を個片化することにより、個々の半導体レーザ装置77が得られる。
なお、第6の工程および第7の工程を、第8の工程の後に実施することもできるが、図23に示すように、半導体レーザ装置77が、非常に小さくまた半導体レーザ素子および電気配線用の金属細線が剥き出しであることから、非常に取り扱いにくく、できるだけ繋げた状態で一括処理することが望ましいためにリードフレームの状態で検査が行われている。
以上の工程を経て、半導体レーザ装置が完成されて、梱包出荷が行われる。
特開平6−45709号公報
上記従来の半導体レーザ装置の製造方法によると、スクリーニング工程および特性検査工程では、半導体レーザ素子すなわち半導体レーザ装置がリードフレームに繋がった状態で実施されるために、これら検査工程の前後で、すなわち2度の切断工程が必要となる。
特に、半導体レーザ装置に搭載されている半導体レーザ素子は外力による特性変位が起こりやすい性質を持っており、リードフレームから支持領域部を切り離す際の力により、スクリーニング工程および特性検査工程にて良品となった半導体レーザ装置に故障が発生する原因になっていた。また、発光方向が半導体レーザ装置の前方向であるために、検査工程での測定用の受光装置と干渉しないように支持領域部を片側に配置する必要が生じ、そのために、リードフレームそのものの剛性が非常に弱くなって、製造途中または搬送途中で変形が生じ、不良が発生し易いという問題もあった。
そこで、本発明は、半導体レーザ装置を製造する際に、切断工程を減少させ得るとともに、リードフレームの剛性を高め得る半導体レーザ装置製造用リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を達成するために、本発明の請求項1に係る半導体レーザ装置用リードフレームは、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、
上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
また、本発明の請求項2に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを接続するための複数のリードを有するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームの上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後、上記支持領域部をフレームから分離させることにより半導体レーザ装置を製造する方法であって、
上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、
上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、
上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、
上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、
上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
さらに、本発明の請求項3に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、
上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、
上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、
半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、
上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、
上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを具備した方法である。
上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、
上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、
半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、
上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、
上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを具備した方法である。
上記リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法によると、リード形成部を非導電性樹脂により形成された固定部材にてフレーム側に連結するようにしたので、半導体レーザ素子を電気的にリードに接続した後、タイバーとともに全てのリードを一度に切断しても支持領域部をフレーム側に保持することができ、したがって従来のように、検査工程の後において、所定のリードを切断する必要がなく、したがってこの切断工程で発生する力による半導体レーザ素子の不良発生を防止することができる。
また、素子搭載部に連結されたリード形成部が固定部材を介してフレーム側に連結されているため、支持領域部が片側だけに配置されている場合でも、リードフレームの剛性が高く維持されて、製造途中または搬送途中において、反りなどの変形が発生するのを防止することができる。
[実施の形態]
以下、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置製造用リードフレームおよびこのリードフレームを用いた半導体レーザ装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置製造用リードフレームおよびこのリードフレームを用いた半導体レーザ装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法に用いられるリードフレームの平面図、図2は同リードフレームの要部拡大平面図、図3は同リードフレームに保護枠を形成した状態の要部拡大斜視図、図4は同リードフレームに保護枠を形成した状態の要部拡大斜視図、図5は同リードフレームのタイバーおよび3本のリードを切断した状態の斜視図、図6は 同リードフレームに半導体レーザ素子を搭載した状態の要部斜視図、図7は同リードフレームにおける半導体レーザ素子とインナーリードとを電気的に接続した状態の要部拡大平面図、図8は同リードフレームにおける固定部材から半導体レーザ装置を離脱させた状態の平面図、および図9は同リードフレームにおける固定部材から半導体レーザ装置を離脱させた状態の斜視図である。
この半導体レーザ装置の製造方法およびこの製造方法にて用いられるリードフレームの主要な構成を概略的に説明しておく。
すなわち、この半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを具備した方法である。
すなわち、この半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを具備した方法である。
さらに、簡単に説明すると、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを接続するための複数のリードを有するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームの上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後、上記支持領域部をフレームから分離させることにより半導体レーザ装置を製造する方法であって、上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
また、本発明に係る半導体レーザ装置製造用リードフレームは、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
以下、本実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施の形態に係る半導体レーザ装置を製造する際に用いられるリードフレームについては、半導体レーザ装置の製造方法に含めて説明する。また、以下の説明においては、特性変動および特性の検査については、従来で説明したものと同一であるため、図面を用いずに簡単に説明する。
まず、第1の工程において、図1および図2に示すように、素子搭載部であるダイパッド部1が接続用端子部であるリード形成部[具体的には、複数の例えば3本のリード(リード端子ともいい、インナーリード3aとアウターリード3bとからなる)3を有している]2に一体に設けられてなる支持領域部(支持部材ともいえる)4が一列に複数個(例えば、縦1列にn個)配置されたリードフレーム5を準備する。図1には、縦1列に12個配置した場合を示しており、1枚のリードフレーム5で12個の半導体レーザ装置を得ることができる。なお、支持領域部4の配置方向は全て同一方向となるように配列されている。また、リードフレーム5の長手方向の片側部には、後工程でのワイヤボンド装置やダイボンド装置において用いられる搬送用の送り穴6および位置決め用の位置決め穴7がそれぞれ所定ピッチでもって形成されている。
次に、第2の工程においては、図3〜図5に示すようにダイパッド部1に搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠(ガード枠ともいう)8とダイパッド部1およびリード形成部2を固定するための固定部材(例えば断面が矩形状の棒状部がフレームの略全長に亘って設けられたもので、固定枠ともいう)9とがモールド装置(図示せず)により非導電性樹脂(絶縁性樹脂ともいう)にて全て一括で成型により形成される。なお、保護枠8と固定部材9とを別々に成型してもよい。
次に、第3の工程において、図4〜図6に示すように、リードフレーム5における各リード3をフレーム側に固定するためのタイバー(所謂、連結部である)10とリード形成部2の3本のリード3とをパンチ金型(図示せず)でそれぞれ切断する。この時、半導体レーザ装置を構成するダイパッド部1および各リード3は固定部材9によりフレーム側に連結されているため、リードフレーム5に一体化された状態が維持されており、したがって後工程において、各半導体レーザ装置がリードフレームに一体化された状態(以下、リードフレーム状態ともいう)で特性変動および特性検査などの検査を行うことができる。
次に、第4の工程において、図6に示すように、各支持領域部4のダイパッド部1に予め半導体レーザ素子11が配置されたサブ基板12を搭載する。図6は半導体レーザ素子11がサブ基板12に搭載された状態を示す斜視図である。なお、サブ基板が、半導体レーザ素子のレーザ光を受光する面をもつ受光素子であってもよい。この場合には、受発光一対の半導体レーザ装置となる。
次に、第5の工程において、図7に示すように、半導体レーザ素子11の表面電極13とインナーリード3aとが金属細線14を介して電気的に接続される(所謂、ワイヤボンディングが行われる)。
次に、第6の工程において、スクリーニング検査用のスクリーニングボードに搭載されているソケットにリードフレーム5を挿入し、高温槽の中で半導体レーザ素子11を発光させながら特性変動を検査するスクリーニング検査が行われ、また第7の工程では、コンタクト端子でリード3に電流を流しながら、さまざまな特性について検査が行われる。
次に、第8の工程において、図8および図9に示すように、リードフレーム5の固定部材9から半導体レーザ素子11が搭載されたダイパッド部1をリード3とともに引き抜いて離脱させることにより、個々の半導体レーザ装置13が得られる。
以上の工程を経て、半導体レーザ装置13は完成されて、梱包出荷が行われる。
ここで、上記製造途中におけるリードフレームの構成を説明しておくと、半導体レーザ素子を搭載するダイパッド部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
ここで、上記製造途中におけるリードフレームの構成を説明しておくと、半導体レーザ素子を搭載するダイパッド部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
上述した半導体レーザ装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体レーザ装置の製造方法によると、リード形成部が非導電性樹脂により形成された固定部材を介してフレーム側に連結されているので、特性変動検査、特性検査などの検査工程の前で、タイバーおよびリードを全て切断することができ、したがって半導体レーザ素子を搭載した後でリードを切断する工程が不要となるので、従来のように、検査後における切断工程で発生する力により、半導体レーザ素子が不良になるのを防止することができる。
また、素子搭載部が連結されたリード形成部が固定部材を介してフレーム側に連結されているため、支持領域部が片側だけに配置(連結)されている場合でも、リードフレームの剛性が高く維持されて、製造途中および搬送途中において、フレームが反るなどの変形が発生するのを防止(または抑制)することができ、したがって変形に起因する不良の発生を防止することができる。
しかも、従来と同様にリードフレーム状態にて製造工程を移動させる(流す)ことができるとともに、切断工程も減少するため、作業効率の向上を図ることができる。
1 ダイパッド部
2 リード形成部
3 リード
3a インナーリード
3b アウターリード
4 支持領域部
5 リードフレーム
8 保護枠
9 固定部材
10 タイバー
11 半導体レーザ素子
12 サブ基板
13 半導体レーザ装置
2 リード形成部
3 リード
3a インナーリード
3b アウターリード
4 支持領域部
5 リードフレーム
8 保護枠
9 固定部材
10 タイバー
11 半導体レーザ素子
12 サブ基板
13 半導体レーザ装置
Claims (3)
- 半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、
上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したことを特徴とする半導体レーザ装置製造用リードフレーム。 - 半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを接続するための複数のリードを有するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームの上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後、上記支持領域部をフレームから分離させることにより半導体レーザ装置を製造する方法であって、
上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、
上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、
上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、
上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、
上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、
半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、
上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、
上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを
具備したことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006115070A JP2007288007A (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | 半導体レーザ装置製造用リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法 |
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JP2006115070A JP2007288007A (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | 半導体レーザ装置製造用リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006115070A Pending JP2007288007A (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | 半導体レーザ装置製造用リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007288007A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028699A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法 |
WO2012029209A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
CN108123361A (zh) * | 2015-03-30 | 2018-06-05 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 激光发射器 |
-
2006
- 2006-04-19 JP JP2006115070A patent/JP2007288007A/ja active Pending
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CN108123361A (zh) * | 2015-03-30 | 2018-06-05 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 激光发射器 |
CN108123362A (zh) * | 2015-03-30 | 2018-06-05 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 激光发射器 |
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